MOSFET和电感的峰值电流和RMS电流设计表格
OZ8022V buckboost 计算表格
OZ8022VX 高PF非隔离buck-boost计算表STEP-1. 输入输出规格:
最大输入电压, Vacmax
最大输入电压峰值, Vmax
最小输入电压, Vacmin
最小输入电压峰值, Vmin
灯珠电压, Vo
灯珠电流, Io
输出功率, Po
最低工作频率, freq
效率, Eff
STEP-2. 电感量:
峰值电压与反射电压比例, K
峰值电压与反射电压比
例,F2_Kv_L
电感峰值电流, Ipk
感量, Lmag
设置的电感量
STEP-3. 验证最大导通时间，选择电感型号：
峰值与反射电压比例, Kv_L
最大占空比, D_L
最大导通时间, Ton_max
电感电流有效值, Irmss
短路电流, Isc
最大磁通密度, Bmax
需要的磁芯大小, AP
磁芯有效截面积, Ae
STEP-4. 计算匝比：
计算的总匝数, Np_min
选择的总匝数, Np
VDD电压, Vdd
计算的辅助绕组匝数, Na_c
选择的辅助绕组匝数, Na
STEP-5. 计算线径
电流密度, Jcopper
需要的线径, Dr
需要的截面积
选择的线径
股数
截面积
输入输出这个参数不能超过12us 隔离。
最全开关电源相关计算表格
6 8.98
40 25 162.5 48.486117.00 周期 μ s 最大导通时间( μs) 最大占空比 输入功率（W） 初级有效电流 最大电感量（MH） 初级平均电流 磁芯气隙（mm） 初级匝数（Turn） 初级线径（mm）
-HB001
次级参数：
输出电压2（V） V2 输出电流2（A） I2
磁感应强度（T） 初级 V/匝 磁感应强度（T） 次级匝数（Turn） 次级线径（mm） 辅助匝数（Turn） 辅助线径（mm） 0 输出C电容量U 0 输出L电感量UH 初级匝数（Turn） 初级占面积MM*2
初级参数 输入
Vacmin 90.00 Vacmax 265.00 电源功率POU（WP ） 10.00 out 预设效率（%） η 0.80 工作频率（KHz）f 60.00 MOS耐压（V） Vmosmax 650.00 连续模式输入 0.50 断续模式输入 1.00 1.00 D 占比 D 0.40 输入C电容量U U 15.00 输入C电容量（倍压） U 30.00 2 磁芯截面（cm ） Ae 32.00 磁感应强度（T） Bw 0.15 输入电压（V） 输出电压1（V） 输出电流1（A） 次级压降 辅助电压（V） 辅助电流（A） Vout Iout V Va Ia 5.00 2.00 0.75 16.00 0.10
参考计算结果
Vdcmin 99.00 Vdcmax ###### 反射电压（V） Vf ###### 周期 μ s T 16.67 最大导通时间( μs) t 6.84 Dmax0.59 最大占空比 输入功率（W） Pin 12.50 初级电流 Ip 0.43 最大电感量（mHLp ） 2.27 初级次级匝数比 n 28.45 磁芯气隙（cm） lg 0.07 初级匝数（Turn） Np ###### 初级线径（mm）Dp 0.39 输入电压（V） 次级匝数（Turn） Ns 7.12 次级线径（mm）Ds 0.84 辅助匝数（Turn） Na 22.80 辅助线径（mm）Da 0.19 0 输出电压3（V） V3 0 输出电流3（A） I2
深入理解功率MOSFET数据表
深入理解功率MOSFET数据表最大额定参数，所有数值取得条件(Ta=25℃)VDSS 最大漏-源电压在栅源短接，漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。
根据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。
关于V(BR)DSS的详细描述请参见静电学特性.VGS 最大栅源电压VGS额定电压是栅源两极间可以施加的最大电压。
设定该额定电压的主要目的1是防止电压过高导致的栅氧化层损伤。
实际栅氧化层可承受的电压远高于额定电压，但是会随制造工艺的不同而改变，因此保持VGS在额定电压以内可以保证应用的可靠性。
ID - 连续漏电流ID定义为芯片在最大额定结温TJ(max)下，管表面温度在25℃或者更高温度下，可允许的最大连续直流电流。
该参数为结与管壳之间额定热阻RθJC和管壳温度的函数：ID中并不包含开关损耗，并且实际使用时保持管表面温度在25℃（Tcase）也很难。
因此，硬开关应用中实际开关电流通常小于ID 额定值@ TC = 25℃的一半，通常在1/3～1/4。
补充，如果采用热阻JA的话可以估算出特定温度下的ID，这个值更有现实意义。
IDM -脉冲漏极电流该参数反映了器件可以处理的脉冲电流的高低，脉冲电流要远高于连续的直流电流。
定义IDM的目的在于：线的欧姆区。
对于一定的栅-源电压，MOSFET2导通后，存在最大的漏极电流。
如图所示，对于给定的一个栅-源电压，如果工作点位于线性区域内，漏极电流的增大会提高漏-源电压，由此增大导通损耗。
长时间工作在大功率之下，将导致器件失效。
因此，在典型栅极驱动电压下，需要将额定IDM设定在区域之下。
区域的分界点在Vgs和曲线相交点。
因此需要设定电流密度上限，防止芯片温度过高而烧毁。
这本质上是为了防止过高电流流经封装引线，因为在某些情况下，整个芯片上最“薄弱的连接”不是芯片，而是封装引线。
考虑到热效应对于IDM的限制，温度的升高依赖于脉冲宽度，脉冲间的时间间隔，散热状况，RDS(on)以及脉冲电流的波形和幅度。
!!工程参数计算表格0
######穿透深度：5、确定原、副边线圈:1原边线径：0.514.320.5718103.12192108240.5738.4原边线圈：0.51182124导线线号AWG导线直径(mm)总长度(cm)总电阻(m Ω)线圈铜线直径(mm)选股数选V 理论副边匝数：N s ′= 4.063T 理论输出：取整副边匝数：N s =6TN p ′=29.96T 输出电流：I 取整原边匝数：N p =30T 理论原边匝数：输入电压：VAC 整流压降：V Df =1V 10输出电压：V omax =12V4、再确定以下参数:64.02可输出功率：1、变压器原边最小输入电压：V pmin =N p ΔBA e /T onmax (电磁感应定律，151.2328232W ｌｅ(mm)类型/厂家：PQ型/天通 1.60.816.4磁芯型号：PQ32259A e (cm 2)A Ｗ(cm 2)ｌＷ(cm)3、试选磁芯型号：T开通时间：T onmax2、由电路参数计算以下值:磁通摆幅：ΔB =0.2j =4A/mm 2预估效率：电流密度：kHz f T 占 空 比：D =501、确定电路参数:电路拓扑：全桥推挽工作频率：半桥正激1更多选择选择常用磁芯正激类（全桥、半桥、推挽、正激）1543.12891117.658311功耗(W)1.0573292理论导线层数电流(A)电流密度(A/mm 2)副边输出：V omax '=13V omax =8.588V V102V =10A原边电压：V pmin =I omax 整流系数：k z = 1.2###VAC min =85V 4.02102160.448(电磁感应定律，N p ：原边匝数)(mm)V e (cm 3)ｌｅ/A e (mm -1)W t (g/对)窗口长(mm)2原边方波电流峰值I dc =1T onmax =9.4μs480900填充系数：k W =0.5=80.0%=0.2T154=0.472##最大磁密：B max D max η正激）变压器计算p W W N D j k A。
电源设计中最常用的计算公式
电源设计中最常用的计算公式MOSFET开关管工作的最大占空比Dmax：式中：V or为副边折射到原边的反射电压，当输入为AC220V时反射电压为135V；VminDC为整流后的最低直流电压；VDS为MOSFET功率管导通时D与S极间电压，一般取10V。
变压器原边绕组电流峰值IPK为：式中：η为变压器的转换效率；Po为输出额定功率，单位为W。
变压器原边电感量LP：式中：Ts为开关管的周期(s)；LP单位为H。
变压器的气隙lg：式中：Ae为磁芯的有效截面积(cm2)；△B为磁芯工作磁感应强度变化值(T)；Lp单位取H，IPK单位取A，lg单位为mm。
变压器磁芯：反激式变换器功率通常较小，一般选用铁氧体磁芯作为变压器磁芯，其功率容量AP为式中：AQ为磁芯窗口面积，单位为cm2；Ae为磁芯的有效截面积，单位为cm2；Po是变压器的标称输出功率，单位为W；fs为开关管的开关频率；Bm为磁芯最大磁感应强度，单位为T；δ为线圈导线的电流密度，通常取200～300A/cm2，η是变压器的转换效率；Km为窗口填充系数，一般为0.2~0.4；KC为磁芯的填充系数，对于铁氧体为1.0。
根据求得的AP值选择余量稍大的磁芯，一般尽量选择窗口长宽之比较大的磁芯，这样磁芯的窗口有效使用系数较高，同时可以减少漏感。
变压器原边匝数NP：式中：△B为磁芯工作磁感应强度变化值(T)，Ae单位为cm2，Ts单位为s。
变压器副边匝数Ns：式中：VD为变压器二次侧整流二极管导通的正向压降。
功率开关管的选择：开关管的最小电压应力UDS：一般选择DS间击穿电压应比式(9)计算值稍大的MOSFET功率管。
绕组电阻值R：式中：MUT为平均每匝导线长度(cm)；N为导线匝数；为20℃时导线每cm的电阻值(μΩ)。
绕组铜耗PCU为：原、副边绕组电阻值可通过求绕组电阻值R的公式求出，当求原边绕组铜耗时，电流用原边峰值电流IPK来计算；求副边绕组铜耗时，电流用输出电流Io来计算。
最实用的反激变压器计算表格
输出电压（V）最大负载电流功率占比输出1-主路 5.00 1.40770.00%输出2 5.000.60330.00%输出30.000.2000.00%输出400.00%10W确定效率η80.00%计算输入功率Pout 12.5W 损耗因数Z0.5VACmin 85V VACmax 265V 频率fL50HZ 整流导通时间tc0.0032s输入滤波电容CIN 20uF 最小直流输入电压VDCmin 77V 22脉动电压Vripple 43V 最大直流输入电压VDCmax 375V707MOS管饱和导通压降VDS 10V 反射电压VOR 110V 最大占空比Dmax 0.62开关频率fs 132KHZKRP 0.40原边均值电流IAVG 0.162A 交流有效值IACRMS 0.294A原边峰值电流IP 0.326A直流有效值IRMS 0.208A 脉动电流值IR 0.130A 脉动系数r 0.40直流电流IDC 0.326A直流电流IDC 0.261A 原边负载电流值IOR 0.099A 伏微秒数Et（V*us）315.8409V*us 5.设置电流比例因数KRP，注意KRP=IR/IP，确定原边电流波形参数此处近似估算IDC，其实6.确定原边电感量LpIp=IAVG/((1-1/2*KRP)反激式开关电源参数设计1.根据输出参数确定输入功率2.确定输入交流电压范围。
3.根据计算选定输入滤波电容，计算整流输出直流电压Z=0表示损耗在初级，Z4.确定反射电压，计算在最小直流输入时对应的最大占空比Dmax原边电感Lp 15644.29711uH 原边电感的另一种计算公式Lp 3025.813063!!!这种从负载来算ILR的方法跟上面由原边平均值来计算的方法不同118.4403VeVe526.0416667cm3EFD253300mm33C90的材质计算原边和副边的匝数比n 20.00计算副边匝数NS1360副边第二绕组NS23副边第三绕组NS3 1.607142857每平方匝数的气隙z/N20.0006气隙系数z 0.23气隙lg-0.02mm由于原边电流有效值IRMS=0.307A 选择AWG-27足够Is1P 3.69A Is1RMS 2.41A Is2P 1.58Is2RMS 1.03Is3P 0.53Is3RMS0.348.确定原边及副边其他绕组匝数(都向上取整)9.计算气隙lg10.导线规格的选取普及而且必须状态，所以流过其绕组的电时，电子由于很强的相互排导体的集肤效应。
反激变压器设计计算表格
V acmin85.00Vdcmin V acmax 242.00V dcmax 电源功率（W ）P out 5.00反射电压（V ）V f 预设效率（%）η0.80周期 μs T 工作频率（KHz ）f 50.00最大导通时间( μs)t MOS 耐压（V ）V mosmax 700.00最大占空比D max 0.50输入功率（W ）Pin 1.00初级电流Ip 最大电感量（mH ）Lp 磁芯预选：初级次级匝数比n 磁芯型号EE 磁芯气隙（cm ）lg 磁芯截面（cm 2）Ae 60.00初级匝数（Turn ）Np 磁感应强度（T ）B w 0.20初级线径（mm ）Dp输出电压（V ）V out 5.00次级匝数（Turn ）Ns输出电流（A ）Iout 1.00次级线径（mm ）Ds辅助电压（V ）Va 22.00辅助匝数（Turn ）Na辅助电流（A ）Ia 0.01辅助线径（mm ）Da 使用说明:单端反激式开关电源变压器设计输入依据MOS管耐压的变压器设计附： EE 磁芯参数表次级参数：A,首先输入表格左侧已知参数，则相应数据会在右侧对应栏中得出B ，变压器磁芯必须预选，Ae ，Bw 查磁芯规格书。
EE 磁芯可以参考下表C ，连续模式输入0.5，断续模式输入1D ，使用的时候请按照顺序输入，否则会打乱运算步骤。
输入电压（V ）输入电压（V ）连续模式输入断续模式输入0.50初级参数计算结果93.50 326.70 223.30 20.005.90 0.706.25 0.19 13.90 44.66 0.01 109.84 0.262.46 0.59 10.82 0.06出参考下表果。
常用MOSFET技术参数
常用MOSFET技术参数MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的场效应晶体管，广泛应用于电子设备和电路中。
在选择合适的MOSFET时，需要考虑一系列的技术参数。
下面是一些常用的MOSFET技术参数的详细介绍：1.额定电压（VDS）：额定电压是指MOSFET能够承受的最大电压。
这个参数决定了MOSFET在电路中的使用范围。
同时，额定电压也与MOSFET 的功率处理能力相关。
2.额定电流（ID）：额定电流是指MOSFET能够通过的最大电流。
这个参数决定了MOSFET在电路中的负载能力和功率耗散。
3.阈值电压（VTH）：阈值电压是指控制MOSFET导通的门电压。
当MOSFET的门电压高于阈值电压时，MOSFET导通；当门电压低于阈值电压时，MOSFET截止。
4.开启电阻（RDS(ON)）：开启电阻是指当MOSFET导通时，导通信号在导通通路上产生的电阻。
这个参数决定了MOSFET在导通状态下的功率损耗和导通电流的大小。
5.动态电阻（RDS(ON)）：动态电阻是指MOSFET在开启和关闭状态之间切换时产生的电阻。
这个参数决定了MOSFET在开关过程中的功率损耗和开关速度。
6.开启时间（tON）：开启时间是指MOSFET由截止状态转变为导通状态需要的时间。
开启时间越短，MOSFET的开关速度就越快。
7.关闭时间（tOFF）：关闭时间是指MOSFET由导通状态转变为截止状态需要的时间。
关闭时间越短，MOSFET的开关速度就越快。
8.开启过压（VGS(TH)）：开启过压是指在MOSFET开启状态下，MOSFET的门电压高于阈值电压时，MOSFET产生的电压过高。
过高的电压可能导致设备损坏或故障。
9.关闭过压（VGS(TH)）：关闭过压是指在MOSFET关闭状态下，MOSFET的门电压高于阈值电压时，MOSFET产生的电压过高。
过高的电压可能导致设备损坏或故障。
10.热稳定性：热稳定性是指MOSFET在工作时不易产生过多的热能，以及能够通过散热系统保持较低的工作温度。
rms 最大电流和峰值脉冲电流
主题：RMS最大电流和峰值脉冲电流在电气工程中，我们经常会遇到RMS（均方根）最大电流和峰值脉冲电流这两个概念。
它们在电路设计、电源系统以及电气设备的选型和性能评估中起着至关重要的作用。
本文将深入探讨RMS最大电流和峰值脉冲电流的概念、计算方法以及在电气工程中的应用。
1. RMS最大电流的概念RMS最大电流是指在交流电路中，电流的均方根值达到的最大数值。
在正弦波形的交流电路中，电流的RMS最大值等于峰值电流乘以0.707。
RMS最大电流可以直观地反映交流电路中电流的平均功率值，是评估电路工作状态和设计电源系统的重要参数。
2. RMS最大电流的计算方法在交流电路中，电流波形可能是正弦波形、方波形或其他复杂波形。
在不同波形下计算RMS最大电流需要采用不同的方法。
在正弦波形下，RMS最大电流可以直接通过波形的峰值电流乘以0.707来计算。
而在方波形或其他复杂波形下，需要利用电流波形的周期、幅值等参数进行积分求平方根来计算RMS最大电流。
3. RMS最大电流在电路设计和电源系统中的应用在电路设计中，RMS最大电流是评估电路稳定性和工作状态的重要指标。
设计电源系统时需要根据负载的工作条件和电源的输出特性计算RMS最大电流，以保证电源系统的安全可靠工作。
RMS最大电流在电气设备的选型和性能评估中也起着重要作用，帮助工程师选择适合的电气设备以满足实际需要。
4. 峰值脉冲电流的概念峰值脉冲电流是指在电路中产生的短暂脉冲电流，其大小远远超过了正常工作状态下的电流值。
峰值脉冲电流往往在电路开关、脉冲电源、电磁设备等应用中出现，其特点是持续时间短、峰值高，对电路和设备的性能和稳定性产生重要影响。
5. 峰值脉冲电流的计算方法计算峰值脉冲电流需要考虑电路中的脉冲幅值、脉冲宽度、脉冲持续时间等参数。
在实际工程中，可以通过示波器、脉冲发生器等仪器对脉冲电路进行测试，得到精确的脉冲电流波形并进行分析计算。
6. 峰值脉冲电流在电路设计和应用中的重要性在电路设计中，峰值脉冲电流是评估电路的耐受能力和稳定性的重要指标。
正激输出电感计算表
KHz 占空比D us 开通时间(Ton) 纹波电流 uH 电感直流衰减系数 uH 电感误差
公式 L=Von*Ton/IL*R
BUCK电感计算表
输入最高DC电压(Vinmax) 输出DC电压(Vo) 开关频率(f) 开关周期(T) 纹波系数 最小理论电感量Lmmin 电感中心值(推荐) 注:绿色-用户输入数据 黄色-经验取值 红色-计算结果 16.5 5.0 100 10.00 0.4 3 5 V V 开关管压降 输出DC电流(Io) 0.6 30.0 0.30 3.03 12 35% 20% us A V A
最全开关电源相关计算表格
6 8.98
40 25 162.计算结果
Vdcmin 99.00 Vdcmax ###### 反射电压（V） Vf ###### 周期 μ s T 16.67 最大导通时间( μs) t 6.84 Dmax0.59 最大占空比 输入功率（W） Pin 12.50 初级电流 Ip 0.43 最大电感量（mHLp ） 2.27 初级次级匝数比 n 28.45 磁芯气隙（cm） lg 0.07 初级匝数（Turn） Np ###### 初级线径（mm）Dp 0.39 输入电压（V） 次级匝数（Turn） Ns 7.12 次级线径（mm）Ds 0.84 辅助匝数（Turn） Na 22.80 辅助线径（mm）Da 0.19 0 输出电压3（V） V3 0 输出电流3（A） I2
-HB001
117.00 344.50 222.30 16.67 6.67 0.40 12.50 0.13 2.92 0.27 0.36 162.50 0.30 0.15 0.72 0.07 7.99 0.82 22.22 0.30
数据 117.000
16.667 10.250 初次匝比 0.615 0.057043651 12.500 VIPK电流 0.128 0.78 6.903 0.8670 0.174 0.32 0.154 162.500 87.65217391 0.229 0.231 1.150 0.170 5.000 5 0.778 次级匝数 13.913 28.14401934 0.183 磁强度（T） 0.239583333
yyf
调整
HB002 90.00 100.8
HB003 90.00 80.00 16.67 0.40 0.50 0.23 0.1210 0.14 125.00 0.26
开关电源设计举例
开关电源设计举例电源是各类产品中很重要的一部分，可以算是最基础的部分，任何电子器件缺少了电源都无法工作。
本人从事电路设计相关工作（不涉及电源设计），但需要了解电源的设计原理、性能、测试等信息。
通过收集资料整理出一份AC-DC开关电源的设计过程。
仙童半导体官网提供了较为详细的开关电源设计方案，本文以仙童的FSL1x6xRN系列芯片为例,介绍采用FPS的反激式隔离AC-DC开关电源的设计开发流程。
开关模式电源（SMPS）设计本质上就是一项费时的工作，需要作出许多权衡取舍并采用大量的设计变量进行迭代运算。
本文所描述的步进式设计程序能够帮助工程师完成SMPS的设计。
为了使设计效率更高，还提供了一个包含本文所述全部公式的软件设计工具—FPS设计助手（FPS design assistant）。
该设计助手是用电子表格将全部变量、公式集于一个工作表，通过参数的改变实现相关参数的更新，提高设计开发的进度。
图1 采用FPS的基本反激式隔离AC-DC转换器一、引言图1示出了采用FPS的基本反激式隔离AC-DC转换器的原理图，它同时也是本文所描述的设计程序的参考电路。
由于MOSFET和PWM控制器以及各附加电路都被集成在了一个封装中，因此，SMPS的设计比分立型的MOSFET和PWM控制器解决方案要容易得多。
本文提供了针对基于FPS的反激式隔离AC-DC转换器的进步式设计程序，也包括变压器设计、输出滤波器设计、元件选择和反馈闭合环路设计。
这里描述的设计程序具有足够的通用性，可适用于不同的应用。
本文介绍的设计程序还可以由一个软件设计工具（FPS设计助手）来实现，从而使得设计师能够在一个很短的时间内完成SMPS设计。
本文的附录给出了一个采用软件工具的步进式设计实例。
二、步进式设计程序在这一节中，我们以图1所示的原理为参考来介绍设计程序。
一般而言，如图1所示，大多数FPS 引脚1到引脚4的配置都是相同的。
(1)第一步：确定系统规格输入电压范围(V line min 和V line max )。
反激式开关电源的设计计算
二、AC-DC 变换器的功能框图：
交流 220V 电压经过整流滤波后变成直流电压 V1，再由功率开关管（双极型或 MOSFET）斩波、高频变压 器 T 降压，得到高频矩形波电压，最后通过整流滤波器 D、C2，获得所需要的直流输出电压 Vo。脉宽调制 控制器是其核心，它能产生频率固定而脉冲宽度可调的驱动信号，控制功率开关管的通断状态，来调节输 出电压的高低，达到稳压目的；锯齿波发生器提供时钟信号；利用误差放大器和比较器构成闭环调节系统。
反激式开关电源的设计计算 一、反激式开关电源变换器：也称 Flyback 变换器，是将 Buck/Boost 变换器的电感变为变压器得到的，
因为电路简洁，所用元器件少，成本低，是隔离式变换器中最常用的一种，在 100W 以下 AC-DC 变换中普 遍使用，特别适合在多输出场合。其中隔离变压器实际上是耦合电感，注意同名端的接法，原边绕组和副 边绕组要紧密耦合，而且用普通导磁材料铁芯时必须有气隙，以保证在最大负载电流时铁芯不饱和。
三、设计步骤：
1. 基本参数： 交流输入电压最小值 Umin 交流输入电压最大值 Umax 电网频率 Fa：50Hz 或 60Hz 开关频率 f：大于 20kHz，常用 50kHz～200kHz 输出电压 Vo 输出功率 Po
损耗分配系数 Z：代表次级损耗与总损耗的比值，一般取 0.5 电源效率 k：一般取 75～85%。低电压（5V 以下）输出时，效率可取 75%，高压（12V 以上）输出，效率 可取 85%；中等电压（5V 到 12V 之间）输出，可选 80%。 2. 确定输入滤波电容 Cin： 对于宽范围交流输入（85～265Vac） ，C1/Po 的比例系数取 2～3，即每输出 1W 功率，对应 3uF 电容量 对于 100V/115V 交流固定输入，C1/Po 的比例系数取 2～3，即每输出 1W 功率，对应 3uF 电容量 对于 230V±35V 交流固定输入，C1/Po 的比例系数取 1，即每输出 1W 功率，对应 1uF 电容量 若采用 100V/115V 交流倍压输入方式，需两只容量相同的电容串联，此时 C1/Po 的比例系数取 2 3. 直流输入电压最小值 Vimin 的计算：
开关管峰值电流计算公式
开关管峰值电流计算公式
在电路中，开关管通常用于控制电流的流动。
开关管的峰值电流取决于多个因素，包括开关管的类型、额定电压、负载电阻等。
以下是常见的几种类型的开关管峰值电流计算公式：
1. 瞬态二极管（快速恢复二极管）的峰值电流计算公式：
Ipk = (2 * π * f * Vr) / (t * sqrt(3))
其中，Ipk是峰值电流，f是交流频率，Vr是瞬态二极管的额定反向电压，t是瞬态二极管的恢复时间。
2. 金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）的峰值电流计算公式：
Ipk = (Vdss - Vds(on)) * Id / Vdss
其中，Ipk是峰值电流，Vdss是MOSFET的额定漏极-源极电压，Vds(on)是MOSFET的导通电压降，Id是负载电流。
请注意，以上公式仅供参考，实际计算时应结合具体元器件的参数进行计算。
在使用开关管时，建议参考器件的数据手册或咨询专业人士以获得准确的峰值电流计算公式。
MOSFET参数及其测试方法
参数类别（物理特征）：1、漏源电压系列1.1、V(BR)DSS：漏源击穿电压1.2、dV(BR)DSS/dTJ：漏源击穿电压的温度系数1.3、VSD：二极管正向（源漏）电压1.4、dV/dt：二极管恢复电压上升速率2、栅源电压系列2.1、VGS(TH)：开启电压2.2、dVGS(TH)/dTJ：开启电压的温度系数2.3、V(BR)GSS：漏源短路时栅源击穿电压2.4、VGSR：反向栅源电压3、其它电压系列3.1、Vn：噪声电压3.2、VGD：栅漏电压3.3、Vsu：源衬底电压3.4、Vdu：漏衬底电压3.5、Vgu：栅衬底电压二、电流类参数1、漏源电流系列1.1、ID：最大DS电流1.2、IDM：最大单脉冲DS电流1.3、IAR：最大雪崩电流1.4、IS：最**续续流电流1.5、ISM：最大单脉冲续流电流1.6、IDSS：漏源漏电流2、栅极电流系列2.1、IGSS：栅极驱动（漏）电流2.2、IGM：栅极脉冲电流2.3、IGP：栅极峰值电流三、电荷类参数1、Qg：栅极总充电电量2、Qgs：栅源充电电量3、Qgd：栅漏充电电量4、Qrr：反向恢复充电电量5、Ciss：输入电容=Cgs+Cgd6、Coss：输出电容=Cds+Cgd7、Crss：反向传输电容=Cgd四、时间类参数1、tr：漏源电流上升时间2、tf：漏源电流下降时间3、td-on：漏源导通延时时间4、td-off：漏源关断延时时间5、trr：反向恢复时间五、能量类参数1、PD：最大耗散功率2、dPD/dTJ：最大耗散功率温度系数3、EAR：重复雪崩能量4、EAS：单脉冲雪崩能量六、温度类参数1、RJC：结到封装的热阻2、RCS：封装到散热片的热阻3、RJA：结到环境的热阻4、dV(BR)DSS/dTJ：漏源击穿电压的温度系数5、dVGS(TH)/dTJ：开启电压的温度系数七、等效参数1、RDSON：导通电阻2、Gfs：跨导=dID/dVGS3、LD：漏极引线电感4、LS：源极引线电感参数详解1.1、V（BR）DSS：漏源击穿电压（也称BVDSS、VDSS）定义：在特定的温度和栅源短接情况下，流过漏极电流达到一个特定值时的漏源电压。
反激开关电源变压器自动设计表格
单位 V V V A V A
项目 最小DC输入 最大DC输入 输出功率 总的功率 反射电压 最大占空比
结果参数 100.2 374.7 4.32 5.4 65.3 0.4
单位 V V W W V
公式
B4*1.414-20
B5*1.414
B6*B7+B8*B9
E6/B10
B12-E5-（150～200）
磁芯截面积Ae值 磁感应强度 电流密度 所选磁芯AP值 选取磁芯
mm2 T A cm4
初级绕组线径 0.185501804 次级匝数 20.02402418
mm 匝 mm mm cm4
1.13*（E7/E4/2）^0.5
E12/E1
次级绕组线径 0.472712915
导线的趋肤深度 0.209026553
E8/(E4+E8)
初级峰值电流 0.237149416 KHz V 初级电感量 初级匝数 1.66687669 102.9424046
A （mH） 匝
5.5*E6/E4
(E9*E4*10/E10)/1000
E4*E9*10/(B14*B15)
初、次级匝数比 5.140944882
E8/(B6+0.7)
匝 匝 T
B21/E13
反馈绕组匝数 19.45167713 0.185272981
B21/(E8/(B8+0.7))
验证变压器最大磁感应强度
(E10*B20)/(B14*B21)*1000
反激开关电源变压器自动设计绕组面积计算
初级绕组实际选取线径 次级绕组实际选取线径
0.2 0.62
mm mm
选取磁芯窗口Aw值
1.13*(B7/2)^0.5
反激电源计算表格
反激电源计算表格反激电源（Flyback Converter）是一种常用的开关电源拓扑结构，它利用变压器存储能量并在开关管关闭时释放给负载。
设计反激电源时，需要计算多个参数以确保电源的稳定性和性能。
以下是一个简化的反激电源设计计算表格，包含了一些关键参数的计算：反激电源设计计算表格1. 输入参数•输入电压范围(Vin_min, Vin_max): _______ V 至_______ V•输出电压(Vout): _______ V•输出电流(Iout): _______ A•开关频率(fsw): _______ kHz•效率目标(η): _______ %2. 变压器参数•变压器匝数比(N): _______ (由输出电压和输入电压计算得出)•初级电感(Lp): _______ μH•漏感(Llk): _______ μH (估算或测量得出)3. 开关管参数•最大漏源电压(Vds_max): _______ V•最大漏极电流(Id_max): _______ A•导通电阻(Rds_on): _______ Ω4. 整流二极管参数•最大反向电压(Vr_max): _______ V•平均正向电流(If_avg): _______ A•正向压降(Vf): _______ V5. 输出电容参数•电容值(Cout): _______ μF•电容耐压(Vcap_rating): _______ V6. 关键波形参数•最大占空比(Dmax): _______•反射电压(Vr): _______ V•初级峰值电流(Ip_peak): _______ A7. 性能计算•输入功率(Pin): _______ W•输出功率(Pout): _______ W•实际效率(η_actual): _______ %计算方法简要说明：1.变压器匝数比(N): N = (Vout + Vf) / (Vin_min * Dmax)2.初级电感(Lp): Lp = (Vout + Vf) * Dmax / (fsw * Ip_peak)3.最大占空比(Dmax): 根据输入电压范围和输出电压计算得出，通常为了保证在最低输入电压时仍能提供足够的输出电压。
电感电压 峰值计算公式
电感电压峰值计算公式电感电压峰值的计算电感是电磁元件，其性质是在通过导体时会产生磁场。
当电流通过电感器时，磁场会产生一个感应电动势（EMF），称为电感电压。
电感电压的峰值值是正弦交流电（AC）电路中最重要的参数之一。
计算公式电感电压峰值的计算公式如下：```VL = IL 2πfL```其中：VL：电感电压峰值（以伏特为单位）IL：电感中的电流峰值（以安培为单位）f：交流电源的频率（以赫兹为单位）L：电感值（以亨利为单位）推导电感电压与电流之间的关系可以用以下公式描述：```VL = L (dI/dt)```其中：dI/dt：电流关于时间的变化率（以安培/秒为单位）对于正弦交流电，电流随时间呈正弦变化，其表达式为：```I = IL sin(2πft)```将电流表达式代入电感电压公式中得到： ```VL = L IL d(sin(2πft))/dt```求导后得到：```VL = L IL 2πf cos(2πft)```由于正弦函数的峰值为 1，因此电感电压峰值为：```VL = IL 2πfL```实例假设一个交流电路中流过 1 安培的电流峰值，频率为 60 赫兹，电感值为 0.1 亨利。
则电感电压峰值为：```VL = 1 A 2π 60 Hz 0.1 H = 37.7 V```结论电感电压峰值对于分析交流电路非常重要。
它可以用来计算电路中的电压降、功率因数和其他关键参数。
通过使用上述公式，电气工程师和技术人员可以轻松准确地计算电感电压峰值，从而优化电路设计和性能。