模电总复习(最终版)
完整版模电知识点复习总结共136页
15、机会是不守纪律的。——雨果
46、我们若已接受最坏的，就再没有什么损失。——卡耐基 47、书到用时方恨少、事非经过不知难。——陆游 48、书籍把我们引入最美好的社会，使我们认识各个时代的伟大智者。——史美尔斯 49、熟读唐诗三百首，不会作诗也会吟。——孙洙 50、谁和我一样用功，谁就会和我一样成功。——莫扎特
完整版模电知识点复习总结
11、战争满足了，或曾经满足过人的 好斗的 本能， 但它同 时还满 足了人 对掠夺 ，破坏 以及残 酷的纪 律和专 制力的 欲望。 ——查·埃利奥 特 12、不应把纪律仅仅看成教育的手段 。纪律 是教育 过程的 结果， 首先是 学生集 体表现 在一切 生活领 域—— 生产、 日常生 活、学 校、文 化等领 域中努 力的结 果。— —马卡 连柯(名 言网)
模拟电子技术综合复习
4.放大电路的输入电压 Ui=10mV，输出电压 UO=1V，该放大电路的电压放大倍数为 -100 ， 电压增益为 40 dB。
5.集成运算放大器的两个输入端分别为 同相输入 端和 反相输入 端，前者的极性与输
出端 相同 ，后者的极性与输出端 相反 。 6.理想运算放大电器工作在线性状态时，两输入端电压近似相等，称为
2. 在单相桥式整流电路中，若将 4 只二极管全部反接，试分析对输出有何影响？若将其中的 1 只二极管反接，对输出有何影响？
VT1 VT2
V1
VT4
V2
VT3
+
R uo
-
六、计算题
= 100，RS= 1 k，RB1= 62 k，RB2= 20 k, RC= 3 k，RE = 1.5 k，RL= 5.6 k，VCC = 15 V。 求：“Q”，Au，Ri，Ro。
（√ ）
10.乙类互补对称功率放大电路产生的失真是交越失真。
（ √）
四、判断三极管工作状态（每小题 4 分，共 12 分）
-5V
-1.7 V
3.3V 3.7V
6V 2V
-2V
3V
a.（截止
） b.（ 饱和 ）
3V
c.（ 截止
）
五、分析题（每小题 9 分，共 18 分）
1. 试分析图示电路中，级间交流反馈 是正反馈还是负反馈，是电压反馈还是电 流反馈，是串联反馈还是并联反馈？
（ ×）
2.二极管在工作电流大于最大整流电流 IF 时会损坏。 3.三极管基极为高于发射极电位，三极管一定处于放大状态。
（√ ） （ ×）
4.放大电路的输出电阻只与放大电路的负载有关，而与输入信号源内阻无关。（ × ）
模电总复习
模拟电子技术考试复习模拟电子技术课程的重点比例：第二章：15%；第三章：10%；第四章：30%；第五章：5%；第六章：5%；第七章：20%；第八章：5%；第九章：5%；第十章：5%。
期末考试重点内容：第二章：运放电路分析；第三章：含二极管的电路分析，PN结的特性；第四章：共基、共集、共射电路分析，三极管基本特性分析，单级与多级放大电路的频率特性；第五章：场效应管的基本特性；第六章：差分放大电路的基本特性；第七章：负反馈放大电路分析；第八章：功率放大电路的基本问题；第九章：正弦波震荡电路的振荡条件，参数分析；第十章：稳压电源基本电路组成，串联反馈式稳压电路分析。
期中考试定在11周周末，题型为填空选择与计算分析。
考试内容：第二章40%，运放电路分析（包括开环和闭环）；第三章20%，二极管（包括稳压管）电路分析，PN结特性分析；第四章40%，三极管基本特性，共基、共集、共射电路分析，多级放大电路的基本特性。
期中考试占期末总评成绩的20%，平时成绩15%，期末考试占65%。
考试重点1、分立元件放大电路的分析以第4章为主，可能会涉及FET和差分电路；2、负反馈放大电路组态和极性的判断；负反馈对放大电路性能的影响；根据负反馈影响，已知欲改善的性能，能自己引入负反馈；深度负反馈下的近似计算3、集成运放的应用电路分析（信号的运算与处理电路）以第二章为主，主要是虚短、虚断的运用，求输出表达式；包含2、6、10章的运放电路。
各章复习要点第1章绪论放大电路的主要性能指标：A v（dB）、R i（A vs）、R o（A vo）及模型；频率响应（幅度失真、相位失真），带宽（f H、f L）。
习题：1.4.1；1.5.5。
第2章运算放大器（信号的运算与处理电路）主要是虚短的运用，求输出表达式.反相比例电路，加减电路，两级运放构成的反馈重点章节：2.2；2.3；2.4习题：2.1.1；2.3.1；2.3.2；2.4.2；2.4.5；2.4.6；2.4.7；2.4.10；2.4.14。
(完整word版)模电复习资料(判断和填空有答案)
判断题第一章半导体 1、少数载流子是电子的半导体称为P型半导体。
(对）二极管1、由PN结构成的半导体二极管具有的主要特性是单向导电性.(对)2、普通二极管反向击穿后立即损坏，因为击穿是不可逆的。
(错)3、晶体二极管击穿后立即烧毁。
（错)三极管1、双极型晶体三极管工作于放大模式的外部条件是发射结正偏，集电结也正偏。
（错）2、三极管输出特性曲线可以分为三个区,即恒流区，放大区,截止区。
(错）3、三极管处于截止状态时，发射结正偏。
（错）4、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（P型或N型）构成的，所以极e和c极可以互换使用。
（错）5、当集电极电流值大于集电极最大允许电流时，晶体三极管一定损坏。
（错）6、晶体三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化,温度升高，β减少。
(错）场效应管1、场效应管的漏极特性曲线可分成三个区域：可变电阻区、截止区和饱和区.（错)第二章1、技术指标放大电路的输出信号产生非线性失真是由于电路中晶体管的非线性引起的，对2、基本放大电路在基本放大电路中,若静态工作点选择过高，容易出现饱和失真。
（对）3、放大电路的三种组态射极跟随器电压放大倍数恒大于1,而接近于1。
（错)三种基本放大电路中输入电阻最大的是射极输出器。
(对）射极跟随器电压放大倍数恒大于1，而接近于1。
（错）射极输出器不具有电压放大作用.（对）4、多级放大电路直流放大器是放大直流信号的，它不能放大交流信号。
（错）直流放大器只能放大直流信号。
（错）现测得两个共射放大电路空载时的放大倍数都是-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数为10000。
（错）多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄，级数愈少，通频带愈窄.（错）。
多级放大器总的电压放大倍数是各级放大倍数的和.（错）多级阻容耦合放大器的通频带比组成它的单级放大器的通频带宽。
(错)第四章在三种功率放大电路中,效率最高是的甲类功放。
(对)第五章从信号的传输途径看，集成运放由输入级，输出级,偏置电路这几个部分组成。
模电复习资料
总复习第1章 直流电路一、电流、电压、电位参考方向与实际方向关系在电路分析中，我们常在电路中选择一个点作为参考点，电路中某一点到参考点的电压就称谓这个点的电位。
参考点又称零电位点。
电路中a 、b 点两点间的电压等于a 、b 两点的电位差。
b a ab u u u -= 二、电功率电场力在单位时间内所做的功称为电功率，简称功率。
dtdWp =关联方向时：p ＞0时吸收功率，p ＜0时放出功率。
三、电压源与电流源等效变换：为了便于分析电路，常常用等效变换的方法简化或变换电路结构，但变换后的电路与原电路伏安特性不变。
实际电源模型及其等效变换 o IR U U s -=oR U I I s -= 四、简单的电阻电路串联电阻具有分压作用 并联电阻具有分流作用 五、基尔霍夫定律1、基尔霍夫电流定律（KCL ）——基尔霍夫第一定律 在任一瞬时，通过任一节点电流的代数和恒等于零。
0i =∑2、基尔霍夫电压定律（KVL ）——基尔霍夫第二定律 在任一瞬时，沿任一回路电压的代数和恒等于零。
0u =∑任意设定回路绕行方向，电压参考方向与回路绕行方向一致时取正号，相反时取负号。
六、支路电流法支路电流法是以支路电流为未知量，直接应用KCL 和KVL ，分别对节点和回路列出所需的方程式，然后联立求解出各未知电流。
一个具有m 条支路、n 个节点的电路，根据KCL 可列出（n －1）个独立的节点电流方程式，根据KVL 可列出m －(n －1)个独立的回路电压方程式。
1、支路电流法2、节点电位分析法七、叠加定理：适用于线性电路八、戴维南定理、诺顿定理：适用于线性电路 九、受控源分类及表示方法第3章 交流电路一、正弦交流电：)sin(u m t U u θω+=，)sin(i m t I i θω+=振幅、角频率和初相称为正弦量的的三要素。
周期、频率、角频率：f 2T2ππω== 相位、初相和相位差 交流电的有效值、振幅：2I I m =，2U U m =二、正弦量的相量表示法)sin(i m t I i θω+=，im j m m I e I I i θθ∠==&，I I m &&2=，U U m &&2=三、KCL 、KVL 的相量形式：KCL ：0=∑I&，KVL ：0=∑U & 四、 单一元件参数电路在以下的推导过程中，设元件两端的电压和流过元件的电流均采用关联参考方向。
模电综合复习
模拟电子技术基本知识点复习1．半导体二极管和三极管(1)导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。
(2)硅和锗是常用的两种半导体材料。
(3)纯净半导体称为本征半导体。
(4)半导体在热(或别的外能)作用下，少数价电子离开共价键，产生自由电子(以下简称电子)和空穴，这种现象称本征激发。
(5)电子带负电、空穴带正电，能自由移动，均为载流子。
(6)本征激发成对产生电子和空穴，称为电子一空穴对。
(7)电子“跳入”空穴使一对电子、空穴同时消失称为复合。
(8)温度一定时，本征激发和复合动态平衡。
(9)本征半导体中的电流，是电子形成的电流和空穴形成的电流之和，两者方向相同。
(10)硅或锗晶体中掺入五价杂质元素(如磷、砷)形成N型半导体，其多数载流子(以下简称多子)是电子，少数载流子(以下简称少子)是空穴，还有不能自由移动的正离子。
N型半导体也称为电子型半导体。
(11)硅或锗晶体中掺入三价杂质元素(如硼、铟)形成P型半导体，多子是空穴，少子是电子，还有不能自由移动的负离子。
P型半导体也称为空穴型半导体。
(12)N型半导体中的杂质原子能提供电子，称为施主杂质。
(13)P型半导体中的杂质原子因吸收电子，称为受主杂质。
(14)多子由杂质原子提供，多子浓度决定于掺杂浓度。
(15)少子由本征激发产生，少子浓度主要取决于温度。
(16)发生于N型和P型交界面，由浓度差产生的多子运动称为多子扩散运动。
(17)形成于N型和P型交界面的PN结，也称为空间电荷区、势垒区、阻挡层、耗尽层。
(18)PN结中，空间电荷形成的电位差称为势垒，形成的电场称为自建电场。
(19)自建场不利于多子扩散，有利于少子漂移。
(20)PN结没有外施电压时，多子形成的扩散电流与少子漂移形成的漂移电流大小相等、方向相反，流过 PN结的净电流为零。
即多子扩散与少子漂移动态平衡。
(21)当N区和P区掺杂浓度不相等时，浓度高的一侧，其耗尽层宽度小于浓度低的一侧，这种PN结称为不对称PN结。
模拟电子技术基础-总复习最终版
其中 RP R1 // R2 // R3 // R4
另外，uN
R R Rf
uo，uN
uP
ui1 R1 ui2i1 R2 ui3i2R3
P+ + u
o
R4 i4
uo
RP 1
Rf R
ui1 R1
ui 2 R2
ui3 R3
i3
4、 电路如图所示，各引入那种组态的负反馈？设集成运放 输出电压的最大幅值为±14V，填表。
11
14
5、求解图示电路的运算关系式。
同相求和电路 电压串联负反馈
6、求解图示电路的运算关系式。
R2
R1 ui R3
_
R4
+A1+ uo1
R5
_ +A2+
uo
7、求解图示电路的运算关系式。
电压并联负反馈。 电压放大倍数为：-R2/R1。
（3）交流负反馈是指 。 A．阻容耦合放大电路中所引入的负反馈 B．只有放大交流信号时才有的负反馈 C．在交流通路中存在的负反馈
解：（1）D （2）B （3）C
4、选择合适答案填入空内。
A．电压 B．电流 C．串联 D．并联
（1）为了稳定放大电路的输出电压，应引入 负反馈；
（2）为了稳定放大电路的输出电流，应引入 负反馈；
解：将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路，图略。 各电路的交流通路如解图P2.2所示。
5.在图示电路中，已知晶体管β，rbe，RB，RC=RL，VCC。
（1）估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
（2）当考虑信号源内阻为RS时，Aus的数值。
6. 电路如图所示，晶体管的＝100，=100Ω。
完整版模拟电路总复习知识点1
1.模拟信号和数字信号•模拟信号：时间连续、幅度连续的信号（图 1.1.8）。
-数字信号：时间、幅度离散的信号（图 1.1.10）2.放大电路的基本知识即为输出电阻。
-放大器各种增益定义如下:互阻增益:A 、A 、A R 、&的分贝数为20lg|y& ； A p 的分贝数为20lg A p 。
•不同放大器增益不同，但任何正常工作的放大器，必须 A P•任何单向化放大器都可以用模型来等效，可用模型有四种（图•频率响应及带宽：A/（ j ）Vo （ j ）或A A/（） （）V i （ j ）A/（）—— 幅频相应（图1.2.7）:电压增益的模与角频率的关系。
（）――相频相应：输出与输入电压相位差与角频率的关系。
BW ――带宽：幅频相应的两个半功率点间的频率差 BW f Hf L 。
•线性失真：电容和电感引起，包括频率失真和相位失真（图 1.2.9）•非线性失真：器件的非线性造成。
一、半导体知识1.本征半导体•单质半导体材料是具有 4价共价键晶体结构的硅（Si ） 前者是制造半导体IC 的材料，后者是微波毫米波半导体器件和•本征半导体：纯净且具有完整晶体结构的半导体称为本征半导体。
第一章绪论第二章晶体二极管及应用电路-输入电阻R :是从放大器输入口视入的等效交流电阻。
R i 是信号源的负载，R 从信号源吸收信号功率。
•输出电阻R o :放大器在输出口对负载R L 而言，等效为一个新的信号源（这说明放大器向负载 R L 输出功率P o ），该信号源的内阻端电压增益:源电压增益:电流增益:互导增益:馬VF 鬆v s & 咼 & V&负载开路电压增益 （内电压增益）：A V 0R L ，A /功率增益：A P¥ lA v llA I l P1.2.2 ）。
和锗（Ge ）（图2.1.2）, 一些金属化合物也具有半导体的性质如砷化镓 IC 的重要材料。
GaAs 。
大学期末模电复习总结
模拟电子技术基础复习要点一、常用半导体器件1. 半导体二极管（1）掌握二极管具有单向导电的特性。
用电位的方法来判断二极管是否导通，即，极管的阳极电位最高，或哪个二极管的阴极电位最低，哪个二极管就优先导通。
（2）注意：理想二极管导通之后相当短路，截止后相当开路。
（3）掌握二极管的动态电阻小，静态电阻大的概念（直流通路恒压源，交流通路小电阻）交流的时候把二极管当成一个交流的小电阻，用静态工作点和公式求二极管的电阻值（4）熟悉二极管的应用（开关、钳位、隔离、保护、整流、限幅）作业： 1.3 2. 半导体稳压管（1）掌握稳压管工作在反向击穿区的特点2）掌握稳压管与一电阻串联时，在电路中起的稳压作用。
哪个二只要不超过稳压管的最大功率，电流越大越好（3）掌握稳压管的动态电阻小，静态电阻大的概念。
（3）熟悉稳压管的应用（稳压、限幅）作业：1.5 , 1.6 3. 晶体三极管（1）熟悉晶体管的电流放大原理（重点掌握 Ic=βIb ）（2）掌握 NPN 型三极管的输出特性曲线。
晶体管有三个级，必然就有 BE 间的输入， CE 间的输出，所以有两组特性曲线关于 NPN 型管子：管子处于何种状态要根据电压之间的关系来确定。
区之间的区别3）掌握三极管的放大、饱和与截止条件。
4）理解 I CBO 和I CEO 的定义及其对晶体管集电极电流的影响。
作业：主要是饱和区和截止 1.9， 1.12 ， Uce 是一个恒定值Ib 是一个恒定值共射交流放大倍数β，共基交流放大倍数α≈ 14. 场效应管（1）能够从转移特性曲线和输出特性曲线识别场效应管类型。
2）掌握结型场效应管 （N 沟道 ）的转移特性和输出特性的意义。
3）掌握绝缘栅 N 沟道增强型 MOS 的转移特性和输出特性的意义。
二、基本放大电路1. 掌握典型的共发射极接法 （静态工作点稳定电路） 、共集电极接法的射极输出器的工作原 理。
（1）熟悉各元件的作用、各元件参数的数量级。
模电知识点复习总结
模电知识点复习总结模拟电子技术（模电）是电子工程中的重要基础学科之一，主要研究电路中的电压、电流以及能量的传输和转换。
下面是我对模电知识点的复习总结：一.基础知识1.电路基本定律：欧姆定律、基尔霍夫定律、电压分压定律、电流分流定律、功率定律。
2.信号描述与频域分析：时间域与频域的关系。
傅里叶级数和傅里叶变换的基本概念和应用。
3.理想放大器：增益、输入/输出电阻、输入/输出阻抗的概念和计算方法。
4.放大器基本电路：共射、共集、共基放大器的特点、电路结构和工作原理。
二.放大器设计1.放大器的参数：增益、输入/输出电阻、输入/输出阻抗。
2.放大器的稳定性：稳态稳定性和瞬态稳定性。
3.放大器的频率响应：截止频率、增益带宽积、输入/输出阻抗对频率的影响。
4.放大器的非线性失真：交趾略失真、交调失真、互调失真等。
5.放大电路的优化设计：负反馈、输入/输出阻抗匹配、增益平衡等。
三.运算放大器1.运算放大器的基本性质：增益、输入阻抗、输出阻抗、共模抑制比。
2.电压放大器：非反转放大器、反转放大器、仪表放大器、差分放大器。
3.运算放大器的应用电路：比较器、积分器、微分器、换相器、限幅器等。
4.运算放大器的非线性失真：输入失真、输出失真、交调失真等。
四.双向可调电源1.双向可调电源的基本原理：输入电压、输出电压和控制信号之间的关系。
2.双向可调电源的电路结构：移相电路、比较器、反相放大器、输出级等。
3.双向可调电源的控制方式：串行控制和并行控制。
五.滤波器设计1.常见滤波器类型：低通、高通、带通和带阻滤波器。
2.滤波器的频率响应特性：通频带、截止频率、衰减量。
3.滤波器的传输函数：频率选择特性、阶数选择。
4.滤波器的实现方法：RC、RL、LC和电子管等。
六.可控器件1.二极管：理想二极管模型、二极管的非理想特性、二极管的应用。
2.可控硅：双向可控硅、单向可控硅、可控硅的触发电路和应用。
3.功率晶体管：NPN、PNP型功率晶体管的特性参数、功率放大电路设计。
模电重点总结复习必备
混合型等效电路
简化的混合型等效电路
场效应管等效电路
其中：gmugs是压控电流源，它体现了输入电压对输出电流的控制作用。
—
-
+
+
d
g
s
gs
u
u
ds
i
d
+
—
+
+
-
gs
m
u
gs
u
u
-
S
ds
g
g
d
S
d
i
运算放大器
工作在线性区时的特点
虚短 虚断
工作在非线性区时的特点
虚断
波特图
画复杂电路或系统的波特图，关键在于一些基本因子
3. 若要改变输入电压过 阈值电压时输出电压的 跃变方向，则应如何修 改电路？
改变输出限幅电路
uI
uO
UT+
UT-
功率放大电路
分析方法：图解法
分析指标：
输出功率 电源供给功率 管耗 效率
如何选管子
＋
－
u
u
Ｔ
１
Ｔ
２
V
CC
V
CC
o
i
L
R
1、输出功率
2、电源功率PV
3．三极管的管耗PT
4 、效率
一、器件部分
半导体器件（二极管、三极管、场效应管） 集成运放
二极管的应用
1、二极管
稳压管：
工作原理： 利用稳压管的反向击穿特性稳压的，由于反向特性陡直，较大的电流变化，只会引起较小的电压变化。
稳压二极管在工作时应反接，并串入一只电阻
三极管放大的内部条件和外部条件
（完整版）模电总结复习资料
（完整版）模电总结复习资料第⼀章半导体⼆极管⼀.半导体的基础知识1.半导体---导电能⼒介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流⼦----带有正、负电荷的可移动的空⽳和电⼦统称为载流⼦。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺⼊微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺⼊微量的三价元素（多⼦是空⽳，少⼦是电⼦）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺⼊微量的五价元素（多⼦是电⼦，少⼦是空⽳）。
6. 杂质半导体的特性*载流⼦的浓度---多⼦浓度决定于杂质浓度，少⼦浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体⾃⾝的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，⼀种杂质半导体可以改型为另外⼀种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截⽌。
8. PN结的伏安特性⼆. 半导体⼆极管*单向导电性------正向导通，反向截⽌。
*⼆极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析⽅法------将⼆极管断开，分析⼆极管两端电位的⾼低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，⼆极管导通(短路);若 V阳1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态⼯作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题⼿段----将⼆极管断开，分析⼆极管两端电位的⾼低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，⼆极管导通(短路);若 V阳*三种模型微变等效电路法三. 稳压⼆极管及其稳压电路*稳压⼆极管的特性---正常⼯作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压⼆极管在电路中要反向连接。
第⼆章三极管及其基本放⼤电路⼀. 三极管的结构、类型及特点1.类型---分为NPN和PNP两种。
模电复习总结
模电复习总结5⽉8⽇到14⽇，⽤了7天时间总结了模拟电⼦，其中⾃⼰⼿敲了⼤约8000字，到最后实在敲烦了，直接粘贴了部分内容。
另外还很⽆耻的粘下了好多图⽚。
希望对各位的复习能够起到点作⽤。
模拟电⼦——注电基础考试复习⽤⼀、元件基础1、半导体半导体器件中最常⽤的半导体材料有硅和锗两种，都是四价元素，其纯净物导电性很差，按照⼀定规律掺⼊三价、五价元素后，导电性能⼤幅上升，分别形成N型、P型半导体。
四价、五价元素混合后形成N型半导体，容易失去电⼦，形成较稳定的正价离⼦。
四价、三价元素混合后形成P型半导体，容易吸收电⼦，形成较稳定的负价离⼦。
P型半导体和N型半导体制造在同⼀块材料上，在两种半导体的交界⾯上形成PN结。
PN结是构成半导体器件的基础。
2、⼆极管⼀对PN结称为⼆极管，分别在P端和N端引出管脚。
P端易失去电⼦，作为⼆极管的正端。
N端易吸收电⼦，作为⼆极管的负端。
PN结由于两侧材料吸收电⼦能⼒不同的性质，成为⼀个耗尽层。
耗尽层到点能⼒较低，形成⼀个不稳定的内电场h0，此内电场从N端指向P端，即⼆极管的正端指向负端，内电场电压从P端指向N端。
其不稳定包括两个⽅⾯。
⼀个是受外界温度影响⽐较⾼，试验测得300K（25℃）时，温度电压当量U T≈26mV，在室温附近，温度每升⾼1℃，正向压降约减⼩2~2.5mV，温度每升⾼10℃，反向电流约增⼤⼀倍。
另⼀个是外部电压的影响。
当正向加⼀个电压时，由于内外电场⽅向相反，相当于内电场被削弱，耗尽层变薄，电压差很⼩，可以⼤量通过电⼦，容易导电。
当反向加⼀个电压时，由于内外电场⽅向相反，相当于内电场被加强，耗尽层变厚，电压差很⼤，很难通过电⼦，基本不导电。
这就是⼆极管的单向导电性。
⼆极管的伏安特性曲线中包括正向特性和反向特性。
实际使⽤的主要是较为直线部分，正向特性的线性部分为导通部分，线性部分延长线与电压轴的交点为导通电压U on。
导通电压根据不同材料和制作⼯艺，⼀般在0.1V~0.8V范围内（计算时，如不给出的话，硅管取0.7V，锗管取0.3V）。
模电各章重点内容及总复习
《模电》第一章重点掌握内容：一、概念1、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。
2、半导体奇妙特性：热敏性、光敏性、掺杂性。
3、本征半导体：完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。
4、本征激发：环境温度变化或光照产生本征激发，形成电子和空穴，电子带负电，空穴带正电。
它们在外电场作用下均能移动而形成电流，所以称载流子。
5、P型半导体：在纯净半导体中掺入三价杂质元素，便形成P型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，空穴为多数载流子（称多子）而电子为少子。
6、N型半导体：在纯净半导体中掺入五价杂质元素，便形成N型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，电子为多子、而空穴为少子。
7、PN结具有单向导电性：P接正、N接负时（称正偏），PN结正向导通，P接负、N接正时（称反偏），PN结反向截止。
所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的，而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。
8、二极管按材料分有硅管(S i管)和锗管(G e管)，按功能分有普通管，开关管、整流管、稳压管等。
9、二极管由一个PN结组成，所以二极管也具有单向导电性：正偏时导通，呈小电阻，大电流，反偏时截止，呈大电阻，零电流。
其死区电压：S i管约0。
5V，G e管约为0。
1 V ，其死区电压：S i管约0.5V，e0.1 V 。
其导通压降：S i管约0.7V，G e管约为0.2 V 。
这两组数也是判材料的依据。
10、稳压管是工作在反向击穿状态的：①加正向电压时，相当正向导通的二极管。
（压降为0.7V，）②加反向电压时截止，相当断开。
③加反向电压并击穿（即满足U﹥U Z）时便稳压为U Z。
11、二极管主要用途：整流、限幅、继流、检波、开关、隔离（门电路）等。
二、应用举例：（判二极管是导通或截止、并求有关图中的输出电压U0。
三极管复习完第二章再判）参考答案：a、因阳极电位比阴极高，即二极管正偏导通。
是硅管。
b 、二极管反偏截止。
f 、因V的阳极电位比阴极电位高，所以二极管正偏导通，（将二极管短路）使输出电压为U0=3V 。
模电总复习
C 1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于_____, 而少数载 流子的浓度则与____ A 有很大关系. A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷 C 2.如果晶体管的基极---发射极短路,则_____ A.管子饱和 B.发射击结反 C.管子截止 D.集电结烧坏 3.稳压管稳压电路如图所示,其中VDZ1的稳压压值UZ1=7V,VDZ2的稳压 值UZ2=3V,该电路的输出电压为______ C A. 0.7V B. 1.4V C. 3V D. 7V C
3
D3
2
D2
uL u RL L
+
二、滤波电路
1. 电容滤波
4
+ +
D4 220V
D1
1
+
u1
u2
3
D3
2
+
C
D2
RL u L +
（1）空载（RL=∞）时：
uL uC 2u2
近似估算: UL=1.2U2
（2）接入RL（且RLC较大）时
三. 稳压管稳压电路
1. 稳压原理——利用稳压管的反向击穿特性。
模电总复习
第一部分 二极管及其应用
1．半导体材料中有两种载流子：电子和空穴。电子带负电， 空穴带正电。在纯净半导体中掺入不同的杂质，可以得到 N型半导体和P型半导体。 2、 在本征半导体中掺入某些微量杂质元素后的半导体称为 杂质半导体。 N型半导体： 在本征半导体中掺入五价杂质元素，例如磷， 砷等。 P型半导体： 在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓 等。 3、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度, 而少数载流子的浓度则与温度有很大关系. 少子浓度——与温度有关 多子浓度——与温度无关
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Rf
R
ui1 R1
_ + P + R4 i4
u
o
i1
ui2 i2 ui3
R2
R3
R 另外，u N uo，u N u P R Rf Rf uo RP 1 R ui1 ui 2 ui 3 R R R 1 2 3
1、判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结
果填入括号内。 （1）集成放大电路采用直接耦合方式的原因是不易制作大 容量电容（ ）。 （2）选用差分放大电路的原因是克服温漂（ ）。 （3）放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。 （ ） （4）互补输出级采用共集形式是为了使电压放大倍数大。 （ ） （5）两个β 相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数 约为β 2 。（ ）
（6）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
（ ）
解：（1）× （2）√ （3）× （4）× （5）√ （6）×
2、共发射极放大电路中，由于电路参数不同，在信号源电 压为正弦波时，测得输出波形如图所示，试说明电路分别产 生了什么失真，如何消除。
3、试分析图示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理
1、已知交流负反馈有四种组态： A．电压串联负反馈 B．电压并联负反馈 C．电流串联负反馈 D．电流并联负反馈 选择合适的答案填入下列空格内，只填入A、B、C或D。 （1）欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入 ； （2）欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路 中引入 ； （3）欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放 大电路中引入 ； （4）欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电 路中引入 。
2、选择正确答案填入空内。
（1）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。 A. 变小 B. 基本不变 C. 变大 （2）稳压管的稳压区是其工作在 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （3）当NPN型晶体管工作在放大区时，发射极电压uBE A、 > B、 < C、 = D、 ≤ 解：（1） C （2）C （3）A 第一章：自测题一、二 习题1.1、1.12
模拟电子技术 总复习
讲授内容
第一章 常用半导体器件 第二章 基本放大电路 第三章 多级放大电路
第四章 集成运算放大电路
第六章 放大电路中的反馈
第七章 信号的运算和处理
第十章 直流电源
第一章 常用半导体器件
知识点：
1、N型半导体和P型半导体的形成及特点。 2、PN结的形成及特点。 3、电压对PN结的影响（单向导电性）。 4、温度对PN结的影响。 5、二极管的伏安特性、主要参数。 6、稳压二极管的特点。 7、三极管管型、管脚、材料的判别、 8、电流放大倍数、输入特性曲线、输出特性曲线、 9、晶体管截止区、放大区、饱和区的特点。 10、温度对晶体管参数的影响。
Rf
u u 0
虚短路
_
+
+
uo
i1= i2
虚开路
RP
结构特点：负反馈引到反相输 入端，信号从反相端输入。
ui u N u N uo R Rf
Rf uo Au u1 R
3、同相比例运算电路
Rf
虚短路
u-= u+= ui
uo
_
R ui RP
+ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
+
u o ui ui Rf R Rf uo (1 )ui R
（3）求解输出电阻：
Rs ∥ Rb rbe Ro Re ∥ 37 1
第二章
自测题：一 习题：2.5、2.9、2.11、2.13
第三章
多级放大电路
知识点： 1、多级放大电路的耦合方式 2、多级放大电路的计算 （1）多级放大电路的电压放大倍数等于组成它的各级电路 电压放大倍数的乘积。 （2）多级放大电路的输入电阻是输入级的输入电阻。 （3）多级放大电路的输出电阻是输出级的输出电阻。 3、直接耦合放大电路 零点漂移、共模信号、差模信号、共模抑制比 4、差分放大电路的静态工作点的计算、动态分析方法。
uon。
3、测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.15所示。 在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。
管号 上
T1 e
T2 c
T3 e
T4 b
T5 c
T6 b
中
下 管型 材料
b
c PNP Si
b
e NPN Si
b
c NPN Si
e
c PNP Ge
e
b PNP Ge
e
c NPN Ge
4、下图中三极管均为硅管，RB和RC的电阻值选取合适，从偏置情况分
解：（1） √ （2） √ （3） √ （4）×
（5） √
第三章
自测题：二、 习题：3.3
第四章
集成运算放大电路
知识点 1、集成运算放大器的组成特点 2、主要指标参数的意义 3、理想集成运算放大器的特点
1、选择合适答案填入空内。
（1）共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大 电路 。 A、放大差模抑制共模能力 B、电压放大能力 C、抑制差模放大共模能力 （2）集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以 。 A．减小温漂 B. 增大放大倍数 C. 提高输入电阻 （3）为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用 。 A．共射放大电路 B. 共集放大电路 C．共基放大电路 解：（1）A （2 ）A （3 ）A
析判断下图中各三极管的工作状态。
（ a）
（b）
（ c）
第二章
知识点：
基本放大电路
1、 放大的概念和放大电路的主要性能指标 2、静态工作点的定义及设置合适的静态工作点的必要性。 3、常见电路的静态工作点的估算。 4、放大电路的直流通路和交流通路。 5、能画出基本放大电路的交流等效电路，并计算出各动态参数。 6、静态工作点稳定电路的典型电路的计算。 7、三种基本放大电路的特点。
1、判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果填入括号内。 （1） “虚短路”和“虚断路”是分析运算电路的基本出发点。（ ） （2） 同相比例运算电路可实现Au＞1的放大器。（ ） （3）集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。（ ） 。
2、反相比例运算电路 i2 i1 ui R
N
1. 放大倍数
解：（1）D
（ 2） B
（ 3） C
4、选择合适答案填入空内。 A．电压 B．电流 C．串联 D．并联 （1）为了稳定放大电路的输出电压，应引入 负反馈； （2）为了稳定放大电路的输出电流，应引入 负反馈； （3）为了增大放大电路的输入电阻，应引入 负反馈； （4）为了减小放大电路的输入电阻，应引入 负反馈； （5）为了增大放大电路的输出电阻，应引入 负反馈； （6）为了减小放大电路的输出电阻，应引入 负反馈。 解：（1）A （2）B （3）C （4）D （5）B （ 6） A
6. 电路如图所示，晶体管的＝100，=100Ω。 （1）求电路的Q点、Au、Ri和Ro； （2）若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变 化？
7、 电路如图P2.12所示，晶体管的＝80，rbe=1kΩ。 （1）求出Q点； （2）分别求出RL＝∞和RL＝3kΩ时电路的和Ri和 Ro。；
（1）在输入量不变的情况下，若引入反馈后 ，则说明引入的反馈是负反 馈。 A．输入电阻增大 B．输出量增大 C．净输入量增大 D．净输入量减小 （2）对于放大电路，所谓开环是指 A．无信号源 B．无反馈通路 C．无电源 。
（3）交流负反馈是指 。 A．阻容耦合放大电路中所引入的负反馈 B．只有放大交流信号时才有的负反馈 C．在交流通路中存在的负反馈
解：（1）B
（2）C
（3）A
（4）D
2、判断图示各电路中是否引入了反馈；若引入了反馈，则判断是正反馈 还是负反馈；若引入了交流负反馈，则判断是哪种组态的负反馈。设图中 所有电容对交流信号均可视为短路。
解：(a)电流串联负反馈；(b)电压并联负反馈；(c)电压串联负反馈；(d)正反馈
3、 选择合适的答案填入空内。
虚开路
结构特点：负反馈引到反 相输入端，信号从同相端 输入。
反馈方式：电压串联负反馈。输入电阻高。
Rf uo Au 1 ui R
一、求和运算电路
uN uP 0
ui1 i1 ui2
R1 R2 R3 N iF R f _ + + R4 uo
1、反相求和运算
i1 i2 i3 iF ui1 ui 2 ui 3 uo R1 R2 R3 Rf ui1 ui 2 ui 3 uo R f R R R 2 3 1
解：（1）求解Q点：
I BQ VCC U BEQ Rb (1 ) Re 32.3 μ A
I EQ (1 ) I BQ 2.61mA U CEQ VCC I EQ Re 7.17V
（2）求解输入电阻和电压放大倍数： RL＝∞时 Ri Rb ∥[rbe (1 ) Re ] 110k
A u
(1 ) Re 0.996 rbe (1 ) Re
RL＝3kΩ时
Ri Rb ∥[rbe (1 )(Re ∥ RL )] 76k A u (1 )(Re ∥ RL ) 0.992 rbe (1 )(Re ∥ RL )
1、在括号内用“”或“×”表明下列说法是否正确。
（1）电路只有既放大电流又放大电压，才称其具有放大作用；（ ）
（2）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（ ） （3）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（ ） （4）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（ ）