模拟电子线路期末复习填空题

期末复习填空题(共177空)

1、BJT三极管内部有个PN结，JFET三极管内部有个PN结,MOS场效应管共有种类型。

将。

2、当场效应管的漏极静态电流增大时，它的低频跨导g

m

3、本征半导体的导电能力比杂质半导体的导电能力。电子型半导体称型半导体。

4、二极管最主要的特性。温度升高时，二极管的反向饱和电流。

5、PN结加正向电压，空间电荷区将；PN结加反向电压，空间电荷区将。

6、稳压管通常工作在区，反向电流在较大范围内变化时，两端电压。

7、BJT三极管是控制器件，除共射连接外还有共基和共集连接方式。场效应管是控制器件。

8、P型半导体是在本征半导体中掺入了原子（填“受主”或“施主”）形成的杂质半导体，其少子是。

9、杂质半导体的导电性能决定于。

10、PN结反偏电压越大其势垒电容越。

11、N型半导体是在本征半导体中掺入了 5 价元素的原子，其多数载流子是。

12、二极管的伏安特性方程为。

13、BJT三极管工作在放大状态时，发射结偏，集电结偏；当温度升高时，三极管电流放大倍数变化的趋势是。

14、P型半导体是在本征半导体中掺入价元素的原子，其多数载流子是。

≈；二极管的整流作用是利用了PN结的15、二极管正向导通时的交流电阻r

d

____特性。

16、BJT三极管工作在饱和状态时，发射结偏，集电结偏。

17、当温度升高时，BJT三极管集射极之间的穿透电流I CEO变化的趋势是。

18、N型半导体是在本征半导体中掺入了原子（填“受主”或“施主”），其少数载流子是。

19、PN结有两种电容效应，除扩散电容外还存在电容。

20、一般二极管作稳压二极管使用；稳压二极管作一般二极管使用（填“能”或“不能”）。

21、三极管工作在放大状态时，发射结电流是电流，集电结电流是电流（填“正向”或“反向”）。

22、按结构不同场效应管分为型和型两大类。

23、温度升高时，杂质半导体中的（填“少子”或“多子”）浓度明显增加。

24、二极管在温度升高时，正向特性曲线移；反向特性曲线移。

25、稳压管是利用了二极管的反向击穿特性制成的。

26、在JFET、增强型MOSFET及耗尽型MOSFET中，U

=0V时能够工作在恒流区的FET

GS

是 JFET 和耗尽型MOSFET 。

27、如果BJT三极管电极电位分别为-2.5V，-3.2V，-9V，则可以判断此三极管为

PNP 型三极管。

28、由NPN管组成的单管共射放大电路中，当静态工作电流太时，易产生饱

和失真，输出电压波形被削去；饱和失真时集电结偏。

29、图1所示是N沟道JFET的转移特性曲线，其饱和漏极电流I DSS= mA，夹断电

U GS(off)= V。

图1

30、图2所示场效应管可能工作在区（填“夹断”或“恒流”）。

图2

31、在NPN型单管共射放大电路中，当信号源电压为正弦波时，测得输出波形如图3所示，则该电路产生了失真（填“饱和”或“截止”）。

图3

32、图4所示场效应管可能工作在区（填“夹断”或“恒流”）。

图4

33、在NPN型单管共射放大电路中，在信号源电压为正弦波时，测得输出波形如图5所示，说明电路产生了失真（填“饱和”或“截止”）。

图5

34、图6所示场效应管可能工作在区（填“夹断”或“恒流”）。

图6

35、在PNP型单管共射放大电路中，在信号源电压为正弦波时，测得输出波形如图7所示，说明电路产生了失真（填“饱和”或“截止”）。

图7

36、在图8所示的电路中，稳压管D

Z 的稳定电压U

Z

=6V，最小稳定电流I

Zmin

=5mA，输入

电压U

I =12V，电阻R=100Ω，在稳定条件下I

L

的数值最大不应超过 mA 。

图8

37、两个电流放大系数分别为β

1和β

2

的晶体管复合，其复合管的β值约为。

38、在晶体管单管放大电路的三种连接方式中，电路频带较宽（填

“共射”、或“共基”或“共集”）。

39、在晶体管单管放大电路的三种连接方式中，电路功率放大较强（填“共射”、

或“共基”或“共集”）。

40、在晶体管单管放大电路的三种连接方式中，电路带负载能力较强（填“共射”、

或“共基”或“共集”）。

41、在BJT多级放大电路中，已知第一级电压放大倍数为10，第二级电压放大倍数为（-10），第三级电压放大倍数为1，总的电压放大倍数为，第一级是组态放大电路，第二级是组态放大电路，第三级是组态放大电路。42、若三级放大电路中第一、第二及第三级的增益分别为30dB，20dB，10dB,则其总电压增益为 dB。

43、复合晶体管还称为管，其主要作用是。

44、若差分放大电路反相输入端和同相输入端的输入信号分别是u

I1=20mV,u

I2

=30mV,则该

差分放大电路的共模输入电压u

IC = mV,差模电压u

Id

= mV。

45、在差分放大电路中，发射极耦合电阻R

e

对信号的放大作用无影响，

对信号具有抑制作用。差分放大器的共模抑制比K

CMR

＝。46、产生零点漂移的主要原因温度变化引起的半导体器件参数的变化，在电路结构上采用差分放大器能够有效抑制零点漂移。

47、差分放大电路的主要功能是对差模信号，对共模信号。

48、集成运放通常将互补输出（共集）电路放置于输出级，其主要原因是输出电压线性范围宽，输出电阻小，非线性失真小。

49、集成运放通常将差分放大电路放置于输入级，其主要原因是减小温漂。

50、作低频放大器，应优先使用集成运放；作内阻为100kΩ信号源的放大器，应优先使用集成运放；作宇航仪器中所用放大器，应优先使用集成运放（填:高压型、大功率型、高精度型、通用型、高速型、低功耗型、高阻型）。

51、恒流源电路在集成运放中除了为各级放大电路提供静态电流外，还可作为共射电路或共基电路负载以提高。

52、当放大电路的输入信号频率等于截止频率时，放大电路的电压放大倍数的大小约下降到中频时的，即增益下降 dB。

53、场效管的高频特性比晶体管的高频特性要（填“好”或“差”）。

54、放大电路在提高放大倍数的同时，其频带宽度将变。

55、晶体管极间电容越，则其高频特性越好。

56、影响放大电路低频特性的电容是电容；影响放大电路高频特性的电容是电容。

57、BJT三极管的特征频率f

T 越大，说明其高频特性越；f

T

与电流放大倍数的

上限频率f 的关系近似为。

58、已知某放大电路如图9所示，电路中D

1和D

2

管的作用是消除。

图9

59、功率放大电路的两个主要性能参数是和。

60、功率放大电路的转换效率是指。

61、如图10所示的功率放大电路处于类工作状态；其静态功耗为 0 ；

电路的最大输出功率约为。

图10