模拟电子技术基础习题

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模拟电子技术基础习题及答案

第一章半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。

如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。

（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。

此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。

已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。

试求：（1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。

解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。

《模拟电子技术基础》习题答案

( RC // RL ) u i 0.76V rbe (1 ) RE
(1 )( RE // RL ) ui 0.994V rbe (1 ) RE
u o 2 Auo 2 u i
2. 6 如图题 2.6 所示的偏置电路中，热敏电阻 Rt 具有负温度系数、问能否起到稳定工作点的作用？
第 1 章习题及答案 1.1．在图题 1.1 所示的各电路图中 E＝5V，ui 10 sin t V，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压 u o 的波形。
+
R
+ D E + -
+
Байду номын сангаас
D
+ R E + -
ui
(a) + R
uo
-
ui
(b)
uo
-
+ D E + -
+
ui
(c)
uo
-
D
+ R E + -
I B IC /
U CB U CC I C RC U CC Rb 2 U CC ( Rb1 Rb 2 )
Rb 2 RC Rb 2 U CC U CC ( Rb1 Rb 2 ) Re ( Rb1 Rb 2 )
7
第 3 章习题及答案 3.1 电路如图题 3.1 所示。 T1 和 T2 参数一致且足够大。（1） T1 、 T2 和电阻 R1 组成什么电路，起什么作用？（2）写出 I c 2 的表达式。
Re
uo
-
(a)
(b)
图解 2.7 2. 8 如图题 2.8 所示 RS、Re、Rb1、Rb2、Rc、RL、UCC 均已知；求静态工作点 IC、IB、UCB。

模拟电子技术基础模拟综合试卷十套附答案

模拟综合试卷一一．填充题1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ，b 。

2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是a ,b 。

3．在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。

4．一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。

5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为。

6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。

7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压u i1=u i2,则输出电压为V；若u i1=1500µV, u i2=500µV，则差模输入电压u id为µV，共模输入信号u ic为µV。

8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。

9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。

10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最；组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受最高反向电压。

频带最宽的是组态。

二．选择题1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，I CBO,u BE的变化情况为（）。

A．β增加，I CBO,与u BE减小 B. β与I CBO增加，u BE减小C．β与u BE减小，I CBO增加 D. β、I CBO与u BE都增加2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（）A. 输入电阻B. 输出电阻C. 击穿电压D. 跨导3．双端输出的差分放大电路主要（）来抑制零点飘移。

A. 通过增加一级放大B. 利用两个C. 利用参数对称的对管子D. 利用电路的对称性4．典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（）。

A. 变大B. 变小C. 不变D. 无法判断5．差分放大电路的共模抑制比K CMR越大，表明电路（）A. 放大倍数越稳定B. 交流放大倍数越大C. 直流放大倍数越大D. 抑制零漂的能力越强6．负反馈放大电路以降低电路的（）来提高嗲路的其他性能指标。

电子技术基础(模拟部分)习题答案

一、填空1.杂质半导体分为N型和P型两种类型。

2.在下述电路中，能使二极管导通的电路是a。

3.在电路管、Ve=0.6V、Vc=5V，则该三极管处于放大工作状态。

4.衡量双极型三极管放大能力的参数是β，衡量其温度稳定性的参数是__I CBO ___。

5.N沟道J型FET工作在恒流区的条件是_u ds＞U GS（OFF）__，它的截止条件为__ u Gs≤U GS（OFF）__。

6.在基本OCL功放电路中，设电源电压为±15V，负载电阻R L=8Ω，则理想情况最大输出功率为_ 14.06 _ W，理想效率为78.5%_。

7.在集成电路中广泛采用的恒流源电路，在实际电路中，经常作为偏置电路和有源负载广泛使用。

8.通用型集成运放的输入级一般采用_差分放大电路_电路，其主要目的是抑制0点漂移。

９.为了稳定放大电路的静态工作点，可以引入直流负反馈_，为了稳定放大倍数应引人__交流负反馈_。

10.正弦波振荡电路就是一个没有输入信号的带选频网络的正反馈放大电路。

要使正弦波振荡电路产生持续振荡,必须满足的振幅平衡条件是_∣AF∣=1_，相位平衡条件是_ΦA+ΦF =0_。

11.在放大电路的设计中，主要引入_负__反馈以改善放大电路的性能。

此外，利用这种反馈，还可增加增益的恒定性，减少非线性失真，抑制噪声，扩展频带以及控制输入和输出阻抗，所有这些性能的改善是以牺牲_放大倍数__为代价的。

11.Ｎ型半导体是在单晶硅中掺入五价的微量元素而形成的，多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。

12.半导体PN结具有单相导电性特性。

13.在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5 V，锗二极管的开启电压约为0.1 V，14.晶体三极管基本放大电路有共射极、共集电极和共基极三种组态。

15.在差动式放大电路中，差模输入信号等于两个输人端信号的_之差_；共模输入信号等于两个输入信号的__和的一半_。

16.设计一个负反馈放大电路，若要稳定输出电压，应引入电压负反馈；若要稳定输出电流，应引入电流负反馈；若要增加输入电阻，应引入串联负反馈。

模拟电子技术基础试题及答案

(120)1．纯净的半导体叫（）。

掺入3价杂质元素形成的半导体叫（），它主要靠导电（）。

A．空穴B．本征半导体C．P型半导体D．自由电子2．PN结正偏时，多子的（）运动较强，PN结变薄，结电阻较（）。

A．扩散B．漂移C．小D．大3．三极管有（）和（）两种载流子参与导电，故称作（）极型晶体管；而场效应管称作（）极型晶体管。

A．双极B．空穴C．单极D．自由电子4．负反馈放大电路的含义是（）。

A．输出与输入之间有信号通路B．电路中存在反向传输的信号通路C．除放大电路之外还有信号通路D．电路中存在使输入信号削弱的反向传输信号5．一个放大电路的对数频率特性的水平部分为40dB，当信号频率恰好是上限频率时，实际电压增益为（）。

A．43dB B．40dB C．37dB D．3dB6．通常在下面基本组态放大电路中，输入电阻最大的是（）；输出电阻最小的是（）；高频特性最好的电路是（）。

A．共射电路B．共集电路C．共基电路D．共源电路7．集成放大电路采用直接耦合方式的原因是（）。

A．便于设计B．放大交流信号C．不易制作大容量电容8．功率放大电路互补输出级采用共集形式是为了使（）。

A．电压放大倍数大B．不失真输出电压大C．带负载能力强9．欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入（）；欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入（）。

A．电压串联负反馈B．电压并联负反馈C．电流串联负反馈D．电流并联负反馈10．为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用（）滤波电路。

A．带阻B．带通C．低通D．有源11．直流稳压电源的基本组成有变压器、整流、（）、稳压。

A．比较B．滤波C．调整(210)1．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

（）2．电路只要满足，就一定会产生正弦波振荡。

（）3．放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。

（）4．若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。

（）5．功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。

模拟电子技术基础试题汇总附有答案解析

模拟电子技术基础试题汇总一.选择题1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。

A 增大B 减小C 不变D 等于零2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D )A. 处于放大区域B. 处于饱和区域C. 处于截止区域D. 已损坏3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( B )A.放大区B.饱和区C.截止区D.区域不定4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。

( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生( B )失真。

( A)截止失真 ( B)饱和v失真 ( C)双向失真 ( D)线性失真6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。

A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。

B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。

C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。

D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。

7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。

A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻R b变高。

8. 直流负反馈是指( C )A. 存在于RC耦合电路中的负反馈B. 放大直流信号时才有的负反馈C. 直流通路中的负反馈D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B )A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声C. 反馈环外的干扰和噪声D. 输出信号中的干扰和噪声10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A )A. －2.5VB. －5VC. －6.5VD. －7.5V11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid 为( B )A. 10mVB. 20mVC. 70mVD. 140mV12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入( C )。

《模拟电子技术基础》习题册

第一章：基本放大电路习题1-1 填空：1．本征半导体是，其载流子是和。

载流子的浓度。

2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系。

3．漂移电流是在作用下形成的。

4．二极管的最主要特征是，它的两个主要参数是和。

5．稳压管是利用了二极管的特征，而制造的特殊二极管。

它工作在。

描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是、、、和。

6．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将。

7．双极型晶体管可以分成和两种类型，它们工作时有和两种载流子参与导电。

8．场效应管从结构上分成和两种类型，它的导电过程仅仅取决于载流子的流动；因而它又称做器件。

9．场效应管属于控制型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是控制型器件。

10．当温度升高时，双极性三极管的β将，反向饱和电流I CEO正向结压降U BE。

11．用万用表判别放大电路中处于正常放大工作的某个晶体管的类型与三个电极时，测出最为方便。

12．三极管工作有三个区域，在放大区时，偏置为和；饱和区，偏置为和；截止区，偏置为和。

13．温度升高时，晶体管的共设输入特性曲线将，输出特性曲线将，而且输出特性曲线之间的间隔将。

1-2 设硅稳压管D z1和D z2的稳定电压分别为5V和10V，求图1-2中各电路的输出电压U0，已知稳压管的正向压降为0.7V。

D Z1D Z225VU O1k Ω( )b D Z1D Z225VU O1k Ω( )c ( )d ( )a D Z1D Z225VU O 1k ΩD Z1D Z225VU O1k Ω图1-21-3 分别画出图1-3所示电路的直流通路与交流通路。

( )a ( )b( )c图1-31-5 放大电路如图1-5所示，试选择以下三种情形之一填空。

a ：增大、b ：减小、c ：不变（包括基本不变） 1．要使静态工作电流I c 减小，则R b2应。

2．R b2在适当范围内增大，则电压放大倍数，输入电阻，输出电阻。

模拟电子技术基础试题及答案

一、在括号内用“√”或“×”表明下列说法是否正确。

(1I)只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；( )(2)可以说任何放大电路都有功率放大作用；( )(3)放大电路中输出的电流和电压都是有由有源元件提供的；( )(4)电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的；( )(5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；( )(6)由于放大的对象象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都豪无变化；( )(7)只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。

( )【解答】(1)×。

放大的特征是功率的放大，电压电流其中一个或两个都放大都可称放大，但放大的前提条件是不能失真。

(2) √。

放大的特征就是功率的放大。

(3)×。

应该是由有源元件通过对输入信号的控制和转换得到的，而不是直接提供。

(4)×。

．(5) √。

设置合适的静态工作点。

(6)×。

任何稳态信号都可分解为若干正弦波的叠加。

(7)×。

二、试分析图T2．2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。

设图中所有电对交流信号均可视为短路。

，【解答1 (a)不能。

因为输人信号被VBB所影响。

(a)例1--3 为什么结型场效应管没有增强型的工作方式?能否用判别晶体管的简易方法来判别结型和绝缘栅型场效应管的三个电极?【解答】所谓增强型，即N沟道的场效应管必须在UGs>0的情况下才可能有导电沟道，P沟道的场效应管，必须在UGs<0的情况下才有导电沟道，在这两种情况下结型场效应管都将出现栅流，它不仅使场效应管失去了高输入电阻的特点，而且会造成管子损坏。

‘而对于绝缘栅型效应管，由于宦容易积累电荷形成高电压，以致造成击穿现象，所以不能用测晶体管的办法来检测。

对于结型场效应管，则可以用判定晶体管基极的方法判定它的栅极，但不能用判定集电极和发射极的方法来判断源极和漏极。

模拟电子技术基础部分练习题含答案

模拟电子技术基础部分练习题含答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、二极管在电路板上用( )表示。

A、CB、DC、RD、L正确答案：B2、根据作业指导书或样板之要求，不该断开的地方断开叫( )。

A、焊反B、短路C、开路D、连焊正确答案：C3、电感线圈磁芯调节后它的什么参数改变了？ ( )A、电流B、电压C、电阻D、电感正确答案：D4、三段固定集成稳压器CW7906的一脚是( )A、输入端B、公共端C、调整端D、输出端正确答案：B5、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。

A、截止区B、放大区C、截止区与饱和区D、饱和区正确答案：A6、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。

A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C7、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。

A、变压器的效率越高，各种损耗越小B、变压器在高频段和低频段的频率特性较中频段好C、变压器温升值越小，变压器工作越安全D、升压变压器的变比n<1正确答案：C8、在三极管放大电路中，三极管各极电位最高的是( )A、NPN管基极B、NPN管发射极C、PNP管集电极D、PNP管发射极正确答案：D9、衡量一个差动放大电路抑制零漂能力的最有效的指标是( )A、差模电压放大倍数B、共模电压放大倍数C、共模抑制比D、电路的对称性正确答案：C10、某三极管,测得其发射结反偏，集电结反偏，则该三极管处于( )。

A、放大状态B、截止状态C、饱和状态D、失真状态正确答案：B11、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、被烧坏B、电流基本正常C、击穿D、电流为零正确答案：B12、某多级放大电路的各级电压放大倍数分别为：1、100、-100，则总的电压放大倍数( )。

A、10000倍B、-10000倍C、1倍D、100倍正确答案：B13、共发射极放大器的输出电压和输人电压在相位上的关系是( )A、同相位B、相位差360°C、相位差90°D、相位差180°正确答案：D14、在基本放大电路中，集电极电阻Rc的作用是( )A、放大电流B、调节偏置电流IBQC、把放大的电流转换成电压D、防止输入信号被短正确答案：C15、在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。

(完整版)模拟电子技术基础--胡宴如-自测题答案

模拟电子技术胡宴如（第3版）自测题第1章半导体二极管及其基本应用1．1 填空题1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。

2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是空穴。

3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。

4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。

5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。

稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。

6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。

7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。

8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于650 Ω，交流电阻等于26 Ω。

1．2 单选题1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。

A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度D．晶格缺陷2．PN结形成后，空间电荷区由(D )构成。

A．价电子B．自由电子C．空穴D．杂质离子3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而(B )。

A．减小B．基本不变C．增大4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。

A．增大B．基本不变C．减小5．变容二极管在电路中主要用作(D )。

、A．整流B．稳压C．发光D．可变电容器1．3 是非题1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。

(√)2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

(×)3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。

(×)4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。

(×)1．4 分析计算题1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U D(on)=0.7V，试写出各电路的输出电压Uo值。

解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U0＝(6—0.7)V＝5.3 V。

模拟电子技术基础试习题汇总

欢迎阅读模拟电子技术基础试题汇总一.选择题1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将()。

A 增大B 减小C 不变D 等于零2.某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管()A.处于放大区域B.处于饱和区域C.处于截止区域D.已损坏3.某放大电路图所示.设V CC >>V BE,L CEO ≈0，则在静态时该三极管处于()A.放大区B.饱和区C.截止区D.区域不定S1S2模输入电压△υid 为()A.10mVB.20mVC.70mVD.140mV12.为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入()。

A.共射电路B.共基电路C.共集电路D.共集-共基串联电路13.在考虑放大电路的频率失真时，若i υ为正弦波，则o υ()A.有可能产生相位失真B.有可能产生幅度失真和相位失真C.一定会产生非线性失真D.不会产生线性失真14.工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运放通常工作在()。

A.开环或正反馈状态B.深度负反馈状态C.放大状态D.线性工作状态15.多级负反馈放大电路在()情况下容易引起自激。

A.回路增益F A 大B 反馈系数太小o V 为()。

A.125mVB.1000mVC.250mVD.500mV22.对于图所示的复合管，假设1CEO I 和2CEO I 分别表示T 1.T 2单管工作时的穿透电流，则复合管的穿透电流CEO I 为()。

A.2CEO CEO I I =B.21CEO CEO CEO I I I +=C.1CEO CEO I I =D.21)1(CEO CEO CEO I I I ++=β23.某仪表放大电路，要求R i 大，输出电流稳定，应选()。

A.电流串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流并联负反馈D.电压串联负反馈24.多级放大电路与组成它的任何一个单级放大电路相比，通频带()。

(A)变宽 (B)变窄(C)不变(D)与单级放大电路无关25.电流源电路的特点是输出电流恒定，交流等效电阻()。

模拟电子技术基础试题与答案

一、在括号内用“√”或“×”表明下列说法是否正确。

( )【解答】(1)×。

放大的特征是功率的放大，电压电流其中一个或两个都放大都可称放大，但放大的前提条件是不能失真。

(2) √。

放大的特征就是功率的放大。

(3)×。

应该是由有源元件通过对输入信号的控制和转换得到的，而不是直接提供。

(4)×。

．(5) √。

设置合适的静态工作点。

(6)×。

任何稳态信号都可分解为若干正弦波的叠加。

(7)×。

二、试分析图T2．2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。

设图中所有电对交流信号均可视为短路。

，【解答1 (a)不能。

因为输人信号被VBB所影响。

‘而对于绝缘栅型效应管，由于宦容易积累电荷形成高电压，以致造成击穿现象，所以不能用测晶体管的办法来检测。

对于结型场效应管，则可以用判定晶体管基极的方法判定它的栅极，但不能用判定集电极和发射极的方法来判断源极和漏极。

模拟电子技术基础习题册

模拟电子技术基础习题册(总28页)-本页仅作为预览文档封面，使用时请删除本页-专业姓名学号成绩1-1、写出如图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝。

1-2、在单相桥式整流电路中，已知输出电压平均值U O（AV）＝15V，负载电流平均值I L（AV）＝100mA。

（1）变压器副边电压有效值U2≈（2）设电网电压波动范围为±10％。

在选择二极管的参数时，其最大整流平均电流I F和最高反向电压U R的下限值约为多少1-3、电路如图所示，变压器副边电压有效值为2U2。

（1）画出u2、u D1和u O的波形；（2）求出输出电压平均值U O（AV）和输出电流平均值I L（AV）的表达式；（3）二极管的平均电流I D（AV）和所承受的最大反向电压U R m ax的表达式。

1-4、电路如图所示，变压器副边电压有效值U21＝50V，U22＝20V。

试问：（1）输出电压平均值U O1（AV）和U O2（AV）各为多少（2）各二极管承受的最大反向电压为多少1-5、试在如图所示电路中，标出各电容两端电压的极性和数值，并分析负载电阻上能够获得几倍压的输出。

1-6、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。

求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

专业姓名学号成绩1-7、已知图所示电路中稳压管的稳定电压U Z＝6V，最小稳定电流I Zmin＝5mA，最大稳定电流I Zmax＝25mA。

（1）分别计算U I为10V、15V、35V三种情况下输出电压U O的值；（2）若U I＝35V时负载开路，则会出现什么现象为什么1-8、电路如图所示。

（1）分别标出u O1和u O2对地的极性；（2）u O1、u O2分别是半波整流还是全波整流（3）当U21＝U22＝20V时，U O1（AV）和U O2（AV）各为多少（4）当U21＝18V，U22＝22V时，画出u O1、u O2的波形；并求出U O1（AV）和U O2（AV）各为多少1-9、电路如图所示，已知稳压管的稳定电压为6V，最小稳定电流为5mA，允许耗散功率为240mW，动态电阻小于15Ω。

模拟电子技术基础样卷讲解

《模拟电子技术基础》样卷一一、判断题（每题1 分，共 10分。

若提法正确，在括号内打√；提法错误，在括号内打×。

）1．外加反向电压，PN结中的耗尽层宽度将变宽。

（）2．当二极管的外加反向电压增加到一定值时，反向电流急剧增加（反向击穿），所以二极管不能工作在反向击穿区。

（）3．在H参数中，h ie为基极—发射极间的直流输入电阻。

（）4．场效应管是利用一种多子导电，其受温度的影响很小。

（）5．三种组态中，共基电路输入电阻最大。

（）6．为改善放大器的高频响应，应该增大三极管的结电容CπCμ。

（）7．两发射极之间串电阻后，可以扩大差分放大的线性范围。

（）8．设反馈系数为F ，电流负反馈时放大器输入阻抗上升1+F A 倍。

（）9．振荡器具有较稳定振荡的原因，是振荡系统中具有选频网络。

（）10．全波整流电路有4个整流管，所以流过每个整流管的电流为负载电流的四分之一。

（）二、填空题（每空1 分，共 10分）1．三极管的发射结，集电结时，三极管工作在饱和区。

2．已知一个场效应管的输出特性曲线，试判别：管型，U GS(off)或U GS(th)。

3．在交流放大电路中，若静态工作点选得太高，则容易产生失真，若静态工作点选得太低，则容易产生失真。

4．大信号差分放大器差模传输特性为函数。

5．电流负反馈放大器的输出电阻较。

6．运算放大器引入相位补偿的目的是为了。

7．管子的导通周期为称乙类。

8．同相比例运算电路的输入电阻为，输出电阻为零。

9．在理想情况下，当f→∞时的电压增益就是它的通带电压增益，这种电路属于滤波电路。

10．文氏电桥振荡器的振荡频率f0= 。

三、选择题（每题2分，共 10分。

在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将其字母标号写在题后的括号内。

）1．如果把一个二极管直接同一个电动势为1.5V、内阻为0的电池正向连接，则该管（）A、击穿B、电流为0C、电流过大使管子烧坏D、正常导通2．差分放大器左管输入电压+100mV，右管输入-300mV，其共模输入（）A、100mVB、-100mVC、200mVD、-200mV3．电流串联负反馈电路的放大参量为（）A、电压放大倍数B、电流放大倍数C、转移电阻D、转移电导4．希望单级运算电路的函数关系是ｙ＝ａ1ｘ1＋ａ2ｘ2—ａ3ｘ3（其中ａ1、ａ2、ａ3是常数，且为正值）应选用（）A、比例电路B、反相求和电路C、双端求和运算电路D、带通滤波电路5．在全波整流电容滤波电路中，如果有一个二极管开路，则输出电压（）A、极性改变B、等于零C、下降一半D、稍有下降四、分析计算题（共 70分）1．设图示电路中的二极管是理想的，输入电压为u i=5sinωt，画出输出电压的波形和该电路的电压传输特性曲线。

经典模拟电子技术基础知识总结习题(选择,填空,解答题)

模拟电子技术基础习题
第一章半导体二极管及其应用电路第六章运放应用电路
第二章
半导体三极管及其放大电路
第七章
功率放大电路
第三章
场效应晶体管及其放大电路
第八章
波形发生和变换电路
第四章
集成运算放大器
第九章
直流稳压电源
第五章
负反馈放大电路
第十一章～第二十一章
应用篇
第一章半导体二极管及其应用电路
一、填空：绝缘体之间的物导体和_______ 1．半导体是导电能力介于_______ 质。掺杂特性，制成杂质半导体；利 2．利用半导体的_______ 光敏特性,制成光敏电阻，利用半用半导体的_______ 热敏特性,制成热敏电阻。导体的_______ 导通，加反向电压时 3．PN结加正向电压时_______ 截止，这种特性称为PN结的单向导电 _______ _______ 特性。
饱和 8.当三极管工作在＿＿＿＿区时， UCE ≈0。发射极正向正向＿＿＿＿偏置，集电极＿＿＿＿偏置。 9.当NPN硅管处在放大状态时，在三个电极电位中，集电发射以＿＿＿＿极的电位最高，＿＿＿＿极电位最低，基发射＿＿＿＿极和＿＿＿＿极电位差等于＿＿＿＿。 0.7V 10.当 PNP锗管处在放大状态时，在三个电极电位中，以＿＿＿＿极的电位最高，＿＿＿＿极电位最低，发射集电 UBE等于＿＿＿＿。 -0.3V 三个电极的电位分别为 11.晶体三极管放大电路中 ,试判断三极管的 V ,V2 1.2V ,V3 1.5V 类型是＿＿＿＿，材料是＿＿＿＿。 1 4V 锗 PNP
T 10．单相桥式整流电容滤波电路，当满足 RLC （3～5） 2 时，负载电阻上的平均电压为_______。 A.1.1U2 B. 0.9U2 C. 1.2 U2 D. 0.45U2

模拟电子技术基础自测题及答案

自测题一一、判断题 1．因为P 型半导体的多数载流子是空穴,所以它带正电;2．在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体;1．半导体中的少数载流子产生的原因是 ;A ．外电场B ．内电场C ．掺杂D ．热激发3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将 ;A ．右移B ．左移C ．上移D ．下移4．当外加偏置电压不变时,若工作温度升高,二极管的正向导通电流将 ;A ．增大B ．减小C ．不变D ．不确定5．三极管β值是反映能力的参数;A ．电压控制电压B ．电流控制电流C ．电压控制电流D ．电流控制电压8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U 61=,V U 4.52=,V U 123=,则对应该管的管脚排列依次是 ;A ．e, b, cB ．b, e, cC ．b, c, eD ．c, b, e11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 ;A ．非饱和区B ．饱和区C ．截止区D ．击穿区1．在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 ;3．PN 结正偏导通,反偏截止,称为PN 结的性能;6．三极管最重要的特性是 ;8．场效应晶体管属于控制器件;自测题一一、判断题1.错2.对3.错二、单选题三、填空题1.掺杂浓度2.漂移3.单向导电性4.变窄5.削弱6.电流放大作用7.增大8.电压9.输入电阻高 10.增强型MOS管沟道增强型沟道增强型自测题二一、判断题1．晶体管的输入电阻r是一个动态电阻,故它与静态工作点无关;be2．放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;5．直接耦合放大电路只能放大直流信号,不能放大交流信号;二、单选题1．在基本共射放大电路中,负载电阻减小时,输出电阻将 ;A．增大 B．减少 C．不变 D．不能确定2．在基本共射放大电路中,信号源内阻减小时,输入电阻将 ;A．增大 B．减少 C．不变 D．不能确定6．晶体管能够放大的外部条件是 ;A．发射结正偏,集电结正偏 B．发射结正偏,集电结反偏C．发射结反偏,集电结正偏 D．发射结反偏,集电结反偏7．组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使 ;A．电压放大倍数高 B．输出电流小C．输出电阻增大 D．带负载能力强三、填空题1．要使三极管放大电路不失真,必须设置合理的 ;2．在三极管放大电路中,静态工作点过高会产生失真;3．若放大电路静态工作点选的过低,信号容易产生失真;4．基本共射放大电路,当温度升高时,Q 点将向移;5．若三极管发射结正偏,集电结也正偏则三极管处于状态;L 则其电压放大倍数 ;自测题二一、判断题1.错2.对3.错4.错5.错二、单选题三、填空题1.静态工作点2.饱和3.截止4.上5.饱和6.相同7.强8.越大 10.2H L ωωπ- 自测题三一、判断题1．测得两共射放大电路空载电压放大倍数均为－100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数应为10000;3．阻容耦合放大电路只能放大交流信号,不能放大直流信号;二、单选题1．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 ;A ．电阻阻值有误差B ．晶体管参数的分散性C ．晶体管参数受温度影响D ．受输入信号变化的影响2．组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使 ;A ．电压放大倍数高B ．输出电流小C ．输出电阻增大D ．带负载能力强3．多级放大电路与单级放大电路相比,电压增益和通频带 ;A ．电压增益减小,通频带变宽B ．电压增益减小,通频带变窄C ．电压增益提高,通频带变宽D ．电压增益提高,通频带变窄4．有两个放大器,空载时的输出电压均为3V,当它们接入相同的负载时,甲放大器的输出电压为2V,乙放大器的输出电压为1V,则说明甲比乙的 ;A ．输入电阻大B ．输入电阻小C ．输出电阻大D ．输出电阻小三、填空题1．在多级放大电路中,后级的输入电阻是前级的 ;2．在多级放大电路中,前级的输出电阻可视为后级的 ;3．为了放大从热电偶取得的反映温度变化的微弱信号,放大电路应采用耦合方式;5．多级放大电路的通频带比单级放大电路的通频带要 ;6．放大器级间耦合方式有三种：耦合；耦合；耦合；在集成电路中通常采用耦合;自测题三一、判断题1.错2.错3.对4.错二、单选题三、填空题1.负载2.信号源内阻3.直接4.好5.窄6.直接,阻容,变压器,直接自测题四一、判断题1．运放的共模抑制比c d CMR A A K 3．互补输出级应采用共集或共漏接法;4．对于长尾式差动放大电路,不论是单端输入还是双端输入,在差模交流通路中,射极电阻E R 一概可视为短路;二、单选题1．放大电路产生零点漂移的主要原因是 ;A ．放大倍数太大B ．采用了直接耦合方式C ．晶体管的噪声太大D ．环境温度变化引起参数变化2．为更好的抑制零漂,集成运放的输入级大多采用 ;A ．直接耦合电路B ．阻容耦合电路C ．差动放大电路D ．反馈放大电路3．差动放大电路的主要特点是 ;A ．有效放大差模信号,有力抑制共模信号B ．既放大差模信号,又放大共模信号C ．有效放大共模信号,有力抑制差模信号D ．既抑制差模信号,又抑制共模信号4．差分放大电路的长尾电阻的主要功能是 ,而提高共模抑制比;A ．抑制共模信号B ．抑制差模信号C ．放大共模信号D ．既抑制共模信号又抑制差模信号5．差动放大电路用恒流源代替E R 是为了 ;A ．提高差模电压放大倍数B ．提高共模电压放大倍数C ．提高共模抑制比D ．提高差模输出电阻6．集成运放电路采用直接耦合方式是因为 ;A ．可获得较高增益B ．可使温漂变小C ．在集成工艺中难于制造大电容D ．可以增大输入电阻三、填空题1．选用差分放大电路的原因是 ;2．差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的 ;3．共模信号是两个输入端信号的 ;4．互补输出级采用共集形式是为了使 ;8．差动放大电路两个输入端的信号mV u i 801=,mV u i 602=,则一对差模输入信号=-=21i i u u mV ;9．集成运放的输入级采用差动放大电路的主要作用是 ;10．集成运放的输出级多采用电路;13．差分放大器的基本特点是放大、抑制 ;自测题四一、判断题1.对2.对3.对4.对二、单选题三、填空题1.克服温漂2.差3.平均值4.带负载能力强5.好6.零点漂移7.无穷大 9.克服零漂 10.射极跟随器11.共模 11.输入级中间级输出级偏置电路 13.差模信号共模信号自测题五三、填空题1．理想运算放大器同相输入端接地时,则称反相输入端为端;2．理想运放工作在线性区,流进集成运放的信号电流为零,称此为 ;3．理想运算放大器的两条重要法则是 ;自测题五三、填空题1.虚地2.虚断3.净输入电压等于零和净输入电流等于零自测题六一、判断题2．既然电流负反馈稳定输出电流,那么必然稳定输出电压;二、单选题2．要得到一个由电压控制的电流源应选用 ;A．电压串联负反馈 B．电压并联负反馈C．电流串联负反馈 D．电流并联负反馈3．放大电路引入交流负反馈后将 ;A．提高输入电阻 B．减小输出电阻C．提高放大倍数 D．提高放大倍数的稳定性4．放大电路引入直流负反馈后将 ;A．改变输入、输出电阻 B．展宽频带C．减小放大倍数 D．稳定静态工作点5．引入电压并联负反馈后,基本放大器的输入、输出电阻的变化是 ;A．输入电阻增大,输出电阻增大 B．输出电阻增大,输入电阻减小C．输入电阻减小,输出电阻减小 D．输入电阻减小,输出电阻增大7．为使放大电路的输出电压稳定、输入电阻增大,需引入的交流负反馈是 ;A．电压串联 B．电压并联 C．电流串联 D．电流并联三、填空题1．在放大电路中,若要稳定放大倍数,应引入 ;2．在放大电路中,希望展宽频带,应引入 ;3．在放大电路中,如要减少输入电阻,应引入 ;6．引入电压负反馈可以稳定放大电路的 ;自测题六一、判断题1.对2.错3.错4.错5.错6.错二、单选题三、填空题1.交流负反馈2.交流负反馈3.并联负反馈4.电流负反馈5.增大6.输出电压自测题八一、判断题2．功率放大电路的主要作用是向负载提供足够大的功率信号;3．由于功率放大管处于大信号工作状态,所以微变等效电路方法已不再适用;4．在功率放大电路中,输出功率最大时,功放管的功率损耗也最大;二、单选题1．与甲类功率放大方式比较,乙类推挽方式的主要优点是 ;A．不用输出变压器 B．不用输出端大电容 C．无交越失真 D．效率高2．乙类放大电路是指放大管的导通角等于 ;A．360度 B．180度 C．90度 D．小于90度4．功率放大三极管工作在A．高电压、小电流状态 B．低电压、小电流状态C．低电压、大电流状态 D．高电压、大电流状态三、填空题1．输出功率为20W的乙类推挽功率放大器,则应选至少为瓦的功率管两个;,类推挽放大器;一、判断题2.对3.对4.错二、单选题三、填空题2.互补对称3.交越失真甲乙。

《模拟电子技术基础》习题参考答案

《模拟电子技术基础》习题及参考答案一、填空题：1.半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。

2.半导体中由漂移形成的电流是反向电流，它由少数载流子形成，其大小决定于温度，而与外电场无关。

3.PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为正向偏置（正偏），反之称为反向偏置（反偏）。

4.PN结最重要的特性是单向导电性，它是一切半导体器件的基础。

在NPN型三极管中，掺杂浓度最大的是发射区。

5.晶体三极管因偏置条件不同，有放大、截止、饱和三种工作状态。

6.晶体三极管的集电极电流Ic=βI B所以它是电流控制元件。

7.工作在放大区的晶体管，当IB 从10μA增大到20μA，IC从1mA增大到2mA，它的β为100，α为1。

8.通常晶体管静态工作点选得偏高或偏低时，就有可能使放大器的工作状态进入饱和区或截止区，而使输出信号的波形产生失真。

9.测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x、y、z对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏，则可判断出x、y、z分别为三极管的集电（C）极、基（B）极、发射(E)极。

10.一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为发射(E)极，B为基（B）极，C为集电（C）极。

11.稳压二极管工作在反向击穿区，主要用途是稳压。

12.稳压二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状态。

13.晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而下降。

共基极电路比共射极电路高频特性好。

14.场效应管的输出特性曲线可分为三个区：分别是可变电阻区、恒流区、击穿区。

15.电子线路中常用的耦合方式有直接耦合和电容耦合。

16.通常把与信号源相连接的第一级放大电路称为输入级，与负载相连接的末级放大电路称为输出级，它们之间的放大电路称为中间级。

17.某放大电路空载输出电压为4V，接入3KΩ负载后，输出电压变为3V，该放大电路的输出电阻为1KΩ。

《模拟电子技术基础》题库

《模拟电子技术基础》题库一、填空题1-12（第一章）1、杂质半导体有型和型之分。

2、PN结最重要的特性是__________，它是一切半导体器件的基础。

3、PN结的空间电荷区变厚，是由于PN结加了__________电压，PN结的空间电荷区变窄，是由于PN结加的是__________电压。

4、N型半导体中多数载流子是，P型半导体中多数载流子是，PN结具有特性。

5、发射结偏置，集电结偏置，则三极管处于饱和状态。

6、P型半导体中空穴为载流子，自由电子为载流子。

7、PN结正偏时，反偏时，所以PN结具有导电性。

8、反向电流是由载流子形成，其大小与有关，而与外加电压。

9、三极管是控制元件，场效应管是控制元件。

10当温度升高时，三极管的等电极电流I ，发射结压降UBE 。

11、晶体三极管具有放大作用时，发射结，集电结。

12、漂移电流是电流，它由载流子形成，其大小与有关，而与外加电压。

13-19（第二章）13、放大电路中基极偏置电阻Rb的作用是__________。

14、两级放大电路的第一级电压放大倍数为100，即电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB，第二级电压增益为26dB，则两级总电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB。

15、有偶数级共射电路组成的多级放大电路中，输入和输出电压的相位_________，有奇数级组成的多级放大电路中，输入和输出电压的相位__________。

16、电压负反馈稳定的输出量是__________，使输出电阻__________，电流负反馈稳定的输出量_______，使输出电阻__________。

17、稳压二极管是利用二极管的__________特性工作的。

18、晶闸管阳极和阴极间加__________，控制极加适当的__________，晶闸管才能导通。

19、在输入V2单相半波整流电路中，二极管承受的最大反向电压为V RM，负载电压为V O。

20-26（第三章）20、甲类功放的最大缺点是_______；21、双极型三极管是控制器件，场效应管是控制器件；结型场效应管的栅源极之间必须加偏置电压，才能正常放大工作。

模拟电子技术基础试题含答案

1、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为。

【】A. 83B. 91C. 1002、已知图所示电路中VCC＝12V，RC＝3kΩ，静态管压降UCEQ＝6V；并在输出端加负载电阻RL，其阻值为3kΩ。

选择一个合适的答案填入空内。

（1）该电路的最大不失真输出电压有效值Uom≈；【】A.2VB.3VC.6VU ＝1mV时，若在不失真的条件下，减小RW，（2）当i则输出电压的幅值将；【】A.减小B.不变C.增大U ＝1mV时，将Rw调到输出电压最大且刚好不失真，若此时增（3）在i大输入电压，则输出电压波形将；【】A.顶部失真B.底部失真C.为正弦波（4）若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可将。

【】A.RW减小B.Rc减小C.VCC减小3、互补输出级采用共集形式是为了使。

【】A.电压放大倍数大B.不失真输出电压大C.带负载能力强4、选用差分放大电路的原因是。

【】A.克服温漂B. 提高输入电阻C.稳定放入倍数5、当信号频率等于放大电路的fL 或fH时，放大倍数的值约下降到中频【】A.0.5倍B.0.7倍C.0.9倍即增益下降。

【】A.3dBB.4dBC.5dB6、在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的反馈是负反馈。

【】A．输入电阻增大B．输出量增大C．净输入量增大D．净输入量减小7、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。

【】A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.电源电压不稳定8、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是。

【】A. 基准电压 B 取样电压C基准电压与取样电压之差9、为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用。

【】A．共射放大电路 B. 共集放大电路C．共基放大电路10、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的【】A.差模放大倍数数值增大B.抑制共模信号能力增强C.差模输入电阻增大11、在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的反馈是负反馈。

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