真空技术第五章

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UESTC电真空原理与实践习题

UESTC电真空原理与实践习题

第一章作业1、解释铜的“氢病”现象。

“氢病”:零件在氢炉中做焊接或退火时,氢气渗透到铜的内部,与铜中所含的氧发生作用形成了水蒸气,在铜中形成很高的压力,使铜遭到破坏。

(半对)2、列举常用无氧铜、不锈钢、蒙耐尔的牌号及成分。

无氧铜:无氧铜中氧的含量一般在0.001~0.003%之间,杂质总量不超过0.05%TU1、TU2不锈钢:含铬17~19%,含镍9%左右的1Cr18Ni9,如果再加入0.8~1%的钛,则就成为1Cr18Ni9Ti。

蒙耐尔(Monel)合金:牌号:NCu40-2-1(含铜40%、锰2%、铁1%)3、列举电真空陶瓷的主要用途。

1,用于管气,2,用于输能窗,3用于支撑架,4,用于绝缘体4、列举常用衰减瓷的种类。

1碳化硅衰减瓷2,金属衰减瓷3,渗碳多孔衰减瓷第二章作业1、叙述氧化物阴极的分解与激活过程。

阴极分解:灯丝通电,对阴极加热430 ℃(Ca、Sr 、Ba)CO3→(Ca、Sr 、Ba)O+CO2温度到800℃BaO+(Ni-W-Mg)→Ba+(W、Mg)O 少量激活:包括还原激活(热激活)和电流激活两个过程。

1还原激活:把阴极加热到930~1080℃,保持1~5分钟BaO+(Ni-W-Mg)→Ba+(W、Mg)O 大量2电流激活:在加灯丝电流加热阴极的同时加上阳极电压,电流激活时阴极温度应不超过880℃2、叙述钡钨阴极的分解激活过程。

(a)浸渍式钡钨阴极阴极温度升至1200℃Ba3Al2O6→BaO+BaAl2O4,6BaO+W→Ba3WO6(钨酸钡)+3BaCaCO3 →CaO+CO2CaO+Ba3Al2O6+W →Ba2CaAl2O6(铝酸钡钙)+Ca3WO4(钨酸钙)+Ba2Ba3Al2O6+W →BaWO4+2BaAl2O4+3Ba(b)压制式钡钨阴极不需要分解激活,为了阴极具有良好稳定的发射,往往进行一定时间的老炼发射能力大致为:在950℃温度下,直流发射为1~3A/cm ,脉冲发射为3~5 A/cm ;在1050℃时,直流发射5 A/cm 左右,脉冲发射达10~15A/cm (半对)3、什么是储备式阴极?储备式阴极是指阴极内部储备有足够的活性物质,在阴极工作期间,可以不断的向阴极表面提供钡原子,以补充因蒸发,中毒,或离子轰击等引起的钡原子损失,从而使阴极保持稳定的发射能力。

(整理)《真空》教案.

(整理)《真空》教案.
0.5学时
0.5学时
0.2学时
0.2学时
0.2学时
0.4学时
本次课小结
作业、预习等
本课小结:通过学习使学生们掌握吸附泵和低温泵;了解抽气速率的测量;全面总结第三章的内容。
预习内容:真空的测量
第13次课
课时2学时
章节题目
第四章真空的测量
本次课
教学目标
通过学习本节内容使学生了解真空测量的概述,掌握U型管真空计和压缩式真空计(麦氏计)的工作原理、特点及应用。
2)按发布权限分。环境标准按发布权限可分为国家环境标准、地方环境标准和行业环境标准。通过学习本节内容使学生熟悉热传导真空计(电阻真空计和热偶真空计)的工作原理、特点及测量范围。
6.提出安全对策措施建议本次课
重点难点
热传导真空计的工作原理。
教学基本内容设计:
4.3热传导真空计
一.工作原理
二.电阻真空计
本次课
重点难点
真空泵性能参数;旋转式机械真空泵工作原理。
教学基本内容设计:
3.1概述
一、真空泵性能参数
1.抽气速率
2.极限压强
3.最大工作压强
4.压缩比:泵对给定气体的出口压力与入口压力之比
二、真空系统时间常数
三、真空泵分类
3. 2旋转式机械真空泵
一、工作原理
二、泵的特性及其应用
三、机械泵的改进
四、机械泵的常见故障和排除方法
本次课
重点难点
涡轮分子泵和离子蒸发泵的工作原理及应用。
教学基本内容设计:
3.5涡轮分子泵
一、工作原理
二、结构
三、工作特性
四、应用
3.6离子蒸发泵
一、工作原理
二、具体的泵

薄膜制备技术:第一部分 绪论 田民波

薄膜制备技术:第一部分 绪论 田民波
薄膜制备技术
教材: 薄膜技术与薄膜材料 田民波 薄膜制备技术基础 麻莳立男
薄膜材料与薄膜技术 郑伟涛
真空镀膜 李云奇
课程内容
第一章 绪论:薄膜发展史 第二章 真空技术基础 第三章 薄膜生长与薄膜结构 第四章 真空蒸镀(重点MBE,PLD) 第五章 离子镀和离子束沉积 第六章 溅射镀膜 第七章 化学气相沉积
薄膜压力传感器
薄膜可燃气体传感器
薄膜材料的功能分类
⑴ 电学薄膜
⑤ 薄膜太阳能电池
非晶硅、CuInSe2和CdSe薄膜太阳电池。
薄膜材料的功能分类
⑴ 电学薄膜
⑥ 平板显示器件
液晶显示、等离子体显示和电致发光显示三大类平板显示器件所用的 透明导电电极(ITO薄膜)、电致发光多层薄膜(包括ITO膜,ZnS: Mn等发光膜,Al电极膜等)组成的全固态平板显示器件及OLED显示 器件。 ITO薄膜
第一章: 绪论
薄膜技术发展历史
春秋战国时代,鎏金工艺
7世纪,溶液镀银工艺
1000多年前,阿拉伯人发明了电镀
第一章: 绪论-薄膜技术发展历史
19世纪中叶,电解法、化学反应法、真空蒸镀法等, 标志着薄膜技术的逐步成熟,但应用面仍很窄; 20世纪以来,特别是二战以后,随半导体技术的兴起,涌 现了以溅射法为代表的一大批新技术,在学术和实际应用 中取得丰硕成果;
薄膜材料的功能分类
薄膜分类(按功能及其应用领域):
⑴ 电学薄膜
① 半导体器件与集成电路中使用的导电材料与介质薄膜材料: Si、Al、Cr、Pt、Au、多晶硅 SiO2、Si3N4、Ta2O5、SiOF薄膜。
薄膜材料的功能分类
⑴ 电学薄膜
② 超导薄膜
铜基高温超导薄膜: YBaCuO; BiSrCaCuO ; TiBaCuO 铁基高温超导薄膜: LaFeOP;PrFeAsO0.89F0.11;FeSe。

第五章+真空等离子体与刻蚀技术

第五章+真空等离子体与刻蚀技术

反常辉光放电
反常辉光放电— ef段,电流增大 时,两个极板之间电压升高,而且阴极 电压降的大小与电流密度和气体压强有 关。 e点时,辉光已布满整个阴极,再 增加电流时,离子层已无法向四周扩散, 正离子层向阴极靠拢,与阴极间距离缩 短。 此时要想提高电流密度,必须增大阴极压降使正离子有更大的能量去 轰击阴极,使阴极产生更多的二次电子才行。
低温吸附泵(Cryopump或者Sorption)
由闭合循环冷冻机组成,冷 冻机的冷头一般维持在 20K 左 右,封装在泵体里并连接到真 空系统,通过低温凝聚气体分 子。 或者活性Al2O3 需前级泵,具有最高极限真 空度,无回油污染问题,但工 作后需再生处理(与腔隔离后, 经过加热和被抽吸以释放出吸 附的气体)。
辉光放电
在汤生放电之后,气体突然发生放电击 穿现象,电流大幅度增加,同时放电电压显 著下降。 放电的着火点— c点,放电区只是阴极 边缘和不规则处 前期辉光放电— cd段,电流增加而电 压下降,产生负阻现象,这是因为气体被击 穿,气体内阻将随着电离度的增加而显著下 降。 正常辉光放电区— de段,电流的增加与电压无关,只与阴极上产生辉光的表面 积有关。在这个区域内,阴极的有效放电面积随电流增加而增大,而阴极有效放电 区内的电流密度保持恒定。 在这一阶段,电子和正离子数目大大增加,在碰撞过程中转移的能量也足够高, 因此会产生明显的辉光,维持辉光放电的电压较低,而且不变。气体击穿之后,电 子和正离子来源于正离子轰击阴极产生大量二次电子,然后电子的碰撞使气体电离, 即使不存在自然电离源,放电也将继续下去。这种放电方式又称为自持放电。
对右图的真空系统,假定气流 以均匀压力p1流过腔室,一根管 道连接腔室和泵,泵的入口压 力位p2,则真空部件(管道)的 气体传导率为

真空作业指导书

真空作业指导书

真空作业指导书
第一章:引言
在现代科学与工程领域中,真空技术被广泛应用于各种工艺和实验中。

真空作业是指在恶劣的真空环境下进行的任务和操作。

本指导书旨在为从事真空作业的人员提供必要的指导和建议,以确保他们的安全和工作效率。

第二章:真空的基础知识
2.1 真空的定义和特性
2.2 真空的产生和维持
2.3 真空度的测量方法
2.4 真空泵的分类和选择
第三章:真空系统的搭建与调试
3.1 真空系统的组成与布局
3.2 真空密封件的选择与安装
3.3 真空系统的泄漏检测与排除
3.4 真空系统的泵浦与调试
第四章:真空作业的安全与注意事项
4.1 真空作业的风险评估与控制
4.2 真空作业的个人防护措施
4.3 真空系统的安全操作规程
4.4 真空泄漏事故的应急处理
第五章:真空作业的常见问题与解决方法
5.1 气体释放与吸附问题的处理
5.2 真空度不稳定的原因与解决方案
5.3 泵浦故障与维修方法
5.4 真空系统的常见故障与排除
结语
通过本指导书的学习和实践,相信读者能够掌握真空作业的基本知识和技能,提高工作效率和安全意识。

在进行真空作业时,务必严格遵守相关规定和操作规程,确保自身和他人的安全。

真空技术的不断发展和应用,将为科学研究和工程实践带来更广阔的空间和可能性。

让我们共同努力,推动真空技术的发展与创新。

参考文献:
[1] 真空技术手册. 北京:科学出版社,2018.
[2] 真空技术与应用. 北京:机械工业出版社,2019.
[3] 真空技术导论. 北京:高等教育出版社,2020.。

《真空》教案

《真空》教案
三.校准
四.测量范围
五.电离真空计的使用
六.电离真空计的特点
辅助手段和时间分配
0.5学时
0.5学时
0.2学时
0.5学时
0.2学时
0.1学时
本次课小结
作业、预习等
本课小结:通过学习使学生们掌握电离计的工作原理、基本结构及如何扩展测量上下限;了解电离真空计的使用及特点。
预习内容:超高真空热阴极电离真空计
辅助手段和时间分配
0.4学时
0.2学时
0.2学时
0.4学时
0.2学时
0.4学时
0.2学时
本次课小结
作业、预习等
本课小结:通过学习使学生们熟练掌握真空泵性能参数;掌握旋转式机械真空泵工作原理、特性及应用。
预习内容:机械增压泵
第9次课
课时2学时
章节题目
第三章真空获得
本次课
教学目标
通过学习本节内容使学生掌握机械增压泵。
0.5学时
本次课小结
作业、预习等
本课小结:通过学习熟练掌握气体分子运动论的基本原理;利用气体状态方程进行简单计算;了解理想气体、蒸汽;掌握气体的压强的定义、压强方程及道尔顿分压定律。
预习内容:麦克斯韦速率分布及平均自由程。
第3次课
课时2学时
章节题目
第一章真空技术的物理基础(一)----气体分子运动论
Gay-Lussac’s law
Charle’s law
Avogadro’s law
Equation of state of ideal gas
二、气体分子运动论的基本假设
三、理想气体
四、蒸汽
1.2气体的压强
辅助手段和时间分配
0.2学时

第五章 场致电子发射

第五章 场致电子发射

第五章 场致电子发射场致发射:依靠外加强电场压抑物体表面势垒,使势垒高度降低,势垒宽度变窄,这样物体内的电子通过隧道效应穿透过表面势垒而逸出。

优点:电流密度大,107A/cm 2,热发射,几百A/cm 2;冷阴极(无须加热阴极)问题:发射的稳定性,阴极寿命还未完全解决产生强电场的方法:1、 提高电压,发射体做成曲率半径很小的尖端形式。

2、 采用薄膜技术,缩短阴阳极间距离。

5.1 金属场致发射理论一、与经典理论的矛盾 加速场:肖特基效应||'εϕϕke e −=,)||44.0exp(0εT j j a = 1、 E 较强时,实验结果得出的电流大于上式2、 E 较强时,低温时(T<1000K ),电流与温度无关二、场致发射的定性解释 场致发射:)exp(2EB AE j E −= A ,B 是与φ有关的常数 E x 大于Wa 的电子,仍有可能被势垒反射回金属内部 E x 小于Wa 的电子,也可能“穿透势垒”而逸出――隧道效应势垒曲线a :零场,理查生-德施曼方式(势垒无限宽,考虑偶电层力,镜像力) 曲线b : 弱电场,肖特基效应(势垒高度降低,宽度变窄,只考虑了势垒高度的降低,是弱电场的热发射。

温度对发射的影响远大于电场对发射的影响)微粒性 势垒很宽:热反射电子数目》遂穿电子数目曲线c :低温、强电场,隧道效应(势垒高度进一步降低,宽度变窄到电子波长数量级,隧道效应起主要作用,隧穿电子数目)热反射电子数目,j 可达108A/cm 2,T<1000K 场致发射,温度对发射的影响则不大。

)波动性 曲线d :极强电场,成本高,没有必要隧道效应粒子能穿透比动能更高的势垒的现象,隧道效应是微观粒子具有波动性的表现,隧道效应对势垒宽度十分敏感如一个α粒子穿过一个势垒:V 0-E 势垒宽度a 透射系数|T|21MeV ~10-14m 10−41MeV ~10-13m ~10-38对于宏观物体,隧道效应在实际上已经没有意义。

真空镀膜技术与设备设计安装及操作维护实用手册

真空镀膜技术与设备设计安装及操作维护实用手册

《真空镀膜技术与设备设计安装及操作维护实用手册》作者:李云奇出版社:化学工业出版开本:16开精装册数:全三册 +1张光盘定价:798 元优惠价:360 元《真空镀膜技术与设备设计安装及操作维护实用手册》《真空镀膜技术与设备设计安装及操作维护实用手册》目录第一篇真空镀膜技术概论第一章真空镀膜技术及其应用第二章真空镀膜基础知识第三章真空镀膜常用塑料第四章真空镀膜常用涂料第二篇真空技术第一章真空基本知识第二章真空泵第三章真空系统第四章真空测量第五章真空检漏第三篇真空镀膜材料第一章薄膜材料的基本理论和特性第二章金属薄膜材料第三章介质和半导体薄膜材料第四章光学性能可变换的薄膜材料第四篇真空蒸发镀膜技术第一章真空蒸发镀膜原理第二章蒸发源第三章蒸发源的蒸发特性及其膜厚分布第四章某些特定材料的蒸发技术第五章间歇式真空蒸发镀膜机第六章半连续式真空蒸发镀膜机第五篇真空溅射镀膜技术第一章溅射技术第二章直流溅射镀膜第三章磁控溅射镀膜第四章射频溅射镀膜第五章反应溅射镀膜第六章磁场计算第七章水冷系统的设计与计算第八章膜厚均匀度第六篇真空离子镀膜和束流沉积技术第一章真空离子镀膜第二章离子束沉积技术第三章分子束外延技术第七篇化学气相沉积技术第一章化学气相沉积技术概论第二章化学气相沉积方法第三章低压化学气相沉积技术第四章等离子增强化学气相沉积技术第五章其它化学气相沉积法第八篇真空离子注入技术第一章真空离子注入技术概论第二章几种离子注入的新方法第三章离子注入装置第四章离子注入及离子束混合的应用第九篇薄膜微细加工技术第一章薄膜微细加工技术概论第二章离子束刻蚀第三章t糠酸溅射刻蚀第四章等离子体反应刻蚀第五章反应离子刻蚀第十篇薄膜厚度的测量与监控第一章电学测量法第二章光学测量法第三章机械测量法第十一篇真空镀膜设备设计安装与操作维护第一章真空镀膜设备构件设计第二章卷绕式真空镀膜机第三章间歇式真空镀膜机第四章真空镀膜设备安装调试与操作维修第十二篇真空镀膜技术在塑料薄膜和制成品上的应用第一章真空镀膜技术在塑料薄膜上的应用第二章真空镀膜技术在塑料成型品上应用。

5-5 真空电弧炉熔炼及其参数

5-5 真空电弧炉熔炼及其参数

实践证明:填充期的电弧电流仅占正常重熔期的30% 左右。因为这个时期的电弧功率主要是用于弥补热损 失来保持熔池表面部先行凝固为准则,而不是为了熔 化电极。 当然,小功率电弧操作一方面可以保持熔池表面处于 液态,另一方面也可以提供小量液态金属不间断地进 入熔池来填充由于凝固和结晶所造成的体积收缩。与 此同时,还可以保证锭材结晶方向不变,即保持锭头 结晶方向与锭身的一致性——逐渐由下而上地减少熔 池体积和深度,到停电时头部熔池减到最小。始终保 持熔池表面处于液态而不先行凝固还有利于头部气体 和夹杂作最后排除,这就保证了锭头纯度的提高。
3、头部填充期
头部填充期又称头部加热填充期,它是真空电 弧熔炼最后一期工艺操作。其任务在于防止头 部收缩和内部疏松,引导头部中的气体和夹杂 物作最后的排除从而确保头部质量与锭本体在 纯度和结晶质量上的一致性。 为完成上述各项任务,必须在重熔结束前的一 段时间里,采用尽可能小的电弧功率进行头部 加热填充操作,使熔化速度尽可能小。
2、自耗电极的制造方法
(1)难熔与活性金属电极的制造 粉末压制:粉末直接压制成型,粉末压制后经预烧结 脱气和热压制。 压制方法:用立式圆锥压模冲压成型法 、用卧式圆锥 压模冲压成型法 、立式正锥度圆形压模冲压成型 、水 静压力成型法 (等静压制法 ) 电极的联接:对小断面电极一般采用焊接法。即:在 真空或在氩气保护下用电弧焊,或在大气中用局部吹 氩或氢气保护下对焊。而大断面电极还设有专门焊电 极设备或者在自耗炉内之间对焊。
(2)钢及合金重熔用自耗电极的制造
钢与合金的自耗电极一般采用感应炉、电弧 炉,有时也采用电渣炉熔炼。将熔炼的钢水直 接铸成电极或钢锭。对于首先铸成钢锭的,则 在经锻造或轧制成所需要的尺寸的电极,然后 扒皮处理。供真空自耗炉重熔使用。 对高质量要求的高温合金和耐热钢而言,一般 认为采用真空感应熔炼为好。因为这种熔炼可 以保证高Al、Ti不致烧损,成分准确。

果蔬脆片生产工艺

果蔬脆片生产工艺
• 故:严格掌握果蔬内水分的扩散速率和表面蒸发 速率,尽量使两者大致相等。
第五章 果蔬脆片生产工艺
4影响脱水的因素 • 1)干燥介质温度的影响 • 干燥介质的温度对于燥速率有一定的影响,在果
蔬脱水初期,允许适当提高温度,但应避免温度 过高而产生胀裂、流汤、结壳等现象。 • 2)干燥介质相对湿度的影响 • 在一定温度下相对湿度越小,空气饱和差越大(相 对湿度每减少10%,饱和差增加100%),干燥速 度越快。 • 3) 果蔬本身的影响
• 另一方面对产品的影响是加工原料品种的 减少。适合于生产果蔬脆片的原料的种类 减少了。
第五章 果蔬脆片生产工艺
• 2.生产成本 个别品种的成本非常高。造成这种现象的
原因有两个:一是原料的成本高,如食用菌油 炸后味道鲜美,很受消费者喜欢。但是部分食 用菌价格偏高,成本负担很重。二是部分原料 的利用率低,产出成品太少造成的。
• 干燥的第二阶段为降速干燥阶段,此时蒸发出来 的是结合水,水分蒸汽压因水分结合力越来越强 而不断下降,这样,在一定干燥条件下,果蔬的 干燥速度会不断降低。
第五章 果蔬脆片生产工艺
• 2)果蔬温度变化 • 在脱水干燥过程中,水分要吸收汽化潜热
而成蒸汽,故在一定干燥条件下,果蔬表 面温度随时都有一个自动达到恰到好处的 平衡温度。在等速干燥阶段初期,表面温 度趋于某一定值。在降速干燥阶段初期, 表面温度瞬时趋于定值,在该阶段的后期, 表面温度升高。
第五章 果蔬脆片生产工艺
第二节 果蔬脆片生产方法
• 果蔬脆片技术:低温真空油炸法、加压减压膨化 法、微波膨化法等。
• 一、低温真空油炸法 • 利用速冻原理:使果蔬内部水分变成小冰晶体,
然后采用真空油炸(所用油可为棕榈油、棉籽油等 植物油),使果蔬的水分在真空状态下,经热油介 质的热传导,从内部迅速蒸发,同时水分强烈的 沸腾汽化,产生压强使组织膨胀,呈酥松状。 • 特点:在真空条件下油炸脱水,果蔬受热的温度 低、时间短,能较好地保留原果蔬的成分、营养 和风味。

05第五章 冷冻真空干燥(兽医生物制品学)

05第五章 冷冻真空干燥(兽医生物制品学)
装量有关。表面积大、厚度小有利于水分子升华,冻干容易而质量理想。 通常装量为容器容量的1/4-1/5,厚度不超过10mm。 (3)预冻速度
溶液物质在冻结过程中由于机械效应和溶质效应而对细胞的活性有 一定破坏作用,因此每种物质都有不同的最低预冻温度、最短预冻时间 和最佳预冻速度。
(2)~(3)三项数值可根据不同物质的共熔点、冻干机性能通过实验获 得。生物制品一般预冻时间为3-4h即可开始升华。
3.冻干曲线与时序 冷冻干燥过程实质是水的物态变化及转移过程,即含水物质先冻结成固
态,然后在真空下固态的冰升华为水汽,水汽再在冷疑器表面结成冰霜,待 冻干完成后,冰霜融化成水排出,而热量的传递则贯穿于冻干全过程。
冻干曲线和时序制定的依据及参数如下: (1)预冻速度和预冻时间
通常只能以预冻温度(低于共熔点温度)和装箱时间来推算确定。如 欲加快预冻,可将冻干箱预先降温,迅速装箱,在全部溶液物质冻结后再持 续最低温度2-3h。 (2)抽空时间
在冻干结束后即放人无菌干燥空气或氮气,开启冻干箱门,迅速加塞、 抽真空、封蜡,或加塞、压盖铝帽、再抽空。如制品数量多而封口时间过长 时,则可分批出箱或转移到另一干燥拒内后分批进行封口。
特点:
冷冻干燥技术在生物医学上应用具有许多特点。 1. 由于冷冻干燥全过程都在低温真空条件下进行,所以能有效地保护 热敏性物质的生物活性,如酶、微生物、激素等经冷冻干燥后生物活性 影响甚微。 2. 由于冷冻干燥在低温真空下进行,可有效地降低了氧分子对微生物、 酶等活性物质的作用,从而保护了物质的性状。 3. 物质是在冻结状态下升华干燥的,干燥物呈海绵状结构,体积几乎 不变,加水后能迅速溶解并恢复原来状态。 4. 通过冷冻干燥可除去需冻干制品中95%以上的水分,因此有利于 冻干物的长期保藏而不致变质。

真空技术的基本知识

真空技术的基本知识
某些真空泵系列对其抽气速率则以几何级数来分档。其单位是 “L/S”。共分18个等级,分别为0.2,0.5,1,2,4,8,15,30, 70,150,300,600,1200,2500,5000,10000,20000,40000。 真空泵系列有时也可用泵的入口尺寸来表示,其单位是“mm”。
例:2X一70 表示双级旋片式真空泵,抽气速率为70L/S。
利用真空与大气之间的压力差所产生的力可实现真空在下述 方面的力学应用。
具体应用: 1. 真空吸引和输运固体、液体、胶体和微粒; 2. 真空吸盘起重、真空医疗器械; 3. 真空成型,复制浮雕; 4. 真空过滤; 5. 真空浸渍。
中真空 1.33×102 ~1.33×10-1(Pa)
气体分子间,分子与器壁间的相互碰撞不相上下,气体分子 密度较小 。
1. 真空的含义及表征
1.1大气与真空 1.2真空度的表征及单位 1.3真空区域的划分
2. 真空的获得
2.1 真空获得设备 旋片泵 定片式真空泵 往复泵 罗茨泵 水环真空泵 分子泵 滑阀式真空泵 油扩散泵
2.2 真空泵的选型
第一章 真空技术的基本知识
3. 真空测量及其设备
3.1 什么是真空测量
高的压强;
1.3 真空区域的划分
划分依据:真空在技术上的应用特点、真空的物理特性、 真空获得设备和真空检测仪表的有效适用范围 (GB3163)
低真空 1.33×105 ~1.33×102(Pa)
低真空这种气体状态与常压状态相比较,只有分子数目由多 变少的变化,而无气体分子空间特性的变化,分子相互间碰撞频 繁。
2. 真空的获得
分子密度减小 分子数减少
抽走 化学反应
吸附 结晶 容积扩大
2.1 真 空 获 得 设 备

真空度测量实验的教学设计方案

真空度测量实验的教学设计方案

展望未来
技术发展
探讨真空技术在未来的发 展趋势 分析真空度测量技术的应 用前景
学生发展
鼓励学生继续学习和探索 真空度测量领域 提倡学生积极参与相关实 验和研究
社会影响
引导学生了解真空技术对 社会的重要性 鼓励学生积极应用所学知 识
创新思维
激发学生的创新意识和实 践能力 培养学生未来解决问题的 能力
01 常用方法
通过蒸发材料蒸汽压测量
02 原理简单
可适用于低真空度测量
03 精准度高
提供准确的真空度结果
气体法测量真空度
适用范围广
高真空度测量
原理复杂
气体在真空系统中的压力 测量
精度较高
提供精确的真空度数据
总结
真空度测量实验中,压力计的工作原理、抽气系 统的构成、蒸发法和气体法测量真空度是重要的 内容。了解这些基本原理和方法,可以帮助学生 更好地进行真空度测量实验,提高实验的准确性 和可靠性。
真空系统漏气
01 影响
实验数据不准确
02 维护
定期检查系统密封性
03 修复
及时解决漏气问题
实验结果的可靠性评价
数据分析
使用统计方法分析实验数 据
结果对比
与标准值进行对比分析
误差来源
分析误差来源,提出改进 方案
参考文献
查阅相关文献,验证实验 结果
总结与展望
通过对真空度测量实验的误差分析,可以提高实 验数据的准确性和可信度。在未来的实验中,我 们将进一步完善实验设计和操作流程,以提高实 验结果的可靠性,为研究工作提供更有力的支持。
● 06
第六章 总结与展望
实验总结
01 重要性分析
解释实验在课程中的作用

第五章 物理气相淀积(上)

第五章 物理气相淀积(上)

真空度:低于大气压的气体稀薄程度。 真空区域划分:粗真空、低真空、高真空、超高真空
1) 粗真空(1×105Pa~ 1×102Pa),气态空间的特性和 大气差不多,气体分子的平均自由程短; 2) 低真空(1×102Pa~ 1×10-1Pa),每立方厘米的气体 分子数为1016~ 1013个,此真空区域由于分子数减少, 分子的平均自由程和容器的尺寸相当; 3) 高真空(1×10-1Pa~ 1×10-6Pa),气体分子的平均 自由程大于一般容器的线度。 4) 超高真空(<1×10-6Pa),此时每立方厘米的气体分 子数在1010个以下,超高真空的用途之一是得到纯净的 气体,其二是可获得纯净的固体表面。
化学气相淀积(CVD):利用化学反应生成所需的薄膜 材料,常用于各种介质材料和半导体材料的淀积,如二 氧化硅、多晶硅、氮化硅等,但是随着CVD技术的发展, 其应用范围逐渐扩大。 物理气相淀积(PVD):利用物理机制制备所需薄膜材 料,常用于金属薄膜的制备淀积,包括蒸发和溅射等。
其它淀积技术还包括离子镀膜、溶液镀膜(化学反应沉 积、阳极氧化法、电镀法等)、旋转涂布法等 薄膜淀积是芯片加工过程中一个至关重要的工艺步骤 ,通过淀积工艺可以在硅片上生长各种导电薄膜层和绝缘 薄膜层。 各种不同类型的薄膜淀积到硅片上,在某些情况下, 这些薄膜成为器件结构中的一个完整部分,另外一些薄膜 则充当了工艺过程中的牺牲品,并且在后续的工艺中被去 掉。 在 SSI和 MSI IC时代,蒸发是主要的金属化方法。由 于蒸发台阶覆盖的特性差,所以后来被溅射取代。

kT 2d P
2
式中d为分子直径,P为腔体压强; n为单位体积内的气体分子数;式 中m为气体用,L为腔体的特征长度
真空的获得:
真空系统的组成:待抽空的容器(真空室)、获得真 空的设备(真空泵)、测量真空的器具(真空计)以 及必要的管道、阀门和其它附属设备 原理:当真空管道两端存在压力差的时候,气体会从 高压处向低压处扩散,形成气体流动 对于任何一个真空系统而言,都不可能得到绝对真空 (P=0),而是具有一定压强--称为极限压强(或 极限真空),这是该系统所能满足需要的重要指标; 第二个主要指标是抽气速率--指在规定压强下单位 时间所抽气体的体积,它决定抽真空所需要的时间。
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p
QL Se
(5-3)
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
Q 真空泵
(2) 封离型真空器件的容许漏率 设器件的容积为V,工作(或存储)寿命为t,器件刚封离时的压强为p0, 最高容许压强为pmax,容许漏率为
1 1 p p0 QL max ~ max V t 5 10
(5-4)
漏孔对真空系统的影响是相对的。某一漏孔对某个系统可能是不容许的, 但对另一个系统却可能是容许的。
2. 漏孔的漏率
漏孔的大小是用其漏率[Pa L/S或Torr L/S]来衡 量的。若有两个漏孔,不论它们的形状如何,只要漏率 相等,就认为这两个漏孔是同样的漏孔。 国际真空学会对于漏孔漏率的定义: 在漏孔一端的压强为101325Pa(±5%),另 一端为压强低于1013.25Pa, 露点低于-25℃的空气, 在温度为23 ±3℃时流过漏孔的流量。
这种方法的可检漏率为10-3-10 PaL/S。
•显色法(氨检法)
示漏气体用氨气,将溴酚蓝试 纸贴在容器可能有漏孔处。先将 容器抽到10Pa真空度,再充入 1.5-2kg/cm2的氨气,放置一 段时间,观察试纸是否出现斑点。 当放置时间为12小时时,可检最 小漏率为10-5PaL/S。
图5-4 显色法(氨检法)检漏
DP DA p
设系统抽速为S, R为电离计相对灵敏度,得
图5-5
S QL p R 1
设折合系数

DA D0 DP DA R 1 DA D0 DA D0 DA D0 S QL p (5-5)
D p D0

2 检漏响应时间 当示漏物质进入漏孔后,电离计的读数不会阶跃式的变化,而是逐渐变化的;原因是 示漏气体的扩散和流动需要一定时间,故示漏气体的分压强建立需要一定的时间。
图5-11 氦质谱分析室的结构
2 主要参数 (1) 检漏灵敏度 氦质谱检漏仪的最小可检漏率可达10-9PaL/S,是所有检漏方法中最灵敏的。 重要的是,这一灵敏度是在总压强为10-2Pa的情况下实现的。 (2) 响应时间与清除时间 设质谱室体积为V,氦的分压强为phe,真空系统对质谱室中氦气的有效抽 速为She,。当喷吹氦气以漏率QHe进入分析室后,氦的分压强变化如下:
第五章
真空检漏
5.1 漏孔对真空系统的影响
设真空系统对容器的有效抽速为Se,器壁放气率为 QD,漏气率为QL[Pa L/S],则真空泵抽走的总气体量 为Q=QD+QL,容器中能达到的极限真空度为
QD
p
QL Se
Q QD QL pu Se Se
Q
(5-1)
真空泵
假设系统经过有效的除气,QD可减小到可忽 略的程度,这时有
图5-1 真空系统压强与漏孔的关系
QL pu Se
(5-2)
可见,这时系统的极限真空度主要取决于漏孔漏气率的大小。
真空系统由多种元件、多种材料组成,在其连接处、焊接处等容易产生肉眼看 不到的极小的漏孔。要堵塞漏孔,首先要能检查出这些漏孔的位置,并在必要时判 断出其漏气率的大小,这一技术称为“真空检漏”。
0
0.5 1
p
图5-8 电离计的指示表
如果系统真空度只能达到10-4Pa量级(一般高真空系统所能达到的真空度), 则能够测量的最小压强变化量为5%×10-4Pa=5×10-6Pa,当S=1L/S,Φ=1时,相应 的最小可检漏率为5×10-6PaL/S. 所以,电离计检漏在实际应用中,能够达到的最小可检漏率为10-4-10-6PaL/S。
dpHe V S He pHe QHe dt
pHe
pHe
t QHe 1 e S He
(5-6) (5-7)
解得
停止喷吹氦气后
QHe t V e , 其中 为响应时间 S He S He
(5-8)
一般希望τ≤3秒
减小τ与增大氦分压强变化幅度是相互 矛盾的。
1. 真空系统漏气的判断 先将真空系统抽气,到达一定压强后, 将阀门关住,让系统与泵隔断。然后测量系 统压强的变化率: a. 压强保持原值:系统既不漏气, 也不放气; b. 压强的增加是放气所致; c. 压强的增加是漏气所致; d. 系统同时存在放气和漏气。 图5-2 真空系统漏气的判断
例:对某真空系统,关闭泵与系统间的阀门以后,在10分钟内测量压强的增 加量ΔP/Δt,如果ΔP/Δt< 2×10-5 Pa/min,则系统是不漏气的。
(图5-6)
(图5-7)
Pt呈对数函数变化,变化到最大值的1/e所需的时间称为“响应时间”τp。τp 和Δpt最大值与漏孔大小、抽速、容器体积等有关。
•容器越大、抽速越小,则τp越大,响应越慢; •漏孔越小,抽速越大,则Δpt最大值越小。 响应时间一般为几秒-几分钟;电离计读数变化可能很小。因此检漏需要仔细和耐心。
图5-10
(2)采用氦气作为示漏气体的原因 •氦在大气中的含量极少,只有二十万分之一。在一般材料的放气成分中, 氦气成分几乎为零。可以最大限度的避免对示漏信号的干扰,有利于提高 检漏灵敏度。 •在质谱图上,与氦质谱峰(A=4)相邻近的质量数的峰很少,距离也远, 因此氦质谱检漏仪的分辨率可设计得低些,以提高灵敏度。 •氦分子直径小,质量轻,扩散系数大,易于穿过漏孔。 •氦是惰性气体,不会与真空系统材料和其他气体发生化学反应,污染系统。 操作安全。 •氦离子的质荷比小,在磁分析器中偏转半径小,有利与减小磁分析器尺寸 和减小磁场。
换句话说,电离计检测示漏气体的的浓度灵敏度为5%。
4 高频火花检漏法
图5-9 高频火花检漏仪的原理电路
高频火花检漏仪适用于玻璃真空系统的检漏。
高频火花检漏仪可以用于玻璃真空系统的低真空粗略测量
表5-3
5.3 氦质谱检漏仪
1 工作原理 质谱计对示漏气体的浓度灵敏度达10-5(数十ppm),可以大大提高 对示漏气体的探测能力,氦质谱检漏仪就是专门用于检漏的磁质谱计。 与一般磁质谱计的不同之处,就是它的设计只用于探测He气,不扫描。 (1)结构
4. 检漏的目的
•确定系统或器件是否有漏孔; •找出漏孔位置; •必要时估计漏孔的大小。
5.2 检漏方法
1.高压强法 这类方法是在被检容器内充入压强高于一个大气压的示漏气体,观察 从容器漏孔漏出气体所导致的各种现象,判断漏孔的位置和大小。 •皂泡法 向被检容器内充入高压空气或氮气,把肥皂液涂刷到可能有漏孔的地方, 用人眼仔细观察。若有漏孔,将在不同的时间间隔内出现大小不同的皂泡。
2. 充分利用真空系统中的元件(如阀门,真空计),逐段、逐件分步检测。
3. 对新的真空系统检漏前应尽量减小系统的放气。 4. 注意是否存在虚漏。 5. 系统中的橡胶密封件对氦气的渗透率比较大,不要误判。 6. 对系统内的冷却水管检漏前,应将水排干,并用热风吹至干燥后再检漏。 7. 可运用四极质谱计,磁质谱计检漏。
表5-2
高压强法一般适用于金属大容器的检漏,不适用于玻璃容器。
5.2 真空计法和火花检漏法
1. 真空计法 真空计法是利用相对真空计对不同的气体有不同的灵敏度这一特性,进行检漏的 方法。一般真空系统都有电离真空计,这种方法不用另添设备,有很大的实用性。 在被检容器外侧喷吹示漏气体或涂抹示漏液体 (一般用乙醇),若有漏孔,示漏气体进入容器改变 了气体成分,由于电离计对不同气体的灵敏度不同, 导致电离计读数改变。设读数改变量为
P1
p 1> p 2
P2 QL
图5-3 漏孔的漏率
真空系统的漏孔一般是很小的,漏率<10-1Pa L/S;漏孔的孔径d一般为微 米量级,属于分子流漏孔。
在分子流下
2 r 3 RT QL v ( p1 p2 ), 而v 1.6 3 l M
故漏率与气体种类有关。如当He通过漏孔时,其漏率是空气的2.7倍。
表5-1
还可以使用其它的示 漏气体及相应的指示剂。
•保压法
被检容器充高压空气(或氮气)至4-7kg/cm2,用一阀门关闭充气管道, 用压力表测量容器内压强变化。
保压24小时后,如果压强没有有意义的变化,可认为容器不漏。
可检最小漏率为10-4PaL/S。
•水泡法
将充有高压气体的被检容器浸泡在水中,观察水泡出现的位置和冒泡的 速度,在不同压力下的漏率如表5-2所示。
3. 容许漏率
任何真空系统,要做到绝对没有漏孔是不可能的,也没有必要。只要漏孔 小到不足以影响系统的正常工作,则这种漏孔就是容许的。 (1) 动态真空系统的容许漏率 设被抽容器中的最高容许压强为pmax, 则容许的漏率为
1 1 QLmax ~ pmax Se 5 10
QD
3 真空计法的可检漏率
真空计法的最小可检漏率与系统的压强有关。 设用B-A计检漏,其最低量程是1×10-8Pa,能够 测量的最小压强变化量是5×10-9Pa(半小格)。假设 S=1L/S,Φ=1,则最小可检漏率为5×10-9PaL/S.但这 要求系统检漏时能抽到<1×10-7Pa的真空度。这是因 为电离计表读数的变化量要大于满刻度(10×108=1×10-7Pa)的5%(既5×10-9Pa),才能确定是有意 义的变化,否则可能是仪器本身噪声引起的变化。
图5-12 响应时间和清除时间
3 检漏方法 (1)真空法
•对小体积的被检容器,直接 接入氦质谱检漏仪。
•对大体积容器,用辅助真空 泵进行低真空预抽,提高工 作效率。
图5-13
(2) 压力法
适用于形状复杂,有细长 管道的系统。
图5-14
(3) 背压法 适用于小型密封电子器件的检漏。
图5-15 背压法原理
这种方法不适用于检大漏孔。
(4)氦罩积累法
图5-16 氦罩法原理
这种方法横很快确定器件是否有漏,灵敏度高,但不能确定漏孔 位置。适合于批量生产的产品检漏,且不需要找出漏孔位置的场合。 效率高。
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