IC辅助设计MOS管

目录

基本要求 (1)

拓展部分 (1)

具体内容 (1)

具体操作 (1)

最终代码 (5)

关于Idmax分析 (10)

基本要求

1.模拟接口实例ID / VGS曲线提取的阈值电压和其他SPICE参数

2. MOS晶体管的过程模拟

3. 工艺参数的提取

4.简单的ID / VGS VDS = 0.1 V曲线的生成

拓展部分

探究哪些参数能影响Idmax的增长

具体内容

*多晶硅栅是由简单的几何蚀刻。在这一点上模拟本质上是一维的，因此运行ATHENA的一维模式。之后，蚀刻，结构转换为二维网格。

*使用deckbuild自动界面过程模拟的结构将被传递到ATLAS。这界面因此允许从过程模拟全局优化SPICE模型参数提取装置仿真。

*末尾提取语句是用来计算在该点的氧化层厚度。返回的值被用来作为校准一个优化目标。

*电极在模拟的过程中最终定义。金属沉积和图形化。然后电极语句是用来定义金属区加多晶硅作为ATLAS电极。

*末尾提取语句是用来测量的阈值电压和其他SPICE参数。

具体操作

一. Mesh spectification

1. 打开网格定义窗口：右键点击commands—>structure->选Mesh

2. 在打开的mesh define界面，direction栏默认为x，location-栏输入,输入后记得按回车，输入输完之后按insert，再依次重复

点击view会看到网格显示窗口

二. Structure definition

区域定义

a：打开区域定义窗口：右键点击commands->structure->region

b:默认参数，点击write

电极定义

a：打开电极定义窗口：右键点击commands->structure->electrode

b:右键点击add electrode，选择anode 选定然后点击右菜单栏的->define loction xlow选择5 length选择2 然后点击write

c：按照刚才步骤，点击add electrode选择cathode点击write

掺杂

a:点击进入掺杂定义窗口：右键点击commands->structure->doping

b：选择uniform 栏conc输入5e16 栏polarity选择n点击write

三. Material model specification

设置材料模型、接触性质

a：点击进入模型定义窗口：右键点击commands->model->material b：定义硅和硅锗中电子空穴SRH复合寿命分别为1e-7s和1.e-8s c:定义物理模型

四.Initial solution

提供初值

a：打开初值定义窗口commands->solutions->solve

b:选择默认值，直接点击write

五.Gummel plot

数值方法定义

a：打开初值定义窗口commands->solutions->method

b：选择newton计算模型

最终代码

go athena

#

line x loc=0.0 spac=0.1 //定义网格

line x loc=0.2 spac=0.006

line x loc=0.4 spac=0.006

line x loc=0.6 spac=0.01

#

line y loc=0.0 spac=0.002

line y loc=0.2 spac=0.005

line y loc=0.5 spac=0.05

line y loc=0.8 spac=0.15

#

init orientation=100 c.phos=1e14 space.mul=2 //定义衬底,晶格方向100,浓度1e14

#pwell formation including masking off of the nwell // P阱形成包括N阱的掩膜

#

diffus time=30 temp=1000 dryo2 press=1.00 hcl=3 //退火生成氧化层,,时间30,温度1000,干氧氧化,HCl浓度3%

#

etch oxide thick=0.02 //刻蚀氧化层厚度0.02

#

//P注入

#

implant boron dose=8e10 energy=100 pears //离子注入,硼浓度8e10,100eV

#

diffus temp=950 time=100 weto2 hcl=3 // 退火,时间100,温度950,湿氧氧化,HCl浓度3%

#

//N注入

#

# welldrive starts here

diffus time=50 temp=1000 t.rate=4.000 dryo2 press=0.10 hcl=3

//退火,时间50,温度1000,干氧氧化,HCl浓度3%,0.1个大气压

#

diffus time=220 temp=1200 nitro press=1 //退火,时间220,温度1200,干氧氧化,HCl浓度3%,1个压强的氮气

#

diffus time=90 temp=1200 t.rate=-4.444 nitro press=1 //退火,时间90,温度1200,1个压强的氮气#

etch oxide all //刻蚀所有氧化层