模电填空练习

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模电填空题

1、工作在线性区的理想运放器，两个输入端的输入电流均为零称为虚。两

个输入端的电位相等称为虚，若反相输入情况下同相端接地，反相端又称为虚。即使理想运放器在非线性工作区，虚结论也是成立的。

2、稳定静态工作点应加反馈；稳定放大倍数应加反馈；稳定

输出电压应加 \ 反馈；稳定输出电流应加反馈。

3、正弦波振荡电路发生自激振荡的相位平衡条件是；振幅平衡条件

是1

A .

4、集成运放实质上是一个具有高放大倍数的多级直接耦合放大电路，内部通常

包含四个基本组成部分，即、、和。

5、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同，正反馈使放大倍数；负反

馈使放大倍数，但其他各项性能可以获得改善。直流负反馈的作用是稳定静态工作点，不影响放大电路的动态性能，所以一般不再区分它们的组态。

6,测得工作在放大电路中的晶体三极管电流如图1所示，该管

是_______管，1、2、3脚依次为_________、_________、_________，β为_________。

7.用示波器观察PNP管共射单级放大器输出电压得到图2所示两种失

真波形，试指出失真类型a：_________，b：_________.

1.图2

8.电压并联负反馈放大器是一种输出端取样量为_______，输入端比较量为______的负反馈放大器，它使输入电阻________，输出端电阻______ _。9．10V的直流电压加在一个10Fμ的电容两端，则流过电容的电流等于A。

10.．某电阻两端的电压是10V，流过的电流是2A，则该电阻阻值等于

__________Ω。

11．差分放大器对差模信号有较强的放大能力，对共模信号有较强的__________

模拟电子技术基础填空题及答案

1.在常温下，硅二极管的门槛电压约为0.5V，导通后在较大电

流下的正向压降约为0.7V;锗二极管的门槛电压约为_0.1_V，导通

后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。

2、二极管的正向电阻小;反向电阻大。

3、二极管的最主要特性是单向导电性。PN结外加正向电压时，

扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。

4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个

电阻。

5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中

研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。

6、PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。PN具有具有单向导

电特性。

7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，

典型值为0.7伏;其门坎电压Vth约为0.5伏。

8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运

动形成。

9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。

10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴(P)半导体和电

子(N)半导体两大类。

11、二极管的最主要特性是单向导电性，它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。

12、在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V。

13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输出随频率连续变化的稳态响应。

15、N型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。

模电填空题

1．在本征半导体中，有电子和空穴两种载流子。

2．与反向偏置相比，正向偏置时PN结的宽度窄、等效电阻小。

3．晶体管工作在放大区时，要求发射结正向偏置、集电结反向偏置。

4．在晶体管三种基本放大电路中，输入电压与输出电压同相并具有电压放大能力的是共基极放大电路，没有电压放大能力的是共集电极放大电路。

5．在多级放大电路中常用的三种耦合方式中，只能放大交流信号的耦合方式有阻容耦合和变压器耦合两种。

6．差动放大电路用恒流源代替公共射极电阻E R，可以使电路的共模电压放大倍数降低，共模抑制比提高。

7．负反馈放大电路产生自激振荡的条件是幅度平衡条件和相位平衡条件。

8．在运放组成的电压比较器中，运放一般工作在开环或正反馈状态。

9．组成正弦波振荡器的电路单元除了有放大电路、正反馈网络外，还有选频网络和稳幅环节。

10．整流电路的功能是将交流电压转换成单向脉动电压，滤波电路主要用来滤除整流电路输出中的交流分量（纹波）

1．掺杂半导体有 N 型半导体和 P 型半导体两类。

2．PN结的电容效应用扩散电容和势垒电容等效。

3．当温度升高时，晶体管的和CBO I 增大；BE u （B i 不变) 下

降。

4．基本放大电路的非线性失真包括饱和失真和截止失真。

5．直接耦合放大电路有两个特殊问题，它们是零点漂移和耦

合。

6．为了使放大电路的o R 增大应引入电流负反馈；深反馈的条件是 |1+AF|>>1 。

7．文氏电桥正弦波振荡电路用 RC 串并联网络选频，当电路产生正

弦波振荡时，该网络反馈系数的模F = 1/3 。

模拟电路填空题及答案

1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为0.5 V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7 V；锗二极管的门槛电压约为_0.1 _V，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2 _V。

2、二极管的正向电阻小；反向电阻大。

3、二极管的最主要特性是单向导电性。ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。

4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，

稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。

5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号

下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。

6、 PN结反向偏置时， PN结的内电场增强。PN具有具有单向导电特性。

7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为0.7伏；其门坎电压 V th约为0.5伏。

8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。

9、 P 型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子

为电子—空穴对。

10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴（P）半导体和电子（N）半导体两大类。

11、二极管的最主要特性是单向导电性，它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电

流和反映反向特性的反向击穿电压。

12、在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5 V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7 V。

13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输出随频率连续变化的稳态响应。

15、 N 型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。

模电(填空+选择+大题共224道)题目和答案

`0001 01A1

在纯净的半导体中掺入5价元素杂质，形成（）型半导体，在此种半导体中多数载流子是（）。

`0002 01A1

在纯净的半导体中掺入3价元素杂质，形成（）型半导体，在此种半导体中多数载流子是（）。

`0003 01A1

PN结的导电特性是。

`0004 01A2

为了使晶体管能有效地起放大作用，其管芯结构总是使：（1）发射区掺杂浓度；（2）集电结面积比发射结面积。

`0005 02A1

夹断电压是（）型场效应管的参数，开启电压是（）型场效应管的参数。

`0006 02A1

场效应管有（）种载流子导电，场效应管是（）控制（）型器件。

`0007 02A1

共射放大电路中输出电压与输入电压相位。

`0008 02A1

在放大电路中，晶体管通常工作在工作区。

`0009 02A1

双极性晶体管工作在放大区的条件：发射结，集电结。

`0010 02A1

场效应管三个电极分别为极、极和极。

`0011 02A1

在单管共集放大电路中，输出电压与输入电压的极性。

`0012 02A2

在单管共基放大电路中，输出电压与输入电压的极性。

`0013 02A2

场效应管放大电路有共、共和共三种基本形式。

`0014 02A2

场效应管从结构上可以分为（）和（）型两大类型

`0015 02A2

单管共射极放大器，当工作点Q选择较高时，易出现失真。

`0016 02A2

在电子线路中，一般用输出电阻R O来衡量放大器带负载的能力，R O越小，则带负载的能力。

`0017 02A2

双极性晶体管工作在饱和区的条件：发射结，集电结。

`0018 02A2

双极性晶体管工作在截止区的条件：发射结，集电结。

模电选择填空题

1、PN结加正向电压时，空间电荷区将。PN结加反向电压时，空间电荷区将。

2、根据不同要求选择合适的反馈组态：为了稳定静态工作点应引入负反馈；为了稳定输

出电压应引入反馈；为了稳定输出电流应引入反馈。

6、在双端输入的差分放大电路中，射极电阻RE 对信号无影响，对信号具有抑制作用。

1．为保证三极管处于放大状态，其发射结必须加偏置电压，集电结必须加偏置电压。

3．互补对称输出电路容易产生交越失真，主要因为两个对称三极管特性有电压，在输入回路加偏置电压可消除该失真。

4．放大器中引入负反馈，可放大器增益的稳定性，但同时放大器的增益。5．直接耦合多级放大电路各级的Q点相互，能够放大信号。

10．一理想 OTL电路， Vcc＝9V， R L＝ 4Ω，则其最大输出功率为，每个三极管的最大功

耗为。

1． NPN型三极管共射放大电路的输出波形有顶部失真，它属于失真，消除该失真

要Rb 的阻值。 ()

A. 截止增大

B. 饱和增大

C. 截止减小

D. 饱和减小

2． K 越大，表明电路。（）

CMR

A. 放大倍数越稳定

B. 抑制零漂能力越强

C. 交流放大倍数越大

D. 输入信号中差模成分越大

3．若希望抑制 50Hz 交流电源的干扰，应选用滤波电路。（）

A. 高通

B. 低通

C.带阻

D.带通

4. 欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入。（）

A. 电压串联负反馈

B. 电压并联负反馈

C.电流串联负反馈

D.电流并联负反馈

5．集成运放工作时，一般工作在非线性区，它有两个输出状态（+U Opp或 -U Opp） ; 当 u+>u-时，输出电压 u =。（）

模电试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一

一、填空题：（每空1分共40分）

1、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。

2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，

而与外加电压（）。

3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反

偏时，结电阻为（），等效成断开；

4、三极管是（）控制元件，场效应管是（）控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（），集电结（）。

6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（），发射结压降（）。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是（）、（）、（）放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳

定交流输出电流采用（串联）负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路

的放大倍数AF=（1/ F ）。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（1+AF ）BW，其中BW=（fH –fL ），

（1+AF）称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，

而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互

补功率放大器。

13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；

OTL电路是（）电源互补功率放大电路。

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻

（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）

《模电》练习题

练习题一

1. 填空题

1.1 贴片电阻多用数码法标示,如512标示Ω;5.1k

1.2 色环电阻,红+红+橙+金+棕,表示阻值和误差为;2

2.3Ω±1%

1.3 某采样电阻标注为R005,表示该电阻的阻值为Ω;0.005

1.4 一瓷片电容其标示为104J,表示其容量为uF、误差为±5%;0.1

1.5 电容具有通,阻的电气特性;交流,直流

1.6 电感在电路中常用“L”表示,电感的特性是通直流阻交流,频率越,线圈阻抗越大;高

1.7 低频扼流圈应用于电流电路、音频电路或场输出等电路,其作用是阻止电流通过;低频交流

1.8 P型半导体中的多数载流子是,N型半导体中的多数载流子是;空穴,电子

1.9 温度增加时,二极管的正向电阻将会变;小

1.10 PN结最大的特点是;单向导电性

1.11 硅整流二极管1N4001的最大整流电流为A,最高反向工作电压为V;1,50

1.12 用指针式万用表R×1k挡测量某二极管电阻,在阻值较小的一次测量中,黑表笔接的是二极管的极;正

1.13 三极管有三个引脚,基极用表示、集电极用C表示、极用E表示;B,发射

1.14 三极管是内部含有2个PN结,并且具有放大能力的特殊器件;它分为型和

型两种;NPN,PNP

1.15 指针式万用表的黑表笔接三极管基极,红表笔接触另外两极中的任一电极,若指针偏转角度很大,说明被测管子是型;NPN

1.16 驻极体话筒与电路的接法有输出和输出两种;源极,漏极

1.17 用万用表测出的扬声器电阻值是电阻值,比标称阻抗值要,这是正常现象;直流,小

1.18 压电陶瓷片是一种结构简单、轻巧的器件;电声

《模电》习题集

《模拟电子技术》练习

填空

1.半导体是一种导电能力介于 ________与 ________ 之间的物质。

2.当外界温度、光照等发生变化时，半导体的______能力会发生很大变化。

3.在半导体中，参与导电的不仅有_________，而且还有_______，这是半导体区别导体导电的重要特征。

4.N 型半导体主要靠_______导电，P 型半导体主要靠______导电。

5.PN 结正向偏置是将P 区接电源的______极，N 区接电源的_____极。

6.PN 结加正向电压时______，加反向电压时________，这种特性称为PN 结的______________________________。

7.整流二极管的最主要特性是__________，使用时应考虑的两个主要参数是__________和______________。

8.在常温下，硅二极管的死区电压约为______V ，导通后在较大电流下的正向压降约为________V ，锗二极管的死区电压约为_______V ，导通后在较大电流下的正向压降约为_______ V 。

9.当加在二极管两端的反向电压过高时，二极管会被 ________ 。

10.用指针式万用表的两表棒分别接触一个二极管的两端，当测得

的电阻值较小时，黑表笔所接触的一端是二极管的________极。

11.电路如图所示，试确定二极管是正偏还是反偏。

设二极管正偏时的正向压降为0.7V ，估算 U A ~ U D 值。

图 a ：VD 1_______ 偏置， U A =_____，U B =_______；

模电填空题

模拟电子技术与项目实训练习——填空题

一、填空题(每题1分)

1.理想二极管的正向电阻为（0 ），反向电阻为（∞）

2.在N型半导体中，多子是（自由电子），少子是（空穴）；在P型半导体中，多子是（空穴），少子是（自由电子）。

3.二极管具有（单向导电性）；当（正向偏置）时，二极管呈（低阻导通）状态；当（反向偏置）时，二极管呈（高阻截止）状态。

4.半导体中有（空穴）和（自由电子）两种载流子参与导电，其中（空穴）带正电，而（自由电子）带负电。

5.硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（大）。

6.普通硅二极管的正向导通压降范围大约为（0.6~0.8 ）V，在工程估算中一般取（0.7 ）V；锗二极管的正向导通压降范围大约为（0.2~0.3 ）V，在工程估算中一般取（0.2 ）V。发光二极管的正向导通压降范围大约为（1~2.5 ）V。

7.在工程估算中,硅二极管的正向导通电压取（0.7 ）V , 锗二极管的正向导通电压取（0.2 ）V。

8.在桥式整流电路中，未接入滤波电容时，输出电压的平均值为变压器次级电压有效值的（0.9 ）倍；接入滤波电容后，输出电压的平均值为变压器次级电压有效值的（ 1.1~1.2 ）倍

9.如用交流电压表测得变压器次级的交流电压为20V，经桥式整流后，则在纯电阻负载两端用直流电压表测出的电压值约为（18V ）；经桥式整流电容后，直流电压表测出的电压值约为（22~24V ）。

10.稳压管通常工作在（反向击穿区），当其正向导通时，相当于一只（普通二极管）。

11.发光二极管工作在（正向）偏置条件下；导通电压的范围为（1~2.5 ）V。光电二极管工作在（反向）偏置条件下; 变容二极管工作在（反向）偏置条件下。

模拟电子技术基础填空题及答案

1.在常温下，硅二极管的门槛电压约为0.5V，导通后在较大电

流下的正向压降约为0.7V;锗二极管的门槛电压约为_0.1_V，导通

后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。

2、二极管的正向电阻小;反向电阻大。

3、二极管的最主要特性是单向导电性。PN结外加正向电压时，

扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。

4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个

电阻。

5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中

研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。

6、PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。PN具有具有单向导

电特性。

7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，

典型值为0.7伏;其门坎电压Vth约为0.5伏。

8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运

动形成。

9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。

10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴(P)半导体和电

子(N)半导体两大类。

11、二极管的最主要特性是单向导电性，它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。

12、在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V。

13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输出随频率连续变化的稳态响应。

15、N型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。

模拟电子技术基础复习题(基础知识填空和简答)

习题1

一、填空题

1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度，而少数载流子的浓度则与温度有很大关系。

2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。当外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。

3、在N 型半导体中，电子为多数载流子，空穴为少数载流子。

二．判断题

1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。（ × ）

2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。（ √ ）

3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。（× ）

4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。（ × ）

5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。（ √ ）

6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。（ × ）

7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。（× ）

三．简答题

1、PN 结的伏安特性有何特点？

答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V V

D -⋅=表示。式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位

与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量

模电填空题

填空题1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为 0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V；锗二极管的门槛电压约为 _0.1_V，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。2、二极管的正向电阻小；反向电阻大。3、二极管的最主要特性是单向导电性。ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。6、PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。PN具有具有单向导电特性。7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为 0.7 伏；其门坎电压Vth约为 0.5 伏。8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴（P）半导体和电子（N）半导体两大类。11、二极管的最主要特性是单向导电性，它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。12、在常温下，硅二极管的开启电压约为 0.5 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7 V。13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输出随频率连续变化的稳态响应。15、N型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是耦合和旁路电容，影响高频信号放大的是结电容。18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的β增加，则IBQ 增大，ICQ 增大，UCEQ 减小。19、三极管的三个工作区域是截止，饱和，放大。集成运算放大器是一种采用直接耦合方式的放大电路。20、某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压Va = 1.2V， Vb = 0.5V, Vc = 3.6V, 试问该三极管是硅管管（材料）， NPN 型的三极管，该管的集电极是a、b、c中的 C 。21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB, 则该放大电路总的对数增益为 80 dB，总的电压

《模电》习题集

《模拟电子技术》练习

填空

1.半导体是一种导电能力介于 ________与 ________ 之间的物质。

2.当外界温度、光照等发生变化时，半导体的______能力会发生很大变化。

3.在半导体中，参与导电的不仅有_________，而且还有_______，这是半导体区别导体导电的重要特征。

4.N 型半导体主要靠_______导电，P 型半导体主要靠______导电。

5.PN 结正向偏置是将P 区接电源的______极，N 区接电源的_____极。

6.PN 结加正向电压时______，加反向电压时________，这种特性称为PN 结的______________________________。

7.整流二极管的最主要特性是__________，使用时应考虑的两个主要参数是__________和______________。

9.当加在二极管两端的反向电压过高时，二极管会被 ________ 。

10.用指针式万用表的两表棒分别接触一个二极管的两端，当测得

的电阻值较小时，黑表笔所接触的一端是二极管的________极。

11.电路如图所示，试确定二极管是正偏还是反偏。

设二极管正偏时的正向压降为0.7V ，估算 U A ~ U D 值。

图 a ：VD 1_______ 偏置， U A =_____，U B =_______；

模电期中(附答案)

一、填空（10个）

1、反向电流是由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。

少数温度无关

2、稳定二极管稳压时是处于（）偏置状态，而二极管导通时是处于（）偏置状态。

反向正向

3、三极管放大电路共有三种组态分别是（）、（）、（）放大电路。共射极共集电极共基极

4、晶体三极管的集电极电流Ic=( ) 所以它是（）控制元件

βIb 电流

5、场效应管的漏极电流ID=( ),所以它是（）控制元件。

g m u gs 电压

6、当温度升高时三极管的集电极电流IC（），电流放大系数β（）。

增加增加

7、当温度升高时三极管的反向饱和电流I CBO（）所以Ic也（) 。增加也增加

8、两个放大系数β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为（）。

β2

9、在共基、共集、共射三种放大电路中输出电阻最小的电路是（）；既能放大电流，又能放大电压的电路是（）。

共集共射

10、当Ucs=0时，漏源之间存在导电沟道的称为（）型场效应管，漏源之间不存在导电沟道的称为（）型场效应管。

耗尽增强

二、简答（2个）

1、下图图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u0。

二极管D导通，-3V

二、指出下图所示各放大电路的名称，并画出它们的交流电路（图中电容对交流呈现短路）。

共集电极放大电路共基极放大电路

三、计算（2个）

1、电路如下图所示，试求：1、输入电阻；

2、放大倍数。

50K 300

2、三极管放大电路如下图所示，已知三极管的U BEQ=0.7V，β=100，各电容在工作频率上的容抗可不计。（！）求静态工作点I CQ、U CEQ；（2）画出放大电路的微变等效电路；（3）求电压放大倍数Au=uo/ui；（4）求输入电阻Ri和输出电阻Ro。

模电选择填空题

一、填空题：（每空1分共40分）

1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。

2、漂移电流是（反向）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。

3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开；

4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。

6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（增大），发射结压降（减小）。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共集电极）、（共发射极）、（共基极）放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（直流）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（交流）负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（A/1+AF），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/F ）。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（1+AF）BW，其中BW=（fh-fl ），

（1+AF ）称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（共模）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（差模）信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙）类互补功率放大器。

13、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路；

OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（近似于1 ），输入电阻（大），输出电阻（小）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。