2013、14中科院博士入学考试半导体物理教程
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一、简答
1、肖特基接触、欧姆接触
2、Pn 结作用、异质PN 结、同质PN 结区别
3、费米能级、判断杂质类型、掺杂浓度
4、PN 结激光器实现粒子数反转
5、光电导
二、Si 、GaAs 、GaN 晶体结构、能带特点、物理性质、应用。 三、霍尔效应,........ 证明R H =
四、Xy 方向自由,z 方向为无限深势阱1,、求本征能量2、能态密度3、如果三个方向都无受到限制,则1、本征能量 2、能态密度改变?
五、GaAs ,次能、最低能谷。。。。有效质量性质和意义,有效质量大小比? 2014 一、简答
1、以GaAs 为例说明几种散射机制?与温度关系?
2、迁移率μ,电导σ,H μ区别
3、PN 结光生伏特效应?光电池?画I-V 曲线?
4、Si 、GaAs 、GaN 晶体结构、能带特点、物理性质、应用。
5、温度太高。破坏晶体结构? 二、导体、半导体、绝缘体能带论
三、掺杂质。。。求E ?已知j p n μμρ,i ,。。。
四、轻空穴、重空穴有效质量及图,等能面为球面,E=(....)m
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。。。。
一、Si 、GaAs 、GaN 晶体结构、能带特点、物理性质、应用。 1、晶体结构:
Si 是金刚石结构,由面心立方中心到顶角引8条对角线,在其中互不相邻的4条对角线上中点放置一个原子,对角线上的4个原子与面心和顶角原子周围情况不同,是单原子复式格子。
GaAs (III-V )闪锌矿结构(立方对称性),与金刚石结构相仿,只是对角线上的原子与面心和顶角上的原子不同,(极性半导体/共价性化合物半导体)。 GaN 是纤锌矿结构(六方对称性,以正四面体为基础) 2、能带特点:
Si 的导带极小值在K 空间<1 0 0>方向,能谷中心与 点距离是X 距离的
6
5
,共有6个等价能谷,形状为旋转椭球。价带在布里渊区中心是简并的,有重空穴、轻空穴、自旋耦合分裂三个能级。导带底和价带顶在K 空间不同点,属于间接禁带半导体。
GaAs导带等能面为球面,导带极小值位于布里渊区中心K=0处,但在<100><111>方向还有极小值。价带在布里渊区中心是简并的,有重空穴、轻空穴、自旋耦合分裂三个能级。导带底和价带顶都在K=0,直接带隙半导体。
GaN:第一布里渊区是正六角柱体,导带底和价带顶都在K=0,直接带隙半导体,为宽
禁带半导体材料。导带在k
x 、k
z
方向还有极小值,价带在布里渊区中心是简并的,有重
空穴、轻空穴、自旋耦合分裂三个能级。
3、物理性质
Si GaAs GaN
禁带宽度(ev) 1.1 1.4 3.4
饱和速率(×10-7cm/s) 1.0 2.1 2.7
热导(W/c·K) 1.3 0.6 2.0
击穿电压(M/cm)0.3 0.4 5.0
电子迁移速率(cm2/V·s)1350 8500 900
4、应用
Si 间接带隙,复合几率小,用于电子器件,双极器件,(晶体管、集成电路、整流器、晶闸管、太阳能电池等)技术成熟,成本低。
GaAs直接带隙,电子迁移率是硅的6倍多,多用于光电子器件,红外发光GaN带隙宽、热导率高,适用于高功率、高温、高频、蓝绿光、紫外光的发光器件和探测器件。
半导体材料是制作晶体管、集成电路、电力电子器件、光电子器件的重要基础材料,
支撑着通信、计算机、信息家电与网络技术等电子信息产业的发展。 二、有效质量的意义
晶体中的电子在受外力作用下运动时,还受到晶格(内部原子和其他电子势场)的作用,电子加速度是半导体内部势场和外力作用的综合效果。内部势场具体形式很难求出,引进有效质量的意义在于它概括了半导体内部势场的作用,使得在解决外力作用运动规律时,可以不涉及内部势场作用。有效质量可直接由实验测定。有效质量与准动量都是人为定义的,用来描述晶体中电子的粒子性。用这些概念,处理晶体中电子的输运问题,可以把布洛赫电子看成是具有质量m*、动量为k 的准电子,使我们能够只考虑外力作用下这样的准电子的运动。由于通常晶体周期场的作用是未知的,也不象外力那么容易求出,所以引入这两个量,给处理问题带来很大的方便。 三、晶体中电子的有效质量为什么可能为负值? 甚至还会变成无穷大呢?
设电子与晶格之间的作用力为l F ,则牛顿定律简单记为)(1l F F m
a
+=
但是l F 的具体表达式是难以得知的,要使上式中不出现l F
又要保持式子恒等,上式只
好写成F m
a
*=1也就是说电子的有效质量m*本身已概括了晶格的作用。
二式比较得m
t
F m t F m t F l d d d
+=*将冲量用动量的增量来代换,上式化为:
[[]电子给予晶格的外力给予电子的晶格给予电子的外力给予电子的)()(1])()(1P P m
P P m m p ∆-∆=∆+∆=∆*从上式可以看出,当电子从外场获得的动量大于电子传递给晶格的动量时,有效质量m*>0;当电子从外场获得的动量小于电子传递给晶格的动量时,m*<0;当电子从外场获得的动量全部交给晶格时,m*→∞,此时电子的平均加速度为零。 四、回旋共振测有效质量
在恒定外磁场作用下,晶体中电子或空穴做螺旋运动,回转频率*=
m
B
q 0ω。若在垂直磁场方向加上频率为ω的交变电场,当0ωω=,交变电场的能量将被电子共振吸收,这个现象称为回旋共振。从量子理论的观点,相当于实现了电子在朗道能级上的跃迁。回旋共振测定了许多半导体材料导带底和价带顶附近的有效质量。