模电填空练习
模电试题(题库)
模电试题库一、填空题。
1、由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。
2、温度升高时,三极管的β将 (增加、减小、不变)。
3、要让三极管工作在放大区,发射结要求 ,集电结要 (正偏或反偏)。
4、当差分放大器两边的输入电压为1i u =7mV ,2i u =-3mV ,输入信号的差模分量为 ,共模分量为 。
5、在放大电路中,如果要想提高输出电阻,减小输入电阻的要求,应引入 反馈。
6、直流稳压电源一般是由_________、、________、_________四部分组成。
7、乙类推挽放大器,由于三极管的死区电压造成的失真现象,这种失真称为 。
8、 在RC 桥式正弦波振荡电路中,当满足相位起振条件时,则其中电压放大电路的放大倍数要略大于才能起振。
[9、放大器级间耦合方式有三种:耦合; 耦合; 耦合;在集成电路中通常采用 耦合。
10、负反馈能够改善放大电路的性能,例如它可以提高增益的稳定性, ,, 等。
11、场效应管属于_______________控制器件,而三极管属于_____________控制器件。
(电压或电流)12、差放电路中,公共发射极电阻Re 对于共模信号而言,相当于每个差放管的发射极接入________ _____的电阻,对于差模信号而言,Re 相当于为__________ ______。
13、负反馈能使放大器许多性能获得改善,如_______________、__________________、__________________、__________________。
但是性能的改善是以牺牲______________________为代价的14、振荡电路的振幅平衡条件是:__________________________,相位平衡条件是:___________________________.15、为使双极型半导体三极管工作在放大状态,必须满足的外部条件是_________________ _________ ___________,(16.为简化分析过程,在应用集成运放时总假定它是理想的,理想运放具有以下特点:开环差模增益A d =___________,开环输入电阻R i =_____________, 开环输出电阻R o =_______________。
模拟电子电路填空题及答案
一、填空题(每小题2分,共20 分)1、三极管具有放大作用时,外部电压条件是发射结(正向偏置),集电结(反向偏置)。
2、负反馈放大电路和放大倍数AF=(),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=()。
3、当温度升高时三极管的集电极电流IC 增大,电流放大系数β增大。
4、单相全波整流电路电阻负载时,理想二极管承受的最高反压是 1.41U2 。
5、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为共模信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为差模信号。
6、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的交越失真,而采用甲乙类互补功率放大器。
7、差分放大电路能够抑制零点漂移,所以它广泛应用于集成电路中。
8、共集电极放大电路具有电压放大倍数小于1 ,输入电阻大,输出电阻小等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。
9、双极型三极管是电流控制器件,场效应管是电压控制器件。
10、在有源滤波器中,运算放大器工作在线性区;在滞回比较器中,运算放大器工作在非线性区。
1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。
2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。
3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开;4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。
6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集)放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(串联)负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=(1/ F )。
模电填空题
1.在本征半导体中,有电子和空穴两种载流子。
2.与反向偏置相比,正向偏置时PN结的宽度窄、等效电阻小。
3.晶体管工作在放大区时,要求发射结正向偏置、集电结反向偏置。
4.在晶体管三种基本放大电路中,输入电压与输出电压同相并具有电压放大能力的是共基极放大电路,没有电压放大能力的是共集电极放大电路。
5.在多级放大电路中常用的三种耦合方式中,只能放大交流信号的耦合方式有阻容耦合和变压器耦合两种。
6.差动放大电路用恒流源代替公共射极电阻E R,可以使电路的共模电压放大倍数降低,共模抑制比提高。
7.负反馈放大电路产生自激振荡的条件是幅度平衡条件和相位平衡条件。
8.在运放组成的电压比较器中,运放一般工作在开环或正反馈状态。
9.组成正弦波振荡器的电路单元除了有放大电路、正反馈网络外,还有选频网络和稳幅环节。
10.整流电路的功能是将交流电压转换成单向脉动电压,滤波电路主要用来滤除整流电路输出中的交流分量(纹波)1.掺杂半导体有 N 型半导体和 P 型半导体两类。
2.PN结的电容效应用扩散电容和势垒电容等效。
3.当温度升高时,晶体管的 和CBO I 增大 ;BE u (B i 不变) 下降 。
4.基本放大电路的非线性失真包括 饱和 失真和 截止 失真。
5.直接耦合放大电路有两个特殊问题,它们是 零点漂移 和 耦合 。
6.为了使放大电路的o R 增大应引入 电流负 反馈;深反馈的条件是|1+AF|>>1 。
7.文氏电桥正弦波振荡电路用 RC 串并联 网络选频,当电路产生正弦波振荡时,该网络反馈系数的模F = 1/3 。
8.乙类互补推挽功率放大电路的静态功耗为 零 ,在理想情况下的最高能量转换效率可达到 78.5% 。
9.运放组成的方波-三角波发生器由 迟滞比较器 和 稳压环节两个单元电路组成。
10.在整流电路的输入电压相等的情况下,半波、全波、桥式三种整流电路中,输出电压平均值最低的是 半波 整流电路,二极管承受反向电压最高的是 全波 整流电路。
模拟电子技术(填空题)
7.理想情况下,_高通滤波器___________________在f→无穷时的电压增益就是其通带电压增益。
6、在电压放大电路中,输入交流信号在整个周期内都有电流流过放大器件,这种工作方式通常称为 甲 类放大。
7、产生正弦波振荡的条件是 1 。
8、集成运放电路由 差分输入级 电压放大级 输出级(电流放大) 、直流偏置电路等四部分组成。
6、正弦波振荡电路必须由放大电路、反馈网络、___选频网络、稳幅环节____四部分组成。
7,在小功率稳压电源中,其整流电路的任务是_____将交流电变成直流电(或将交流电变成小幅脉冲直流)____。
ten
1.当PN结外加正向电压时,扩散电流 远大于, 漂移电流,耗尽层 变窄 。
three
1.稳压二极管稳压时是处于 反向 偏置状态,而二极管导通时是处于 正向 偏置状态。
2.在有源滤波器中,运算放大器工作在 线性 区;在电压比较器中,运算放大器工作在 非线性 区。
3.差分放大电路能够抑制 共模 信号,放大 差模 信号。
5、乙类互补对称功率放大电路的效率较高,但具有 交越 失真,如设置合适的偏置电路使其工作在甲乙类,就能克服这一缺点。
6、根据反馈信号在放大电路输入端与输入信号的求和形式不同,可将反馈分为 串联 反馈和 并联 反馈,其中以电流形式求和的为 并联 ห้องสมุดไป่ตู้ 反馈,以电压形式求和的为 串联 反馈。
one
1.PN结正向偏置时 导通 ,反向偏置时 截止 ,所以PN结具有 单向 导电性。
模电(填空+选择+大题共224道)题目和答案
`0001 01A1在纯净的半导体中掺入5价元素杂质,形成()型半导体,在此种半导体中多数载流子是()。
`0002 01A1在纯净的半导体中掺入3价元素杂质,形成()型半导体,在此种半导体中多数载流子是()。
`0003 01A1PN结的导电特性是。
`0004 01A2为了使晶体管能有效地起放大作用,其管芯结构总是使:(1)发射区掺杂浓度;(2)集电结面积比发射结面积。
`0005 02A1夹断电压是()型场效应管的参数,开启电压是()型场效应管的参数。
`0006 02A1场效应管有()种载流子导电,场效应管是()控制()型器件。
`0007 02A1共射放大电路中输出电压与输入电压相位。
`0008 02A1在放大电路中,晶体管通常工作在工作区。
`0009 02A1双极性晶体管工作在放大区的条件:发射结,集电结。
`0010 02A1场效应管三个电极分别为极、极和极。
`0011 02A1在单管共集放大电路中,输出电压与输入电压的极性。
`0012 02A2在单管共基放大电路中,输出电压与输入电压的极性。
`0013 02A2场效应管放大电路有共、共和共三种基本形式。
`0014 02A2场效应管从结构上可以分为()和()型两大类型`0015 02A2单管共射极放大器,当工作点Q选择较高时,易出现失真。
`0016 02A2在电子线路中,一般用输出电阻R O来衡量放大器带负载的能力,R O越小,则带负载的能力。
`0017 02A2双极性晶体管工作在饱和区的条件:发射结,集电结。
`0018 02A2双极性晶体管工作在截止区的条件:发射结,集电结。
`0019 02A3单管共射极放大器,当工作点Q选择较低时,易出现失真。
`0020 02A3某放大电路在负载开路时的输出电压为6V,当接入2KΩ负载电阻后,输出电压降为4 V,这表明该放大电路的输出电阻为。
`0021 02A3如果信号源接近于理想电压源,通常希望放大电路的输入电阻;如果信号源接近于理想电流源,通常希望放大电路的输入电阻。
《模电》练习题
练习题一1. 填空题1.1 贴片电阻多用数码法标示,如512标示Ω。
(5.1k)1.2 色环电阻,红+红+橙+金+棕,表示阻值和误差为。
(22.3Ω±1%)1.3 某采样电阻标注为R005,表示该电阻的阻值为Ω。
(0.005)1.4 一瓷片电容其标示为104J,表示其容量为uF、误差为±5%。
(0.1)1.5 电容具有通,阻的电气特性。
(交流,直流)1.6 电感在电路中常用“L”表示,电感的特性是通直流阻交流,频率越,线圈阻抗越大。
(高)1.7 低频扼流圈应用于电流电路、音频电路或场输出等电路,其作用是阻止电流通过。
(低频交流)1.8 P型半导体中的多数载流子是,N型半导体中的多数载流子是。
(空穴,电子)1.9 温度增加时,二极管的正向电阻将会变。
(小)1.10 PN结最大的特点是。
(单向导电性)1.11 硅整流二极管1N4001的最大整流电流为A,最高反向工作电压为V。
(1,50)1.12 用指针式万用表R×1k挡测量某二极管电阻,在阻值较小的一次测量中,黑表笔接的是二极管的极。
(正)1.13 三极管有三个引脚,基极用表示、集电极用C表示、极用E表示。
(B,发射)1.14 三极管是内部含有2个PN结,并且具有放大能力的特殊器件。
它分为型和型两种。
(NPN,PNP)1.15 指针式万用表的黑表笔接三极管基极,红表笔接触另外两极中的任一电极,若指针偏转角度很大,说明被测管子是型。
(NPN)1.16 驻极体话筒与电路的接法有输出和输出两种。
(源极,漏极)1.17 用万用表测出的扬声器电阻值是电阻值,比标称阻抗值要,这是正常现象。
(直流,小)1.18 压电陶瓷片是一种结构简单、轻巧的器件。
(电声)1.19 电烙铁按结构可分为电烙铁和电烙铁。
(内热式,外热式)1.20 焊接电子元件时,一般来说最恰当的时间是在s内完成。
(1.5~4)1.21 用数字万用表测试二极管的反向电阻,应显示为。
模电习题及答案
一、填空题1. 半导体导电时有和两种载流子共同参与导电,其中带正电,而带负电。
2. 测得某放大电路中一晶体三极管各电极直流电位V1=12V,V2=8V,V3=7.3V,则该三极管的基极电位等于,由材料制成,管型为。
3.双极型三极管是控制器件,当其工作在放大区时发射结需要加偏置,集电结需要加偏置。
4.根据反馈信号在输出端的取样方式不同,可分为反馈和反馈,根据反馈信号和输入信号在输入端的比较方式不同,可分为反馈和反馈。
6. 正弦波振荡电路的振幅平衡条件是__ _____,相位平衡条件是________ _。
7. 电压负反馈可稳定输出,串联负反馈可使提高。
8. 在运算电路中,运算放大器工作在区;在滞回比较器中,运算放大器工作在区。
二、选择题1.晶体三极管最突出的缺点是()。
A.输入电阻小B.温度稳定性差C.放大倍数小D.易产生失真2.放大电路静态工作点过低容易产生__________失真A.交越B.饱和C.截止D.频率3.某深度负反馈电路,反馈深度AF1 =100,未接负反馈时,放大电路的开环增益为104,则该反馈电路的闭环增益为( )。
A.103B.104C.102D.105 4.下边哪一项不属于多级直接耦合放大电路的优点()。
A.既能放大直流信号,也能放大交流信号B.不会产生零点漂移C.低频响应好D.便于集成化5.差动放大器抑制零点漂移的效果主要取决于( )A.两个三极管的放大倍数B.两个三极管及偏置电阻参数的对称程度C.每个三极管的穿透电流的大小D.两个集电极电阻6.若想把正弦信号转换成方波,可采用以下哪种电路()。
A.微分运算电路B.滞回比较器C.过零比较器D.积分运算电路7.稳压管的稳压作用是利用其什么特性实现的( )A.PN 结的反向截止特性B.PN 结的正向导通特性C.PN 结的反向击穿特性D.PN 结的单向导电性8.下列关于电流串联负反馈不正确的说法是:()A.反馈取样量是电压B.输入量与反馈量在输入端串联C.可提高放大电路的输出电阻D.可以提高放大电路输入电阻9.下面那一项不是对功率放大电路的基本要求()。
《模电》习题集
《 模 拟 电 子 技 术 》 练 习填 空1.半导体是一种导电能力介于 ________与 ________ 之间的物质 。
2.当外界温度、光照等发生变化时,半导体的______能力会发生很大变化。
3.在半导体中,参与导电的不仅有_________,而且还有_______,这是半导体区别导体导电的重要特征 。
4.N 型半导体主要靠_______导电,P 型半导体主要靠______导电 。
5.PN 结正向偏置是将P 区接电源的______极,N 区接电源的_____极 。
6.PN 结加正向电压时______,加反向电压时________,这种特性称为PN 结的______________________________。
7.整流二极管的最主要特性是__________,使用时应考虑的两个主要参数是__________和______________。
8.在常温下,硅二极管的死区电压约为______V ,导通后在较大电流下的正向压降约为________V ,锗二极管的死区电压约为_______V ,导通后在较大电流下的正向压降约为_______ V 。
9.当加在二极管两端的反向电压过高时,二极管会被 ________ 。
10.用指针式万用表的两表棒分别接触一个二极管的两端,当测得的电阻值较小时,黑表笔所接触的一端是二极管的________极 。
11.电路如图所示,试确定二极管是正偏还是反偏。
设二极管正偏时的正向压降为0.7V ,估 算 U A ~ U D 值 。
图 a :VD 1_______ 偏置 , U A =_____,U B =_______;图 b :VD 2________ 置 , U C =_____,U D =_______。
12.判断下图所示各电路中二极管是导通还是截止,并求出AB 两端电压U AB (设二极管均为理想二极管)图a :VD_______,U AB _______。
图b :VD_______,U AB _______。
模电选择填空题
1、PN结加正向电压时,空间电荷区将。
PN结加反向电压时,空间电荷区将。
2、根据不同要求选择合适的反馈组态:为了稳定静态工作点应引入负反馈;为了稳定输出电压应引入反馈;为了稳定输出电流应引入反馈。
6、在双端输入的差分放大电路中,射极电阻RE对信号无影响,对信号具有抑制作用。
1.为保证三极管处于放大状态,其发射结必须加偏置电压,集电结必须加偏置电压。
3.互补对称输出电路容易产生交越失真,主要因为两个对称三极管特性有电压,在输入回路加偏置电压可消除该失真。
4.放大器中引入负反馈,可放大器增益的稳定性,但同时放大器的增益。
5.直接耦合多级放大电路各级的Q点相互,能够放大信号。
10.一理想OTL电路,Vcc=9V,R L=4Ω,则其最大输出功率为,每个三极管的最大功耗为。
1.NPN型三极管共射放大电路的输出波形有顶部失真,它属于失真,消除该失真要Rb的阻值。
( )A.截止增大B.饱和增大C.截止减小D.饱和减小2.K CMR越大,表明电路。
()A.放大倍数越稳定B.抑制零漂能力越强C. 交流放大倍数越大D.输入信号中差模成分越大3.若希望抑制50Hz交流电源的干扰,应选用滤波电路。
()A.高通B.低通C. 带阻D. 带通4.欲减小电路从信号源索取的电流,增大带负载能力,应在放大电路中引入。
()A. 电压串联负反馈B. 电压并联负反馈C. 电流串联负反馈D. 电流并联负反馈5.集成运放工作时,一般工作在非线性区,它有两个输出状态(+U Opp或-U Opp);当u+>u-时,输出电压u o= 。
()A. 饱和,+U OppB.开环,-U OppC.闭环,-U OppD. 开环,+U Opp1、工作在放大区的某三极管,如果当I B从12uA增大到22uA时,I C从1mA变为2mA,那么它的β约为。
3、要使三极管处于放大状态,发射结必须,集电结必须。
5、放大电路的电压放大倍数在高频区下降的主要原因是三极管的电容和电容的影响。
《模电》习题集
《模电》习题集《模拟电子技术》练习填空 1.半导体是一种导电能力介于________与________ 之间的物质。
2.当外界温度、光照等发生变化时,半导体的______能力会发生很大变化。
3.在半导体中,参与导电的不仅有_________,而且还有_______,这是半导体区别导体导电的重要特征。
型半导体主要靠_______导电,P型半导体主要靠______导电。
结正向偏置是将P区接电源的______极,N 区接电源的_____极。
结加正向电压时______,加反向电压时________,这种特性称为PN结的______________________________。
7.整流二极管的最主要特性是__________,使用时应考虑的两个主要参数是__________和______________。
8.在常温下,硅二极管的死区电压约为______V,导通后在较大电流下的正向压降约为________V,锗二极管的死区电压约为_______V,导通后在较大电流下的正向压降约为_______ V。
9.当加在二极管两端的反向电压过高时,二极管会被________ 。
10.用指针式万用表的两表棒分别接触一个二极管的两端,当测得的电阻值较小时,黑表笔所接触的一端是二极管的________极。
11.电路如图所示,试确定二极管是正偏还是反偏。
设二极管正偏时的正向压降为,估算UA~ UD值。
图a:VD1_______ 偏置,UA=_____,UB=_______;图b:VD2________ 置,UC=_____,UD=_______。
12.判断下图所示各电路中二极管是导通还是截止,并求出AB两端电压UAB 图a:VD_______,UAB_______。
图b:VD_______,UAB_______。
图c:VD_______,UAB_______。
图d:VD1_______,VD2_______,UAB_______ 。
模电考试试题10套和答案(打印版)
坑爹的模电试卷编号01………………………………………………………………………………………………………………一、填空(本题共20分,每空1分):1.整流电路的任务是__________;滤波电路的任务是__________。
2.在PN结的形成过程中,载流子的扩散运动是由于__________而产生的,漂移运动是__________作用下产生的。
3.放大器有两种不同性质的失真,分别是__________失真和__________失真。
4.在共射阻容耦合放大电路中,使低频区电压增益下降的主要原因是__________的影响;使高频区电压增益下降的主要原因是__________的影响。
5.在交流放大电路中,引入直流负反馈的作用是__________;引入交流负反馈的作用是___________。
6.正弦波振荡电路一般由__________、__________、__________、__________这四个部分组成。
7.某多级放大器中各级电压增益为:第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ,放大器的总增益为__________,总的放大倍数为__________。
8.在双端输入、单端输出的差动放大电路中,发射极公共电阻R e对__________信号的放大无影响,对__________信号的放大具有很强的抑制作用。
共模抑制比K CMR为__________之比。
9.某放大电路的对数幅频特性如图1所示,当信号频率恰好为上限频率时,实际的电压增益为__________dB。
图1二、判断(本题共10分,每小题1分,正确的打√,错误的打×):1、()构成各种半导体器件的基础是PN结,它具有单向导电和反向击穿特性。
2、()稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。
3、()在三极管的三种基本组态中,只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。
4、()若放大电路的放大倍数为负值,则引入的一定是负反馈。
模电填空题
模拟电子技术与项目实训练习——填空题一、填空题(每题1分)1.理想二极管的正向电阻为(0 ),反向电阻为(∞)2.在N型半导体中,多子是(自由电子),少子是(空穴);在P型半导体中,多子是(空穴),少子是(自由电子)。
3.二极管具有(单向导电性);当(正向偏置)时,二极管呈(低阻导通)状态;当(反向偏置)时,二极管呈(高阻截止)状态。
4.半导体中有(空穴)和(自由电子)两种载流子参与导电,其中(空穴)带正电,而(自由电子)带负电。
5.硅二极管的正向导通压降比锗二极管的(大)。
6.普通硅二极管的正向导通压降范围大约为(0.6~0.8 )V,在工程估算中一般取(0.7 )V;锗二极管的正向导通压降范围大约为(0.2~0.3 )V,在工程估算中一般取(0.2 )V。
发光二极管的正向导通压降范围大约为(1~2.5 )V。
7.在工程估算中,硅二极管的正向导通电压取(0.7 )V , 锗二极管的正向导通电压取(0.2 )V。
8.在桥式整流电路中,未接入滤波电容时,输出电压的平均值为变压器次级电压有效值的(0.9 )倍;接入滤波电容后,输出电压的平均值为变压器次级电压有效值的( 1.1~1.2 )倍9.如用交流电压表测得变压器次级的交流电压为20V,经桥式整流后,则在纯电阻负载两端用直流电压表测出的电压值约为(18V );经桥式整流电容后,直流电压表测出的电压值约为(22~24V )。
10.稳压管通常工作在(反向击穿区),当其正向导通时,相当于一只(普通二极管)。
11.发光二极管工作在(正向)偏置条件下;导通电压的范围为(1~2.5 )V。
光电二极管工作在(反向)偏置条件下; 变容二极管工作在(反向)偏置条件下。
12.三极管能放大的内因是:发射区掺杂浓度(高)、基区宽度(窄)且杂质浓度(低)、集电结面积(大);外部条件是:发射结处于(正向)偏置,集电结处于(反向)偏置。
13.在共射、共集、共基三种组态的放大电路中,既能放大电流,又能放大电压的组态是(共射)电路;只放大电流,不放大电压的组态是(共集)电路;只放大电压,不放大电流的组态是(共基)电路。
模电填空题
填空题1.在常温下,硅二极管的门槛电压约为 0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V;锗二极管的门槛电压约为 _0.1_V,导通后在较大电流下的正向压降约为_0.3_V。
2、二极管的正向电阻小;反向电阻大。
3、二极管的最主要特性是单向导电性。
PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变窄。
4、二极管最主要的电特性是单向导电性,稳压二极管在使用时,稳压二极管与负载并联,稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。
5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分,其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术,称为模拟电子技术。
6、PN结反向偏置时,PN结的内电场增强。
PN具有具有单向导电特性。
7、硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变,典型值为 0.7 伏;其门坎电压Vth约为 0.5 伏。
8、二极管正向偏置时,其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。
9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。
10、因掺入杂质性质不同,杂质半导体可为空穴(P)半导体和电子(N)半导体两大类。
11、二极管的最主要特性是单向导电性,它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。
12、在常温下,硅二极管的开启电压约为 0.5 V,导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7 V。
13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下,输出随频率连续变化的稳态响应。
15、N型半导体中的多数载流子是电子,少数载流子是空穴。
16、按一个周期内一只三极管的导通角区分,功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。
17、在阻容耦合多级放大电路中,影响低频信号放大的是耦合和旁路电容,影响高频信号放大的是结电容。
18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中,如果电路的其它参数不变,三极管的β增加,则IBQ 增大,ICQ 增大,UCEQ 减小。
模电试题及答案
模电试题及答案一、选择题(每题2分,共20分)1. 在理想情况下,二极管的正向导通电压为:A. 0VB. 0.7VC. 1VD. 2V答案:B2. 放大电路中,为了抑制温漂,通常采用的措施是:A. 采用差分放大电路B. 采用直接耦合C. 采用电容耦合D. 采用变压器耦合答案:A3. 下列关于运算放大器的描述,错误的是:A. 运算放大器具有高输入阻抗B. 运算放大器具有低输出阻抗C. 运算放大器的电压放大倍数很大D. 运算放大器的输出电压与输入电压成正比答案:D4. 在模拟电路中,滤波器的作用是:A. 放大信号B. 滤除噪声C. 产生振荡D. 转换信号答案:B5. 晶体管的三个极分别是:A. 基极、发射极、集电极B. 阳极、阴极、栅极C. 阴极、阳极、栅极D. 基极、集电极、发射极答案:A6. 以下哪种电路可以用来产生正弦波振荡:A. 整流电路B. 滤波电路C. 振荡电路D. 放大电路答案:C7. 稳压二极管的工作原理是利用二极管的:A. 正向导通特性B. 反向击穿特性C. 温度特性D. 频率特性答案:B8. 在模拟电路中,电流源的作用是:A. 放大电流B. 限制电流C. 产生电流D. 转换电流答案:B9. 以下哪种元件不是模拟电路中常用的:A. 电阻B. 电容C. 电感D. 逻辑门答案:D10. 理想运算放大器的输入阻抗是:A. 有限值B. 无穷大C. 零D. 1欧姆答案:B二、填空题(每题2分,共10分)1. 在模拟电路中,______是用来表示信号幅度变化的。
答案:电压2. 晶体管的放大作用是通过控制______极电流来实现的。
答案:基极3. 运算放大器的输出电压与输入电压之间的关系,通常用______来描述。
答案:差分电压4. 在模拟电路中,______是用来表示信号频率变化的。
答案:电流5. 稳压二极管的稳定电压值通常在______V左右。
答案:6.8三、简答题(每题5分,共15分)1. 简述差分放大电路的工作原理。
(完整word版)模电填空题答案
第一章1.杂质半导体分为 ( N ) 型和 ( P ) 型。
自由电子是 ( N ) 型半导体中的多子。
空穴是 (P ) 型半导体中的少子。
2.杂质半导体中的少子因 ( 本征激发 ) 而产生,多子主要因 ( 掺杂 ) 而产生。
3.常温下多子浓度等于 ( 杂质 ) 浓度,而少于浓度随 ( 温度 ) 变化显著。
4.导体中的 ( 扩散 ) 电流与载流子浓度梯度成正比; ( 漂移 ) 电流与电场强度成正比。
5.当 ( P ) 区外接高电位而 ( N ) 区外接低电位时,PN 结正偏。
6,PN 结又称为 ( 空间电荷区 )、( 耗尽层 )、( 阻挡层 )和 ( 势垒区 )。
7.PN 结的伏安方程为( )1(/-T D U u S e I )。
该方程反映出PN 结的基本特性是 ( 单向导电性 ) 特性。
此外,PN 结还有 ( 电容 ) 效应和 (反向击穿 )特性。
8.PN 结电容包括( 势垒 )电容和( 扩散 ) 电容。
PN 结反偏时,只存在 ( 势垒) 电容。
反偏越大,该电容越 ( 越小 )。
9.普通Si 二极管的导通电压的典型值约为 ( 0.7 ) 伏,而Ge 二极管导通电压的典型值约为( 0.3 )伏。
10.( 锗 ) 二极管的反向饱和电流远大于( 硅 ) 二极管的反向饱和电流。
11.PN 结的反向击穿分为( 齐纳 )击穿和( 雪崩 )击穿两种机理。
12.稳压管是利于PN 结( 反向击穿 )特性工作的二极管。
13.变容二极管是利于PN 结( 反向 )特性工作的二极管。
14.二极管交流电阻r d 的定义式是( ),r d 的估算式是 ),其中热电压U T 在T =300K 时,值约为 ( 26 )mV 。
第二章1.当发射结正偏,集电结反偏时,BJT 工作在( 放大 )区,当发射结和集电结都( 正偏 )时,BJT 饱和;当发射结和集电结都 ( 反偏 ) 时,BJT 截止。
2.放大偏置的NPN 管,三电极的电位关系是( E B C U U U >> )。
模电期末复习填空题
期末复习填空题(每空1分,共200空)1、下图是N 沟道JFET 的转移特性曲线,可知其饱和漏极电流DSS I mA ,夹断电压为 V 。
2、双极型三极管内部由 个PN 结构成,结型场效应三极管内部有 个PN结,MOS 场效应管共有 种类型。
3、由NPN 管组成的单管共射放大电路中,当静态工作电流太 时,将产生饱和失真,输出电压波形被削去 ;饱和失真时集电结 偏。
4、本征半导体的导电能力比杂质半导体的导电能力 。
电子型半导体称为 型半导体。
5、二极管的正向电流是由 载流子的 运动引起,温度升高时,其反向饱和电流 。
6、二极管最主要的特性是 。
7、如果双极型三极管三个极电位分别为-2.5V ,-3.2V ,-9V ,则可以判断此三极管为型三极管。
8、稳压管通常工作在 区,反向电流在较大范围变化时,两端电压 。
9、PN 结加正向电压,空间电荷区将 ;PN 结加反向电压,空间电荷区将 。
10、双极型三极管是 控制器件,双极型三级管放大电路除共射连接外还有和 连接方式。
场效应管是 控制器件。
11、P 型半导体是在本征半导体中掺入 原子(填“受主”或“施主”)形成的杂质半导体,其少子是 。
12、杂质半导体的导电性能决定于 。
13、PN 结反偏电压越大其势垒电容越 。
14、测得放大状态中三极管三个管脚的直流电位分别是(-11.3V )、(-5V )、(-12V ),则U GS (V)该管是管(填“NPN”或“PNP”)。
15、N型半导体是在本征半导体中掺入价元素的原子,其多数载流子是。
16、二极管的伏安特性方程为d i= 。
17、三极管工作在放大状态时,发射结偏,集电结偏。
18、当温度升高时,三极管电流放大倍数变化的趋势是。
19、测得放大状态中三极管三个管脚的直流电位如下图所示,则该管是管(填“NPN”或“PNP”)。
20、下图所示场效应管可能工作在区(填“夹断”或“恒流”)。
21、在NPN型单管共射放大电路中,在信号源电压为正弦波时,测得输出波形如下图所示,该电路产生了失真(填“饱和”或“截止”)。
模电填空题(有答案)
填空题:1:按要求填写下表。
答案:答案如表所示。
难度:3知识点:晶体管单管放大电路的三种基本接法2:在图P2.10所示电路中,设某一参数变化时其余参数不变,在表中填入①增大②减小或③基本不变。
答案:答案如解表P2.12所示。
解表P2.12所示难度:3知识点:基本共射放大电路的组成和分析3:根据下列要求,将应优先考虑使用的集成运放填入空内。
已知现有集成运致的类型是:①通用型 ②高阻型 ③高速型 ④低功耗型 ⑤高压型 ⑥大功率型 ⑦高精度型(1)作低频放大器,应选用 。
(2)作宽频带放大器,应选用 。
(3)作幅值为1μV 以下微弱信号的量测放大器,应选用 。
(4)作内阻为100k Ω信号源的放大器,应选用 。
(5)负载需5A 电流驱动的放大器,应选用 。
(6)要求输出电压幅值为±80的放大器,应选用 。
(7)宇航仪器中所用的放大器,应选用 。
答案:(1)① (2)③ (3)⑦ (4)② (5)⑥ (6)⑤ (7)④ 难度:4知识点:集成运放的种类和特点4:已知某放大电路的波特图如图T5.3所示,填空:(1)电路的中频电压增益20lg|m u A |= dB ,mu A = 。
(2)电路的下限频率f L ≈ Hz ,上限频率f H ≈ kHz.(3)电路的电压放大倍数的表达式uA =。
图T5.3答案:(1)60 104 (2)10 10(3))10j 1)(10j 1)(10j 1(j 100)10j 1)(10j 1)(j 101(1054543f f f f f f f +++±+++±或难度:3知识点:放大电路的幅度,频率响应5:在图P5.1所示电路中,已知晶体管的'bb r 、C μ、C π,R i ≈r b e 。
填空:除要求填写表达式的之外,其余各空填入①增大、②基本不变、③减小。
图P 5.1(1)在空载情况下,下限频率的表达式f L = 。
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一1.PN结正向偏置时导通,反向偏置时截止,所以PN结具有单向导电性。
2.有三个单管BJT放大电路,已知其电压增益分别为A v1=20,A v2=-10,A v3=1,则可知它们分别为共基极放大电路、共发射极放大电路、共集电极放大电路。
3.乙类互补功率放大电路存在交越失真,可以利用甲乙类类互补功率放大电路来克服。
4.电压负反馈将使输出电阻减小,电流负反馈将使输出电阻增加。
二1.整流电路是利用二极管的单向导电特性组成的,因此能将正负交替的正弦交流电压整流为直流电压。
2.工作在放大区的某三级管,当I B从20μA增达到40μA时,I c从1mA变为2mA,则它的β值约为50 。
3.表征场效应管放大作用的重要参数是g m,它反映了栅源电压对漏极电流的控制能力。
4.滤波电路按照通带和阻带的相互位置不同可分为高通滤波器、低通滤波器、带通滤波器、带阻滤波器。
5.为了稳定放大电路的静态工作点,可采用直流负反馈。
为了改善稳定放大电路的动态性能,可采用电压负反馈。
1.稳压二极管稳压时是处于 反向 偏置状态,而二极管导通时是处于 正向 偏置状态。
2.在有源滤波器中,运算放大器工作在 线性 区;在电压比较器中,运算放大器工作在 非线性 区。
3.差分放大电路能够抑制 共模 信号,放大 差模 信号。
4.当NPN 型晶体管工作在放大区时,各电极电位大小关系为u C > u B > u E 。
5.正弦波振荡电路产生自激振荡的相位条件是 () 2,1,02==+n n F A πϕϕ ,幅值条件是 1=∙∙F A 。
四1.P 型半导体中的多数载流子是 空穴 ,少数载流子是 自由电子 。
2.稳压管在使用时应与负载 并联 ,并与输入电源之间必须加入一个 限流电阻 。
3.用万用表判断放大电路中处于正常放大工作的某个半导体三极管的类型和三个电极时,测出 各电极对地电位; 最为方便。
4.幅频失真和相频失真属于 线性 失真,截止失真和饱和失真属于 非线性 失真。
5.某差分式放大电路两输入端的信号为v i1=12mV ,v i2=4mV ,差模电压放大倍数为A vd =-75,共模电压放大倍数为A vc =-0.5,则输出电压v o 为 -604mv 。
6.负反馈放大器的闭环增益方程是 FA A A F +=1 。
7.理想情况下,_______高通滤波器_______在f →∞时的电压增益就是其通带电压增益1.半导体中存在两种载流子,分别为空穴和自由电子。
2.有两个电压放大电路甲和乙,其电压放大倍数相同,但输入输出电阻不同。
对同一个具有一定内阻的信号源进行电压放大,在负载开路的条件下测得甲的输出电压小,可见两放大电路中,乙的输入电阻较大。
3.共射截止频率、特征频率和共基截止频率三者间存在以下关系 fβ<f T<fα。
4.理想运放工作在线性区时的两个重要特点是虚短、虚断。
5.集成运放的电流源的作用是给各放大级提供偏置电流、用作有源负载。
6.理想情况下,低通滤波器的直流电压增益就是它的通带电压增益。
7.场效应管是一种电压控制电流型放大元件。
六1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度,而少数载流子的浓度则与温度有关。
2.工作在放大区的某三级管,当I B从20μA增达到40μA时,I c从1mA变为2mA,则它的β值约为50 。
3.表征场效应管放大作用的重要参数是g m。
4.在具有负反馈的放大电路中,放大倍数的稳定性变化为原来的1/(1+AF)。
5.滤波器根据其工作信号的频率范围可分为低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器、带阻滤波器。
6.在直流电源中,整流电路的作用是将正负交替的交流电转换成直流电。
1.一个处于放大状态的电路,当输入电压是10mV 时,输出电压为7V ,输入电压是15mV 时,输出电压为6.5V ,则该电路的放大倍数为 - 100 。
2.多级放大电路总的对数增益等于各级对数增益的 代数和 ,总的相位移等于各级相位移的 代数和 。
4.共模输入信号是差分式放大电路2个输入端信号的 平均数 ,差模输入信号是差分式放大电路2个输入端信号的 差 。
3.乙类互补对称功率放大电路的效率较高,但由于BJT 的输入特性存在死区 电压,这类电路将具有 交越 失真。
4.要使N 沟道 JFET 工作在放大状态,其漏极应加 正 电压,栅极应加 负 电压。
5.直流电源中的滤波器通常由 电感 、 电容 等元件组成。
6.集成运算放大电路中中间级的作用是 提高电压增益 。
八1.深度负反馈放大电路中,已知2.0,5000==F A ,则闭环增益为 5 。
2.乙类互补对称功率放大电路静态时的管耗为 0 。
3.直流电源一般由 电源变压器 、 整流电路 、 滤波电路 、 稳压电路 四部分组成。
4.若将低通滤波器(设其通带截止频率为f 1)和高通滤波器(设其通带截止频率为f 2)串联起来,可组成 带通滤波器 ,但是需满足频率条件 f 1 > f 2 。
5.集成运算放大电路中输入级的作用是 抑制零点漂移 。
6.P 型半导体中的多数载流子是 空穴 。
1.一只输出功率为10W的扩音机电路,若使用乙类互补对称功率放大电路,则所选择功率管的额定功耗至少为 2w 。
2.在RC桥式正弦波振荡器中,当f o= 1 / 2πRC时,则反馈电路的| F | = 1/3 ,φF = 0 。
3.集成运算放大电路通常包括输入级、中间级、输出级和偏置电路四个基本组成部分。
4.阻容耦合的优点是各级静态工作点相互独立,缺点是不适合传递直流信号和缓慢变化的交流信号。
5.描述双极型三极管放大作用的重要参数是β。
6.上限截止频率为1MHz的两个相同的单级放大电路连接成一个两级放大电路,这个两级放大电路在信号频率为1MHz时,放大倍数的幅值下降到中频放大倍数的1/2 倍,或者说下降了 6 dB。
十1.当PN结外加正向电压时,扩散电流远大于漂移电流,耗尽层变窄。
2.乙类OTL互补对称功率放大电路中输出端的电容的作用是代替乙类OCL互补对称功率放大电路中的负电源。
3.对于由BJT组成的三种基本组态的放大电路,若希望电压放大倍数大,可选用共基组态或共射组态。
4.在放大电路中,为了稳定静态工作点,可以引入直流负反馈;某些场合为了提高增益,可适当引入交流正反馈。
5.电压比较器的输出电压由一种状态跳变为另一种状态时相应的输入电压通常被称为阈值电压。
6.正弦波振荡电路振荡的幅值条件是点af=1 ,相位条件是()() 2,1,012=+±=+n n F A πϕϕ 。
十一1.稳压管是工作在 反向击穿区 的二极管,在稳压电路中,稳压管应与负载 并联 连接。
2.BJT 和FET 都是放大器件,其不同点在于BJT 是 电流 控制电流器件,FET 是 电压 控制电流器件。
3.在具有负反馈的放大电路中,放大电路的通频带将变化为未引入负反馈时的 1/(1+AF) 。
4.若将低通滤波器(设其通带截止频率为f 1)和高通滤波器(设其通带截止频率为f 2)串联起来,可组成 带通滤波器 ,但是需满足频率条件 f 1> f 2 。
5.在直流电源中,整流电路的作用是 将正负交替的交流电转换为脉动的直流电 /将正负交替的正弦交流电压整流为单方向脉动的直流电压。
6.集成运放中的电流源电路起到 有源负载 和 为放大电路各级提供偏置电流 两大作用。
2.多级放大电路中的各级间若采用阻容耦合,则各级的静态工作点 相互独立 。
4.双端输出时,理想集成运放的共模输出为 0 ,共模抑制比为 ∞ 。
5.互补对称功率放大电路主要有 OTL 和 OCL 两种类型。
1.省去输出变压器的功率放大电路通常称为 OTL 电路,而省去输出端电容的的功率放大电路通常称为 OCL 电路。
7.RC 正弦波振荡电路主要有 放大电路 和 选频网络 两部分组成。
1.BJT的共射输出特性可划分为截止区、饱和区和放大区。
2.上限频率和下限频率之间的频率范围称为通频带。
3.差分式放大电路根据输入、输出的接法不同有双端输入双端输出、双端输入单端输出、单端输入单端输出、单端输入双端输出四种形式。
5.某负反馈放大电路的开环放大倍数为75,反馈系数为0.04,则闭环放大倍数为18.75 。
7.负反馈放大电路产生自激振荡的条件是点af=-15.若两级放大电路中,已知A v1= 40dB,A v2= 30dB,总的对数增益A v= 70 dB。
2.乙类互补对称功率放大电路理想情况下,效率为78.5% ,静态时的管耗为0 。
3.根据反馈信号在放大电路输出端的采样方式和反馈信号在放大电路输入端与输入信号的求和形式的不同,反馈可分为电压串联负反馈,电压并联负反馈,电流串联负反馈,电流并联负反馈四种组态4.FET的漏极d、源极s、栅极g分别对应于BJT的 c 、e 、 b 。
2.若反馈信号在输入端和输入信号以电压形式求和,称为串联,若反馈信号在输入端和输入信号以电流形式求和,称为并联。
4.在晶体管放大电路中测得晶体管的各个电极电位如图所示,则可判断该晶体管的e 为(3) 电极、b为(2) 电极、c为(1) 电极。
5.设二极管的端电压为U,则二极管的电流方程是 C 。
A .I S e UB .T U U I e SC .)1e (S -T U U I。