半导体脉冲功率开关发展综述_梁琳

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SiC基反向开关晶体管RSD关键工艺概述

SiC基反向开关晶体管RSD关键工艺概述

SiC基反向开关晶体管RSD关键工艺概述梁琳;吴文杰;刘程;潘铭【摘要】本文首次概述了采用宽禁带半导体材料4H-SiC制备脉冲功率开关反向开关晶体管(RSD)所涉及到的关键工艺.包括选择性刻蚀、选择性掺杂、欧姆电极制备以及台面终端造型等在内的多步主要工艺均与Si基RSD完全不同,采用氟基气体感应耦合等离子体(ICP)刻蚀得到了合适的刻蚀速率、表面粗糙度及形貌,采用多次氮离子注入及高温退火完成选择性掺杂,采用Ni/Ti/Al多层金属配合适当退火温度完成欧姆电极制备,采用机械切割斜角完成台面终端造型,最终得到了合理的器件正反向阻断特性.【期刊名称】《电工电能新技术》【年(卷),期】2016(035)004【总页数】5页(P56-60)【关键词】SiC RSD;脉冲功率开关;工艺;ICP刻蚀;离子注入;台面终端造型【作者】梁琳;吴文杰;刘程;潘铭【作者单位】华中科技大学光学与电子信息学院,湖北武汉430074;华中科技大学光学与电子信息学院,湖北武汉430074;华中科技大学光学与电子信息学院,湖北武汉430074;华中科技大学光学与电子信息学院,湖北武汉430074【正文语种】中文【中图分类】TN335随着半导体开关性能的不断提高,近年来脉冲功率开关半导体化的趋势日益明显[1]。

常见的功率器件包括功率MOSFET、IGBT、IGCT、SITh等均可应用于脉冲功率领域[2],而基于反向可控等离子层开通的反向开关晶体管 (Reversely Switched Dynistor,RSD)更是直接针对高功率脉冲工况提出,具有兼顾高电压、大电流和高di/dt耐量的理想特性[3-5]。

我们曾经采用3吋Si基RSD堆体在12kV放电电压下成功通过173kA峰值电流[6],采用降低单只器件阻断电压、引入缓冲层以及两步法开通等多种方式从结构及应用层面改善器件特性[7]。

而要在器件的阻断特性和开关特性间取得更好的折中,应考虑采用新型材料。

脉冲功率技术的研究现状和发展趋势综述

脉冲功率技术的研究现状和发展趋势综述

脉冲功率技术的研究现状和发展趋势综述下载提示:该文档是本店铺精心编制而成的,希望大家下载后,能够帮助大家解决实际问题。

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功率半导体器件发展概述

功率半导体器件发展概述

功率半导体器件发展概述功率半导体器件是指能够承受较高电流和电压的半导体器件。

它们广泛应用于电力电子、汽车电子、航天航空等领域,具有高效率、小体积、轻量化等优势,对能源的高效利用和环境保护具有重要作用。

下面将对功率半导体器件的发展历程进行概述。

20世纪40年代,晶体管的发明和发展催生了功率半导体器件的诞生。

最早的功率半导体器件是由晶体管和二极管组成的,如功率晶体三极管和功率二极管。

这些器件应用于通信、电视、广播等领域,开启了功率半导体器件的发展之路。

20世纪50年代,随着半导体材料和制造工艺的不断改进,出现了一系列新型功率半导体器件,如功率MOSFET、功率势控晶体管(SCR)等。

这些器件具有更高的电压、电流承受能力,广泛应用于电力电子和工业自动化控制系统。

20世纪60年代至70年代,随着功率电子技术的进一步发展,功率半导体器件的性能得到了进一步提升。

功率MOSFET得到了广泛应用,功率MOSFET的开关速度和导通电阻都有很大改进,使其在高频率开关电源和高速交流电机等应用中具有重要作用。

此外,绝缘栅双极晶体管(IGBT)也成为功率半导体器件的重要代表,它结合了功率MOSFET和功率BJT的优点,具有低导通压降和高开关速度等优势,被广泛应用于交流变频调速系统。

20世纪80年代至90年代,功率半导体器件的发展受到了电子信息技术快速发展的推动。

新型器件的不断涌现,如GTO(大功率双极晶闸管)、SIT(静电感应晶体管)、电流模式控制晶闸管(IGCT)等,使得功率半导体器件在电动车、电力系统和工业自动化等领域得到了广泛应用。

进入21世纪以来,功率半导体器件的发展重点逐渐从性能提升转向能源效率和可靠性改进。

新型器件的研究和开发不断涌现,如SiC(碳化硅)功率器件、GaN(氮化镓)功率器件等。

这些器件具有更低的开关损耗和更高的工作温度,具备更高的效率和更小的体积,被广泛应用于新能源、新能源汽车等领域。

总的来说,功率半导体器件在过去几十年中经历了从晶体管、二极管到MOSFET、SCR,再到IGBT、GTO和新材料器件的发展过程。

半导体脉冲功率开关发展综述

半导体脉冲功率开关发展综述
频 提 出 了越 来 越 高 的要 求 ,更加 凸 显 出半 导 体 脉 冲 功 率 开 关 的 优 势 。例 如 , 10Hz 频 连 续 工 以 0 重 作 一 年 . 冲 数在 3 1 脉 × 0。 半 导 体 脉 冲 功 率 开 关 实 质 上 是 在 脉 冲 功 率 领 域 内应 用 的功 率 半 导 体 器 件 , 称 电 力 电子 器 件 , 或
况 ,包 括 几 种 专 为 脉 冲 功 率 领 域 设 计 的 器 件 和 用 于 脉 冲 功 率 的常 规 电力 电子器 件 。
图2 S R D工 作 电路
F g e ai g cr u t o h D i .2 Op r t i i f t e RS n c
a d SC-F . h tu tr n p rt g picpe o h RS a d S h tae e p cal p l d i h usd n i J ET T e srcu e a d o eai r il fte n n D n OS ta r s e ily a pi n te p le e
外 的发 展 都 极 为 活 跃 。 从 17 96年 起 , IE 由 E E主 办 的 国 际脉 冲 功 率 会 议 每 两 年 组织 召 开 一 次 。同
地将 已有 的 M r 发生器与传输线技术相 结合 。 a x 产 生 了持 续 时 间 为 纳 秒 级 的 大 功 率 脉 冲 ,为 脉 冲 功 率学科 的形成奠定 了基础。 脉冲功率技术 最初的研究吸引力来 自军事方 面 的应 用 ,例如产 生强流粒子束 或 闪光 x射 线 、
但 为适 应脉冲功率的工况 ,需满足高 的电流 上升 率、高的峰值 电流 、高的断态重复峰值 电压等要
求 ;微 秒 至 纳米 窄脉 宽 下 器 件 可 安 全 通 过 的 电流

半导体脉冲功率开关的最新进展

半导体脉冲功率开关的最新进展
1 1 国 内 外 产 品 现 状 .
目前 , 内外 商 用大 功率 晶 闸管 , 大芯 片直 径可 达 6i( n . 4mm)8, 阀 片的耐压 和通 流能力 也 国 最 n 1i=2 5 [ 单 ] 大 大提 高 。 中国南车 旗下 的株 洲南 车 时代 电气 股 份有 限 公 司 电力 电 子事 业 部 ( 洲 南车 时 代/ S 是全 球 第 株 C R) 1 研 制 出 6i 电流高压 晶 闸管 的专业 半导 体制 造 商 , 个 n大 其单 阀片最 高耐压 值达 到 了 1 V, 大通 流 能力 达 2k 最 到 了 6 8k . A。国 内外 知名 的部 分大 功率半 导 体器 件制 造商 推 出 的最 大 功 率 脉 冲功 率 晶 闸管 的对 比如表 1 所
中 图分 类 号 : T 3 M8 6 文献标志码 : A d i1 . 7 8 HP P 2 1 2 0 . 7 1 o :0 3 8 / L B 0 2 4 4 0 7
将 电磁 能量经 过 时空压 缩 而得 到的大 的功 率称 为 脉 冲功 率口 。脉 冲 功率 技 术产 生 于 2 ] 0世纪 3 0年 代 ,0 6 年代 之后 得 到迅速 发展 。现 在 , 冲功 率 已经是 一项 应用 十分 广泛 的技 术 。在 国防科研 、 脉 高新 技术 研究 和 民用 工业 等领 域都 有很 广泛 的应 用 , 如核物 理技 术 、 电磁 发射 与 电磁 炮 、 功率 激光 、 高 大功 率微 波 、 入 金 属离 子 以 注 及 x射线 仪 等 。脉 冲 功率 系 统一 般 包括 初 级 能源 、 率 调整 系 统 、 功 能量 储存 单 元 、 开关 、 冲形成 回路 和 负 载 脉 等几 部分 。作 为脉 冲功 率系 统核 心部 件 的开关 元件 在脉 冲 功率 系 统 中 占有特 殊 的地 位 , 这是 因为 开关 元 件 的 参 数 和特 性对 脉 冲的上 升时 间 、 幅值等 会产 生最 直接 最 敏感 的影 响 。开关 在 高 电压 、 电 流下 T作 ,r 条件 大 _作

RSD关断时间检测方法的改进研究

RSD关断时间检测方法的改进研究

RSD关断时间检测方法的改进研究汪恺;梁琳;余岳辉【摘要】在脉冲功率的重频应用中,开关的关断特性是至关重要的,其关断时间直接决定了可以获得的最高重复频率.文中通过软件仿真分析了影响反向开关晶体管RSD(reversely switched dynistor)关断时间的因素,同时为了更准确地测得RSD 的关断时间,在对其关断时间检测电路原理研究的基础上,提出了一种采用IGBT代替晶闸管(Thyristor)作为预充回路开关的改进测量方法.仿真结果表明RSD的关断时间随着器件少子寿命、主电流下降率dI/dt和工作电压的增大而增大.实验测得了正向阻断电压为2 000 V的RSD在IGBT开通时间分别为20μs、40 μs和50 μs下的电压电流波形及关断时间.【期刊名称】《通信电源技术》【年(卷),期】2013(030)002【总页数】5页(P1-5)【关键词】脉冲功率;反向开关晶体管;关断时间【作者】汪恺;梁琳;余岳辉【作者单位】华中科技大学光学与电子信息学院,湖北武汉430074;华中科技大学光学与电子信息学院,湖北武汉430074;华中科技大学光学与电子信息学院,湖北武汉430074【正文语种】中文【中图分类】TN3350 引言作为半导体脉冲功率开关器件,RSD不仅同时兼顾了几十kV高电压、几百kA大电流、几十至上百kA/μs的电流上升率,还保证了μs甚至ns级的开通时间,这使得它在脉冲功率领域得到了广泛的应用[1]。

RSD由数万个晶闸管单元和晶体管单元交替构成,其开通基于可控等离子层换流原理,可实现芯片全面积均匀同步导通[2]。

而在脉冲功率的重频应用中,开关的关断特性是至关重要的,其关断时间直接决定了可以获得的最高重复频率[3]。

本文在对RSD关断时间检测电路原理研究的基础上,通过仿真和实验,旨在研究RSD的关断特性,分析影响其关断时间的因素,并搭建和改进RSD关断时间检测平台。

1 RSD关断时间检测电路的原理与改进设计1.1 RSD关断时间检测原理RSD的开通基于可控等离子层换流原理,可分为预充阶段和导通阶段[4,5]。

脉冲功率电路参数对RSD开关预充时间的影响研究

脉冲功率电路参数对RSD开关预充时间的影响研究

I 磷 舞 薯
脉 冲 功 率 电 路 参 数 对 RS 开 关 预 充 时 间 的 影 响 研 究 D
彭亚斌 , 梁 琳 , 岳 辉 余 ( 中科 技 大 学 电子 科 学 与 技 术 系 , 华 湖北 武 汉 4 0 7 ) 3 0 4 摘 要 :文章 介 绍 了高 功 率 半 导 体 脉 冲功 率 开 关一 向 开 关 晶 体 管 ( v reyS th dD ns rR D) 工 作 原 理 , 反 Reesl wi e y i o , S 的 c t 分
Re e r h o he Efe to r m e e fPu s w e r u t o i g rng Ti e o s a c n t f c fPa a t r o l e Po r Cic i n Trg e i m fRSD
PE NG i ,II Ya b n ANG i I n。YU e h i Yu - u
响 较 明 显 , 算 结 果 与 实验 结 果 最 大误 差 为 5 , 明通 过 低 压试 验 结 果 的 计 算 , 较 准 确 地 预 测 高压 试 验 的 , 。 计 表 可 r K 关 键 词 : 向 开 关 晶 体 管 ; 冲 功 率技 术 ; 开 关 反 脉 磁
中 图分 类 号 : 4 TN 6 文 献标 识 码 : A
析 了 R D脉 冲功 率 电路 的 特 性 。 由磁 开 关 的 电 压 电流 , 到 了磁 开 关 的 动 态 电 感 与 电 流 的 量 化 曲 线 , M A S 得 在 TI AB仿 真
平 台, 分别建 立了磁 开关动 态电感模型 、 S R D脉冲功 率电路模型 。计 算 了主 回路 元件参数对 R D开关的预 充时间 1 S 1 R的 影 响 。计 算 结 果表 明 , 回路 电 阻 负载 在 0 0 ~ 1n 变 化 时 , R变化 很 小 , 回 路 电感 和 1Q 以上 的 主 回路 电 阻 对 影 主 .1 丁 主

高速大功率半导体开关RSD的di/dt耐量极限值

高速大功率半导体开关RSD的di/dt耐量极限值
t n o ls ioa rf a d t ec ic lc n iin o tr dc ag .Wea ay e h n le c a t r f id e r go i fp amabp lrd it n h rt a o dto fso e h r e o i n lzd t eif n efco so / tb ai f u d n
( ah n iest fS in e & Te h oo y, u a 3 0 4. ia Hu z o g Unv r i o ce c y c n lg W h n 4 0 7 Chn )
Ab tat src :Weg t h x r s i f id e r go us dp we e c n u t r wi h R D whc s a e ne u — e t ee p e s n o d / t a i f le o r mi d co t S i i b s do q a o b n p s o s c h
式。从 外电路和 器件 结构本身两方 面分析 了 R D的 d/ t S id 耐量 的影 响 因素, 并提 出 了改善 d/ t id 耐量的措 施 棚4 结果证 试
明 了理 论 分析 的 正 确 性 。
关键 词 : 脉冲功率技 术 ; S 半导体 开关 ;id 特性 RD d/ t
中 图分 类 号 : N3 5 T 3 文 献 标 识 码 :A
1 1 R D 结构及 工 作过 程 . S 从结构上看 , S R D包 括 数 万 个 相 间 排 列 的 晶 闸
管和爆炸式开关等开关速度虽然非常快 , 但使 用寿命 非常短。普通 晶闸管的使用寿命很长 , 但其 d/ t id 耐 量 一般在 几 十至几 百 A/ s其 无法 做得 很 高 的原 因与 , 晶 闸管 的结 构及 导通 机理 有关 。普 通 晶 闸管是通 过 在 门极加一个触发脉冲, 门极 附近先形成等离子体导 在 流 通道 , 然后 这一 导 流通 道逐 步扩 展 。然 而 , 这一 扩 展 速 度# r 0 1 00 5 Ob(. ~ .0 mm/ s 。这 种 局 部 化 现 象使 /) , 得 不可 能在 短时 间 内建立 大 面积 的导 流通 道 。 前苏联阿 ・ ・ 法 约物理科 学 院格列 霍夫等人设 计 出一 种 新 器 件 RS R v re wi h dD ntr 。 D( e esl S t e y i ) y c o 该器件利用 在预 充 阶段 形成 的等 离子体 层触 发 , 其 d/ t 量 可 以 做 得 很 高 。资 料 报 道 , S 的 d/t id耐 RD id 可 达 6) A/ s比普 通 晶 闸 管 高 两 个 数 量 级 。如 此 (k / ,  ̄ 高 的 d/ t 其可 应 用 于 大 电 流 脉 冲放 电领域 。R D id 使 S 的 d/t id 特性 不 仅 和 器件 本 身 有 关 , 且 还 和 外 电 路 而 参 数 有着 直 接 的关 系 。本 文 从 器 件 和 外 电路 两 方 面 出发 , 究 R D的 d/t 性 及 提 高 d/ t 量 的措 研 S id 特 id 耐

功率半导体器件发展历程

功率半导体器件发展历程

功率半导体器件发展历程功率半导体器件是一种能够在高电压和高电流条件下工作的半导体器件。

它们在电力电子领域中起着至关重要的作用,用于控制和转换电能,广泛应用于电力系统、工业控制、交通运输和可再生能源等领域。

功率半导体器件的发展历程可以追溯到上个世纪,经历了多个阶段的技术突破和创新。

最早的功率半导体器件之一是晶闸管,它于1957年由美国贝尔实验室的研究人员发明。

晶闸管是一种双向导通的器件,可以控制大电流,用于交流电路的控制和开关。

然而,晶闸管存在一些局限性,如开关速度慢、损耗大等问题,限制了其在高频高效率应用中的发展。

随着功率半导体器件技术的不断进步,20世纪60年代出现了晶闸管的改进型——双向可控硅(SCR),它具有更好的性能和可靠性,被广泛应用于交流电路的控制和调节。

在此基础上,又发展出了双向可控晶闸管(TRIAC),用于交流电路的双向控制。

20世纪70年代,随着功率半导体器件技术的进一步发展,出现了场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等新型功率器件。

MOSFET具有高速开关、低损耗和高频特性,适用于直流和低频交流电路。

而IGBT结合了场效应晶体管和双极型晶体管的优点,具有高压高频特性,成为目前最常用的功率开关器件,被广泛应用于电力变频调速、电动汽车、风力发电等领域。

近年来,随着功率半导体器件技术的不断创新和进步,出现了SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)等新材料的应用,使功率半导体器件在高温、高频、高压等极端环境下表现出更优异的性能,为电力电子领域的发展带来了新的机遇和挑战。

总的来说,功率半导体器件经过多年的发展历程,从晶闸管到IGBT,再到SiC和GaN等新型器件,不断推动着电力电子技术的进步和应用领域的拓展。

随着新材料和新技术的不断涌现,功率半导体器件必将在未来发展出更加高效、可靠和智能的产品,为人类社会的可持续发展做出更大的贡献。

湖北省2009年优秀博士学位论文名单(第11批)

湖北省2009年优秀博士学位论文名单(第11批)

附件1:湖北省2009年优秀博士学位论文名单(第11批)(109篇)序号论文题目作者指导教师所在单位001 基于量子点的多功能纳米生物探针的构建及其对细胞的识别和分选宋尔群庞代文武汉大学002 壳聚糖基层状硅酸盐纳米复合材料及其功能化应用王小英杜予民武汉大学003 探寻日常生活之幸福-菲力普·德莱姆与细微主义写作吴娟杜青钢武汉大学004 全息技术制备微结构光学材料的设计与实现杨奕汪国平武汉大学005 我国人文社会科学研究成果评价体系研究任全娥邱均平武汉大学006 先秦公私观念与儒家公共哲学试探陈乔见郭齐勇武汉大学007 实流形在复流形中的全纯不变量尹万科黄孝军武汉大学008 鼠疫与伦敦城市公共卫生(1518-1667)邹翔陈勇武汉大学009 集成影像与LiDAR数据重建三维建筑物模型研究程亮龚健雅武汉大学010 自主与创新:中国广告产业发展研究廖秉宜张金海武汉大学011 同型半胱氨酸及其代谢影响因素在炎症性肠病发病机制中的作用陈敏夏冰武汉大学012 欧盟司法与内务合作探析周勇罗志刚武汉大学013 水稻胚胎发育过程中基因表达分析及OsMT2b基因的功能研究袁静赵洁武汉大学014 网络式软件的需求元建模框架及关键技术研究王健何克清武汉大学015 矩形截面超高层建筑涡激振动风洞试验研究吴海洋梁枢果武汉大学016 地方公共部门效率与财政分权:基于中国的实证研究龚锋卢洪友武汉大学017 氧化锌低维结构的可控制备及其光致发光与场致电子发射性能研究李春方国家武汉大学018 DNA 毛细管电泳分离介质及固相萃取技术研究余胜兵胡继明武汉大学019 NaOH/尿素水溶液对纤维素的溶解及新材料研究祁海松张俐娜武汉大学020 半导体量子点激子相干动力学和光发射统计特性程木田王取泉武汉大学021 基于EA的政府信息资源规划研究裴雷马费成武汉大学022 复杂环境电磁辐射与散射问题混合算法研究与工程优化设计陈海涛朱国强武汉大学023 液相微萃取技术及痕量/超痕量元素与形态分析夏林波胡斌武汉大学024 一种新型的钯催化氧化交叉偶联和羰基化反应的研究赵应声雷爱文武汉大学025 一类动力学方程及流体力学方程解的Gevrey正则性李维喜陈化武汉大学序号论文题目作者指导教师所在单位026 基于Web2.0的信息服务研究刘高勇胡昌平武汉大学027 卫星测高波形处理理论研究及应用褚永海李建成武汉大学028 iNOS在氧诱导视网膜病变中的作用及其机制研究贺涛邢怡桥武汉大学029 基于铌酸锂光波导的高速全光信号处理技术研究王健孙军强华中科技大学030 热休克蛋白60抗原、抗体和70抗体在冠心病发病中的作用——自身免疫反应的特征张晓敏邬堂春华中科技大学031 燃煤细微颗粒物的模态识别及其形成机理于敦喜徐明厚华中科技大学032 蛋白磷酸酯酶2A 的酪氨酸磷酸化修饰在Alzheimer病发病中的作用刘蓉王建枝华中科技大学033 随机微分方程的同胚流及其应用乔会杰张希承华中科技大学034 基于半导体光放大器和光学滤波器的高速全光信号处理董建绩黄德修华中科技大学035 SMES在电力系统中应用的理论与实践基础性研究石晶唐跃进华中科技大学036 大学场域的游离部落——研究型大学青年教师发展现状及应对策略研究张俊超刘献君华中科技大学037 江永勉语与汉语的接触与演变谭晓平尉迟治平华中科技大学038 蓝藻藻蓝蛋白和变藻蓝蛋白生物合成的研究苏平赵开弘华中科技大学039 复杂网络的稳定与控制研究张皓关治洪华中科技大学040 ERβ基因衰老性甲基化对结肠癌细胞雌激素信号传导通路的表观遗传学调控的研究翟荣林王国斌华中科技大学041 自抗堵滴灌灌水器设计及快速开发成套技术研究魏青松史玉升华中科技大学042 光学成像研究大鼠皮层激活与缺血后的血流动态变化骆卫华曾绍群华中科技大学043 阈值协整及其对我国的应用研究欧阳志刚王少平华中科技大学044 多元混合气体声学特性的数值模拟研究鄢舒王殊华中科技大学045 煤粉炉内三维温度场及颗粒辐射特性重建娄春周怀春华中科技大学046 脉冲功率开关RSD机理与关键技术研究梁琳余岳辉华中科技大学047 金属氧化物纳米颗粒的神经毒性研究李晓波徐顺清华中科技大学048 电场激发与压力辅助燃烧合成MoSi2及其复合材料的研究胡侨丹严有为华中科技大学049 几种金属硫化物纳米结构的控制合成与性能研究赵平堂黄开勋华中科技大学050 对等网络环境下高效资源共享机制研究宋伟卢正鼎华中科技大学051 自旋电子学材料的第一性原理研究高国营姚凯伦华中科技大学052 胡适言论自由思想研究吴麟孙旭培华中科技大学053 人脑胶质瘤及其肿瘤干细胞Livin基因与化疗耐药关系研究靳峰赵洪洋华中科技大学054 多层逆向物流网络优化设计研究何波杨超华中科技大学055 DDPH对慢性脑缺血后大鼠学习记忆及海马突触传递功能的影响及其机制研究何治郭莲军华中科技大学056 抑制蛋白酶小体对大鼠海马tau蛋白和β-淀粉样肽的影响及机制研究刘英华王建枝华中科技大学057 北苏鲁乳山辉长-闪长岩及其基性岩石包体的锆石U-Pb年代学和地球化学研究汤华云郑建平中国地质大学058 华南二叠-三叠纪之交牙形石演化研究江海水赖旭龙中国地质大学059 新型拓扑结构金属-有机框架化合物及其性能研究王贤文陈敬中中国地质大学060 大同盆地浅层地下水环境中砷的来源与迁移转化规律研究谢先军王焰新中国地质大学061 超声波电镀镍基金刚石钻头工艺与机理研究方小红杨凯华中国地质大学062 基于模式识别算法的高频瑞雷波频散曲线非线性反演研究宋先海顾汉明中国地质大学063 船舶柴油机瞬时转速和热力参数监测诊断技术研究余永华杨建国武汉理工大学064 非金属掺杂TiO2粉体及薄膜的低温制备、结构与性能表征谢毅赵修建武汉理工大学065 复合累托石颗粒材料的制备及处理铜冶炼工业废水的研究王湖坤龚文琪武汉理工大学066 p型Ge基I-型笼合物的制备、结构及热电性能邓书康唐新峰武汉理工大学067 包覆式ZrB2-Y A G-Al2O3陶瓷的制备及其性能评价宋杰光张联盟武汉理工大学068 制造网格资源服务优化配置理论与应用研究陶飞胡业发武汉理工大学069 基于Web的本体学习研究傅魁聂规划武汉理工大学070 出现在辐射气体中的一个双曲椭圆耦合方程组解的渐近行为阮立志朱长江华中师范大学071 具阻尼的p-方程组解的渐近行为及最优衰减率蒋咪娜朱长江华中师范大学072 现代汉语受事宾语句中论元共现规律及管控机制研究朱军储泽祥华中师范大学073 社会性别视角下的教育传统及其超越周小李杜时忠华中师范大学074 新型三唑啉酮和四唑啉酮衍生物的合成及生物活性研究骆焱平杨光富华中师范大学075 多维视域下的有标选择复句研究尹蔚邢福义华中师范大学076 教育多元筹资问题研究--兼论第三部门在教育筹资中的作用唐斌范先佐华中师范大学077 论亨利·菲尔丁小说的伦理叙事杜娟聂珍钊华中师范大学078 论教育管理的伦理基础金保华孙绵涛华中师范大学079 水稻抗病相关基因的分离克隆和功能鉴定丁新华王石平华中农业大学080 棉花体细胞胚发生与合子胚发育相关基因的鉴定、克隆与功能分析曾范昌张献龙华中农业大学081 微囊藻毒素对鱼类和哺乳动物致毒效应的比较研究张学振王卫民华中农业大学082 二球悬铃木LFY及MADS-box同源基因克隆、功能验证及其系统进化研究李志能包满珠华中农业大学083 根瘤菌共生信号在豆科植物百脉根中的传递及其作用机制的研究朱辉张忠明华中农业大学084 常压下钙锰矿化学形成的影响因素研究崔浩杰刘凡华中农业大学085 甘蓝型油菜基因组中开花期QTL的检测和分析龙艳孟金陵华中农业大学086 支气管败血波氏杆菌的重组沙门氏菌基因工程疫苗研究赵战勤陈焕春华中农业大学087 基于复阻抗特性和电子鼻的淡水鱼新鲜度快速检测方法的研究张军李小昱华中农业大学088 荔枝果皮多酚氧化酶内源底物的确定及其促褐变机制刘亮谢笔钧华中农业大学089 拟南芥硼高效QTLAtBE1-2的定位和基因表达谱分析曾长英胡承孝华中农业大学090 集体土地所有权主体制度研究高飞陈小君中南财经政法大学091 基于非平稳框架的时间序列问题研究李锐向书坚中南财经政法大学092 知识产权的创新激励效应——基于产业差异的研究文豪汪海粟中南财经政法大学093 版权客体论卢海君吴汉东中南财经政法大学094 导热构形优化及若干拓展研究周圣兵陈林根海军工程大学095 多相整流感应发电机系统的研究王东马伟明海军工程大学096 推进器水动力性能及空泡预报的数值方法和模型试验研究叶金铭熊鹰海军工程大学097 非线性Fourier原子的研究付应雄李落清湖北大学098 自相似测度的勒让德谱的收敛速率和Moran测度的重分形谱肖加清吴敏湖北大学099 原位分解法制备多孔陶瓷的影响因素及相关应用研究鄢文李楠武汉科技大学100 脑缺血叠加寒冷诱导血瘀证表征模型及其生物学基础研究李乐军田金洲湖北中医学院101 艾灸对老年大鼠海马线粒体凋亡及其基因调控的研究杜艳军孙国杰湖北中医学院102 补肾化痰法影响骨髓间充质干细胞成脂和成骨分化的实验研究周亚娜向楠湖北中医学院103 高应力下脆性岩石的力学模型与工程应用研究黄书岭冯夏庭中科院武汉岩土力学研究所104 全纯函数空间上的线性分式复合算子江良英欧阳才衡中科院武汉物理与数学研究所105 脱铝分子筛中B酸和L酸协同效应的固体核磁共振和量化计算研究李申慧邓风中科院武汉物理与数学研究所106 基于GPS的电离层层析算法及其应用研究闻德保欧吉坤中科院测量与地球物理研究所107 虹彩病毒四个功能基因的克隆表达及特征分析赵哲张奇亚中科院水生生物研究所108 Alcaligenes sp. strain NyZ215中邻硝基酚降解的分子生物学研究肖毅周宁一中科院武汉病毒研究所109 杆状病毒调控宿主肌动蛋白的分子机理研究王倩陈新文中科院武汉病毒研究所。

脉冲功率开关RSD研究进展

脉冲功率开关RSD研究进展
能 连 续维 持 的极 限条件 。在 军事 方 面 , 脉 冲功 率技 术 是 许 多新 概念 武 器 的技 术 支持 。 如 电磁 发 射 与 电
磁炮 、 高功率微波 、 强 流 电子 束与粒子束 、 卫 星推 进、 激光反卫、 受控激光核聚变 、 同位素分离等 。在
工 业 领域 ,脉 冲 功率 技 术 用 于驱 动 激 光 器 完 成 切
使作为混合型器件的 I G B T . 与能通过几百 k A大 电
流 的脉 冲功率 应用 的需求 相 比. 其 功 率容 量仍 显 得 有 限。所 以 , 在这 些半 导 体开 关 中还 找不 到 一种 可 同时 满足几 十 k V 高 电压 、几百 k A大电流、 1 0 m~ 1 0 “A / s电 流 上 升 率 的兼 顾 功 率 与 频 率 的 理 想 器
Hale Waihona Puke 中图分类号 : T N 3 1 文献标识码 : A 文章编号 0 2 1 9 — 2 7 1 3 ( 2 0 1 5 ) 0 7 — 0 0 1 — 0 1 0
1 引 言
脉冲 功率 技术 是 一种 以较 低 的功率 ( 电压 、电 流) 储 存 电场 ( 磁场 ) 能量 , 以 高得 多 的功 率 ( 电压 、
脉 冲功率系统一般由以下几部分构成 :电源 、 能量储存单元 、 脉冲形成回路 、 开关和负载。开关是 负载前 的最后一个子 系统 , 占有特殊 的地位 , 脉冲
功 率 技术 的发 展 很 大 程 度 上依 赖 于开 关 单 元 的发
件 。 此外 , 由于上述都为三端器件 , 串并联组成堆
体 时触 发 电路复杂 , 同步 开通 问题难 以解 决 。 2 0世 纪八 、 九 十 年代 , 俄罗 斯 的科 学 家 进 行 了

SiC基反向开关晶体管RSD关键工艺概述

SiC基反向开关晶体管RSD关键工艺概述

步主要 工 艺均 与 si基 RSD 完全 不 同 ,采 用氟基 气体 感应 耦合 等 离子体 (ICP)刻蚀 得 到 了合 适 的刻
蚀 速 率、表 面粗糙 度 及形 貌 ,采 用 多次 氮 离子 注入及 高温退 火完成 选择 性 掺 杂 ,采 用 Ni/Ti/A1多层
金 属 配 合 适 当退 火 温 度 完 成 欧 姆 电 极 制 备 ,采 用 机 械 切 割 斜 角 完 成 台 面 终 端 造 型 ,最 终 得 到 了合 理
第 4期
梁 琳 ,等 :SiC基反 向开 关 晶体 管 RSD关 键工 艺概 述
收 稿 日期 :2015- 02—22 基 金 项 目 : 国家 自然 科 学 基 金 (51377069)、台达 环 境 与教 育基 金会 《电力 电子 科 教 发 展 计 划 》(DREG2013004)、中 国 工
程 物 理 研 究 院 脉 冲 功 率 科 学 与 技 术 重 点 实 验 室 基 金 (PPLF2013PZ02)、中 国 国 家 留 学基 金 委 (201308420123) 资 助 项 目 作 者 简 介 :梁 琳 (1981一),女 ,湖 北 籍 ,副 教授 ,博 士 ,主 要 研 究 方 向 为 电 力 电 子 器 件 及 封 装 、脉 冲 功 率 器 件 及 其 应 用 、宽 禁 带 功 率 半 导 体 。 吴 文 杰 (1992一),男 ,湖 北 籍 ,硕 士 研 究 生 ,研 究 方 向 为 碳 化 硅 功 率 半 导 体 器件 。
(华 中科技 大 学光 学与 电子信 息 学 院 ,湖北 武 汉 430074)
摘 要 :本 文 首次概 述 了采 用宽 禁带 半导体 材料 4H.SiC制备 脉 冲 功 率开 关反 向开 关 晶体 管 (RSD)

功率半导体的发展进程

功率半导体的发展进程

功率半导体的发展进程
随着科技的进步,功率半导体的发展取得了巨大的进步,它是构成我
们当今世界的重要组成部分。

功率半导体的出现为世界带来了许多便利,
改善了许多电气工程方面的技术,下面将详细介绍功率半导体的发展历程。

第一步是在1956年,发明了功率半导体器件。

这些器件是将大量的
能量转换成高压和高电流,并用于控制和稳定电路。

在此基础上,研究者
们开发了更小型的功率半导体器件,并且能满足更多的要求。

1966年,研究者们开发出了第一款半导体控制调制器,它能够有效
控制电机的转速,有效地增加了电机的功率效率。

此外,研究者还发展出
了第一款POWERMOSFET,它可以更好地控制、稳定和变换电路。

1975年,研究者们发明了第一款硅控制调制器,它具有更高的控制
精度,能够调整电机的特性,大大增强了电机的功率效率和可靠性。

此外,研究者们又发明了热漂移抑制器,它可以有效抑制半导体器件的热效应,
从而有效提高半导体器件的可靠性。

一种RBDT动态特性测试装置及测试方法[发明专利]

一种RBDT动态特性测试装置及测试方法[发明专利]

专利名称:一种RBDT动态特性测试装置及测试方法专利类型:发明专利
发明人:梁琳,皮意成
申请号:CN202010192405.5
申请日:20200318
公开号:CN111381143A
公开日:
20200707
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本发明属于功率半导体器件特性测试领域,具体涉及一种RBDT动态特性测试装置及测试方法,装置包括:Marx发生器,包括待测RBDT的脉冲放电电路,充电器,第一限流电阻,第一二极管;充电器控制对Marx发生器和脉冲放电电路的充电;Marx发生器串联待测RBDT构成环路,在充电之后向待测RBDT输出不同的触发电压脉冲;第一限流电阻和第一二极管设置于Marx发生器和待测RBDT构成的环路上,防止待测RBDT的脉冲电路对Marx发生器的工作产生影响,同时保护Marx发生器上面的开关器件。

本发明通过改变对Marx发生器控制方式输出不同动态特性的触发电压脉冲,准确地得到反应RBDT动态特性的波形参数。

申请人:华中科技大学
地址:430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
国籍:CN
代理机构:华中科技大学专利中心
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RSD开关关断时间的实验检测

RSD开关关断时间的实验检测
2) Xiangfan Tech Semiconductors co., LTD, Xiangfan 441021, China
Abstract: The turn-off time of the RSD(reversely switched dynistor) switch is investigated by experiments in this paper. According to its special operating mode, the turn-off criterion of the RSD and a measuring method of the turn-off time are proposed. The measuring platform of the turn-off time is designed and established. The measuring precision is 1.1μs. The experimental results show that the turn-off time of the RSD is in the order from several tens to a hundred microseconds. The increase of the minority lifetime in n-base region makes the turn-off time increase significantly. The turn-off time also increases with enhancing the discharge voltage.
电电流回零的时刻起,到 RSD 两端电压开始再次上升 的时刻止,为 RSD 的关断时间,则 1 号 RSD 在 1500V 电压下关断时间为 97.3μs。图 6 表示了 2 号 RSD 临界 关断时的电流电压波形,对其的分析与 1 号 RSD 类似。 当延迟时间设为 134 μs 时,关断检测晶闸管触发时 RSD 导通,可观察到的电流较小,但电压波形显示最 后无残压,说明 C0 上的电荷是通过 RSD 泄放了。延 迟时间设为 135μs 时 RSD 恰好关断,读得关断时间为

采用光导半导体开关的脉冲功率系统

采用光导半导体开关的脉冲功率系统

采用光导半导体开关的脉冲功率系统
黄裕年
【期刊名称】《半导体光电》
【年(卷),期】2000(21)5
【摘要】光导半导体开关已用于脉冲功率系统 ,如点火装置、超宽带脉冲发射机、紧凑型加速器和电感储能设备等 ,光导半导体开关为现有的脉冲功率技术提供了多方面改进。

介绍了在这些应用中的开关参量和一些特殊要求 ,并讨论了试验结果。

【总页数】4页(P321-324)
【关键词】光导半导体开关;脉冲功率系统;加速器
【作者】黄裕年
【作者单位】北京应用物理与计算数学研究所
【正文语种】中文
【中图分类】TN36
【相关文献】
1.高重复频率脉冲功率技术及其应用:(4)半导体开关的特长与局限性 [J], 江伟华
2.光导开关研究进展及其在脉冲功率技术中的应用 [J], 袁建强;谢卫平;周良骥;陈林;王新新
3.基于光导开关和平板线的固态脉冲功率技术 [J], 谌怡;夏连胜;王卫;刘毅;张篁;石金水;章林文
4.基于光导开关和平板线的固态脉冲功率技术 [J], 谌怡;夏连胜;王卫;刘毅;张篁;石
金水;章林文;
5.基于半导体开关的100kV脉冲功率系统 [J], 孙文伟;颜骥;任亚东;熊辉;唐柳生因版权原因,仅展示原文概要,查看原文内容请购买。

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eo nt i s r v ersel sw i ed di de ( R S D ) , sem i ndu et oPen i g sw it (5 0 5 ) , p ulse t yr st , pow er M O S F E T , IG B T an e y teh o eo or n eh h i or
. 2 2
2
. 2 1
半导 体脉 冲功 率开 关
反向开关晶体管
R SD 属 于类 晶 闸 管 器 件 , 其 结 构 如 图 1 所 示 R SD 可 视 为 晶 闸 管 单 元 和 晶 体 管 单 元 的 并 联 结 构 , 导 通 过 程 依 赖 于 一 短 时 反 向 电流 在 器 件 全 面
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A b tr a e t : T h e d e ve lo p m e n t a n d a p p lie a tio n o f se m ie o n d u e to r p u ls e d p o w e r s w ite h e s in r e e n t y e a rs a r s e e
关 的参 数 和 特 性 对 脉 冲 的上 升 时 间 幅 值 关 断 时 间等 产 生 最 直接 的 影 响 传统的脉冲功率开关多 为气 体放 电器 件 , 大 多具 有 很 高 的 电流 电压 容 量 然 而 由气 体 放 电本 身 性质 决 定 , 这类 器 件 存 在 使 用 寿 命 短 工 作 频 率 难 以提 高 等 问题
图 2 R SD 工作 电路
F ig . 2 O P e r t a in g e ir u it o f t e R S D c h
于 脉冲 功 率 的常 规 电力 电子 器件
R SD 于 20 世 纪 80 年 代 由俄 罗斯 1 V G rekhow 等人提出 目前 , 他 们 研 制 的 4 时 R S D , 最 高 通 过 峰 值 电流 500 kA 脉 宽 500 林 s[l 国 内研 制 的 3 时 S R D , 单 次脉 冲 工况 下 最 高 通 过 峰 值 电流 1 3 kA 7 脉 宽 33 0
deser b ed . e eng n eer n g resea eh a nd t e p ar m et s f r t e pulse thyr st r at h oo e and a br ad ar i h T j i r h a er o h i o o e
e r p or ed .T he pu l t sed pow er assem b l ies based on t e n or al pow er el t h m ee ronie sw i tehes pow er M O S FE T an d IG B T ar e
的 R sD 和 50 5 开 关的 结构 和工 作原 理 , 报 道 了 国内外 在脉冲 晶 闸管 方面 的工 程研 究及达 到 的 参数 , 介绍 了基
于 常见 电力 电子 开关 功率 M O SF T 和 IG BT 制成 的脉冲功 率装 置 , 并简 介 了基 于 宽禁带 半导 体材料 S C 制 成 的 E I
第 46 卷第 1 期 2
20 12 年 12 月
电 力 电子 技 术
o P w er E leet n i o r es
V ol 46 , N o.12
D ee e m b e r 2 0 1 2
半导体脉冲功率开关ຫໍສະໝຸດ 展综述梁 琳 , 余岳 辉
3 4 0 74 ) (华 中科技 大学 , 光 学与 电子信 息学 院 , 湖 北 武 汉
比气 体 开 关 高几 个 数 量 级
对 预 充 回 路 开 关 要 求 会 引入 脉 冲 变 压 器 ;主 回 路 电流较 大 时 , 会 采 用 小 直 径 R s D 触 发 大 直 径 R SD 等 总 而 言 之 , 预 充 回路 的 作 用 是 为 R SD 提 供 一 脉 宽 在 0 . 一 .5 协 的反 向 触 发 电流 , 以 便 在 器 件 5 2 s 集 电结 附 近 积 累 等 离 子 体 , 为 开通 过 程 向相 应 基 区注 入 多 子做 好 准 备 预 充 阶段 在 R SD 内积 累 的 电荷 量 存 在 一 临 界 值 , 其 大 小 与器 件 结 构 及 开 通 过 程 的 电流 上 升 率 有 关 , 要 确 保 实 际预 充 电荷 量 大于 该 临 界 值 , RSD 导 通 过 程才 不会 出 现 局 部 化 , 这 是 R SD 的 应 用 要 点之 一 主回路有一 个与 R S D 配 合 应 用 的 可 饱 和 磁 开关 , 用 于 预 充 过 程 隔 离 主 回 路 电压
F J E T 器件 的高 温封 装技 术
关键 词 :半导 体 ; 开关 ; 脉冲 功率 ; 重复 频率
中图 分 类 号 : 3 N T 1 文献 标 识 码 :A 文章 编号 :100 一 o X (20 12 )1 一 4 2 一 0 lo 2 00 4 0
R e v e w o n D e v elo P m e n t o f S em ie o n d u e to r P u lsed P o w er S w itc e s i h
半 导 体 脉 冲 功 率 开 关 实质 上 是 在 脉 冲 功 率 领
域 内应 用 的 功 率半 导体 器 件 , 或 称 电力 电子 器 件 , 但 为适 应 脉 冲 功率 的 工 况 , 需满 足 高 的 电流 上 升 率 高 的 峰值 电流 高 的 断 态 重 复 峰 值 电压 等 要 求 ; 微 秒 至 纳米 窄 脉 宽 下 器 件 可 安 全 通 过 的 电流 峰值 是 需要 探 索 的 问题 ; 强 电场 极 端 条 件 下 固态
1


冲 电磁场 以作 武 器 或模 拟 试 验 模 拟 雷 击 效 应 电
磁 发 射 冷 战 结束 后 , 研 究 人 员 将 目光 转 向工 业 和 民用领域 , 例如合成 纳米 材料 处理废 气废水 电 磁成 形 超高 速打孔 粉 碎人 体结 石 产 生 N O 用 于 医疗 等 正 因 为 脉 冲 功 率 技 术 对 于 国 防 安全 和 国 民经 济 方面 的重要意义 , 这 门仍然 年轻 的学科在 国 内 外 的发展 都极 为活跃 从 197 6 年起 , 由 I E E 主 E 同 办 的 国 际 脉 冲 功 率 会 议 每 两 年 组 织 召开 一 次
基 金 项 目 : 国 家 自 然 科 学 资 金 资 助 项 目( 0 0 0 5 ) 中 央 5 9 7 2 ;
样 由 IE E E 主 办 的 功 率 调 节 器 和 高 电压 国 际 会 议 也 是每两年 召开一 次 , 该 会议更 关注 紧凑型脉 冲 功率系统 我 国 自 20 世 纪 60 年 代 开 始 , 建 成 了
摘 要 :介 绍 了近年 来 半 导体 脉冲 功率 开关 的发 展和应 用情 况 , 具体 包括 反 向开关 晶体 管 (R SD ) 半 导体 断 路 开 关 (50 5 ) 脉冲 晶 闸管 功 率 M O SFET 绝 缘栅 双极型 晶体 管 (I BT )和 SIC 一 ET G F J 描述 了 专门用 于脉 冲功 率领域
F o 助 da 廿 n o
P ro eet :Su PPor ed by N at j t ional N ar 司 Se五 enee F un dati o on of C h i a ( N o .50 90 70 25 ) ;F un dam enr n al
R esear h F und s f r t e C en飞 U n i ite (N o . 0 12Q N 15o ) c o h ra l ver i 2
比较 而 言 ,
半导体开关寿命长 ,关断速度更快 , 最高工作频率 尤其 随着 近 年 来 脉 冲 功 率 的应 用 领 域 从 军 用 向 民用 的扩 展 , 对 脉 冲 重 频 提 出 了越 来 越 高 的要 求 , 更加 凸 显 出 半 导 体 脉 冲 功 率 开 关 的优 势 例 如 , 以 lo H : 重 频 连 续 工 o 作 一 年 , 脉 冲 数 在 3x 护 l
脉冲功 率技术是指将 能量在相对较长 的时间 内储 存 起 来 , 然 后 通 过 快速 开 关 将 此 能 量 在 很 短 的时 间释 放 到 负载 上 , 产 生 高 功 率 电脉 冲 脉 冲 功 率 技 术 产 生 于 2 世 纪 3 年 代 , 1938 年 美 国 的科 0 0 学 家 第 一 次 提 出用 高 压 脉 冲 电源 放 电产 生 微 秒 级 脉 宽 的 闪光 X 射 线 196 年 , 英 国 的科 学 家 成 功 2 地 将 已有 的 M ar 发 生 器 与 传 输 线 技 术 相 结 合 , 产 x 生 了 持 续 时 间为 纳 秒 级 的大 功 率脉 冲 , 为 脉 冲 功 率 学 科 的形 成 奠 定 了基础 脉 冲 功 率 技 术 最 初 的 研 究 吸 引 力 来 自军 事 方 面 的应 用 , 例 如 产 生 强流 粒 子 束 或 闪 光 X 射 线 惯 性 约 束 聚 变 研 究 泵 浦 强 激 光 器 激 励 产 生 强脉
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