2011级模电期末复习资料
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8. 已知某二极管在温度为 25℃时的伏安特性如图中实线所示，在温度为 T1 时的伏安特性 如图中虚线所示。 1．在 25℃时，该二极管的死区阈值电压、反向击穿电压和反向电流各是多大？ 2．温度 T1 是大于 25℃还是小于 25℃？
答案 1． 死区电压约为 0.5V 反向击穿电压约为 160V 反向电流约为 1μA 2．T1 小于 25℃ 9. 晶体管的共射交流电流放大系数 β 定义为_________________与_________________之比， 共基交流电流放大系数 α 定义为 ________________与________________之比。已知某晶体 管的 α＝0.99，那么该管的 β=_______99__________。 答案 IC 变化量（或ΔIC） IB 变化量（或ΔIB） IC 变化量（或ΔIC）
答案 集电极（或 IC） 基极（或 IB） 集电极（或 IC） 发射极（或 IE）α=β/(1+β)=0.98 11. 已知某 N 沟道结型场效应管的夹断电压 Uoff or UP＝-5V。下表给出四种状态下的 UGS 和 UDS 的值，判断各状态下管子工作在什么区，用 A、B、C 填入表内。 A、恒流区， B、可变电阻区， C、截止区。
A、半导体材料硅和锗的不同， B、掺杂元素的不同 ，
C、掺杂浓度的不同，
D、P 区和 N 区的位置不同。
2．N 沟道和 P 沟道场效应管的区别在于_C___ A、衬底材料前者为硅，后者为锗， B、衬底材料前者为 N 型，后者为 P 型， C、导电沟道中载流子前者为 电子，后者为空穴。
3. 随着温度的升高，在杂质半导体中，少数载流子的浓度__A__，而多数载流子的浓度 __C__。 A、明显增大， B、明显减小， C、变化较小
IE 变化量（或ΔIE） β=α/(1-α)=99
10. 晶体管的共射直流电流放大系数 β 近似为 ________________电流与_____________电流 之比，共基直流电流放大系数 α 近似为 ________________电流与_______________电流之 比。已知某晶体管的 β＝50，那么该管的 α=_______0.98_________。
1．当
时，该放大电路的工作状态为________________；
2．当
时，该放大电路的工作状态为________________；
3．当 4．当 5．当
时，该放大电路的工作状态为________________； 时，该放大电路的工作状态为________________； 时，该放大电路的工作状态为________________；
16. 在长尾式的差分放大电路中，Re对＿B＿有负反馈作用。 A、差模信号，B、共模信号，C、任意信号
差分放大电路利用恒流源代替Re是为了＿C＿。 A 提高差模电压放大倍数，B、提高共模电压放大倍数，C、提高共模抑制比）
具有理想电流源的差分放大电路，采用不同的连接方式，其共模抑制比＿A＿。 A、均为无穷大，B、均为无穷小 ，C、不相同
选择正确答案填空： 1．静态时，功率损耗最大的电路是（ ）； 2．能够消除交越失真的电路是（ ）； 3．功放管的导通角最小的电路是（ ）。 答案 A|AB|C
20 某差分放大电路的实验电路如图所示。试选择正确答案填空。 1．静态时，要使 UO＝0，应调整＿C＿元件参数； （A、Rc，B、Rb，C、Rw ，D、Re3，E、Rb3）
6．当
时，该放大电路的工作状态为________________。
答案 E|A|C|F|D|B
25.负反馈放大电路的闭环增益表达式为
。试分析该表达式，在以下几种答案
中选择正确者填空。
A、
， B、
， C、
，
D、
， E、
，
F、
。
1．该放大电路已进入非线性工作状态，表达式不再适用的条件是_______________； 2．该放大电路变为正反馈工作状态的条件是________________；
在共射、共基、共集三种基本放大电路组态中，希望电压放大倍数绝对值大，可选用__A___； 希望带负载能力强，应选用__B__；希望从信号源索取电流小，应选用__B__；希望即能放 大电压，又能放大电流，应选用__A__；希望高频响应性能好，应选用__C__。
在共射、共集、共基三种基本放大电路组态中，希望功率放大倍数大，应选用__A__；希望 输出电压与输入电压反向，应选用_A___；希望高频响应性能好，应选用__C__；希望输入 电阻大应选用_B___；希望在负载电阻变化时，输出电压基本不变，应选用__B__。
7. 已知某二极管在温度为 25℃时的伏安特性如图中实线所示，在温度为 T1 时的伏安特性 如图中虚线所示。 1．在 25℃时，该二极管的死区阈值电压、反向击穿电压和反向电流各是多大？ 2．温度 T1 是大于 25℃还是小于 25℃？
答案 1．死区电压约为 0.2V 反向击穿电压约为 70V 反向电流约为 5μA 2．T1 大于 25℃
15. A、共射组态， B、共集组态， C、共基组态 在共射、共集、共基组态三种放大电路中，wenku.baidu.com能放大电压、不能放大电流的是__C__；只能 放大电流不能放大电压的是_B___；即能放大电压又能放大电流的是_A___。
在共射、共集、共基组态放大电路中输入电阻最大的是___B__；输入电阻最小的是__C__， 输出电阻最小的是_B___，电压放大倍数最小的是_B___，电流放大能力最小的是__C__。
4. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于_C___，而少数载流子的浓度与__A__关 系十分密切。 A、温度， B、掺杂工艺， C、杂质浓度
5. 在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而__A__；在保持二 极管的正向电流不变的条件下，二极管的正向导通电压随温度升高而__B__。 A、增大 ， B、减小， C、不变
26. 负反馈放大电路的闭环增益表达式为
。试分析该表达式，在以下几种答案
中选择正确者填空。
A、
， B、
， C、
，
D、
， E、
，
F、
。
1．该放大电路已进入非线性工作状态，表达式不再适用的条件是_______________； 2．该放大电路变为正反馈工作状态的条件是________________； 3．该放大电路变为深度负反馈的条件是________________； 4．该放大电路不存在反馈的条件是________________； 5．该放大电路为负反馈工作状态的条件是________________； 6．该放大电路变为自激振荡的条件是________________。 答案 A|B|C|F|D|E 27. 负反馈放大电路产生自激振荡的条件是_____B____________。
18. 有三种功率放大电路： A、甲类功率放大电路 B、甲乙类功率放大电路 C、乙类功率放大电路
选择正确答案填空： 1．输出功率变化而电源提供的功率基本不变的电路是（ ）； 2．静态功耗约为 0 的电路是（ ）； 3．功放管的导通角最大的电路是（ ）。 答案 A|C|A
19. 有三种功率放大电路： A、甲类功率放大电路 B、甲乙类功率放大电路 C、乙类功率放大电路
22. 通用型集成运算放大器的输入级大多采用＿＿放大电路，输出级大多采用＿＿电路，偏 置电路采用＿＿电路。 答案差分；互补或准互补；电流偏置（或电流源）
23. 负反馈放大电路的闭环增益表达式为
,试分析该表达式。在以下几种答案中
选择正确者填空。
A、正反馈， B、自激振荡， C、深度负反馈，
D．负反馈， E、进入非线性工作状态，该表达式不再适用， F、无反馈。
6．当
时，该放大电路的工作情况为________________。
答案 E|A|C|F|D|B
24.负反馈放大电路的闭环增益表达式为
。
试分析该表达式，在以下几种答案中选择正确者填空。 A、正反馈， B、自激振荡， C、深度负反馈， D、负反馈， E、进入非线性工作状态，该表达式不再适用， F、无反馈。
17. 有三种功率放大电路：A、甲类功率放大电路 B、甲乙类功率放大电路
C、乙类功率放大电路 选择正确答案填空： 1．当输出功率变化时，电源提供的功率也随之变化的电路是（ ）； 2．若三种电路的最大输出功率相同，则要求功放管耗散功率最大的电路是（ ）； 3．功放管的导通角大于 且小于 2 电路是（ ）。 答案 BC|A|B
3．该放大电路变为深度负反馈的条件是________________； 4．该放大电路不存在反馈的条件是________________； 5．该放大电路为负反馈工作状态的条件是________________； 6．该放大电路变为自激振荡的条件是________________。 答案 A|B|C|F|D|E
13. 有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A 和B，对同一个具有内阻的信 号 源电压进行放大，在负载开路的条件下测得A 的输出电压比B 的小，这说明A 的 ________A_______比B 的_____D___________。 A、输入电阻， B、输出电阻 C、大， D、小
14. 某直接耦合放大电路在输入电压为 0.1V 时，输出电压为 8V；输入电压为 0.2V 时， 输出电压为 4V（均指直流电压）。则该放大电路的电压放大倍数为______C__________。 A、80 B、40 C、－40 D、20
状态
1
2
3
4
UGS/V
0
UDS /V
4
工作区
－2
－2
－6
4
2
10
答案
AB
A
B
C
UGS< UP 沟道全夹断，处于截止区，
UP <UGS <0，UGD<UP 恒流区，饱和区，放大区
UP <UGS <0，UGD> UP 预夹断，处于可变电阻区，
12. 有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A 和B，对同一个内阻等于零的 信号源电压进行放大，并接有相同大小的负载电阻，测得A 的输出电压比B 的大。这说明 A的_______B_______比B的______D__________。 A、输入电阻， B、输出电阻 C、大， D、小
期末模电考试题型及复习题
（1） 选择题 8 题，20 空，没空 1.5 分，共 30 分 （2） 填空题 10 空，每空 2 分，共 20 分 （3） 非客观题 共 7 道大题，共 50 分
下面的复习题非常重要，请同学们必须自己能够独立完成这些题目的求解。
小题目：
1．NPN 和 PNP 型晶体管的区别取决于___D_
1．当
时，该放大电路的工作情况为________________；
2．当
时，该放大电路的工作情况为________________；
3．当
时，该放大电路的工作情况为________________；
4 ．当
时，该放大电路的工作情况为________________；
5．当
时，该放大电路的工作情况为________________；
2．差模放大时，开关 S 从 2 转换至 1，若静态工作点不变，实测的差模电压放大倍数 将＿C＿； （A、增大，B、减小，C、基本不变） 3．共模放大时，开关 S 从 1 转换至 2，若静态工作点不变，实测的共模电压放大倍数 将 ＿A＿。 （A、增大，B、减小，C、基本不变）
21. 恒流源式差分放大电路如图所示。当 1.8k电位器的滑动端上移时（设整个电路仍工作 在放大状态），试就下列问题选择正确答案填空（A、增大，B、减小，C、不变或基本不变）。 1．差模电压放大倍数 ＿A ＿； 2．差模输入电阻 Rid＿B＿； 3．输出电阻 Rod＿C＿。
6. 已知二极管的反向击穿电压为 300V，当 V=100V、温度为 20℃时，I＝1μA 。 (1)．当 V 降低到 50V，则 I 约为____。 A、0.1μA ， B、0.5μA ， C、1μA ， D、2μA (2)．当 V 保持 100V 不变，温度降低到 10℃，则 I 约为____。 A、0.1μA ， B、0.5μA ， C、1μA ， D、2μA (3)．该二极管在反向电压为 200V 的电路中使用是____。 A、安全的， B、不够安全的 答案 C|B|B
答案 1． 死区电压约为 0.5V 反向击穿电压约为 160V 反向电流约为 1μA 2．T1 小于 25℃ 9. 晶体管的共射交流电流放大系数 β 定义为_________________与_________________之比， 共基交流电流放大系数 α 定义为 ________________与________________之比。已知某晶体 管的 α＝0.99，那么该管的 β=_______99__________。 答案 IC 变化量（或ΔIC） IB 变化量（或ΔIB） IC 变化量（或ΔIC）
答案 集电极（或 IC） 基极（或 IB） 集电极（或 IC） 发射极（或 IE）α=β/(1+β)=0.98 11. 已知某 N 沟道结型场效应管的夹断电压 Uoff or UP＝-5V。下表给出四种状态下的 UGS 和 UDS 的值，判断各状态下管子工作在什么区，用 A、B、C 填入表内。 A、恒流区， B、可变电阻区， C、截止区。
A、半导体材料硅和锗的不同， B、掺杂元素的不同 ，
C、掺杂浓度的不同，
D、P 区和 N 区的位置不同。
2．N 沟道和 P 沟道场效应管的区别在于_C___ A、衬底材料前者为硅，后者为锗， B、衬底材料前者为 N 型，后者为 P 型， C、导电沟道中载流子前者为 电子，后者为空穴。
3. 随着温度的升高，在杂质半导体中，少数载流子的浓度__A__，而多数载流子的浓度 __C__。 A、明显增大， B、明显减小， C、变化较小
IE 变化量（或ΔIE） β=α/(1-α)=99
10. 晶体管的共射直流电流放大系数 β 近似为 ________________电流与_____________电流 之比，共基直流电流放大系数 α 近似为 ________________电流与_______________电流之 比。已知某晶体管的 β＝50，那么该管的 α=_______0.98_________。
1．当
时，该放大电路的工作状态为________________；
2．当
时，该放大电路的工作状态为________________；
3．当 4．当 5．当
时，该放大电路的工作状态为________________； 时，该放大电路的工作状态为________________； 时，该放大电路的工作状态为________________；
16. 在长尾式的差分放大电路中，Re对＿B＿有负反馈作用。 A、差模信号，B、共模信号，C、任意信号
差分放大电路利用恒流源代替Re是为了＿C＿。 A 提高差模电压放大倍数，B、提高共模电压放大倍数，C、提高共模抑制比）
具有理想电流源的差分放大电路，采用不同的连接方式，其共模抑制比＿A＿。 A、均为无穷大，B、均为无穷小 ，C、不相同
选择正确答案填空： 1．静态时，功率损耗最大的电路是（ ）； 2．能够消除交越失真的电路是（ ）； 3．功放管的导通角最小的电路是（ ）。 答案 A|AB|C
20 某差分放大电路的实验电路如图所示。试选择正确答案填空。 1．静态时，要使 UO＝0，应调整＿C＿元件参数； （A、Rc，B、Rb，C、Rw ，D、Re3，E、Rb3）
6．当
时，该放大电路的工作状态为________________。
答案 E|A|C|F|D|B
25.负反馈放大电路的闭环增益表达式为
。试分析该表达式，在以下几种答案
中选择正确者填空。
A、
， B、
， C、
，
D、
， E、
，
F、
。
1．该放大电路已进入非线性工作状态，表达式不再适用的条件是_______________； 2．该放大电路变为正反馈工作状态的条件是________________；
在共射、共基、共集三种基本放大电路组态中，希望电压放大倍数绝对值大，可选用__A___； 希望带负载能力强，应选用__B__；希望从信号源索取电流小，应选用__B__；希望即能放 大电压，又能放大电流，应选用__A__；希望高频响应性能好，应选用__C__。
在共射、共集、共基三种基本放大电路组态中，希望功率放大倍数大，应选用__A__；希望 输出电压与输入电压反向，应选用_A___；希望高频响应性能好，应选用__C__；希望输入 电阻大应选用_B___；希望在负载电阻变化时，输出电压基本不变，应选用__B__。
7. 已知某二极管在温度为 25℃时的伏安特性如图中实线所示，在温度为 T1 时的伏安特性 如图中虚线所示。 1．在 25℃时，该二极管的死区阈值电压、反向击穿电压和反向电流各是多大？ 2．温度 T1 是大于 25℃还是小于 25℃？
答案 1．死区电压约为 0.2V 反向击穿电压约为 70V 反向电流约为 5μA 2．T1 大于 25℃
15. A、共射组态， B、共集组态， C、共基组态 在共射、共集、共基组态三种放大电路中，wenku.baidu.com能放大电压、不能放大电流的是__C__；只能 放大电流不能放大电压的是_B___；即能放大电压又能放大电流的是_A___。
在共射、共集、共基组态放大电路中输入电阻最大的是___B__；输入电阻最小的是__C__， 输出电阻最小的是_B___，电压放大倍数最小的是_B___，电流放大能力最小的是__C__。
4. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于_C___，而少数载流子的浓度与__A__关 系十分密切。 A、温度， B、掺杂工艺， C、杂质浓度
5. 在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而__A__；在保持二 极管的正向电流不变的条件下，二极管的正向导通电压随温度升高而__B__。 A、增大 ， B、减小， C、不变
26. 负反馈放大电路的闭环增益表达式为
。试分析该表达式，在以下几种答案
中选择正确者填空。
A、
， B、
， C、
，
D、
， E、
，
F、
。
1．该放大电路已进入非线性工作状态，表达式不再适用的条件是_______________； 2．该放大电路变为正反馈工作状态的条件是________________； 3．该放大电路变为深度负反馈的条件是________________； 4．该放大电路不存在反馈的条件是________________； 5．该放大电路为负反馈工作状态的条件是________________； 6．该放大电路变为自激振荡的条件是________________。 答案 A|B|C|F|D|E 27. 负反馈放大电路产生自激振荡的条件是_____B____________。
18. 有三种功率放大电路： A、甲类功率放大电路 B、甲乙类功率放大电路 C、乙类功率放大电路
选择正确答案填空： 1．输出功率变化而电源提供的功率基本不变的电路是（ ）； 2．静态功耗约为 0 的电路是（ ）； 3．功放管的导通角最大的电路是（ ）。 答案 A|C|A
19. 有三种功率放大电路： A、甲类功率放大电路 B、甲乙类功率放大电路 C、乙类功率放大电路
22. 通用型集成运算放大器的输入级大多采用＿＿放大电路，输出级大多采用＿＿电路，偏 置电路采用＿＿电路。 答案差分；互补或准互补；电流偏置（或电流源）
23. 负反馈放大电路的闭环增益表达式为
,试分析该表达式。在以下几种答案中
选择正确者填空。
A、正反馈， B、自激振荡， C、深度负反馈，
D．负反馈， E、进入非线性工作状态，该表达式不再适用， F、无反馈。
6．当
时，该放大电路的工作情况为________________。
答案 E|A|C|F|D|B
24.负反馈放大电路的闭环增益表达式为
。
试分析该表达式，在以下几种答案中选择正确者填空。 A、正反馈， B、自激振荡， C、深度负反馈， D、负反馈， E、进入非线性工作状态，该表达式不再适用， F、无反馈。
17. 有三种功率放大电路：A、甲类功率放大电路 B、甲乙类功率放大电路
C、乙类功率放大电路 选择正确答案填空： 1．当输出功率变化时，电源提供的功率也随之变化的电路是（ ）； 2．若三种电路的最大输出功率相同，则要求功放管耗散功率最大的电路是（ ）； 3．功放管的导通角大于 且小于 2 电路是（ ）。 答案 BC|A|B
3．该放大电路变为深度负反馈的条件是________________； 4．该放大电路不存在反馈的条件是________________； 5．该放大电路为负反馈工作状态的条件是________________； 6．该放大电路变为自激振荡的条件是________________。 答案 A|B|C|F|D|E
13. 有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A 和B，对同一个具有内阻的信 号 源电压进行放大，在负载开路的条件下测得A 的输出电压比B 的小，这说明A 的 ________A_______比B 的_____D___________。 A、输入电阻， B、输出电阻 C、大， D、小
14. 某直接耦合放大电路在输入电压为 0.1V 时，输出电压为 8V；输入电压为 0.2V 时， 输出电压为 4V（均指直流电压）。则该放大电路的电压放大倍数为______C__________。 A、80 B、40 C、－40 D、20
状态
1
2
3
4
UGS/V
0
UDS /V
4
工作区
－2
－2
－6
4
2
10
答案
AB
A
B
C
UGS< UP 沟道全夹断，处于截止区，
UP <UGS <0，UGD<UP 恒流区，饱和区，放大区
UP <UGS <0，UGD> UP 预夹断，处于可变电阻区，
12. 有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A 和B，对同一个内阻等于零的 信号源电压进行放大，并接有相同大小的负载电阻，测得A 的输出电压比B 的大。这说明 A的_______B_______比B的______D__________。 A、输入电阻， B、输出电阻 C、大， D、小
期末模电考试题型及复习题
（1） 选择题 8 题，20 空，没空 1.5 分，共 30 分 （2） 填空题 10 空，每空 2 分，共 20 分 （3） 非客观题 共 7 道大题，共 50 分
下面的复习题非常重要，请同学们必须自己能够独立完成这些题目的求解。
小题目：
1．NPN 和 PNP 型晶体管的区别取决于___D_
1．当
时，该放大电路的工作情况为________________；
2．当
时，该放大电路的工作情况为________________；
3．当
时，该放大电路的工作情况为________________；
4 ．当
时，该放大电路的工作情况为________________；
5．当
时，该放大电路的工作情况为________________；
2．差模放大时，开关 S 从 2 转换至 1，若静态工作点不变，实测的差模电压放大倍数 将＿C＿； （A、增大，B、减小，C、基本不变） 3．共模放大时，开关 S 从 1 转换至 2，若静态工作点不变，实测的共模电压放大倍数 将 ＿A＿。 （A、增大，B、减小，C、基本不变）
21. 恒流源式差分放大电路如图所示。当 1.8k电位器的滑动端上移时（设整个电路仍工作 在放大状态），试就下列问题选择正确答案填空（A、增大，B、减小，C、不变或基本不变）。 1．差模电压放大倍数 ＿A ＿； 2．差模输入电阻 Rid＿B＿； 3．输出电阻 Rod＿C＿。
6. 已知二极管的反向击穿电压为 300V，当 V=100V、温度为 20℃时，I＝1μA 。 (1)．当 V 降低到 50V，则 I 约为____。 A、0.1μA ， B、0.5μA ， C、1μA ， D、2μA (2)．当 V 保持 100V 不变，温度降低到 10℃，则 I 约为____。 A、0.1μA ， B、0.5μA ， C、1μA ， D、2μA (3)．该二极管在反向电压为 200V 的电路中使用是____。 A、安全的， B、不够安全的 答案 C|B|B