电子线路综合复习卷
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《电子线路》复习试卷1
一、填空题
1、某多级放大器中各级电压增益为:第一级25dB、第二级30dB、第三级-15dB、第四
级60dB,放大器的总增益为,总的放大倍数为。
2、当电压放大倍数下降为最大电压放大倍数A vo的时,所对应的两个频
率分别称为和,它们之间的频率范围,称为放大电路的,它是放大电路频率特性的一个重要质量指标。
3、射极输出器的特性归纳为:电压放大倍数,电压跟随性好,输入阻抗,
输出阻抗,而且具有一定的放大能力和功率放大能力,射极输出器的反馈类型是。
4、串联负反馈可以使放大器的输入电阻,并联负反馈可以使放大器的输入电
阻,电压负反馈可以使放大器的输出稳定,电流负反馈可以使放大器的输出稳定。
5、一个交流放大电路(能、不能)放大直流信号,一个直接耦合放大电路(能、
不能)放大交流信号。
6、直流放大器输入信号为零时,输出电压偏离其起始值的现象称为。
7、理想情况下,集成运放的各项技术指标为: A V= ,R i= ,R O= ,
BW从到,K CMR= ,V+-V-= ,I+=I-= 。
8、在图示电路中,u O1= u i1,u O2= u i2。
9、在差分放大电路中,大小相等、极性或相位一致的两个输入信号称为信号;
大小相等,极性或相位相反的两个输入信号称为信号。
10、一个自激振荡器是由、、三部分电路组
成,只有满足和才能产生振荡。
二、判断题
1、多级阻容耦合放大器的通频带比组成它的单级放大器的通频带宽。
2、射极输出器是电压串联负反馈放大器,它具有稳定输出电压的作用。
3、一个完全对称的差分式放大器,其共模放大倍数为零。
4、一个理想的差分放大电路,只能放大差模信号,不能放大共模信号。
5、差动放大电路的A VD越大越好,而A VC则越小越好。
题号 1 2 3 4 5
答案
三、选择题
1、电流并联负反馈对放大器的影响,正确的是()
A.能稳定静态工作点,增加电压放大倍数的稳定性,减小输入电阻
B.使放大器不稳定,可能产生自激振荡
C.能稳定静态工作点,提高输入电阻,稳定放大器的输出电压
D.能稳定放大器的输出电流,减小输入电阻,但放大器带动负载能力减小2、关于射极输出器的错误叙述是()
A.电压放大倍数略小于1,电压跟随性好
B.输入阻抗低,输出阻抗高
C.具有一定的电流放大能力和功率放大能力
D.一般不采用分压式偏置是为了提高输入电阻
3、关于理想运算放大器的错误叙述是( )。
A.输入阻抗为零,输出阻抗也为零
B.输入信号为零时,输出处于零电位
C.频带宽度从零到无穷大
D.开环电压放大倍数无穷大
4、右图示电路中,电流i等于()
A.0.5毫安B.1毫安C.-0.5毫安D.-1毫安
5、下图示电路中,满足自激振荡条件的电路是()
班
级
:
姓
名
:
学
号
:
密
封
线
A.B.C.
题号 1 2 3 4 5
答案
四、计算题
1、计算画出图示电路的直流通路和交流通路。
2、要求画出运算放大器实现如下运算,确定各电阻的关系。
(1)V O=-3V i
(2)V O=V i1-V i2
(3)V O=V i1+V i2
(4)v O= 3V i1-V i2-2V i3
3、在图示两级阻容耦合放大器中,已知R B1=100kΩ,R B2=24kΩ,R B3=33kΩ,R B4=6.8k
Ω,R C1=15kΩ,R C2=7.5kΩ,R E1=5.1kΩ,R E2=2kΩ,R L=5kΩ,C1=C2=C3=50μF,
C E1=C E2=100μF,β1=60,β2=50,V G=20V,V BE1=V BE2=0.6V,试求
(1)前、后级的静态工作点;
(2)画出交流通路;
(3)总的电压放大倍数;
(4)放大器的输入电阻和输出电阻。
《电子线路》复习试卷2
一、填空题
1、当晶体二极管导通后,则硅二极管的正向压降为 V,锗二极管
的正向压降为V。
2、用于放大____________或____________的放大器,称为直流放大器。
3、晶体三极管中有两个PN结,其中一个PN结叫做,另外一个叫
做。
4、若晶体三极管集电极输出电流Ic=9mA,该管的电流放大系数为β
=50,则其输入电流I B=________。
5、对于一个晶体管放大器来说,一般希望其输入电阻要________些,
以减轻信号源的负担,输出电阻要________些,增大带动负载的能
力。
6、三极管起放大作用的外部条件是______________、______________。
7、在放大器中,字符I B表示_____________________________;
字符V i表示____________________________;
字符i E表示_____________________________。
8、某放大器由三级组成,每级的电压增益为15dB,则放大器的总增
益是_________。
9、某固定偏置放大器中,实测得三极管集电极电位V c=V G,则该放大
器的三极管处于__________工作状态。
10、差动放大器的两种输入方式为____________和____________。
11、差动放大器性能的好坏,应同时考虑它的____________和
____________。
12、根据选频网络和反馈电路结构的不同,LC正弦波振荡器的三种基
本形式为____________、____________和____________。
13、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有____________类
功放、____________类功放和____________类功放电路。
14、功率放大器以输出终端特点分类有:____________功放、
____________功放和____________功放电路。
15、CW7805的输出电压为____________。
二、选择题
1、在三极管放大电路中,三极管最高电位的一端是()。
A、NPN管的发射极
B、PNP管的发射极
C、PNP管的集电极
2、NPN型三极管放大器设置合适的静态工作点,以保证放大信号时,
三极管()。
A、发射极为反向偏置
B、集电极为正向偏置
C、始终工作在放大区
3、NPN型三极管放大电路中,当集电极电流增大时,则晶体三极管
()。
A、基极电流不变
B、集电极对发射极电压V CE下降
C、集电极对发
射极电压V CE上升
4、某三级放大器中,每级电压放大倍数为A V,则总的电压放大倍数为
()。
A、3A V
B、A V3
C、A V3/3
5、正弦波振荡器中,选频网络的主要作用是()。
A、使振荡器产生一个单一频率的正弦波
B、使振荡器输出较大的信号
C、使振荡器有丰富的频率成分
6、在电子设备的电路中,常把弱信号放大部分屏蔽起来,其目的是()。
A、使放大倍数不受外界影响
B、防止能量过多损耗
D、防止外来干扰引起自激现象
7、差动放大器有差模放大倍数A VD和共模放大倍数A VC,性能好的差
动放大器应()。
A、A VD等于A VC
B、A VD大而A VC要小
C、A VD小而A VC要大
8、差动放大器比非差动的直接耦合放大器以多用一个晶体三极管为代
价,换取()。
A、高的电压放大倍数
B、使电路放大信号时减少失真
C、抑制零点漂移
9、某变压器耦合的功率放大器中,已知晶体三极管的输出电阻为72Ω,
扬声器的电阻为8Ω,若要达到阻抗匹配的目的,则输出变压器的匝数
比n是()。
A、4
B、3
C、2
10、OCL功率放大电路采用的电源是()。
A、取极性为正的直流电源
B、取极性为负的直流电源
C、取两个电压大小相等且极性相反的正、负直流电源
三、是非题
1、振荡器的负载变动将影响振荡频率稳定性()。
2、直流放大器是放大直流信号的,它不能放大交流信号()。
3、差动放大器有单端输出和双端输出两大类,它们的差模电压放大倍数
使相等的()。
4、差动放大器如果注意选择元件,使电路尽可能对称,可以减小零点漂
移()。
5、稳定振荡器中的晶体三极管静态工作点,有利于提高频率稳定度
()。
6、放大器具有正反馈特性时,电路必然产生自激振荡()。
7、在三极管放大电路中,三极管最高电位的一端是()。
A、NPN管的发射极
B、PNP管的发射极
C、PNP管的集电极
8、多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄,级数愈少,
通频带愈窄()。
9、晶体三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化,温度升高,β减
少()。
10、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类型半导体构成的,所以e
极和c极可以互换使用()。
四、计算题
1、下图所示电路中,Vi=0.2V,R1=10K,Rf=100K,R=5K,
求:Vo=?
2、下图中,若R1=R3=300Ω,R2=200Ω当Vi=15V,R2电位器滑动触电
在中央位置时,Vo=10V,
求:(1)可调输出电压Vo的最小值和最大值;
(2)若Vi变化﹪,问V1管最大可能压降是多少?
3、在上图的稳压电路中,稳压管V3的稳定电压VZ=7V,VBE2=0.7V,
试计算输出电压Vo的可调范围。
4、在下图运放电路中,R=10K,Vi1=2V,Vi2=-3V,
试求输出电压Vo的值
五、分析题:
在下图的单管放大环节的串联型稳压电路,说明在电网电压波动或负载变化时给电路是如何自动调节的?
Vi V O
《电子线路》复习试卷3
一、填空题
1、由N PN 晶体管组成的基本单管共射放大电路,当u i 为1kH z 、5m v 的正弦信号时,输出电压出现底部削平失真,称这种失真叫 失真。
2、桥式整流电容滤波电路,若设U 2(有效值)=10 V ,则U o=_____ V ,若电容C 虚焊,则Uo = V 。
3、某多级放大器中各级电压增益为:第一级25dB 、第二级30dB 、第三级
-15d B 、第四级60dB ,放大器的总增益为 ,总的放大倍数为 。
4、当电压放大倍数下降为最大电压放大倍数Av o 的 时,所对
应的两个频率分别称为 和 ,它们之间的频率范围,称为放大电路的 ,它是放大电路频率特性的一个重要质量指标。
5、射极输出器的特性归纳为:电压放大倍数 ,电压跟随性好,
输入阻抗 ,输出阻抗 ,而且具有一定的 放大能力和功率放大能力,射极输出器的反馈类型是 。
6、串联负反馈可以使放大器的输入电阻 ,并联负反馈可以
使放大器的输入电阻 ,电压负反馈可以使放大器的输出 稳定,电流负反馈可以使放大器的输出 稳定。
7、一个交流放大电路 (能、不能)放大直流信号,一个直接耦合
放大电路 (能、不能)放大交流信号。
8、直流放大器输入信号为零时,输出电压偏离其起始值的现象称
为 。
9、在右图理想运放电路中,u O 1= u i 1。
10、一个自激振荡器是由 、 、 三部分电路
组成,只有满足 和 才能产生振荡。
二、判断题
1、多级阻容耦合放大器的通频带比组成它的单级放大器的通频带宽。
2、射极输出器是电压串联负反馈放大器,它具有稳定输出电压的作用。
3、一个完全对称的差分式放大器,其共模放大倍数为零。
4、一个理想的差分放大电路,只能放大共模信号,不能放大差模信号。
5、差动放大电路的A
V D 越小越好,而A
V C
则越大越好。
三、选择题
1、集成三端稳压器W7905输出电压U
= V。
A.+9 B.—9C.+ 5 D.—5
2、电流并联负反馈对放大器的影响,正确的是()
A.能稳定静态工作点,增加电压放大倍数的稳定性,减小输入电阻B.使放大器不稳定,可能产生自激振荡
C.能稳定静态工作点,提高输入电阻,稳定放大器的输出电压
D.能稳定放大器的输出电流,减小输入电阻,但放大器带负载能力减小
3、关于射极输出器的错误叙述是()
A.电压放大倍数略小于1,电压跟随性好
B.输入阻抗低,输出阻抗高
C.具有一定的电流放大能力和功率放大能力
D.一般不采用分压式偏置是为了提高输入电阻
4、关于理想运算放大器的错误叙述是( )。
A.输入阻抗为零,输出阻抗也为零
B.输入信号为零时,输出处于零电位
C.频带宽度从零到无穷大
D.开环电压放大倍数无穷大
5、下图示电路中,满足自激振荡条件的电路是()
A.B.C.
四、计算题
1、工作点稳定电路如图6所示。
已知V
C C =15V,R
b1
= 10kΩ,R
b2
=20kΩ,
R
C =R
e
=R
L
=2.2kΩ,三极管的β= 40,r
b e
= 1.1I kΩ,U
B E Q
=0.6V 求:(1)画出直流通路;
(2)静态工作点I
B Q
、I
C Q
和U
C E Q
的值;
(3)晶体管输入电阻r b e;
(4)画出交流通路;
(5)电压放大倍数A v
(6)输入电阻ri;
(7)输出电阻ro。
2、利用理想运放设计实现如下运算功能的电路,并确定电路中各电阻值.
V O=V i1-V i2
3.电路如图11所示。
(1)标出集成运放的正、负极性;
(2)求电路输出电压的最大值U om a x和最小值Uo mi n。
《电子线路》复习试卷4
一、填空题
1、PN结正向偏置时,反向偏置时,这种特性称为PN结的。
但是当硅材料的PN结正向偏压小于V,锗材料的PN结正向偏压小于V时,PN结仍不导通,我们把这个区域称为。
2、最常用的半导体材料有和。
3、硅二极管导通时的正向压降为伏,锗二极管导通时的正向压降为
伏。
6、晶体三极管有两个PN结,即结和结,在放大电路中结
必须正偏,结必须反偏。
7、晶体三极管有型和型,前者的图形符号是,后者的图
形符号是。
8、理想集成运放电路,开环放大倍数A VO=__________,输出阻抗r o=__________。
9、带有放大环节的串联型稳压电路是由__________、基准电源、__________和调整元件四部分组成。
10、反馈是指放大器的输出端把输出信号的部分或全部通过一定方式送回到放大器__________的过程。
11、__________是一种能够最有效地抑制零漂的直耦放大器。
12、多级放大器常用的耦合方式有__________、___________、_________三种形式。
13、已知某两级放大电路,第一级的电压增益为40dB,第二级的电压增益为20dB,该电路总的电压放大倍数Au= 。
14、负反馈放大电路虽然使电路的放大倍数降低了,但它却改善了放大电路的_性能,比如:提高了放大倍数的,展宽了等。
15、串联负反馈可以使放大器的输入电阻,并联负反馈可以
使放大器的输入电阻,电压负反馈可以使放大器的输出稳定,电流负反馈可以使放大器的输出稳定。
16、射极输出器的特性归纳为:电压放大倍数,电压跟随性好,
输入阻抗,输出阻抗,而且具有一定的放大能力和功率放大能力,射极输出器的反馈类型是。
17、在右图理想运放电路中,u O1= u i1。
二、选择题(每题2分,共20分)
1、在P型半导体中()
A.空穴是多数载流子,电子是少数载流子
B.电子是多数载流子,空穴是少数载流子
C.空穴的数量略多于电子
D.没有电子
2、二极管两端加上正向电压时()
A.一定导通B.超过死区电压才能导通
C.超过0.7伏才导通D.超过0.3伏才导通
3、三极管处于饱和状态时,三极管的发射结和集电结分别处于()
A.发射结和集电结都处于正偏B.发射结处于正偏,集电结处于反偏
C.发射结处于反偏,集电结处于正偏
4、NPN型三极管处于放大状态时,各极电位关系是()
A. U C>U B>U E
B. U C<U B<U E
C. U C>U E>U B
5、1.K CMR越大,表明电路。
A.放大倍数越稳定 B.交流放大倍数越大
C.抑制温漂能力越 D.输人信号中差模成分越大
6、电流并联负反馈对放大器的影响,正确的是()
A.能稳定静态工作点,增加电压放大倍数的稳定性,减小输入电阻B.使放大器不稳定,可能产生自激振荡
C.能稳定静态工作点,提高输入电阻,稳定放大器的输出电压
D.能稳定放大器的输出电流,减小输入电阻,但放大器带负载能力减小
7、关于理想运算放大器的错误叙述是( )。
A.输入阻抗为零,输出阻抗也为零
B.输入信号为零时,输出处于零电位
C.频带宽度从零到无穷大
D.开环电压放大倍数无穷大
8、在如图所示电路中工作于正常导通状态的二极管是()
9、在三极管放大电路中,三极管各极电位最高的是()
A.NPN管发射极 B.PNP管发射极
C.PNP管集电极 D.NPN管基极
10、共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是()
A、同相位
B、相位差90°
C、相位差180°
三、判断
1、少数载流子是自由电子的半导体称为P型半导体。
2、晶体二极管击穿后立即烧毁。
3、一个理想的差分放大电路,只能放大共模信号,不能放大差模信号。
4、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体(P型或N型)构成的,所以极e和c 极可以互换使用。
5、三极管处于截止状态时,发射结正偏
6、差动放大电路的A V D越小越好,而A V C则越大越好。
7、某三级放大器中,每级电压放大倍数为A V,则总的电压放大倍数为3A V。
8、晶体三极管出现饱和失真是由于静态电流I CQ选得偏低。
9、多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄。
10、为使晶体管处于放大工作状态,其发射结应加反向电压,集电结应加正向电压。
四、计算与分析
1、判断反馈类型
Rf
2、基本放大器中,已知:E C=12V,R B=300K,R C=3K,三极管为硅管,β=50,求静态工作参数I BQ、I CQ、V CEQ
3、在下图运放电路中,R=10K,Vi1=2V,Vi2=-3V,
试求输出电压Vo的值
4、已知三极管的I C=4mA,β=100,则I B、I E各有多少?
+E c R C
R B C2
C1+ + T u o u i
- -
5、简述产生零点漂移的原因
《电子线路》复习试卷5
一、填空题
1、在导体中导电的是,在半导体中导电的不仅有,而且有,这是半导体区别于导体导电的重要特征。
2、PN结正向偏置时,反向偏置时,这种特性称为PN结的。
但是当硅材料的PN结正向偏压小于 V,锗材料的PN结正向偏压小于 V时,PN 结仍不导通,我们把这个区域称为。
3、硅二极管导通时的正向压降为伏,锗二极管导通时的正向压降为伏。
4、一锗二极管正反向电阻均接近于零,表明该二极管已,又有一硅二极管正反向电阻接近于无穷大,表明该二极管已。
5、晶体三极管有两个PN结,即结和结,在放大电路中结必须正偏,结必须反偏。
6、三极管各电极电流的分配关系是。
7、晶体三极管有型和型,前者的图形符号是,后者的图形符号是。
8、三极管的输出特性曲线可分为三个区域,即、和。
当三极
管工作在区时,关系式I
C =βI
B
才成立;当三极管工作在区时,I
C
≈0;当三极
管工作在区时,U
≈0。
CE
9、放大器的放大倍数有三种,即为、和。
10、共发射极基本放大电路兼有和的作用。
11、画放大器的直流通路时,将视为开路,画交流通路时,将和视为短路。
12、放大器中电压、电流的瞬时值包括分量和分量两部分。
二、选择题
1、在P型半导体中()
A.空穴是多数载流子,电子是少数载流子
B.电子是多数载流子,空穴是少数载流子
C.空穴的数量略多于电子
D.没有电子
2、把电动势是1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端,则该管()A.电流为零 B.电流基本正常 C.击穿 D.被烧坏
3、二极管两端加上正向电压时()
A.一定导通 B.超过死区电压才能导通
C.超过0.7伏才导通 D.超过0.3伏才导通
4、在如图所示电路中工作于正常导通状态的二极管是()
为()5、电路如图所示,设二极管正向电阻为零,反向电阻为无穷大,则电压U
AB
A.-3伏B.5伏C.8伏D.-8伏
6、测得工作在放大电路中的三极管各电极电位如图所示,其中硅材料的NPN管是()
7、PNP型三极管处于放大状态时,各极电位关系是()
A. U
C >U
B
>U
E
B. U
C
<U
B
<U
E
C. U
C
>U
E
>U
B
8、3DG6D型晶体三极管的P
CM =100毫瓦,I
CM
=20毫安,U
BR(CEO)
=30伏,如果将它接在I
C
=15
毫安,U
CE
=20伏的电路中,则该管()
A. 被击穿
B. 工作正常
C. 功耗太大过热甚至烧坏
9、如果三极管的集电极电流I
C 大于它的集电极最大允许电流I
CM
,则该管()
A. 被击穿
B. 被烧坏
C. 电流放大能力下降
10、用万用表R×1kΩ的电阻档测量一只能正常放大的三极管,若用红表棒接触一只管脚,黑表棒接触另两只管脚时测得的电阻均较大,则该三极管是()
A. PNP型
B. NPN型
C. 无法确定
11、对三极管放大作用的实质,下面说法正确的是()
A. 三极管可以把小能量放大成大能量
B. 三极管可以把小电流放大成大电流
C. 三极管可以把小电压放大成大电压
D. 三极管可用较小的电流控制较大的电流
12、在三极管放大电路中,三极管各极电位最高的是()
A.NPN管发射极 B.PNP管发射极
C.PNP管集电极 D.NPN管基极
三、简答题
1、怎样用万用电表判别硅二极管和锗二极管?怎样用万用电表判断小功率二极管的好坏与极性?(3分)
2、一个放大器的电压增益是120dB,相当于多大的放大倍数?如电压增益为-80dB,有
什么含义?(3分)
3、根据如图所示三极管的各管脚电位,试分析其工作状态,并将结果用“√”填入表内,其中NPN型管为硅材料,PNP型管为锗材料。
(4分)
序号
状态V
1
V
2
V
3
V
4
放大饱和
截止
四、计算题
1、在如图所示电路中,设二极管正向压降和反向压降均可忽略,判断图中二极管是导通
还是截止,并求输出电压U
ab。
(8分)
2、电路如图所示,设二极管是理想的,电源u
i 为正弦波,试画出负载R
L
两端的电压u
的
波形。
(4分)
3、放大器的输入信号电压V
i =0.3V,I
i
=1mA,输出电压V
=3V,I
=0.1A,那么,求电压增
益、电流增益、功率增益。
(6分)
4、电路如图所示,R
B =270kΩ,R
C
=2kΩ,R
L
=6kΩ,V
G
=9V,β=50,V
BEQ
=0.7V,试用估算法
计算:(12分)
(1)静态工作点(I
BQ 、I
CQ
、V
CEQ
)
(2)晶体管的输入电阻r
be
(3)放大器的输入电阻r
i 和输出电阻r
o
(4)空载和有载时的电压放大倍数
《电子线路》复习试卷6
一、填空题
1、电子设备中常用的电阻器、电容器、变压器和开关等称为_____________,二极管、三极管称为______________。
2、PN结具有__________性能,即加__________电压时PN结导通,加__________电压时PN结截止。
3、晶体二极管因所加__________电压过大而__________,并且出现__________的现象,称为热击穿。
4、晶体三极管中有两个PN结,其中一个PN结叫做__________,另一个叫做__________。
5、晶体管的三种工作状态是__________、__________、__________。
6、放大器的静态是指__________时的工作状态,静态工作点可根据电路参数用________方法分析确定,也可用_________方法分析确定。
7、当晶体二极管导通后,硅二极管的正向压降为_____V,锗二极管的正向压降为_____V。
8、若晶体三极管集电极输出电流Ic=9mA,该管的电流放大系数为β=50,则其输入电流I B=________。
9、对一个晶体管放大器来说,一般希望其输入电阻要________些,以减轻信号源的负担,输出电阻要________些,增大带动负载的能力。
10、三极管起放大作用的外部条件是____________、_____________。
11、某放大器由三级组成,每级的电压增益为15dB,则放大器的总增益是_________。
12、某固定偏置放大器中,实测得三极管集电极电位Vc=V G,则该放
大器的三极管处于__________工作状态。
二、是非题
()1、少数载流子是自由电子的半导体称为P型半导体。
()2、晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时,反向电流极小,当反向电压大于反向击穿电压后,反向电流会迅速增大。
()3、为使晶体管处于放大工作状态,其发射结应加反向电压,集电结应加正向电压。
()4、晶体管的发射区和集电区是由同一类型半导体(N型或P型)构成的,所以e极和c极可以互换使用。
()5、晶体三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化,温度升高,β减小。
()6、已知某三极管的发射极电流I E =1.36mA,集电极电流I C =1.33mA,则基极电流I B =30μA。
()7、放大器的静态工作点一经设定后,不会受外界因素的影响。
()8、晶体三极管出现饱和失真是由于静态电流I CQ选得偏低。
()9、共发射极放大器的输出电流信号和输入电流信号反相。
()10、多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄。
三、选择题
1、晶体二极管的正极电位是-10V,负极电位是-5V,则该晶体二极管处于()
A、零偏
B、反偏
C、正偏
2、用万用表欧姆档测小功率晶体管性能好坏时,应把欧姆档拨到()
A、R×100Ω或R×1KΩ档
B、R×1Ω档
C、R×10KΩ档
3、当硅晶体二极管加上0.3V的正向电压时,该晶体二极管相当于()
A、小阻值电阻
B、阻值很大的电阻
C、内部短路
4、晶体三极管的发射结正偏,集电结正偏时,则晶体三极管所处的状态是()
A、放大状态
B、饱和状态
C、截止状态
5、晶体三极管工作在饱和状态时,它的I C将()
A、随I B增加而增加
B、随I B增加而减小
C、与I B无关
6、在三极管放大电路中,三极管电极最高电位的一端是()
A、NPN管的发射极
B、PNP管的发射极
C、PNP管的集电极
7、共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是()
A、同相位
B、相位差90°
C、相位差180°
8、NPN三极管放大器中,若三极管的基极与发射极短路,则()
A、三极管集电结将正偏
B、三极管处于截止状态
C、三极管将深度饱和
9、NPN型三极管放大器设置合适的静态工作点,以保证放大信号时,三极管()。
A、发射极为反向偏置
B、集电极为正向偏置
C、始终工作在放大区
10、NPN型三极管放大电路中,当集电极电流增大时,则晶体三极管()。
A、基极电流不变
B、集电极对发射极电压VCE下降
C、集电极对发射极电压VCE上升
11、某三级放大器中,每级电压放大倍数为A V,则总的电压放大倍数为()。
A、3A V
B、A V3
C、A V3/3
四、画电路
连接下列各电子元器件,构成桥式整流电路(要求:负载RL上
获得的直流信号极性为上正下负);
五、电路反馈判别
六、计算题
已知三极管β=30,V BEQ =0.7V,R b=510KΩ,R c=6.2KΩ,V G=20V。
分析下列放大器,试求:
(1)画出该放大器的直流通路;
(2) 估算晶体管的输入电阻r be=?;
(3) 画出该放大器的交流通路;
(4)估算放大电路的输入电阻r i,输出电阻r o
(5)估算电压放大倍数 A V=?。