铜离子的吸附及化学清洗

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沉铜原理

沉铜原理

化学镀铜(Eletcroless Plating Copper)通常也叫沉铜或孔化(PTH)是一种自身催化的氧化还原反应。

双面板以上完成钻孔后即进行TH(plated through hole 镀通孔)步骤。

首先用活化剂处理,使绝缘基材表面吸附上一层活性的粒子,通常用的是金属钯粒子,铜离子首先在这些活性的金属钯粒子上被还原,而这些被还原的金属铜晶核本身又成为铜离子的催化层,使铜的还原反应继续在这些新的铜晶核表面上进行。

PTH目的使孔壁上的非导体部分的树脂及玻璃束进行金属化,以进行后来的电镀铜制程 ,完成足够导电及焊接的金属孔壁.。

孔金属化工艺流程如下:磨板→上板→溶涨→去钻污→中和→整孔→微蚀→预浸→活化→解胶→沉铜→下板刷板目的:1 通过刷棍一定压力的磨刷去除孔口毛刺、粗化铜箔表面;2 通过循环水洗、高压水洗、市水洗冲洗清洁生产板;原理解释:钻孔后的覆铜箔板,其孔口部位不可避免的产生一些小的毛刺(1 未切断的铜丝2 未切断玻璃丝留 ,称为毛刺),这些毛刺因其要断不断,而且粗糙,若不将其除去,将会影响金属化孔的质量,可能造成通孔不良及孔小等。

最简单去毛刺的方法是用200~400号水砂纸将钻孔后的铜箔表面磨光。

机械化的去毛刺方法是采用去毛刺机。

去毛刺机的磨辊是采用含有碳化硅磨料的尼龙刷或毡。

一般的去毛刺机在去除毛刺时,在顺着板面移动方向有部分毛刺倒向孔口内壁,改进型的磨板机,具有双向转动带摆动尼龙刷辊,除了这种弊病。

失误对策:太轻的刷磨会使板材表面的杂质无法顺利的清除干净或者会造成不均匀的表面;太重的刷磨则会去除表面过多的铜层,或是造成一个粗糙的及不匀的表面。

太重或不当的刷磨也会使板材边缘产生流胶现象,或是使刷轮本身也会出现流胶现象。

此种流胶将使得化学镀铜及电镀镀铜制程产生严重的问题。

去钻污段一;容涨1;目的:软化膨松环氧树脂,降低聚合物间的键结能 , 使KMnO4更易咬蚀形成粗糙面2原理解释:初期溶出可降低较弱的键结,使其键结有了明显的差异。

最新整理安全工程师生产技术:装置停车及停车后的安全处理

最新整理安全工程师生产技术:装置停车及停车后的安全处理

安全工程师生产技术:装置停车及停车后的安全处理1.停车操作及注意事项停车方案一经确定,应严格按停车方案确定的停车时间、停车程序以及各项安全措施有秩序地进行停车。

停车操作及应注意问题如下:(1)卸压。

系统卸压要缓慢,由高压降至低压,应注意压力不得降至零,更不能造成负压,一般要求系统内保持微弱正压。

在未做好卸压前,不得拆动设备。

(2)降温。

降温应按规定的降温速率进行降温,须保证达到规定要求。

高温设备不能急骤降温,避免造成设备损伤,以切断热源后强制通风或自然冷却为宜,一般要求设备内介质温度要低于60℃。

(3)排净。

排净生产系统(设备、管道)内贮存的气、液、固体物料。

如物料确实不能完全排净,应在“安全检修交接书”中详细记录,并进一步采取安全措施,排放残留物必须严格按规定地点和方法进行,不得随意放空或排入下水道,以免污染环境或发生事故。

停车操作期间,装置周围应杜绝一切火源。

停车过程中,对发生的异常情况和处理方法,要随时做好记录;对关键装置和要害部位的关键性操作,要采取监护制度。

2.停车后的安全处理主要步骤有:隔绝,置换、吹扫与清洗,以及检修前生产部门与检修部门应严格办理安全检修交接手续等。

1)隔绝由于隔绝不可靠致使有毒、易燃易爆、有腐蚀、令人窒息和高温介质进入检修设备而造成的重大事故时有发生;因此,检修设备必须进行可靠隔绝。

视具体情况,最安全可靠的隔绝办法是拆除管线或抽插盲板。

拆除管线是将与检修设备相连接的管道、管道上的阀门、伸缩接头等可拆卸部分拆下。

然后在管路侧的法兰上装置盲板。

如果无可拆卸部分或拆卸十分困难,则应关严阀门,在和检修设备相连的管道法兰连接处插入盲板,这种方法操作方便,安全可靠,广为采用。

抽插盲板属于危险作业,应办理“抽插盲板作业许可证”,并同时落实各项安全措施:(1)应绘制抽插盲板作业图,按图进行抽插作业,并做好记录和检查。

加入盲板的部位要有明显的挂牌标志,严防漏插、漏抽。

拆除法兰螺栓时要逐步缓慢松开,防止管道内余压或残余物料喷出,以免发生意外事故。

氨三乙酸镀铜工艺技术

氨三乙酸镀铜工艺技术

氨三乙酸镀铜工艺技术氨三乙酸镀铜工艺技术是一种常用于金属表面镀铜的技术。

该工艺的主要原理是将氨三乙酸铜溶液中的铜离子通过电化学方式沉积在金属表面,形成一层均匀的铜镀层。

这种技术应用广泛,可以提高金属的导电性能、耐腐蚀性能和装饰性能,广泛用于电子、电器、航空航天等领域。

氨三乙酸镀铜工艺技术的操作步骤如下:第一步,清洗金属表面。

首先,将待镀铜的金属表面清洗干净,去除表面的油污和氧化物。

常用的清洗方法包括机械清洗、化学清洗、电解清洗等。

其中,机械清洗可以通过研磨、抛光等方式去除金属表面的污物;化学清洗可以使用酸性或碱性的清洗液,将金属表面的氧化物溶解掉;电解清洗则是通过电解方式去除金属表面的污物。

第二步,激活金属表面。

激活是为了将金属表面的化学键断裂,使金属表面更易于吸附铜离子。

激活方法有多种,常见的是使用酸性溶液进行激活。

在激活过程中,金属表面会出现氢气的产生,这是正常现象,无需担心。

第三步,镀铜。

将激活的金属放入氨三乙酸铜溶液中,通过电化学方式进行铜的沉积。

镀铜时,需要控制电流密度、温度和时间等参数,以保证铜镀层的质量。

常用的镀铜设备有镀铜槽、电源、阳极等。

同时,还需要使用靠谱的电化学方法进行监测和调整。

第四步,清洗和处理。

镀铜完毕后,需要将金属从氨三乙酸铜溶液中取出,然后进行清洗和处理。

清洗的目的是去除残留在金属表面的氨三乙酸铜溶液,常用的清洗方法包括水洗、酸洗、碱洗等。

处理的目的是防止铜镀层的脱落或氧化,常见的处理方法包括抛光、封孔、涂层等。

氨三乙酸镀铜工艺技术的优点是镀铜速度快,均匀度好,可控性强。

通过合理调整工艺参数,可以获得不同厚度和颜色的铜镀层。

此外,氨三乙酸镀铜的废液处理也相对较为简单,能够对环境造成较小的影响。

总之,氨三乙酸镀铜工艺技术是一种常用的金属表面处理技术,可以提高金属的导电性能和耐腐蚀性能。

在应用过程中,需要注意操作规范,了解镀铜工艺的原理和操作步骤,以确保镀铜效果的质量和稳定性。

半导体化学清洗原理及应用

半导体化学清洗原理及应用

半导体化学清洗原理及应用半导体化学清洗是半导体制造过程中的重要环节,其目的是去除半导体表面的杂质和污染物,以保证器件的性能和可靠性。

化学清洗主要通过溶液中的化学反应来溶解和去除表面附着的污染物,能够高效、精确地清洗半导体表面。

半导体化学清洗的原理主要包括表面吸附和化学反应两个方面。

表面吸附是指待处理半导体表面上的杂质和污染物与清洗溶液中的活性成分相互作用,形成一层吸附膜;而化学反应是指清洗溶液中的化学物质与吸附膜中的污染物发生化学反应,从而将其溶解和去除。

半导体化学清洗的主要应用领域包括以下几个方面:1. 去除有机物污染:在半导体制造过程中,由于设备、环境等复杂因素,表面往往会附着一些有机物污染物,如油脂、胺类、树脂等。

这些有机物会严重影响器件的电性能和绝缘性能,因此需要进行化学清洗来去除它们。

2. 去除无机盐和无机酸残留:在半导体制造过程中,常常使用一些无机盐和无机酸来进行腐蚀、蚀刻和清洗等处理,但这些化学物质可能会残留在器件表面,导致器件性能不稳定或故障。

半导体化学清洗可以针对特定的无机盐和无机酸进行溶解和去除,确保器件表面干净。

3. 去除金属离子污染:金属离子污染是半导体制造过程中常见的问题,如铁、铜、锌等金属离子会附着在半导体表面,严重影响器件的电学性能和可靠性。

半导体化学清洗可以运用络合剂、还原剂等化学物质与金属离子发生反应,将其溶解和去除。

4. 去除表面氧化层:半导体在氧气和水蒸气的作用下,表面很容易形成氧化层,而氧化层会改变半导体的电学特性。

化学清洗可以使用一些还原剂来将氧化层还原为基底材料,恢复器件的性能。

5. 去除微粒污染:微粒污染是制造过程中常见的问题,会附着在器件表面,导致短路或故障。

化学清洗可以通过气泡和涡流等作用,将微粒从器件表面清除。

半导体化学清洗技术的发展为半导体器件的制造和封装提供了可靠的保障。

同时,随着半导体工艺的不断发展,对清洗的要求也越来越高,如去除更低浓度的污染物、减小对环境的影响等。

水平沉铜工艺原理

水平沉铜工艺原理

水平沉铜工艺原理水平沉铜工艺是一种将铜沉积在平面基板上的电化学沉积工艺。

在这个工艺中,铜离子从电解液中被还原并沉积在基板表面,形成一层均匀、致密、粘附良好的铜膜。

水平沉铜工艺在电子工业中被广泛应用,特别是在印制电路板制造过程中。

水平沉铜工艺的基本原理可以分为三个方面:电化学原理、液体流动原理和表面化学反应原理。

1. 电化学原理水平沉铜工艺是一种电化学沉积工艺,其基本原理是利用电解质溶液中的铜离子在电场作用下被还原并沉积在基板表面。

在水平沉铜工艺中,基板作为阴极,而铜阳极则位于电解槽中。

当施加电压时,阴极表面的铜离子会被还原成金属铜,并沉积在基板表面。

在电解液中,铜离子通常以硫酸铜的形式存在。

硫酸铜溶液中的铜离子可以通过电解槽中的阳极源源不断地补充。

当电压施加到一定程度时,铜离子会在基板表面沉积形成铜膜。

通过控制施加的电压和电流密度,可以控制沉积速率和铜膜的厚度。

2. 液体流动原理水平沉铜工艺中的液体流动起着重要的作用。

液体流动可以保持电解液中的铜离子浓度均匀,并将沉积在基板表面的氢气和其他杂质带走。

在水平沉铜工艺中,电解槽中的电解液通过机械搅拌或气体搅拌等方式进行流动。

液体流动可以使电解液中的铜离子均匀分布,并将沉积在基板表面的氢气和其他杂质带走,以保持铜膜的均匀和纯净。

液体流动的流速和方向可以通过调整机械搅拌器的转速或气体搅拌的气流量来控制。

合适的液体流动对于获得均匀且无杂质的铜膜至关重要。

3. 表面化学反应原理水平沉铜工艺中的表面化学反应是决定沉积铜膜质量和性能的关键因素之一。

表面化学反应涉及到基板表面的清洁、活化和催化过程。

首先,基板表面需要经过清洁处理,以去除表面的杂质和氧化物。

常用的清洁方法包括碱性清洗、酸性清洗和电解清洗等。

接下来,基板表面需要经过活化处理,以提高铜离子在基板表面的吸附能力。

活化处理通常采用酸性活化剂,如硫酸、硝酸等。

最后,基板表面需要经过催化处理,以提高铜离子的还原速率。

金属清洗废水处理工艺流程

金属清洗废水处理工艺流程

金属清洗废水处理工艺流程通常包括以下步骤:1. 沉淀-过滤:将金属清洗废水经过预处理,以去除悬浮物和固体颗粒。

这可以通过沉淀和过滤的组合来实现。

首先,通过加入适当的沉淀剂(如铁盐或铝盐)使废水中的悬浮物和固体颗粒沉淀下来。

然后,将沉淀后的废水通过过滤器进行过滤,进一步去除残留的固体物质。

2. 调节pH值:金属清洗废水通常具有较低或较高的pH值,这可能会对后续处理步骤造成影响。

因此,在处理过程中需要调节废水的pH值,使其达到适宜的范围。

这可以通过添加酸性或碱性物质来实现,以便使废水的pH值在理想范围内。

3. 重金属去除:金属清洗废水通常含有各种重金属离子,如铜、镍、锌等。

这些重金属对环境和生物体都具有毒性。

因此,需要采用适当的方法去除这些重金属离子。

常见的方法包括离子交换、电解沉积、化学沉淀和膜过滤等。

4. 活性炭吸附:金属清洗废水中可能存在有机物污染物,如溶剂、表面活性剂等。

这些有机物对环境也具有一定的危害。

因此,可以采用活性炭吸附的方法去除这些有机物。

将废水通过活性炭床,有机物会被吸附在活性炭颗粒上,从而净化废水。

5. 生物处理:对于含有较高浓度有机物的金属清洗废水,可以采用生物处理方法进行进一步处理。

这通常涉及使用微生物来降解有机物。

生物处理通常分为好氧生物处理和厌氧生物处理两种方式,具体选择取决于废水的特性。

6. 消毒:最后一步是对处理后的废水进行消毒,以杀灭可能存在的细菌和其他微生物。

常见的消毒方法包括紫外线照射、臭氧处理、氯处理等。

值得注意的是,金属清洗废水的处理工艺流程可能因不同情况而有所不同,具体的处理步骤和方法可以根据废水的成分和目标排放标准进行调整。

1。

硫酸铜净水的原理

硫酸铜净水的原理

硫酸铜净水的原理硫酸铜是一种广泛应用于净水领域的化学品。

硫酸铜的主要作用是去除水中的细菌、病毒和其他有害物质,从而实现水的净化。

下面,我们就来了解一下硫酸铜净水的原理。

一、硫酸铜在水中的反应硫酸铜的化学式为CuSO4,它是一种晶体粉末。

当硫酸铜溶于水中时,会发生以下反应:CuSO4 + H2O → Cu2+ + SO42- + H2O这个反应可以被表述为硫酸铜分解成它的离子形式,即二价铜离子和硫酸根离子。

这些离子将在水中游移,与水中的其他化学物质相互作用。

二、硫酸铜净水的机理硫酸铜净水是一种化学净水方法,其机理主要有以下几个方面:1.杀菌作用硫酸铜的杀菌作用是其在水中的一个重要功能,它能够有效地杀灭水中的细菌和病毒。

这主要是因为硫酸铜中的铜离子能够破坏细菌和病毒的膜和DNA结构,从而导致它们死亡。

2.吸附作用硫酸铜中的铜离子具有良好的吸附性,能够吸附水中的有机化合物、重金属离子和其他杂质,从而净化水质。

这是硫酸铜净化水质的另一个重要机理。

3.氧化还原作用硫酸铜中的铜离子可以发生氧化还原反应,这种反应可以去除水中的某些有机和无机物质。

实验证明,硫酸铜对水中的苯、氯苯和甲苯等有机物具有一定的氧化降解作用,可以将它们转化为无害的物质。

三、硫酸铜净水的应用硫酸铜净水广泛用于饮用水、生活用水、工业用水等领域。

它可以用作污水处理剂、自来水消毒剂、游泳池水净化剂等。

硫酸铜在净水中的应用主要包括以下几个方面:1.消毒硫酸铜具有强烈的杀菌作用,能够有效地消灭水中的各种细菌、病毒和其他病原体。

它是一种安全、经济、高效的消毒剂,因此被广泛应用于自来水消毒、游泳池水消毒、污水处理等领域。

2.除臭硫酸铜可以去除水中的异味和臭味,使水更加清新、清澈、透明。

它是一种优秀的除臭剂,被广泛应用于垃圾处理、化学加工、煤矿排水等领域。

3.净化硫酸铜可以去除水中的有机化合物、重金属离子和其他杂质,从而净化水质。

它被广泛应用于饮用水、生活用水、医药制造、食品加工等领域。

锅炉的化学清洗

锅炉的化学清洗

锅炉的化学清洗锅炉的化学清洗锅炉的化学清洗就是用某些化学药品的水溶液,清洗锅炉汽水系统内的沉积物,并使管壁表面形成良好的防腐蚀保护膜。

新安装的锅炉在其制造、运输与安装过程中,可能有轧制铁皮、腐蚀产物、防腐涂料、砂子等杂质进入或残留在锅炉管内。

这些杂质在锅炉投入运行前如不除去,投入运行后就会引起炉管堵塞、形成沉积物以及发生沉积物下的腐蚀。

因此,新安装锅炉在启动前,应进行化学清洗。

运行中的锅炉,由于给水携带杂质,会使锅炉受热面产生沉积物。

当沉积物达到肯定量时,就会影响锅炉的**经济运行。

因此,运行锅炉也应当定期的或依据管壁沉积物的沉积量,进行化学清洗。

一、化学清洗原理化学清洗锅炉,是用含有缓蚀剂的酸溶液,来**锅炉管壁上的氧化铁皮或沉积物。

目前化学清洗方法,重要是用盐酸、柠檬酸和氢氟酸清洗。

1.盐酸。

由于盐酸清洗效果较好,价格便宜,又简单买到,因此采纳盐酸清洗较为广泛。

(1)清洗原理。

盐酸所以能够**管壁上的氧化皮和沉积物,是由于在酸洗过程中盐酸能与这些杂质发生化学反应。

①与管壁上的氧化皮作用。

钢材在高温(575℃以上)加工过程中形成的氧化皮,是由FeO、Fe3O4和Fe2O4等三层不同的氧化铁构成,其中FeO是靠近金属基体的内层。

盐酸与这些氧化物接触时,会发生化学反应,生成可溶性的FeCl2或FeCl3,使氧化皮溶解。

其反应式如下:FeO+2HCl→FeCl2+H2OFe2O3+6HCl→2FeCl3+3H2O在氧化皮溶解过程中,由于靠近金属基体的FeO的溶解,还能使氧化皮从管壁上脱落。

②与混杂在氧化皮中铁作用。

盐酸能与氧化皮中的铁作用,生成可溶性的氯化亚铁和氢气,反应式如下:Fe+2HCl→FeCl2+H2↑产生的氢气从氧化皮中逸出时,也能使尚未与盐酸反应的氧化皮从管壁上剥落下来。

③与钙、镁碳酸盐水垢作用。

盐酸还能与钙、镁的碳酸盐发生化学反应,使水垢溶解,反应式如下:CaCO3+2HCl→CaCl2+H2O+CO2MgCO3·Mg(OH)2+4HCl→2MgCl2+3H2O+CO2从盐酸与管壁上各种沉积物的反应中可以看出,盐酸在酸洗过程中,对管壁上的氧化皮和沉积物发生两种作用:一是溶解作用,一是剥落作用。

化学清洗过程中的分析与监测

化学清洗过程中的分析与监测

化学清洗过程中的分析与监测整个化学清洗过程是由各工艺步骤所组成的。

为了控制各工艺步骤按规定的条件进行,必须对其进行化学监测。

1、各工艺步骤需分析、监测的内容各工艺步骤分析、监测的内容和目的各不相同,现分析如下。

1)、水冲洗清洗前水冲洗要监测水的浊度,当浊度差△ZD=25mg/L,目视无杂质时即为终点。

酸洗后水冲洗要监测pH值、铁含量等,当pH=4.0~4.5,铁含量小于50mg/L时即为终点。

2)、碱洗碱洗过程要分析NaOH浓度和Na2CO3及Na3PO4的浓度,以此作为是否补碱和终点判断的依据。

3)、酸洗酸洗过程需分析含量的Fe3+、Fe2+、Cu2+等含量。

当酸度过低时,则需要补充。

当设备进出口清洗液的酸浓度差值小于0.1%,铁离子中浓度增加值很小或不变时,则为酸洗终点。

4)、钝化钝化液需监测pH值、NaNO2浓度、联氨浓度等。

5)、清洗废液按排放标准要求,废液处理过程中主要监测pH值、悬浮物、化学耗氧量、氟的无机化合物等。

2、分析方法化学清洗过程中各成分分析方法包括:1)、pH值测定;2)、浊度测定;3)、碱洗液中碱度测定;4)、油量的测定;5)、含硅量的测定;6)、沉积物测定;7)、盐酸浓度测定8)、柠檬酸浓度测定;9)氢氟酸浓度测定;10)、酸洗液中悬浮铁的测定;11)、盐酸中铁离子浓度的测定;12)、柠檬酸清洗液中全铁浓度的测定;13)、氢氟酸洗液中铁离子的测定;14)、酸洗液中铜离子浓度测定;15)、氢氟酸洗液中氟离子测定;16)、氨洗液中氨浓度的测定;17)、钝化液中的NaNO2浓度测定;18)、钝化液中联氨浓度测定。

清洗废液的处理原则1)、处理效果显著经处理过的化学清洗废液必须达到排放标准方可排放。

项目一级标准二级标准三极标准新扩改现有新扩改现有pH值色度悬浮物生化需氧量化学耗氧量石油类6~9507030100101.0106~98010060150151.0156~98020060150101.0106~910025080200202.0156~9—400300500302.020硫化物氟化物磷酸盐苯胺类硝基苯类阴离子合成洗涤剂铜锌锰0.51.02.05.00.52.02.01.02.03.0100.52.05.01.02.03.0101.04.02.02.03.05.0151.05.05.0—5.05.0202.05.05.02)、对化学清洗废液的处理要建立合理的处理系统,但系统结构和设备要尽量简化,以压缩投资。

镀层露铜的原因

镀层露铜的原因

镀层露铜的原因镀层露铜是一种常见的表面处理技术,它可以为金属制品提供美观、耐腐蚀和耐磨损的特性。

本文将从化学反应、工艺流程和应用领域三个方面,详细介绍镀层露铜的原因。

一、化学反应镀层露铜的原因与电化学反应密切相关。

在进行镀铜过程中,首先需要将金属制品浸泡在含有铜盐的电解液中,通常使用的电解液是含有硫酸铜的溶液。

当外加电流通过电解液时,溶液中的硫酸铜分解成铜离子和硫酸根离子。

金属制品作为阴极,吸附铜离子,并在表面还原成金属铜。

这样,金属制品表面就形成了一层均匀的铜镀层。

二、工艺流程镀层露铜的工艺流程一般包括预处理、电解液配制、电解、清洗和后处理等步骤。

首先,金属制品需要进行表面处理,包括去除油污、锈蚀和氧化物等杂质。

然后,将电解液配制好,通常需要根据具体要求调整溶液的浓度和温度。

接下来,将金属制品浸泡在电解液中,并通过外加电流进行电解,使铜离子在金属制品表面还原成金属铜。

完成电解后,金属制品需要进行清洗,以去除残留的电解液和杂质。

最后,可以根据需要进行后处理,如抛光、封膜等,以增加镀层的美观和耐久性。

三、应用领域镀层露铜广泛应用于各个领域。

在电子行业中,镀层露铜常用于印制电路板(PCB)的制造。

PCB是电子设备的核心组成部分,它通过将导电层和绝缘层叠加在一起,实现电子元器件之间的连接。

镀层露铜可以在导电层上形成一层均匀的铜镀层,提供良好的导电性能和抗腐蚀能力。

此外,在装饰工艺中,镀层露铜也被广泛应用于首饰、工艺品和家具等制品的表面处理,使其具有金属质感和美观的外观。

总结镀层露铜作为一种常见的表面处理技术,在金属制品的制造和装饰工艺中起到重要作用。

通过电化学反应的方式,在金属制品表面形成一层均匀的铜镀层,使其具有美观、耐腐蚀和耐磨损等特性。

同时,镀层露铜的工艺流程包括预处理、电解、清洗和后处理等步骤,确保镀层的质量和一致性。

在电子行业和装饰工艺中,镀层露铜有着广泛的应用,为各种金属制品提供了良好的表面保护和装饰效果。

化学清洗废液及其处置

化学清洗废液及其处置

化学清洗废液及其处置陆韶华一、前言我国化学清洗起步较晚,近几年来进展专门快。

目前,清洗工作已渗透到石油、化工、纺织、机械、交通、电子、核能、军工、建筑、民用等各个领域,从单一小型的设备、零件的简单清洗扩大到大型成套装置的系统清洗。

清洗业务的不断扩展,随之而来的是化学清洗后废液的处置问题,在发达国家如日本,对清洗的废液有专门的处置机构,即废弃物处置株式会社。

我国除一些大中型企业有专门的污水处置厂、车间或装置外,一样都不具有自己处置的条件。

因此,作为专业化的清洗队、站或公司,还应把握化学清洗后的废液处置技术。

使化学清洗后的各类废液,通过必要的处置,达到规定的排放标准。

二、化学清洗废液种类及其特点化学清洗进程可分为碱洗、酸洗、中和、钝化等几个要紧步骤,其废液情形如下:(一)碱洗废液碱洗(包括碱煮)的目的是清除新建设备或装置在制造、贮存及安装进程中所产生各类机械油、石墨脂、防锈油等油污,对在役设备或装置的某些难溶垢(如硫酸盐、硅酸盐垢)的转化。

经常使用的药剂为各类碱性盐类和表面活性剂,如:纯碱、烧碱、磷酸三钠、三聚磷酸钠、硅酸钠、乳化剂、润湿剂等。

依照不同的清洗对象及要求,在清洗液中,碱性盐类的含量为~8%,表面活性剂为0~%。

碱洗后的废液对环境产生污染阻碍的要紧因素:(1)强碱性:pH>9;(2)油份:0~1000mg/L;(3)化学耗氧量(COD)0~10000mg/L。

(二)酸洗废液酸洗的目的是清除新建设备或装置中的各类铁锈、轧制鳞片、焊接氧化物和在役设备或装置在生产进程由于各类缘故所形成的水垢、锈垢、铜垢等。

经常使用的酸洗药剂有各类无机酸类如盐酸(4~12%)、硝酸(6~10%)、氢氟酸~2%)、硫酸(8~12%)、磷酸(8~10%)、氨基磺酸(8~10%),有机酸类如醋酸(10%)、柠檬酸~4%)、乙二胺四乙酸(2~10%),和各类添加剂,如氟化氢铵、氟化钠、缓蚀剂等。

酸洗后的废液对环境产生污染阻碍的要紧因素:(1)强酸性pH<1;(2)COD:500~50000mg/L;(3)其他有害物质:氟离子、重金属离子等。

化学镀铜原理

化学镀铜原理

化学镀铜原理化学镀铜是一种在基材表面沉积铜薄层的过程,通常用于增加电化学稳定性、提高导电性以及美化外观等应用。

该进程是通电的,通常在电解池中进行。

在本文中,我们将描述化学镀铜的原理、应用、工艺和注意事项等方面。

一、化学镀铜原理化学镀铜的原理基于其电化学性质。

在电解液中,铜离子(Cu2+)被还原成铜金属,沉积在电极表面。

同时,相应的阴离子在阳极上氧化,保持了电荷平衡,这个过程成为氧化反应。

反应式如下:Cu2+ + 2e- → CuCu → Cu2+ + 2e-在化学镀铜过程中,加入了一些化学物质到电解液中以调节反应速率和控制薄层的均匀性。

典型的化学物质包括氰化物、乙二胺四乙酸铜酐盐(EDTA铜)、甘氨酸铜等。

这些物质作为络合剂,它们能够吸附到基材表面并与铜离子形成一个配位络合物。

形成的配位络合物成为可溶性的,能够扩散到基材表面的空隙中。

在电极表面,还原作用发生,并且铜被沉积在基材表面。

沉积铜的过程取决于铜离子和络合物的浓度,电流密度、电极表面形貌、电解液中温度和搅拌速度等因素。

二、化学镀铜的应用1. 电子工业化学镀铜是电子工业中广泛使用的一种过程。

因为镀铜薄层具有出色的导电性和电化学稳定性能,他们应用于电路板、半导体器件、电机、电容器和集成电路等。

2. 化妆品行业一些化妆品中,铜金属和其氧化物是一种常见的添加剂。

化学镀铜技术被用来让这些添加剂保持在化妆品中,并且能够与皮肤表面产生反应,从而达到美容保健的效果。

3. 珠宝和饰品化学镀铜是珠宝和饰品行业生产中广泛使用的一种技术。

铜薄层被沉积在基材表面用来增加装饰性和耐磨性。

三、化学镀铜的工艺化学镀铜的过程分五个步骤:预处理、清洗基材、镀铜、处理表面、研磨和抛光。

1. 预处理为获得高质量的铜薄层,应在基材上生成粗糙表面。

这可以通过刻酸或者机械磨削制程实现。

这样的表面会增加覆盖面积,更容易将化学物质吸附到电极表面并更小程度的薄层镀铜。

2. 清洗基材在进行化学镀铜之前,非金属材料表面需要进行多次清洗,以消除财产的污染和缺陷,确保产生的镀铜良好的附着性和光滑面。

2017年安全师考试备考资料:装置停车的安全处理

2017年安全师考试备考资料:装置停车的安全处理

2017年安全师考试备考资料:装置停车的安全处理停车后的安全处理主要步骤有:隔绝,置换、吹扫与清洗,以及检修前生产部门与检修部门应严格办理安全检修交接手续等。

1)隔绝由于隔绝不可靠致使有毒、易燃易爆、有腐蚀、令人窒息和高温介质进入检修设备而造成的重大事故时有发生;因此,检修设备必须进行可靠隔绝。

视具体情况,最安全可靠的隔绝办法是拆除管线或抽插盲板。

拆除管线是将与检修设备相连接的管道、管道上的阀门、伸缩接头等可拆卸部分拆下。

然后在管路侧的法兰上装置盲板。

如果无可拆卸部分或拆卸十分困难,则应关严阀门,在和检修设备相连的管道法兰连接处插入盲板,这种方法操作方便,安全可靠,广为采用。

抽插盲板属于危险作业,应办理“抽插盲板作业许可证”,并同时落实各项安全措施:(1)应绘制抽插盲板作业图,按图进行抽插作业,并做好记录和检查。

加入盲板的部位要有明显的挂牌标志,严防漏插、漏抽。

拆除法兰螺栓时要逐步缓慢松开,防止管道内余压或残余物料喷出,以免发生意外事故。

加盲板的位置一般在来料阀后部法兰处,盲板两侧均应加垫片并用螺栓紧固,做到无泄漏。

(2)盲板必须符合安全要求并进行编号。

根据现场实际情况制作合适的盲板:盲板的尺寸应符合阀门或管道的口径;盲板的厚度需通过计算确定,原则上盲板厚度不得低于管壁厚度。

盲板及垫片的材质,要根据介质特性、温度、压力选定。

盲板应有大的突耳并涂上特别颜色,用于挂牌编号和识别。

(3)抽插盲板现场安全措施:确认系统物料排尽,压力、温度降至规定要求;要注意防火防爆,凡在禁火区、抽插易燃易爆介质窗口或管道盲板时,应使用防爆工具和防爆灯具,在规定范围内严禁用火,作业中应有专人巡回检查和监护;在室内抽插盲板时,必须打开窗户或采用符合安全要求的通风设备强制通风;抽插有毒介质管路盲板时,作业人员应按规定佩戴合适的个体防护用品,防止中毒;在高处抽插盲板作业时,应同时满足高处作业安全要求,并佩戴安全帽、安全带;危险性特别大的作业,应有抢救后备措施及气防站,医务人员、救护车应在现场;操作人员在抽插盲板连续作业中,时间不宜过长,应轮换休息。

化学沉锡工艺流程

化学沉锡工艺流程

分析 方法
计算 控制 范围
ห้องสมุดไป่ตู้
2-4%
一、使用方法 1.建浴标准: PSH-2200P:150 ml/L 2.操作条件: 类别 范围 温度 酸当量
铜面活化剂 PSH-2200P
最佳 26℃ 0.15N
22-32℃ 0.1-0.2N
时间
槽材质 过滤
1-2min
PVC或P.P材质
1min
10-20 μ m PP滤心,连续过滤
内容 化学锡(PSH-2200)分析方法 目的 锡含量分析 药品 二甲酚橙指示剂 无水醋酸钠 0.1M EDTA
器具 50ml量筒 10ml移液管 250ml锥形烧瓶 25ml滴定管 1.取5ml槽液加入250ml锥形烧瓶中; 2.加50ml纯水; 分析 3.加入50ml PH5的无水醋酸钠(160g/L); 方法 4.加入2-3g二甲酚橙指示剂 ; 5.用0.1M EDTA 滴定至终点,消耗体积为V ml。 终点:紫—桔黄 计算 Sn2+(g/L)=滴定V ml×2.378
⑵ 待溶液中铜杂质充分结晶析出后,用过滤袋进行过滤回工 作槽液位不够添加原液,其结晶物挤干后丢弃。 五、产品性状 外观: 半透明状液体 比重: 1.15-1.2g/ml(25℃) PH值: ≤ 1 包装: 25KG/TK 六、注意事项 1.使用时请佩戴手套、安全眼镜,万一药液沾到眼睛时,请用清 水冲洗15分钟以上,并至眼科诊所诊治。 2.请放置阴凉处,并防止日晒,以防止产品变质。 七、废液处理 化学锡镀液为含无机盐、锡盐及混合酸性材料之混合物,可 用苛性钠(NaOH)将PH值调整至9.0以上,使锡、铜金属静置沉 积,经过滤后,用稀硫酸将PH值调整至6.0-8.0后排放,排放标准 另须参照当地环保标准。

污水处理中的重金属去除技术

污水处理中的重金属去除技术

污水处理中的重金属去除技术在当今社会,随着工业的快速发展和人类活动的日益频繁,污水中的重金属污染问题愈发严重。

重金属具有毒性大、难降解、易在生物体内积累等特点,如果不加以有效处理,将会对生态环境和人类健康造成极大的威胁。

因此,研究和应用有效的重金属去除技术显得尤为重要。

一、化学沉淀法化学沉淀法是一种常见且应用广泛的重金属去除技术。

其原理是通过向污水中添加化学试剂,使重金属离子形成难溶的沉淀物,从而实现从水中分离。

常见的沉淀剂包括氢氧化物、硫化物和碳酸盐等。

例如,使用氢氧化钠或氢氧化钙可以使重金属离子形成氢氧化物沉淀。

以铜离子为例,当加入氢氧化钠时,铜离子会与氢氧根离子结合生成氢氧化铜沉淀。

化学沉淀法的优点是操作简单、成本相对较低。

然而,它也存在一些局限性。

比如,可能会产生大量的沉淀污泥,需要进一步处理;对于某些低浓度的重金属废水,去除效果可能不太理想。

二、离子交换法离子交换法是利用离子交换树脂与污水中的重金属离子进行交换,从而达到去除的目的。

离子交换树脂具有特定的官能团,能够选择性地吸附重金属离子。

当污水通过离子交换树脂床时,重金属离子与树脂上的离子发生交换而被吸附。

随后,通过对树脂进行再生处理,可以恢复其交换能力。

这种方法适用于处理低浓度的重金属废水,具有去除效率高、可回收重金属等优点。

但离子交换树脂价格较高,再生过程也需要一定的成本和技术支持。

三、吸附法吸附法是利用吸附剂的多孔结构和表面特性,吸附污水中的重金属离子。

常见的吸附剂包括活性炭、沸石、黏土矿物等。

活性炭具有较大的比表面积和丰富的孔隙结构,对多种重金属离子都有较好的吸附效果。

沸石则因其独特的孔道结构和离子交换性能,在重金属去除方面也表现出色。

吸附法的优点是操作简便、处理效果好。

但吸附剂的吸附容量有限,需要定期更换或再生,增加了运行成本。

四、膜分离法膜分离法是基于膜的选择性透过性能,将重金属离子与水分离。

常见的膜分离技术包括反渗透、纳滤和超滤等。

PCB化学镀铜工艺流程

PCB化学镀铜工艺流程

PCB化学镀铜工艺流程1.表面准备在进行化学镀铜之前,首先需要对PCB表面进行准备。

这包括清洗和去除表面油污、氧化物和其他杂质。

常见的清洗方法包括碱性清洗、酸性清洗和超声波清洗。

2.激活剂涂覆在表面准备完成后,需要涂覆一层激活剂。

激活剂可以在PCB表面形成一层金属离子吸附层,有助于化学镀铜液中的铜离子的吸附和沉积。

常用的激活剂有活化铜和钯。

3.化学镀铜将PCB放入化学镀铜槽中,化学镀铜液通过外加电流在PCB表面形成均匀的铜层。

化学镀铜液通常由含有铜离子和相关添加剂的溶液组成。

铜离子通过电子传递从溶液中还原到PCB表面,并与激活剂层上的金属离子结合形成金属铜层。

4.沉积时间控制化学镀铜的沉积时间是一个重要的参数,它决定了镀铜层的厚度。

沉积时间过长会导致铜层过厚,容易出现缺陷和应力集中。

沉积时间过短则会导致铜层过薄,不利于电流传导和耐蚀性。

5.清洗和除脂化学镀铜完成后,需要对PCB进行清洗和除脂。

这可以去除化学镀铜过程中残留的化学药剂和其他杂质,保证PCB表面的干净。

6.表面处理化学镀铜完成后,还需要进行表面处理,以防止镀铜层氧化和腐蚀。

常见的表面处理方式包括防氧化处理和涂覆保护漆。

7.检测和质量控制最后,对化学镀铜后的PCB进行检测和质量控制。

这包括检查铜层的厚度、均匀性和附着力等。

必要时还可以进行X射线检测、显微镜观察和电测等。

总结:PCB化学镀铜工艺流程涉及表面准备、激活剂涂覆、化学镀铜、沉积时间控制、清洗和除脂、表面处理以及检测和质量控制等步骤。

这些步骤的正确操作和控制对于获得良好的镀铜层质量和PCB性能非常重要。

同时,严格的质量控制和检测可以确保PCB的可靠性和耐用性。

重金属去除办法

重金属去除办法

主要污染物处理技术:总汞、烷基汞:铁屑还原法、硫氢化钠-明矾沉淀、活性炭吸附、离子交换总镉:化学沉淀(高pH值)、电解法、离子交换总铬、六价铬:物理法、离子交换、电解法、铁氧体法、化学还原、活性炭吸附总砷:化学沉淀、活性炭吸附、离子交换总铅:混凝沉淀、中和还原、离子交换总镍:化学沉淀、离子交换、反渗透法苯并芘:臭氧氧化、活性炭吸附总铍:中和、混凝沉淀、过滤总银:化学沉淀、石灰臭氧法总氰化物:蒸发浓缩回收、离子交换、物化法或生化法处理硫化物:酸化碱吸收法、锰催化氧化法、生物法氨氮:回收利用、吹脱、生物脱氮、氧化、吸附氟化物:混凝沉淀、离子交换、活性炭吸附甲醛:膜法生物处理苯胺类:中和混凝预处理、生物膜法处理硝基苯类:生物处理、活性炭吸附阴离子表面活性剂:泡沫分离、萃取、离子交换、活性炭吸附总铜:化学沉淀、铁屑过滤、离子交换、电解总锌:中和沉淀、离子交换、反渗透总锰:中和沉淀、离子交换、反渗透、电渗析显影剂:化学氧化、生化处理元素磷:物理化学处理、化学氧化有机磷农药:萃取回收、生化处理五氯酚及五氯酚钠:酸化、萃取、生化处理可吸附有机卤化物AOX:高浓度回收或焚烧,低浓度生化处理、活性炭吸附、催化臭氧氧化法苯系列:生化处理氯带苯类:预处理后生化处理硝基苯类:碱洗、汽提、活性炭吸附、生化处理酚类污染物:曝气、生化、浮选、树脂吸附丙稀腈:塔式生物滤池总硒:混凝、离子交换、过滤吸附1。

混凝:去除悬浮颗粒和化学除磷。

石灰混凝:除磷、改善感官指标、杀菌、去除有机物、钙镁硅氟等金属和非金属离子。

常用铝盐、铁盐混凝剂:形成磷酸盐沉淀,由于对碱度的中和,硫酸铝的最佳pH值约为6。

注意事项:前续流程的衔接;多采用机械反应和机械絮凝或水力旋流絮凝,尽量避免采用隔板、折板絮凝。

2。

固液分离:絮凝颗粒的固液分离。

沉淀:避免采用斜板、斜管类沉淀器。

澄清:污泥悬浮层的形成问题。

气浮:中小水量时建议采用,部分回流溶气气浮,回流比10%~20%,v=1.0‾1.5mm/s,HRT=20‾40min,气固比0.005~0.006 加药量:20~30mg/L3。

化学镀铜

化学镀铜

化学镀铜(Eletcroless Plating Copper)通常也叫沉铜或孔化(PTH)是一种自身催化的氧化还原反应。

双面板以上完成钻孔后即进行TH(plated through hole 镀通孔)步骤。

首先用活化剂处理,使绝缘基材表面吸附上一层活性的粒子,通常用的是金属钯粒子,铜离子首先在这些活性的金属钯粒子上被还原,而这些被还原的金属铜晶核本身又成为铜离子的催化层,使铜的还原反应继续在这些新的铜晶核表面上进行。

PTH目的使孔壁上的非导体部分的树脂及玻璃束进行金属化,以进行后来的电镀铜制程 ,完成足够导电及焊接的金属孔壁.。

孔金属化工艺流程如下:磨板→上板→溶涨→去钻污→中和→整孔→微蚀→预浸→活化→解胶→沉铜→下板刷板目的:1 通过刷棍一定压力的磨刷去除孔口毛刺、粗化铜箔表面;2 通过循环水洗、高压水洗、市水洗冲洗清洁生产板;原理解释:钻孔后的覆铜箔板,其孔口部位不可避免的产生一些小的毛刺(1 未切断的铜丝2 未切断玻璃丝留 ,称为毛刺),这些毛刺因其要断不断,而且粗糙,若不将其除去,将会影响金属化孔的质量,可能造成通孔不良及孔小等。

最简单去毛刺的方法是用200~400号水砂纸将钻孔后的铜箔表面磨光。

机械化的去毛刺方法是采用去毛刺机。

去毛刺机的磨辊是采用含有碳化硅磨料的尼龙刷或毡。

一般的去毛刺机在去除毛刺时,在顺着板面移动方向有部分毛刺倒向孔口内壁,改进型的磨板机,具有双向转动带摆动尼龙刷辊,除了这种弊病。

失误对策:太轻的刷磨会使板材表面的杂质无法顺利的清除干净或者会造成不均匀的表面;太重的刷磨则会去除表面过多的铜层,或是造成一个粗糙的及不匀的表面。

太重或不当的刷磨也会使板材边缘产生流胶现象,或是使刷轮本身也会出现流胶现象。

此种流胶将使得化学镀铜及电镀镀铜制程产生严重的问题。

去钻污段一;容涨1;目的:软化膨松环氧树脂,降低聚合物间的键结能 , 使KMnO4更易咬蚀形成粗糙面2原理解释:初期溶出可降低较弱的键结,使其键结有了明显的差异。

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金属离子的吸附及化学清洗
1、杂质污染形态
(1)微粒型污染杂质
①无机微粒
原子型吸附杂质——化学吸附
离子型吸附杂质——化学吸附
②有机微粒
分子型吸附杂质——物理吸附
(2)膜层型污染杂质
①有机膜层
原子型吸附杂质——化学吸附
离子型吸附杂质——化学吸附
②无机膜层
分子型吸附杂质——物理吸附
2、杂质吸附种类及特性图1.物理吸附和化学吸附的比较
(1)物理吸附
物理吸附是分子吸附。

污染杂质以分子形式吸附在硅片表面,主要是油脂(矿物类、动物类)、树脂和油类物质。

如切磨抛机器设备的润滑油、防锈油、粘片用的粘合剂(松香、石蜡或其他混合物)、手油、光刻胶,有机溶剂残膜残渣等都属于分子型吸附杂质。

(2)化学吸附
硅表面原子与被吸附杂质依赖化学键力结合,这种成键的力在一定情况下是共价键力,但也混合有离子的相互作用力。

化学吸附既可以是原子吸附型,也可以是离子型吸附。

①离子型杂质吸附
以离子形式吸附在硅片表面的杂质一般由K+、Na+、Ca+2、Mg+2、Fe+2、Cu+2、H+、(OH)-、F-、Cl-、S--、(CO3)--等。

这类杂质的来源广泛,可以来自空气,生产设备、工装夹具,化学药品、去离子水、自来水、人的呼吸、汗液等许多方面。

②原子型杂质吸附
以原子形式吸附在硅片表面的污染杂质,主要有金、铂、铝、铜、铁、镍等金属原子。

这些金属的离子多存在于酸性腐蚀液中,通过置换反应还原成原子吸附在硅片表面。

(3)特性比较
物理吸附和化学吸附都是由于硅片表面的悬挂键(吸附力场)形成的。

①物理吸附的吸附热一般仅为几十J,而化学吸附的吸附热为100~1000J,两者相差甚远。

②化学吸附的平衡距离(ro)比物理吸附的小得多。

③物理吸附的特点是,杂质分子与硅表面的接触通常是依靠静电力来维持。

结合力和分子型晶体结构的范德瓦尔斯(Vander Waals)引力一样。

这种引力较弱,且随着分子间距的增加很快消弱。

所以这种力所涉及的范围只有2~3Å左右,要彻底清除这种杂质并不困难。

④化学吸附的特点是,杂质离子和硅片表面之间依靠化学键力结合,杂质离子和硅片表面原子力所达到的平衡距离(ro)极小,以至可以认为这些杂质离子已成为硅片整体的一部分。

由于化学吸附力较强,所以比分子型物理吸附杂质难消除。

特别是金、铂等重金属原子不容易和一般酸性溶液起化学反应,必须采用王水之类的腐蚀液使之形成络合物溶于高纯水中加以清除。

3、金属离子的清洗
(1)过氧化氢在清洗中的作用——氧化(还原)作用
过氧化氢是强氧化剂又可作为还原剂,它对有机物、非金属和大多数金属有氧化能力。

过氧化氢具有极微弱的酸性,在酸性、中性介质中比较稳定,在碱性介质中不稳定。

在半导体清洗中,主要是利用H2O2的强氧化性来清除有机和无机杂质。

(2)氢氧化铵在清洗中的作用——络合剂和碱的作用
氢氧化铵是很好的络合剂,它能与Cu+2、Ag+、Co+2、Ni+2、Pt+4、Cd+2等金属离子发生络合作用,生成可溶性的络合物,故可利用其与许多重金属离子形成可溶性络合物这一特性来除去吸附在硅片表面的杂质金属原子和离子。

例如,氢氧化铵与铜离子发生络合作用生成稳定的可溶性的铜氨络离子[Cu(NH3)4]+2。

碱性过氧化氢清洗液(又称Ⅰ号液)是用度离子水、30%过氧化氢、25%氨水配制而成。

Ⅰ号液配比:H2O:H2O2:NH4OH=5:1:1到7:2:1
当Ⅰ号液中过氧化氢耗尽时,便会发生硅片被NH4OH腐蚀的现象。

(3)盐酸在清洗中的作用——络合剂和强酸的作用
盐酸是一种强酸,除了起酸的作用外还兼有络合剂的作用,盐酸中的氯离子能为Au+3、Pt+2、Cu+2、Ag+、Hg+2、Ca+2、Co+3、Ni+3、Fe+3等金属离子提供内配位体,形成可溶于水的络合物。

盐酸过氧化氢清洗液(又称Ⅱ号液)是用度离子水、30%过氧化氢、37%盐酸配制而成。

Ⅱ号液配比:H2O:H2O2:HCl=6:1:1到8:2:1
Ⅱ号液对硅片没有腐蚀作用。

Ⅰ号液和Ⅱ号液一般应在75~85℃条件下进行清洗,时间为10~20min,然后用去离子水冲洗干净。

清洗作用是基于过氧化氢的氢氧化性,使有机和无机杂质被氧化而得以去除,同时由于在两种清洗液中还有络合剂NH4OH、HCl,因此对一些难氧化的金
属及其他难溶物质,可以通过络合剂作用形成稳定的可溶性络合物而将其去除。

Ⅰ号液和Ⅱ号液处理硅片,不会产生大于20Å的氧化层。

和其他化学清洗一样,Ⅰ号液和Ⅱ号液质能去掉硅片表面的污染,不会对分布在体内的污染产生吸除作用。

Ⅰ号液和Ⅱ号液的不稳定性体现在,在室温下Ⅰ号液的半衰期为11hr,Ⅱ号液的半衰期为50hr;随着温度的升高,半衰期急剧缩短。

在86~90℃温度下,Ⅰ号液的半衰期约为5min。

(4)硫酸在清洗中的作用——强氧化剂和强酸的作用
浓硫酸具有强氧化性、强酸性,再与过氧化氢混合式的氧化性大大增强。

硫酸过氧化氢清洗液(又称Ⅲ号液)是用度离子水、30%过氧化氢、98%硫酸配制而成。

Ⅲ号液配比:H2O:H2O2:H2SO4=6:1:3
Ⅲ号液既可去除金属污染,也可去除有机污染。

仅适用Ⅲ号液也能完成硅片的清洗。

另外,Ⅲ号液配制时所产生的热量可使溶液接近使用温度,加热时间短。

在添加部分过氧化氢后,Ⅲ号液可重复使用。

缺点是废液较Ⅰ号液和Ⅱ号液难处理。

Ⅲ号液对硅片没有腐蚀作用。

4、参考附件
(1)硅片清洗工艺程序
①SPM=H2SO4+H2O2(4:1),去除有机杂质污染;
②DHF=HF+DH2O(1%~2%),去除原生氧化物和金属污染;
③APM=NH4OH+H2O2+DH2O(1:1:5或0.5:1:5),去除有机杂质、金属离子、颗粒沾污;
④HPM=HCl+H2O2+DH2O(1:1:6或1:2:8),去除金属离子Al、Fe、Ni、Cu、Na等。

(2)硅片清洗应用程序
①FSI“A”工艺:SPM+APM+DHF+HPM
②FSI“B”工艺:SPM+DHF+APM+HPM
③FS I“C”工艺:DHF+APM+HPM
④RCA工艺:APM+HPM
⑤SPM.Only工艺:APM
⑥Piranha HF工艺:APM+HF
(3) Ⅱ号液从硅片表面去除Cu污染与其它清洗液去
污效果的比较如图2所示。

数据是以Cu64做示踪剂用γ放射性测量得到的。

衬底:
Sizai49%HF+ Cu64中浸泡;
对●、×、○:
100%=1.5×1017 Cu原子/cm2
对△:
100%=3.3×1018 Cu原子/cm2
溶液:
×去离子水水温为97℃;
●1体积30%H2O2+9体积H2O 90℃;
△1体积30%H2O2+1体积40%HCl+8体积H2O
90℃;
○1体积30%H2O2+9体积HCO2H(甲酸/蚁酸)90℃。

(4)超声波与兆声波清洗比较图2.各种溶液对硅表面铜沾污的去除效率
2009-03-31。

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