模拟电子技术习题及答案
模拟电子技术习题答案(1)
模拟电子技术习题答案(1)第一章常用半导体器件1习题答案〖题1.1〗（1）杂质浓度，温度（2）呈圆形电中性，呈圆形电中性（3）等同于，大于，变宽，大于，变窄（4）逆向打穿（5）减小，减小，增大（6）左移，下移，加高（7）、发射结，erf（8）一种载流子参予导电，两种载流子参予导电，压控，流控。
〖题1.2〗二极管电路如图t1.2所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出端电压uo。
设二极管的导通压降为ud=0.7v。
adbadr10v5vcb?uo??r5v10vuo?(a)b1d1a?r12v9v?uob1b2(b)d1d2r10v15vuoab2d2??(c)(d)图t1.2解：（a）uo=ua－ud=－5v－0.7v=－5.7v（b）uo=ub=uc=－5v（c）uo=ua=－0.7v（d）uo=ua=－9.3v〖题1.3〗二极管电路例如图t1.3(a)右图，未知ui?10sin?t(mv)，e?1.2v，ui电容c和直流电源e对交流视为短路，二极管的伏安特性曲线如图t1.3(b)所示，r?100?，谋二极管两端的电压和穿过二极管的电流。
解：id?id?id?(5?1.92sin?t)maud?ud?ud?(0.7?0.01sin?t)v+redcid/ma12id8400.30.60.91.2ud/v??ud(a)(b)图t1.3第一章常用半导体器件2〖题1.4〗设图t1.4中的二极管d为理想二极管，试通过计算判断它们是否导通？。
6k?d4k??5k?1k?4k?5kb20v?18kd?20k?14kb?1k5k?15v10vaa10v?2k(a)(b)图t1.4解：(a)ua??10?41?(?20)9v4?61?45ub??2010v,ua?ub,二极管导通；5?525?(?15)4v(b)ua??10?2?185?201ub??151v,ua?ub,二极管截至。
1?141k?1k??d5v?(a)d??〖题1.5〗在图t1.5所示电路中，已知ui=10sinωt(v),二极管的正向压降和反向电流均可忽略。
模拟电子技术习题及答案
习题55.1在以下几种情况下，应分别采用哪种类型的滤波电路〔低通、高通、带通、带阻〕。
（1）从输入信号中提取100kHz～200kHz的信号；（2）抑制1MHz以上的高频噪声信号；（3）有用信号频率为1GHz以上的高频信号；（4）干扰信号频率介于1 kHz～10 kHz；解答：〔1〕带通滤波器；〔2〕低通滤波器；〔3〕高通滤波器；〔4〕带阻滤波器。
5.2在以下各种情况下，应分别采用哪种类型〔低通、高通、带通、带阻〕的滤波电路。
〔1〕抑制50Hz交流电源的干扰；〔2〕处理具有1Hz固定频率的有用信号；〔3〕从输入信号中取出低于2kHz的信号；〔4〕抑制频率为100kHz以上的高频干扰。
解：〔1〕带阻滤波器〔2〕带通滤波器〔3〕低通滤波器〔4〕低通滤波器5.3填空：〔1〕为了防止50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用滤波电路。
〔2〕输入信号的频率为10kHz～12kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用滤波电路。
（3）为了获得输入电压中的低频信号，应选用滤波电路。
〔4〕为了使滤波电路的输出电阻足够小，保证负载电阻变化时滤波特性不变，应选用滤波电路。
解：〔1〕带阻〔2〕带通〔3〕低通〔4〕有源5.4无源一阶RC低通滤波电路的截止频率决定于的倒数，在截止频率处输出信号比通带内输出信号小dB。
解答：时间常数，3dB5.5无源一阶RC高通滤波电路的截止频率决定于的倒数，在截止频率处输出信号比通带内输出信号小dB。
解答：时间常数，3dB5.6 一阶滤波电路阻带幅频特性以 /十倍频斜率衰减，二阶滤波电路那么以 /十倍频斜率衰减。
阶数越 ，阻带幅频特性衰减的速度就越快，滤波电路的滤波性能就越好。
解答：-20 dB ，-40 dB ，高。
5.7 试求题图所示电路的传递函数和频率响应表达式。
题图解答：()1v sR C A s sR C =+，j (j )1j v R CA R Cωωω=+5.8 题图5.8中所示为一个一阶低通滤波器电路，试推导输入与输出之间的传递函数，并计算截止角频率H ω。
电子技术基础与技能模拟习题(附答案)
电子技术基础与技能模拟习题（附答案）一、单选题（共40题，每题1分，共40分）1、能完成两个1位二进制数相加并考虑到低位来的进位的器件称为A、译码器B、全加器C、编码器D、半加器正确答案：B2、在编码器74LS148中，关于输入使能端说法正确的为A、该引脚为低电平时，所有输出端为高电平B、该引脚为低电平时，编码器正常工作C、该引脚为高电平时，编码器正常工作D、该引脚为高电平时，所有输入端为高电平正确答案：B3、用指针式万用表检测某晶体三极管时，用红表笔搭接1脚，黑表笔分别搭接2、3脚时，指针偏转角均较大。
这说明此三极管类型为A、PNP型，且1脚为基极B、NPN型，且1脚为基极C、NPN型，且2脚为基极D、PNP型，且2脚为基极正确答案：A4、甲类功放的效率低是因为A、静态电流过大B、管子通过交流电流C、单管放大的能力小D、变压器效率低正确答案：A5、74LS192是( )进制可逆计数器。
A、异步、十B、异步、十六C、同步、十六D、同步、十正确答案：D6、温度影响了放大电路中( )的参数，从而使静态工作点不稳定。
A、电源B、三极管C、电阻D、电容正确答案：B7、8421BCD码1000 1001表示的十进制数码为A、67B、68C、79D、89正确答案：D8、下列所述中，属于串联型稳压电路的特点的是A、调试方便B、输出电压不可调C、输出电流小D、输出电压稳定度高且可调节正确答案：D9、在登录你的电子信箱的过程中，要有两个条件，一个是用户名，一个是与用户名对应的密码，要完成这个事件( 登陆成功)，它们体现的逻辑关系为A、“与”关系B、不存在逻辑关系C、“非”关系D、“或”关系正确答案：A10、一个八进制计数，最多能记忆的脉冲个数为A、10B、7C、9D、8正确答案：B11、Q0~Q3为74LS194的A、并行数据输端B、串行数据输入端C、并行数据输出端D、串行数据输出端正确答案：C12、开关电源若不能启动，应重点调整A、误差放大级B、脉宽控制级C、调整管基极偏置D、脉冲变压器正确答案：C13、8位二进制数能表示十进制数的最大值是A、256B、255C、298D、292正确答案：B14、若逻辑函数L=( )( )，则L可简化为A、L=A+BCB、L=AB+CC、L=AC+BD、L=ABC正确答案：A15、下列不属于组合逻辑电路的有A、译码器B、计数器C、数据分配器D、编码器正确答案：B16、D触发器的D端和Q端相连，D触发器的初态为“0”状态，试问经过10个时钟脉冲后触发器的状态为A、1状态B、0状态C、不定状态D、高阻状态正确答案：B17、译码器是一类多输入多输出器件，属于A、组合逻辑电路B、基本门电路C、编码器D、时序逻辑电路正确答案：A18、若逻辑函数L=(A+BCD )AB，则L可简化为A、L=AB、L=BCDC、L=ABD、L=A+BCD正确答案：C19、将一位十进制数的输入信号转换成8421BCD码的电路属于一种A、加法器B、数据比较器C、编码器D、译码器正确答案：C20、74LS161是( )进制加计数器。
模拟电子技术基础习题及答案
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。
（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。
已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。
试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？ 解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。
模拟电子技术(王成华第二版)课后习题及答案_1
习 题题1.1 求硅本征半导体在温度为250K 、300K 、350K 时载流子的浓度。
若掺入施主杂质的浓度317d cm 10=N ，分别求出在250K 、300K 、350K 时电子和空穴的浓度。
解：当K 250=T 时，有:38221.123162231i 1i cm 10057.12501087.3)()(go ⨯=⨯⨯⨯=⋅==−−kTkTE ee TA T p T n ，同理，当K 300=T 时，有: 3102i 2i cm 10095.1)()(⨯==T p T n ，当K 350=T 时，有: 3113i 3i cm 10060.3)()(⨯==T p T n ， 当掺入施主杂质后，电子浓度：d N n =，空穴浓度：n n p 2i =，当K 250=T 时，317cm 10=n ,31712i cm 112.010)(==T n p ， 当K 300=T 时，317cm 10=n ,331722i cm 10199.110)(⨯==T n p ， 当K 350=T 时，317cm 10=n ,351732i cm 10364.910)(⨯==T n p 。
题1.2 若硅PN 结的317a cm 10=N ，316d cm 10=N ，求K 300=T 时PN 结的内建电位差。
解：)ln(2i da T n N N U U ⋅⋅=ϕ， 当K 300=T 时，mV 26T =U ，310i cm 1043.1⨯=n ,代入得：76.0)cm 101.43(cm 10cm 10ln V 026.023********=⎥⎦⎤⎢⎣⎡⨯⨯⨯=ϕU V 。
题1.3 已知锗PN 结的反向饱和电流为610−A ，当外加电压为0.2V 、0.36V 及0.4V 时流过PN 结的电流为多少？由计算结果说明伏安特性的特点。
解：根据PN 结方程，流过PN 结的电流)1(TS −⋅=U U eI I ，6S 10−=I A ，26T =U mV ，2.01=U V 时，3S 11019.2)1(T1−⨯=−⋅=U U eI I A ，36.02=U V 时，03.1)1(T2S 2=−⋅=U U e I I A ，4.03=U V 时，8.4)1(T3S 3=−⋅=U U eI I A ，2.04−=U V 时，04=I ，反向截止， 36.05−=U V 时，05=I ，反向截止， 4.06−=U V 时，06=I ，反向截止，由此可见，PN 结外加正向电压时，斜率稍有增加就引起正向电流明显增加。
《模拟电子技术》复习题题库10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是自由电子；在P型半导体中，多数载流子是空穴。
2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类，它属于电压控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入共射（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的输出电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入_____负反馈_______。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（b）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（ c ）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( e)场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ b ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况5、集成运放中间级的作用是（ c ）。
A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ a ）的值。
A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
模拟电子技术考试模拟题+答案
模拟电子技术考试模拟题+答案一、单选题（共80题，每题1分，共80分）1、在基本放大电路中,影响直流负载线斜率大小的是( )A、RB的值B、Ucc的值C、RC的值D、β值正确答案：C2、电容的单位换算正确的是( )A、1F=1000000μFB、1μF=1000000pFC、1μF=10-6FD、以上都是正确答案：C3、为了提高交流放大电路的带负载能力，应选用( )作为输出级。
A、共发射极放大电路B、功率放大器C、射极输出器D、都可以正确答案：C4、功率放大电路的转换效率是指( )。
A、输出功率与晶体管所消耗的功率之比B、最大输出功率与电源提供的平均功率之比C、晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比D、输出功率与信号输入功率之比正确答案：B5、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案：A6、当用万用表不同电阻挡去测量二极管正反向电阻时，获得的结果差异较大，这是因为( )A、该管已坏B、万用表各挡有差异C、二极管的电阻可变D、以上答案均不正确正确答案：B7、串联谐振是指电路呈纯( )性。
A、电阻B、电感C、电抗D、电容正确答案：A8、电阻47KΩ±1%的色环为( )。
A、黄-紫-橙-金B、黄-紫-红-黑-棕C、黄-紫-黑-橙-棕D、黄-紫-黑-红-棕正确答案：D9、稳压二极管两端电压变化量与通过它的电流空化量之比值称为稳压二极管的动态电阻。
稳压性能好的稳压二极管的动态电阻( )A、较小B、较大C、还与其他因素有关D、大小均一样正确答案：A10、安装桥式整流电路时，若将其中一只二极管虚焊，则通电工作时可能产生的后果是( )。
A、输出电压的极性改变B、输出电压只有原来的一半C、两只二极曾烧坏D、只有应焊的一只二极管烧坏正确答案：B11、在固定偏置放大电路中，如果负载电阻增大，则电压放大倍数( )A、增大B、无法确定C、减小D、不变正确答案：C12、由NPN型管构成的基本共射放大电路,输入是正弦信号，若从示波器显示的输出信号波形发现底部(负半周)削波失真，则该放大电路产生了( )失真。
模拟电子技术基础部分练习题含答案
模拟电子技术基础部分练习题含答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、二极管在电路板上用( )表示。
A、CB、DC、RD、L正确答案：B2、根据作业指导书或样板之要求，不该断开的地方断开叫( )。
A、焊反B、短路C、开路D、连焊正确答案：C3、电感线圈磁芯调节后它的什么参数改变了？ ( )A、电流B、电压C、电阻D、电感正确答案：D4、三段固定集成稳压器CW7906的一脚是( )A、输入端B、公共端C、调整端D、输出端正确答案：B5、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、截止区B、放大区C、截止区与饱和区D、饱和区正确答案：A6、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C7、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
A、变压器的效率越高，各种损耗越小B、变压器在高频段和低频段的频率特性较中频段好C、变压器温升值越小，变压器工作越安全D、升压变压器的变比n<1正确答案：C8、在三极管放大电路中，三极管各极电位最高的是( )A、NPN管基极B、NPN管发射极C、PNP管集电极D、PNP管发射极正确答案：D9、衡量一个差动放大电路抑制零漂能力的最有效的指标是( )A、差模电压放大倍数B、共模电压放大倍数C、共模抑制比D、电路的对称性正确答案：C10、某三极管,测得其发射结反偏，集电结反偏，则该三极管处于( )。
A、放大状态B、截止状态C、饱和状态D、失真状态正确答案：B11、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、被烧坏B、电流基本正常C、击穿D、电流为零正确答案：B12、某多级放大电路的各级电压放大倍数分别为：1、100、-100，则总的电压放大倍数( )。
A、10000倍B、-10000倍C、1倍D、100倍正确答案：B13、共发射极放大器的输出电压和输人电压在相位上的关系是( )A、同相位B、相位差360°C、相位差90°D、相位差180°正确答案：D14、在基本放大电路中，集电极电阻Rc的作用是( )A、放大电流B、调节偏置电流IBQC、把放大的电流转换成电压D、防止输入信号被短正确答案：C15、在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、选择题1. 在模拟电子技术中，以下哪种元件不是基本的模拟电路元件？A. 电阻B. 电容C. 电感D. 逻辑门答案：D2. 运算放大器的主要作用是什么？A. 信号放大B. 信号整形C. 信号转换D. 信号滤波答案：A3. 以下哪种滤波器能够通过高频信号而阻止低频信号？A. 高通滤波器B. 低通滤波器C. 带通滤波器D. 带阻滤波器答案：A4. 在模拟电路设计中，为了减小温度对电路性能的影响，通常采用哪种方法？A. 温度补偿B. 自动增益控制C. 负反馈D. 电源滤波答案：A5. 哪种类型的半导体材料具有P型半导体的特性？A. 锗（Ge）B. 硅（Si）C. 氮化镓（GaN）D. 氧化锌（ZnO）答案：B二、填空题1. 在模拟电子技术中，______和______是构成振荡器的基本元件。
答案：电阻、电容2. 为了实现信号的放大，通常需要在电路中引入______。
答案：负反馈3. 在模拟信号处理中，______是用来描述信号频率内容的工具。
答案：傅里叶变换4. 电流放大器的主要功能是放大______信号。
答案：低频5. 在模拟电路中，为了提高电路的稳定性和可靠性，常常使用______电源。
答案：稳压三、简答题1. 请简述晶体管的主要工作原理及其在模拟电路中的应用。
晶体管是一种半导体器件，主要通过控制基极电流来调节集电极与发射极之间的电流。
在模拟电路中，晶体管可以作为放大器使用，通过小信号控制大信号的放大过程，实现信号的增益。
同时，晶体管还可以用作开关，控制电路的导通与截止。
2. 描述运算放大器的基本特性及其在模拟电路设计中的重要性。
运算放大器是一种高增益、高输入阻抗、低输出阻抗的放大器。
其基本特性包括开环增益高、输入阻抗大、输出阻抗小、频率响应宽等。
在模拟电路设计中，运算放大器因其优良的放大性能和灵活性，被广泛应用于信号放大、滤波、积分、微分等电路中，是模拟电路设计中不可或缺的核心组件。
《模拟电子技术》试卷及答案
《模拟电子技术》试卷及答案（本题共5小题，每小题4分，共20 分）一、填空题1.多级放大电路常见的三种耦合方式中，若要求各级静态工作点互不影响，可选用耦合方式；若要求能放大变化缓慢的信号或直流信号，可选用耦合方式；若要求能实现阻抗变换，使负载与输出级阻抗相匹配，可选用耦合方式。
2. 某放大电路中，晶体管三个电极的电流测出分别为：I1=1.2mA、I2=0.03mA、I1=1.23mA。
由此可知：电极1是极，电极2是极，电极3是极。
若已知I1电流方向流入晶体管，则I2电流方向与I1电流方向、I3电流方向与I1电流方向。
3. 硅二极管导通压降的典型值是V、锗二极管导通压降的典型值是V；NPN型管的集电极电流和基极电流晶体管；PNP型管的集电极电流和基极电流晶体管。
4. 线性失真和非线性失真都使得放大电路的输出波形不再与输入波形相同，其中饱和失真和截止失真属于失真；幅频失真和相频失真属于失真。
5. 若反馈量使放大电路的净输入量减小，称为反馈；若反馈量使放大电路的净输入量增大，称为反馈。
放大电路通常采取反馈。
6. 小功率直流稳压电源系统中滤波环节最常采用的元件是元件；串联型直流稳压电路的调整管正常工作在状态；开关型直流稳压电路的调整管正常工作在状态。
（本题共10小题，每小题1分，共10分）二、判断正、误题1. 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）2. PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。
（）3. 放大电路只有既放大电压又放大电流时，才能称为具有放大作用。
（）4. 发光二极管正常工作在正向导通区，其导通压降为0.7V。
（）5. 为了获得更高的电流放大倍数而采用复合管，复合管的类型取决于第一个管子的类型。
（）6. 单门限电压比较器的抗干扰能力比滞回电压比较器的抗干扰能力强。
（）7. 整流的目的就是把交变的电压、电流转换为单向脉动的直流电。
（）8. 放大交流信号，只能采用阻容耦合方式或变压器耦合方式。
模拟电子技术(模电课后习题含答案)(第三版)
第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C )。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大；B.不变；C.减小 1.3电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。
1.4电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。
试画出i u 与ou 的波形图，并标出幅值。
图P1.3 解图P1.31.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω故动态电流的有效值：/1di D I U r mA =≈1.7现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。
试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。
1、两个管子都正接。
（1.4V ）2、6V 的管子反接，8V 的正接。
《模拟电子技术》复习题10套及答案
.《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型.图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、单项选择题（每题2分，共10分）1. 模拟电路中，以下哪个元件不是基本的线性元件？A. 电阻B. 电容C. 电感D. 二极管答案：D2. 在理想运算放大器中，输入阻抗是：A. 有限值B. 无穷大C. 零D. 负值答案：B3. 晶体管的放大作用主要取决于其：A. 集电极B. 发射极C. 基极D. 所有极答案：C4. 以下哪种波形不是周期性波形？A. 正弦波B. 方波C. 三角波D. 锯齿波答案：D5. 在运算放大器电路中，虚短是指：A. 同相输入端和反相输入端电压相等B. 同相输入端和反相输入端电压相等且为零C. 同相输入端和反相输入端电流相等D. 同相输入端和反相输入端电流相等且为零答案：A二、多项选择题（每题3分，共15分）1. 以下哪些是模拟信号的特点？A. 连续变化B. 数字化C. 可以进行模拟放大D. 可以进行模拟滤波答案：ACD2. 运算放大器的典型应用包括：A. 放大器B. 信号整形C. 振荡器D. 电源答案：ABC3. 模拟电路中常用的滤波器类型包括：A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 带阻滤波器答案：ABCD4. 以下哪些因素会影响晶体管的放大能力？A. 基极电流B. 集电极电流C. 发射极电流D. 温度答案：ABD5. 在模拟电路中，负反馈的作用包括：A. 提高增益稳定性B. 降低输出阻抗C. 增加输入阻抗D. 减少非线性失真答案：ABD三、填空题（每题2分，共10分）1. 在模拟电路中，信号的放大是通过________来实现的。
答案：晶体管或运算放大器2. 理想运算放大器的输出阻抗是________。
答案：零3. 模拟电路中的噪声通常来源于________和________。
答案：电源和环境4. 模拟信号的频率范围通常从直流（DC）到________赫兹。
答案：几十兆5. 在模拟电路设计中，________是用来减少信号失真的。
答案：负反馈四、简答题（每题5分，共20分）1. 简述模拟电路与数字电路的区别。
模拟电子技术(王成华第二版)课后习题及答案_3
习 题题 3.1 在题图 3.1 所示的电路中，1T 、2T 、3T 的特性都相同，且321βββ==很大，===3BE 2BE 1BE U U U 0.7V ，计算21U U −。
题图3.1 解：43.1107.01511BE CC REF 1C 2C =−=−==≈R U V I I I mA ， 85.743.157.02C 23BE 21=⨯+=⋅+=−∴I R U U U V 。
题3.2 由对称三极管组成题图3.2所示的微恒流源电路。
设三极管的β相等，=BE U 0.6V ，=CC V +15V 。
要求：①设反向饱和电流2S 1S I I =，根据三极管电流方程导出工作电流C1I 与2C I 之间的关系式。
②若要求mA 5.01C =I ，μA 202C =I ，则电阻R 、E R 。
题图3.2解：①2C 1C E T 1E 2E 2C ln I I R U I I I ⋅≈=≈， RU V I I BE CC 1C REF −=≈。
②mA 5.01C =I ，μA 202C =I 时，Ωk 8.285.06.015C1BE CC =−=−=I U V R ， Ωk 18..4ln 2C C12C T E =⋅=I I I U R 。
题3.3 题图3.3所示电路是某集成运放的一个多路输出恒流源电路。
图中所有三极管均为硅管，−=BE U 0.7V ，>>β1。
计算1o I 、2o I 和3o I 。
题图3.3解：mA 265.0203.57.0)6(00E REF ==+−−−=R R I ， μΑ3.5265.0255.01E 0E REF 1o =⨯=⋅=R R I I ， m Α1325.0265.015.02E 0E REF 3o 2o =⨯=⋅==R R I I I 。
题 3.4 在题图 3.4 所示的一种改进型镜像恒流源中，设==21U U 10V ，Ωk6.81=R ，Ωk7.42=R ，三个晶体管的特性均相同，且=β50，=BE U 0.7V 。
模拟电子电路技术试题及答案
模拟电子技术》模拟试题1一、填空题（每空1 分，共32 分）1、空穴为（）载流子。
自由电子为（）载流子的杂质半导体称为P 型半导体。
2、PN 结的P 型侧接高电位，N 型侧接低电位称为（）反之称为（）3、由漂移形成的电流是反向电流，它由（）栽流子形成，其大小决定于（），而与外电场（）。
4、稳定二极管稳压时是处于（）偏置状态，而二极管导通时是处于（）偏置状态。
5、晶体三极管的集电极电流Ic=（）所以它是（）控制元件。
6、当温度升高时三极管的反向饱和电流I CBO（）所以Ic 也（）。
7、为了稳定三极管放大电路静态工作点，采用（）负反馈。
为稳定交流输出电压，采用（）负反馈，为了提高输入电阻采用（）负反馈.。
8、负反馈使放大电路增益下降，但它可以（）通频带（）失真。
9、反馈导数F=（）。
反馈深度是（）。
10、差分放大电路能够抑制（）信号，放大（信号。
11、OCL 电路是（）电源互补功放，OTL 是（）电源互补功放。
12、用低频信号改变高频信号的相位称为（）。
低频信号称为（）、高频信号称为（）。
13、晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而（）。
共基极电路比共射极电路高频特性（）。
14、振荡电路的平衡条件是（），（）反馈才能满足振荡电路的相位平衡条件。
15 在桥式整流电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（）。
二、选择题（每空2 分，共34 分）1、三端集成稳压器CXX7805 的输出电压是（）A 5vB 9vC 12v 2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V 则三极管的三个电极分别是（），该管是（）。
A （E、C、B） B（C 、B 、E） C（B、C、E）D（PNP）E（NPN）3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。
共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。
A 饱和B 截止C 交越D 频率4、差分放大电路是为了（）而设置的。
A 稳定AuB 放大信号C 抑制零点漂移5、对功率放大器的主要要求有（）（）（）A Uo 高B Po 大C 效率高D Ri 大E 波形不失真6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（）变化。
(完整版)模拟电子技术复习题及答案
一、填空题：（要求）1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。
制造这些器材的主要材料是半导体，例如和等。
半导体中中存在两种载流子：和。
纯净的半导体称为，它的导电能力很差。
掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。
杂质半导体分为两种：型半导体——多数载流子是；型半导体——多数载流子是。
当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个结，这是制造半导体器件的基础。
2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：区、区和区。
为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在区内。
当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。
3、半导体二极管就是利用一个加上外壳，引出两个电极而制成的。
它的主要特点是具有性，在电路中可以起整流和检波等作用。
半导体二极管工作在区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成。
4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流，是一种控制器件。
场效应管分为型和型两大类。
5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：耦合、耦合和耦合。
6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体，加入价元素可形成P型半导体。
7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。
8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。
正反馈使放大倍数；负反馈使放大倍数；但其他各项性能可以获得改善。
直流负反馈的作用是，交流负反馈能够。
9、电压负反馈使输出保持稳定，因而了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出保持稳定，因而了输出电阻。
串联负反馈了放大电路的输入电阻；并联负反馈则了输入电阻。
在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：式、式、式和式。
10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带通滤波器；将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带阻滤波器。
模拟电子技术试题及答案(共18套)
《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。
2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成断开；4、三极管是（）控制元件，场效应管是（）控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（），集电结（）。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（），发射结压降（）。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是（）、（）、（）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（）负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（）。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。
13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（）电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。
二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（）它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。
A、正偏B、反偏C、大于D、小于E、导通F、截止2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（），该管是（）型。
模拟电子技术期末试题及答案
模拟电子技术期末试题及答案一、选择题1. 下列哪个元器件是用来放大电流信号的？A. 电容器B. 电感器C. 晶体管D. 电阻器答案：C. 晶体管2. 下列哪个元器件是用来存储电荷的？A. 电容器B. 电感器C. 晶体管D. 电阻器答案：A. 电容器3. 以下哪个不属于模拟电子技术的基本元器件？A. 电容器B. 晶体管C. 可编程逻辑门D. 电感器答案：C. 可编程逻辑门4. 模拟信号与数字信号最主要的区别在于：A. 模拟信号是连续的，数字信号是离散的B. 模拟信号是离散的，数字信号是连续的C. 模拟信号只有两种状态，数字信号有多种状态D. 模拟信号只能用模拟器件处理，数字信号只能用数字器件处理答案：A. 模拟信号是连续的，数字信号是离散的5. 下列哪个元器件是用来稳压降压的？A. 二极管B. 可变电阻C. 三极管D. 电容器答案：A. 二极管二、填空题1. 以下哪个公式可以计算功率？答案：功率 = 电压 ×电流2. 电流的单位是什么？答案：安培（A）3. 以下哪个单位可以表示电压？答案：伏特（V）4. 以下哪个单位可以表示电阻？答案：欧姆（Ω）5. 模拟信号的频率单位是什么？答案：赫兹（Hz）三、简答题1. 请解释什么是反馈电路，并说明其作用。
答案：反馈电路是将输出信号的一部分再次输入到输入端，用来改变输入端的输入量，以达到控制输出信号的目的。
反馈电路的作用是能够稳定放大器的放大倍数、提高频率响应和抑制信号失真。
2. 简述运放的作用和基本构造。
答案：运放（操作放大器）是一种重要的模拟电子元件，可以放大电压信号，具有高放大倍数、输入阻抗高、输出阻抗低等特点。
它的基本构造包括差分放大电路、级联放大电路和输出级电路。
3. 请解释什么是滤波器，并列举两种常见的滤波器类型。
答案：滤波器是用于剔除或选择特定频率范围内信号的电路。
常见的滤波器类型有低通滤波器（只允许低于截止频率的信号通过）和高通滤波器（只允许高于截止频率的信号通过）。
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模拟电子技术第1章半导体二极管及其基本应用1．1 填空题1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数载流子是空穴。
3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。
4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。
5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。
稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。
6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。
7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。
8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于 650 Ω，交流电阻等于 26 Ω。
1．2 单选题1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。
A．温度 B．掺杂工艺 C．掺杂浓度 D．晶格缺陷2．PN结形成后，空间电荷区由( D )构成。
A．价电子 B．自由电子 C．空穴 D．杂质离子3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。
A．减小 B．基本不变 C．增大4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。
A．增大 B．基本不变 C．减小5．变容二极管在电路中主要用作( D )。
、A．整流 B．稳压 C．发光 D．可变电容器1．3 是非题1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
( √ )2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × )3．二极管在工作电流大于最大整流电流IF时会损坏。
( × )4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。
( × )1．4 分析计算题1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压UD(on)=0.7V，试写出各电路的输出电压Uo值。
解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U＝(6—0.7)V＝5.3 V。
(b)令二极管断开，可得UP ＝6 V、UN＝10 V，UP<UN，所以二极管反向偏压而截止，U＝10 V。
(c)令V1、V2均断开，UN1＝0V、UN2＝6V、UP＝10V，UP—UN1>Up—UN2，故V1优先导通后，V2截止，所以输出电压U＝0.7 V。
2．电路如图T1．2所示，二极管具有理想特性，已知ui＝(sinωt)V，试对应画出ui 、u、iD的波形。
解：输入电压ui 为正半周时，二极管正偏导通，所以二极管两端压降为零，即u＝0，而流过二极管的电流iD ＝ui／R，为半波正弦波，其最大值IDm＝10 V／1 kΩ＝10 mA；当ui为负半周时，二极管反偏截止，iD ＝0，u＝ui为半波正弦波。
因此可画出电压u电流iD的波形如图(b)所示。
3．稳压二极管电路如图T1．3所示，已知UZ ＝5 V，IZ＝5 mA，电压表中流过的电流忽略不计。
试求当开关s 断开和闭合时，电压表○V和电流表○A1、○A2读数分别为多大?解：当开关S断开，R2支路不通，IA2＝0，此时R1与稳压二极管V相串联，因此由图可得可见稳定二极管处于稳压状态，所以电压表的读数为5 V。
当开关S 闭合，令稳压二极管开路，可求得R 2两端压降为故稳压二极管不能被反向击穿而处于反向截止状态，因此，R 1、R 2构成串联电路，电流表A 1、A 2的读数相同，即而电压表的读数，即R 2两端压降为3.6 V 。
第2章 半导体三极管及其基本应用2．1 填空题1．晶体管从结构上可以分成 PNP 和 NPN 两种类型，它工作时有 2 种载流子参与导电。
2．晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结 正偏 ，集电结 反偏 。
3．晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是 放大 、 饱和 、 截止 。
4．当温度升高时，晶体管的参数β 增大 ，I CBO 增大 ，导通电压U BE 减小 。
5．某晶体管工作在放大区，如果基极电流从10μA 变化到20μA 时，集电极电流从1mA 变为1.99 mA ，则交流电流放大系数β约为 99 。
6．某晶体管的极限参数I CM =20mA 、P CM =100mW 、U (BR)CEO =30V ，因此，当工作电压U CE =10V 时，工作电流I C 不得超过 10 mA ；当工作电压U CE =1V 时，I C 不得超过 20 mA ；当工作电流I C =2 mA 时，U CE 不得超过 30 V 。
7．场效应管从结构上可分为两大类： 结型 、 MOS ；根据导电沟道的不同又可分为 N 沟道 、 P 沟道 两类；对于MOSFET ，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种： 耗尽型 、 增强型 。
8．U GS(off)表示 夹断 电压，I DSS 表示 饱和漏极 电流，它们是 耗尽 型场效应管的参数。
2．2 单选题1．某NPN 型管电路中，测得U BE =0 V ，U BC = —5 V ，则可知管子工作于( C )状态。
A ．放大 B ．饱和 C ．截止 D ．不能确定2．根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为( B )。
A ．NPN 型低频小功率硅晶体管 B ．NPN 型高频小功率硅晶体管 C ．PNP 型低频小功率锗晶体管 D ．NPN 型低频大功率硅晶体管3．输入( C )时，可利用H 参数小信号电路模型对放大电路进行交流分析。
A ．正弦小信号 B ．低频大信号 C ．低频小信号 D ．高频小信号 4．( D )具有不同的低频小信号电路模型。
A ．NPN 型管和PNP 型管B ．增强型场效应管和耗尽型场效应管C ．N 沟道场效应管和P 沟道场效应管D ．晶体管和场效应管 5．当U GS ＝0时，( B )管不可能工作在恒流区。
A ．JFETB ．增强型MOS 管C ．耗尽型MOS 管D ．NMOS 管 6．下列场效应管中，无原始导电沟道的为( B )。
A ．N 沟道JFET B ．增强~AI PMOS 管 C ．耗尽型NMOS 管 D ．耗尽型PMOS 管 2．3 是非题1．可以采用小信号电路模型进行静态工作点的分析。
( × )2．MOSFET 具有输入阻抗非常高、噪声低、热稳定性好等优点。
( √ ) 3．EMOS 管存在导电沟道时，栅源之间的电压必定大于零。
( × ) 4．结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN 结反偏。
( √ ) 5．场效应管用于放大电路时，应工作于饱和区。
( √ ) 2．4 分析计算题1．图T2．1所示电路中的晶体管为硅管，试判断其工作状态。
解：(a)U BE =U B —U E ＝0.7—0＝0.7V ，发射结正偏；U BC =U B —U C ＝0.7—3＝—2.3 V ，集电结反偏因此晶体管工作在放大状态。
(b) U BE =U B —U E ＝2—3＝—1V ，发射结反偏；U BC =U B —U C ＝2—5＝—3 V ，集电结反偏因此晶体管工作在截止状态。
(c) U BE =U B —U E ＝3—2.3＝0.7V ，发射结正偏；U BC =U B —U C ＝3—2.6＝0.4V ，集电结正偏因此晶体管工作在饱和状态。
(d)该管为PNP 型晶体管U EB =U E —U B ＝(—2)—(—2.7)＝0.7V ，发射结正偏； U CB =U C —U B ＝(—5)—(—2.7)＝—2.3V ，集电结反偏因此晶体管工作在放大状态。
2．图T2．2所示电路中，晶体管均为硅管，β=100，试判断各晶体管工作状态，并求各管的I B 、I C 、U CE 。
解：(a)方法一：设晶体管工作在放大状态，则有 I C ＝βI B ＝100×0.053＝5.3mAU CE ＝12—5.3×3＝—3.9 V<0说明上述假设不成立，晶体管已工作在饱和区。
令晶体管的饱和压降U CE(Sat)＝0.3 V ，则集电极电流为因此可得晶体管的I B ＝0.053 mA 、I C ＝I CS ＝3.9 mA 、U CE ＝U CE(Sat)＝0.3 V 方法二：因为I B >I BS ，所以晶体管处于饱和状态，因而有 I B ＝0.053 mA 、I C ＝I CS ＝3.9 mA 、U CE ＝U CE(Sat)＝0.3 V(b) A mA K VI B μ4.80084.0510)7.06(==Ω-=设晶体管工作在放大状态，则有 I C ＝100×0.008 4 mA ＝0.84 mA U CE ＝5 V —0.84×3＝2.48 V> U CE(Sat)说明晶体管工作在放大状态，故上述假设成立，计算结果正确。
(c)基极偏压为负电压，发射结和集电结均反偏，所以晶体管截止，则I B ＝0，I C ＝0，U CE ＝5 V 3．放大电路如图T2．3所示，试图中所有电容对交流信号的容抗近似为零，试画出各电路的直流通路、交流通路和小信号等效电路。
解：(a)将C 1、C 2断开，即得直流通路如下图(a)所示；将C 1、C 2短路、直流电源对地短接，即得交流通路如下图(b)所示；将晶体管用小信号电路模型代人，即得放大电路小信号等效电路如下图(c)所示。
(b)按上述相同方法可得放大电路的直流通路、交流通路、小信号等效电路如下图 (a)、(b)、(c)所示。
4．场效应管的符号如图T2．4所示，试指出各场效应管的类型，并定性画出各管的转移特性曲线。
解：(a)为P 沟道耗尽型MOS 管，它的转移特性曲线如下图(a)所示，其特点是u GS ＝0时，i D ＝—I DSS(b)为N 沟道增强型MOS 管，它的转移特性曲线如下图(b)所示，其特点是u GS ＝0时， i D＝0(c)为N 沟道结型场效应管，它的转移特性曲线如下图(c)所示，其特点是u GS ＝0时，i D ＝I DSS ，且u GS ≤0第3章 放大电路基础3．1 填空题 1．放大电路的输入电压U i ＝10 mV ，输出电压U 0＝1 V ，该放大电路的电压放大倍数为 100 ，电压增益为 40 dB 。
2．放大电路的输入电阻越大，放大电路向信号源索取的电流就越小，输入电压也就越大；输出电阻越小，负载对输出电压的影响就越小，放大电路的负载能力就越强。
3．共集电极放大电路的输出电压与输入电压同相，电压放大倍数近似为 1 ，输入电阻大，输出电阻小。
4．差分放大电路的输入电压Ui1＝1 V，Ui2＝0.98 V，则它的差模输入电压Uid＝ 0.02 V，共模输入电压UiC＝ 0.99 V。
5．差分放大电路对差模输入信号具有良好的放大作用，对共模输入信号具有很强的抑制作用，差分放大电路的零点漂移很小。