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模拟电子技术期末考试复习要点
模拟电子技术期末考试复习要点第一章晶体二极管1、杂质半导体P型半导体：多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子；N型半导体：多数载流子是自由电子，少数载流子是孔穴；2、PN结形成的物理过程；伏安特性：正向特性：外加正向电压即正偏，空间电荷区变窄（或变薄），形成较大的正向扩散电流。
反向特性：外加反向电压即反偏，空间电荷区变宽（或变厚），形成很小的反向漂移电流；击穿特性：稳压二极管；3、晶体二极管主要特性：单向导电性。
当外加电压大于导通电压时，晶体二极管导通；当外加电压小于导通电压时，晶体二极管截止。
模型：简化电路模型（理想模型、恒压降模型）；电路分析方法：简化分析法（估算法、画输出信号波形方法）；应用：整流电路、限幅电路；（重点）作业：P45：1-15、1-18、1-22第二章晶体三极管1、类型：NPN和PNP；2、基本结构三个区：基区、发射区、集电区；三个极：基极、发射极、集电极；两个结：发射结、集电结；3、工作模式放大模式：发射结正偏，集电结反偏——正向受控特性；饱和模式：发射结正偏，集电结正偏——受控开关特性；截止模式：发射结反偏，集电结反偏——受控开关特性；4、放大模式下的工作原理内部载流子传输过程；直流电流传输方程；直流简化电路模型；5、伏安特性曲线输入特性曲线族；输出特性曲线族：分为四个区——放大区、饱和区、截止区、击穿区；6、小信号电路模型：简化小信号电路模型；7、电路分析方法直流分析法：工程近似分析法——估算法；（P78-80：2-3-3 分压式偏置电路）交流分析法：小信号等效电路分析法；第四章放大器基础1、偏置电路和耦合方式偏置电路要求：提供合适的静态工作点，保证器件工作在放大模式；当环境温度等因素变化时，能稳定电路的静态工作点；分压式偏置电路；（重点）耦合方式：电容耦合、直接耦合（级间直流电平配置问题、零点漂移问题）；2、基本组态放大器（共发、共集）（重点）直流通路、直流等效电路、交流通路、交流等效电路、静态工作点的计算（I BQ 、I CQ 、V CEQ ）、性能指标（输入电阻、输出电阻、电压增益）的计算、三种组态放大器的性能比较（P189）；3、 差分放大器（重点）差模信号和共模性号：大小相等、极性相反；大小相等、极性相同；（P192：例4-3-1和4-3-2）差模性能分析（双端输出电路、单端输出电路）：半电路差模交流通路、差模性能指标（差模输入电阻、差模输出电阻、差模电压增益）计算；共模性能分析（双端输出电路、单端输出电路）：半电路共模交流通路、共模性能指标（共模输入电阻、共模输出电阻、共模电压增益）计算；共模抑制比；作业：P254：4-1（a ）（b ）、4-11、4-16、4-18、4-38第五章 放大器中的负反馈1、 正反馈和负反馈正反馈：使净输入量增大；负反馈：使净输入量减小；2、 反馈极性与类型的判别判断反馈类型：短路法；判断极性：瞬时极性法；3、 负反馈对放大器性能的影响：降低增益、减小增益灵敏度（提高增益稳定性）、改变输入、输出电阻（如何改变的？）；4、 引入负反馈的原则：要稳定直流量（如静态工作点）：引入直流负反馈；要稳定交流量（如电压放大倍数）：引入交流负反馈；要稳定输出电压：引入电压负反馈；要稳定输出电流：引入电流负反馈；要增大输入电阻：引入串联负反馈；要减小输入电阻：引入并联负反馈；要增大输出电阻：引入电流负反馈；要减小输出电阻：引入电压负反馈； 作业：第5章课件 例3第六章 集成运算放大器及其应用电路1、 理想条件下的两条重要法则：虚短：v v +-=、虚断：0i i +-==； 2、 基本应用电路：反相放大器（虚地：0v v +-==）、同相放大器（同相跟随器）； 3、 运算电路：反相加法器、同相加法器、减法器、积分器、微分器；4、 三运放仪器放大器；作业：P382：6-1、6-4。
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一、 半导体器件1． N 型半导体，在本征半导体中掺入五价元素，它的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。
2． P 型半导体。
在本征半导体中掺入三价元素，它的多数载流子是空穴，少数载流子是电子。
3． 半导体中载流子的运动方式：漂移运动、扩散运动。
4． PN 结及基单向导电性① PN 结外加正向电压,即P 型区接外加电源正极,N 型区接外加电源负极,PN 结导通当PN 结外加正向电压时,扩散电流增加,漂移电流减小扩散电流由N 型区,P 型区多数载流子产生 漂移电流由N 型区,P 型区少数载流子形成 ② PN 结外加反向电压,即P 型区接外加电源负极,N 型区接外加电源正极,PN 结截止,P 结呈高阻抗.PN 结反向偏置时,扩散电流趋于零,反向漂移电流很少 5.二极管二极管由一个PN 结组成，二极管的伏安特性由正向伏安特性、反向伏安特性及击穿特性三部份组成 ① 正向特性当外加电压大于其阀值电压(Si: th V =0.5V , Ge: th V =0.1V)时,流过二极管的电流由零显著增加. ② 反向特性二极管外加反向电压时,其反向电流很少 ③ 击穿特性 当二极管承受的反向电压大于其本身的击穿电压时,反向电流急剧增大 例:二极管电路如图示,试判断图4中二极管是导通还是截止,并求出0A 二端的电压0AV ,设二极管是理想的. 解: 对于图4a ）首先断开二极管D,求A V 、B V此时, AV =－12V, B V =－6V ,则BA V =B V －A V ＝－６－（－１２）＝６Ｖ 这样，二极管是正向导通的 由理想模型,F V ＝０．由此 ＋６－１２＋３Ｉ＝０ Ｉ＝２mA0A V ＝２×３－１２＝－６Ｖ． 解：对于图b ），当D 断开时， B V ＝－１５Ｖ，A V ＝－１２Ｖ图1.PN 结外加正向电压图2.PN 结外加反向电压图3.二极管的伏案特性a)BA V =B V －A V ＝－１５－（－１２）＝－３ＶD 因反向偏置而截止，0A V ＝－１２Ｖ．例：二只稳压值分别为7.5V 和8.5V 的稳压二极管串联 使用,连接方式如图5所示, 0V 为多少伏,设稳压二极管正向 导通压降为0.7V解: 设1DZ V =7.5V , 2DZ V =8.5V 对于图5a)电路,由于二支稳压管 均处于稳压状态(即均为反向击穿状态) 0V =1DZ V +2DZ V =7.5+8.5=16V对于图5b)电路, 1DZ V 为反向击穿状态, 2DZ V 为正向连接,故0V =1DZ V +2DZ V =7.5+0.7=8.2V6.稳压二极管它是利用PN 结的击穿特性,即当流过稳压二极管电流变化较大时,其二端电压变化较小的性质,在电路中起稳压作用.① 稳压二极管正常工作是在反向击穿状态,即外加电源正极接其N 型区,外加电源负极接其P 型区;② 稳压二极管应与负载并联使用;③ 应保证稳压二极管工作于规定的电流范围;7.半导体三极管半导体三极管是双极型器件，即参与导电的载流子是电子和空穴，三极管有三个电极(发射极,基极,集电极)三个分区(发射区,基区,集电区)、二个PN 结(发射结,集电结)半导体三极管分为NPN 型和PNP 型二种。
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判断题第一章半导体 1、少数载流子是电子的半导体称为P型半导体。
(对）二极管1、由PN结构成的半导体二极管具有的主要特性是单向导电性.(对)2、普通二极管反向击穿后立即损坏，因为击穿是不可逆的。
(错)3、晶体二极管击穿后立即烧毁。
（错)三极管1、双极型晶体三极管工作于放大模式的外部条件是发射结正偏，集电结也正偏。
（错）2、三极管输出特性曲线可以分为三个区,即恒流区，放大区,截止区。
(错）3、三极管处于截止状态时，发射结正偏。
（错）4、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（P型或N型）构成的，所以极e和c极可以互换使用。
（错）5、当集电极电流值大于集电极最大允许电流时，晶体三极管一定损坏。
（错）6、晶体三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化,温度升高，β减少。
(错）场效应管1、场效应管的漏极特性曲线可分成三个区域：可变电阻区、截止区和饱和区.（错)第二章1、技术指标放大电路的输出信号产生非线性失真是由于电路中晶体管的非线性引起的，对2、基本放大电路在基本放大电路中,若静态工作点选择过高，容易出现饱和失真。
（对）3、放大电路的三种组态射极跟随器电压放大倍数恒大于1,而接近于1。
（错)三种基本放大电路中输入电阻最大的是射极输出器。
(对）射极跟随器电压放大倍数恒大于1，而接近于1。
（错）射极输出器不具有电压放大作用.（对）4、多级放大电路直流放大器是放大直流信号的，它不能放大交流信号。
（错）直流放大器只能放大直流信号。
（错）现测得两个共射放大电路空载时的放大倍数都是-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数为10000。
（错）多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄，级数愈少，通频带愈窄.（错）。
多级放大器总的电压放大倍数是各级放大倍数的和.（错）多级阻容耦合放大器的通频带比组成它的单级放大器的通频带宽。
(错)第四章在三种功率放大电路中,效率最高是的甲类功放。
(对)第五章从信号的传输途径看，集成运放由输入级，输出级,偏置电路这几个部分组成。
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《模拟电子技术》复习资料一.选择题1.1在单级共射极放大电路中，输入电压信号和输出电压信号的相位是 B 。
A.同相B.反相C.相差90º1.2在单相桥式整流（有滤波时）电路中，输出电压的平均值U O与变压器副边电压有效值U2应满足 D 关系。
A.U0=0.45U2B.U0=1.4U2C.U0=0.9U2D.U0=1.2U21.3半导体的特性不包括 D 。
A.热敏性B.光敏性C.掺杂性D.遗传性1.4在分压式偏置放大电路中，除去旁路电容C E，下列说法正确的是 D 。
A.输入电阻减小B.静态工作点改变C. 电压放大倍数增大D.输出电阻不变1.5晶体三极管内部结构可以分为三个区，以下那个区不属于三极管的结构 B 。
A.发射区B.截止区C.基区D.集电区1.6集成运放制造工艺使得同类半导体晶体管的 C 。
A.指标参数准确B.参数不受温度影响C．参数一致性好1.7工作在放大状态的NPN三极管，其发射结电压U BE和集电结电压U BC应为 A 。
A. U BE>0，U BC<0B. U BE>0，U BC>0C. U BE<0，U BC<0D. U BE<0，U BC>01.8在如图所示的稳压电路中，稳压管D1与D2相同，其稳压值U Z=5.3V、正向压降0.7V，输出电压U0为 A 。
A. 1.4VB. 4.6VC. 5.3VD. 6V1.9在PN结中由于浓度的差异，空穴和电子都要从浓度高的地方向浓度低的地方运动，这就是 A 。
A.扩散运动B.漂移运动C.有序运动D.同步运动1.10在如图所示的稳压电路中，稳压管D1与D2相同，其稳压值U Z=5.3V、正向压降0.7V，输出电压U0为 C 。
A. 1.4VB. 4.6VC. 0.7VD. 6V1.11半导体中少数载流子在内电场作用下有规则的运动称为 B 。
A.扩散运动B.漂移运动C.有序运动D.同步运动1.12二极管的用途不包括 D 。
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总复习第1章 直流电路一、电流、电压、电位参考方向与实际方向关系在电路分析中，我们常在电路中选择一个点作为参考点，电路中某一点到参考点的电压就称谓这个点的电位。
参考点又称零电位点。
电路中a 、b 点两点间的电压等于a 、b 两点的电位差。
b a ab u u u -= 二、电功率电场力在单位时间内所做的功称为电功率，简称功率。
dtdWp =关联方向时：p ＞0时吸收功率，p ＜0时放出功率。
三、电压源与电流源等效变换：为了便于分析电路，常常用等效变换的方法简化或变换电路结构，但变换后的电路与原电路伏安特性不变。
实际电源模型及其等效变换 o IR U U s -=oR U I I s -= 四、简单的电阻电路串联电阻具有分压作用 并联电阻具有分流作用 五、基尔霍夫定律1、基尔霍夫电流定律（KCL ）——基尔霍夫第一定律 在任一瞬时，通过任一节点电流的代数和恒等于零。
0i =∑2、基尔霍夫电压定律（KVL ）——基尔霍夫第二定律 在任一瞬时，沿任一回路电压的代数和恒等于零。
0u =∑任意设定回路绕行方向，电压参考方向与回路绕行方向一致时取正号，相反时取负号。
六、支路电流法支路电流法是以支路电流为未知量，直接应用KCL 和KVL ，分别对节点和回路列出所需的方程式，然后联立求解出各未知电流。
一个具有m 条支路、n 个节点的电路，根据KCL 可列出（n －1）个独立的节点电流方程式，根据KVL 可列出m －(n －1)个独立的回路电压方程式。
1、支路电流法2、节点电位分析法七、叠加定理：适用于线性电路八、戴维南定理、诺顿定理：适用于线性电路 九、受控源分类及表示方法第3章 交流电路一、正弦交流电：)sin(u m t U u θω+=，)sin(i m t I i θω+=振幅、角频率和初相称为正弦量的的三要素。
周期、频率、角频率：f 2T2ππω== 相位、初相和相位差 交流电的有效值、振幅：2I I m =，2U U m =二、正弦量的相量表示法)sin(i m t I i θω+=，im j m m I e I I i θθ∠==&，I I m &&2=，U U m &&2=三、KCL 、KVL 的相量形式：KCL ：0=∑I&，KVL ：0=∑U & 四、 单一元件参数电路在以下的推导过程中，设元件两端的电压和流过元件的电流均采用关联参考方向。
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模电复习资料1.集成运放的内部组成部分2.集成运放采用直接耦合方式的原因3.集成运放的输入级采用差动放大电路的原因4.零点漂移的概念5.差动放大电路抑制零点漂移的原理6.共模抑制比的概念7.例题3-1第四章1.反馈的概念2.开环、闭环电路的概念3.闭环增益的一般表达式4反馈类型的判断方法（正/负，串联/并联，电流/电压，交流/直流）5.引入负反馈的一般原则6负反馈对放大电路性能产生的影响7.习题4-7，习题4-81.功率放大电路的特点和主要技术指标2.功率放大电路工作状态的分类3.交越失真产生的原因4.OTL 功率放大电路的工作原理及最大不失真功率的计算第六章1.理想运放的技术指标（开环增益、差模输入电阻、输出电阻）2.理想运放的两个工作区域（线性－负反馈、非线性区－正反馈、开环）及其特点3.在线性工作区的应用：运算电路（虚短、虚断）4.在非线性工作区的应用：电压比较器（虚断）求和型单限比较器u i 1 u i 2具有参考电压的滞回比较器第七章1.正弦波振荡电路的组成（四部分）2.正弦波振荡的平衡条件和起振条件Ru o模拟电子技术复习大纲题型：单选20、判断10、填空20、问答题501.PN结加正向电压时，空间电荷区将如何变化？变窄2.稳压管的稳压区是其工作在什么状态？反向击穿状态3.在本征半导体中加入什么元素可形成N型半导体？五价元素磷4.当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为什么状态？发射结正偏集电结反偏5.对于放大电路，所谓开环和闭环是指什么状态？开环是指无反馈闭环指有反馈6.三极管的电流放大系数β，随温度的升高会如何变化？温度升高β增大7.三极管三种基本组态放大电路中，既有电压放大能力又有电流放大能力的组态是什么？共发射极放大器8.使工作点不稳定的原因主要是温度的变化影响了放大电路的什么元件？三极管9.阻容耦合放大电路可以放大何种信号？高频交流信号10.由于三极管极间电容的影响，当输入信号频率大于电路上限频率时，放大电路增益会怎样变化？变小11.共射级放大电路中，调大集电极电阻RC时，输出电压会出现什么现象？向饱和区靠近12.集成运放输入级采用差分放大电路是什么原因？减少零点漂移13.为增大电压放大倍数，集成运放中间级采用什么形式电路？共射放大电路14.欲实现负的的电压放大倍数，电路应该选用什么形式？共发射极放大电路15.欲将正弦波转换成方波，电路应该选用什么形式？单限比较器和滞回比较器16.欲将方波电压转换成三角波电压，应选用什么电路？积分运算电路17.欲将正弦波电压转换成二倍频电压，应选用什么电路？乘方电路18.欲将正弦波电压叠加上一个直流量，应选用什么电路？同相、反相加法电路19.欲将方波电压转换成正负尖脉冲电压，应选用什么电路？微分运算电路20.如果要抑制50Hz交流电源的干扰，应选用什么电路？带阻滤波器21.处理具有f0 Hz固定频率的有用信号，应选用什么电路？带通滤波器22.已知输入信号的频率为f0 Hz～f1 Hz，为了防止干扰信号的混入，应选用什么滤波电路。
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3.熟练掌握乙与信号产生电路
1. 掌握有源滤波器的构成与特性
掌握电流源的构成、恒流特性及其在放大电路中的作用。 掌握反馈的基本概念，能熟练判断反馈电路的极性和类型。
2. 掌握正弦波振荡器的振荡条件 第六章 模拟集成电路
了解MOS场效应管工作原理，重点了解场效应管中预夹断的基本概念； 熟练掌握乙类、甲乙类功率放大电路的功率计算。 熟悉晶体二极管的数学模型、曲线模型、简化电路模型，掌握各种模型的特点及应用场合； 熟练利用相位平衡条件判断RC、LC振荡电路 熟练掌握差分放大电路的静态工作点和动态指标的计算，以及输出输入相位关系。 熟练掌握差模信号、共模信号、差模增益、共模增益和共模抑制比的基本概念。
第六章 模拟集成电路
1.掌握电流源的构成、恒流特性及其在放大电路中 的作用。
2.正确理解直接耦合放大电路中零点漂移（简称零 漂）产生的原因，以及零漂指标的定义方法。
3.熟练掌握差模信号、共模信号、差模增益、共模 增益和共模抑制比的基本概念。
4.熟练掌握差分放大电路的组成、工作原理以及抑 制零点漂移的原理。
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第二章 运算放大器
1. 掌握线性工作时，理想运放的两条重要 法则。
2.掌握反相放大器与同相放大器的电路结 构和性能特点。
3.能熟练利用虚短、虚断的概念，分析 各种运算电路的性能。
第三章 二极管及其基本电路
1.了解PN结基本特性； 2.熟悉晶体二极管的数学模型、曲线模型、
4. 熟练利用相位平衡条件判断RC、LC振荡 熟悉三极管放大电路三种分析方法：估算法、图解法及小信号等效电路法。
第三章 二极管及其基本电路 掌握反相放大器与同相放大器的电路结构和性能特点。
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《模电》复习题1.某放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压的峰—峰值分别为5μA和5 mV，输出端接2kΩ电阻负载，测量到正弦电压信号峰—峰值1V，则Av( )A I( )Ap( )；2.一电压放大电路输出端接1kΩ负载电阻时，输出电压为1V，负载电阻断开时，输出电压上升到1.1V。
则该放大电路的输出电阻R。
为（）；答案：1. 46dB 40dB 43dB ；2. R。
=100Ω一、选择判断题1、在绝对零度（0K）时，本征半导体中_______B__ 载流子。
A. 有B. 没有C. 少数D. 多数2、在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生_____D____。
A. 负离子B. 空穴C. 正离子D. 电子-空穴对3、半导体中的载流子为___D______。
A. 电子B. 空穴C. 正离子D. 电子和空穴4、N型半导体中的多子是______A___。
A. 电子B. 空穴C. 正离子D. 负离子5、P型半导体中的多子是______B___。
A. 电子B. 空穴C. 正离子D. 负离子6、当PN结外加正向电压时，扩散电流_______A_漂移电流。
A. 大于B. 小于C. 等与7、当PN结外加反向电压时，扩散电流___B_____漂移电流。
A. 大于B. 小于C. 等于8、二极管加正向电压时，其正向电流是由（ A ）。
a：:多数载流子扩散形成b：多数载流子漂移形成c：少数载流子漂移形成9、PN结反向电压的数值增加，小于击穿电压时，（C ）。
a：其反向电流增大b：其反向电流减小c：其反向电流基本不变10、稳压二极管是利用PN结的（ B ）。
a：单向导电性b：反向击穿特性c：电容特性11、二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA，温度每升高10℃，其反向饱和电流增大一倍，当温度为40℃时，反向饱和电流值为（C ）。
a：10μA b：15μA c：20μA d：40μA12、变容二极管在电路中使用时，其PN结是BB ）。
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1、在N型半导体中如果参入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
2、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（错，原子呈电中性）3、PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
4、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
5、PN结加正向电压时，空间电荷区变窄。
6、稳压管的稳压区是其工作在反向击穿。
7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为前者正偏，后者反偏。
8、在本征半导体中加入五价元素可形成N型半导体，加入三价元素可形成P型半导体。
9、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大。
10、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变成2mA，那么它的β约为100。
第二章1、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。
（错，其中一项即可。
本质是对功率的放大）2、可以说任何放大电路都有功率放大的作用。
3、放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。
（错）4、电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的（错）5、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
6、由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。
（错）7、只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
（错）第三章1、要求输入电阻为1kΩ到2kΩ，电压放大倍数大于3000，第一级应采用共射电路，第二级应采用共射电路。
2、要求输入电阻大于10MΩ，电压放大倍数大于300，第一级应采用共源电路，第二级应采用共射电路。
3、要求输入电阻为100~200kΩ，电压放大倍数数值大于100，第一级应采用共基电路，第二级应采用共射电路。
4、要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级应采用共源电路，第二级应采用共集电路。
5、设信号源为内阻很大的电压源，要求将信号源电流转换成输出电压，且|Auis|=|Uo/Is|>1000,输出电阻Ro<100，第一级应采用共基电路，第三级应采用共集电路。
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（完整版）模电总结复习资料第⼀章半导体⼆极管⼀.半导体的基础知识1.半导体---导电能⼒介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流⼦----带有正、负电荷的可移动的空⽳和电⼦统称为载流⼦。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺⼊微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺⼊微量的三价元素（多⼦是空⽳，少⼦是电⼦）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺⼊微量的五价元素（多⼦是电⼦，少⼦是空⽳）。
6. 杂质半导体的特性*载流⼦的浓度---多⼦浓度决定于杂质浓度，少⼦浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体⾃⾝的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，⼀种杂质半导体可以改型为另外⼀种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截⽌。
8. PN结的伏安特性⼆. 半导体⼆极管*单向导电性------正向导通，反向截⽌。
*⼆极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析⽅法------将⼆极管断开，分析⼆极管两端电位的⾼低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，⼆极管导通(短路);若 V阳1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态⼯作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题⼿段----将⼆极管断开，分析⼆极管两端电位的⾼低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，⼆极管导通(短路);若 V阳*三种模型微变等效电路法三. 稳压⼆极管及其稳压电路*稳压⼆极管的特性---正常⼯作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压⼆极管在电路中要反向连接。
第⼆章三极管及其基本放⼤电路⼀. 三极管的结构、类型及特点1.类型---分为NPN和PNP两种。
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《模拟电子技术》课程综合复习资料一、判断题1.P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。
答案：错2.阻容耦合放大电路只能放大交流信号，不能放大直流信号。
答案：对3.同相求和电路跟同相比例电路一样，各输入信号的电流几乎等于零。
答案：错4.差动放大电路可以放大共模信号，抑制差模信号。
答案：错5.共集电极放大电路放大动态信号时输入信号与输出信号相位相反。
答案：错一、单选题1．测得某电路板上晶体三极管3个电极对地的直流电位分别为UE =3V，UB=3.7V，UC=3.3V，则该管工作在（）。
A．放大区B．饱和区C．截止区D．击穿区答案：B2.放大器的增益是随着输入信号频率的改变而改变的，当输入信号的频率为Hf时，放大器增益的幅值将（）。
A．降为1B．降为中频时的1/2倍C．降为中频时的1/D．降为中频时的倍答案：C3.三级放大电路中Av1=Av2=10dB，Av3=15dB，则总的电压增益为（）dB。
A．35C．45D．60答案：A4.某三极管各个电极的对地电位如图所示，可判断其工作状态是（）。
A．放大B．饱和C．截止D．已损坏答案：D5.二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电压Vo为（）。
（设二极管的导通压降为0.7V）A．-5VB．-4.3VC．-5.7VD．-10V答案：C6.测得图示放大电路中晶体管各电极的直流电位如图所示，由此可知该管为（）。
A．Ge，PNP管B．Ge，NPN管C．Si，PNP管D．Si，NPN管答案：B7.在单级放大电路中，若输入电压为正弦波形，用示波器观察vo和vi的波形，当放大电路为共集电极放大电路时，则vo和vi的相位（）。
A．同相B．反相C．相差90D．不定答案：A8.在单级放大电路中，若输入电压为正弦波形，用示波器观察vo和vi的波形，当放大电路为共发射放大电路时，则vo和vi的相位（）。
A．同相B．反相C．相差90D．不定答案：B9.理想运放的开环差模增益AOd为（）。
模电复习资料（全答案）
模电复习资料（全答案）一、填空题1、要使三极管正常放大信号，要求三极管发射极重掺杂、基区很薄、集电极面积大于发射极面积、发射结和集电结均正向运用。
2、N型半导体是在本征半导体中掺入五价元素，其多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。
3、P型半导体是在本征半导体中掺入三价元素，其多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。
4、PN结未加外部电压时，扩散电流等于漂移电流；加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，其耗尽层变薄；加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，其耗尽层变厚。
5、三极管工作在放大区时，发射结为正向运用，集电结为反向运用；工作在饱和区时，发射结正向运用，集电结正向运用；工作在截止区时，发射结反向运用，集电结反向运用。
6、工作在放大状态的三极管，流过发射结的电流主要是扩散电流，流过集电结的电流主要是漂移电流。
7、三种基本放大电路中，输入电阻最大的是共c极放大电路；输入电阻最小的是共b极放大电路；输入电压与输出电压相位相反的是共e极放大电路；电压放大倍数最大的是共e极放大电路；；电压放大倍数最小的是共b极放大电路；输出电阻最小的是共c极放大电路。
8、半导体三极管通过基极电流控制输出电流，所以属于电流控制器件，其输入电阻小；场效应管通过控制栅极电压来控制输出电流，所以属于电压控制器件，其输入电阻大。
9、为提高放大器的输入电阻应引入交流串联负反馈，为降低放大电路输出电阻，应引入交流电压负反馈。
10、能提高放大倍数的是正反馈，能稳定放大倍数的是负反馈。
11、为稳定输出电流，应引入交流电流负反馈；为稳定输出电压，应引入交流电压负反馈；为稳定静态工作点，应引入直流负反馈；为了展宽放大电路频带，应引入交流负反馈。
12、差动放大器主要利用对称特性来抑制零漂。
13、完全对称的长尾差动放大器中的e R 对共模信号产生串联电流负反馈，对差模信号不产生反馈。
14、为使运放线性工作，应当在其外部引入深度负反馈、无穷、无穷、零、零、无穷、.15、理想集成运放的=ud A ，=id r ，=o r ，=B I ，=CMR K 。
模拟电路-期末复习资料
模拟电路—期末复习资料一、判断题1．构成各种半导体器件的基础是PN 结，它具有单向导电和反向击穿特性。
( )2.只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。
( )3. 在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。
( )4.由于集成电路工艺不能制作大电容和高阻值电阻，因此各放大级之间均采用阻容耦合方式。
（ ）5.测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是输入电压幅值不变，改变频率。
（ ）6. 一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。
（ ）7.反馈量仅仅决定于输出量。
（ ）8.功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。
（ ）9. 运放的共模抑制比c d CMR A A K 。
( ) 10. 图题图1所示电路中，若Ce 突然开路，则中频电压放大倍数usmA &减小。
（ ）11. 运算电路中一般均引入负反馈。
（ ） 12.单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强，而滞回比较器比单限比较器灵敏度高。
（ ）13.功率放大电路与电压放大电路的区别是前者比后者效率高。
（ ）14. 直流电源是一种将正弦信号转换为直流信号的波形变换电路。
（）15.凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
（）16.凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
（）17.当集成运放工作在非线性区时，输出电平不是高电平，就是低电平。
（）18.在稳压管稳压电路中，其最大稳定电流与最小稳定电流之差应大于负载电流的变化范围。
（）19. 整流电路可将正弦电压变为脉动的直流电压。
20.电容滤波电路适用于小负载电流，而电感滤波电路适用于大负载电流。
21.在功率放大电路中，输出功率越大，功放管的功耗越大。
（）22.功率放大电路与电压放大电路、电流放大电路的共同点都使输出功率大于信号源提供的输入功率。
模电复习资料
第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
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《模电》复习题库
1.某放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压的峰—峰值分别为5μA和5 mV，输出端接2kΩ电阻负载，测量到正弦电压信号峰—峰值1V，则Av( )A I( )Ap( )；
2.一电压放大电路输出端接1kΩ负载电阻时，输出电压为1V，负载电阻断开时，输出电压上升到1.1V。
则该放大电路的输出电阻R。
为（）；
答案：1. 46dB 40dB 43dB ；2. R。
=100Ω
一、选择判断题
1、在绝对零度（0K）时，本征半导体中_______B__ 载流子。
A. 有
B. 没有
C. 少数
D. 多数
2、在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生_____D____。
A. 负离子
B. 空穴
C. 正离子
D. 电子-空穴对
3、半导体中的载流子为___D______。
A. 电子
B. 空穴
C. 正离子
D. 电子和空穴
4、N型半导体中的多子是______A___。
A. 电子
B. 空穴
C. 正离子
D. 负离子
5、P型半导体中的多子是______B___。
A. 电子
B. 空穴
C. 正离子
D. 负离子
6、当PN结外加正向电压时，扩散电流_______A_漂移电流。
A. 大于
B. 小于
C. 等与
7、当PN结外加反向电压时，扩散电流___B_____漂移电流。
A. 大于
B. 小于
C. 等于
8、二极管加正向电压时，其正向电流是由（ A ）。
a：:多数载流子扩散形成 b：多数载流子漂移形成 c：少数载流子漂移形成9、PN结反向电压的数值增加，小于击穿电压时，（C ）。
a：其反向电流增大 b：其反向电流减小 c：其反向电流基本不变
10、稳压二极管是利用PN结的（ B ）。
a：单向导电性 b：反向击穿特性 c：电容特性
11、二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA，温度每升高10℃，其反向饱和电流增大一倍，
当温度为40℃时，反向饱和电流值为（C ）。
a：10μA b：15μA c：20μA d：40μA
12、变容二极管在电路中使用时，其PN结是BB ）。
a：正向运用 b：反向运用
答案：1B 2D 3D 4A 5B 6A 7B 8（a）； 9（c）； 10（b）；11（c）； 12（b）一、选择填空
1、在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则v o和v i的相位__B_______。
A. 同相
B. 反相
C. 相差90度
D. 不确定
2、在单级共基放大电路中，若输入电压为正弦波形，则v o和v i的相位_A________。
A. 同相
B. 反相
C. 相差90度
D. 不确定
3、既能放大电压，也能放大电流的是__A_______组态放大电路。
A. 共射
B. 共集
C. 共基
D. 不确定
4、在单极共集放大电路中，若输入电压为正弦波形，则v o和v i的相位____A_____。
A. 同相
B. 反相
C. 相差90度
D. 不确定
5、在单极共基放大电路中，若输入电压为正弦波形，则v o和v i的相位____A_____。
A. 同相
B. 反相
C. 相差90度
D. 不确定
6、可以放大电压，但不能放大电流的是_____C____组态放大电路。
A. 共射
B. 共集
C. 共基
D. 不确定
7、可以放大电流，但不能放大电压的是_____B____ 组态放大电路。
A. 共射
B. 共集
C. 共基
D. 不确定
8、在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，电压放大倍数小于1的是B_________组态。