(完整word版)电力电子复习

第二章电力电子器件

填空题：

1.电力电子器件一般工作在_开关__状态。

2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为_通态损耗_，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为_开关损耗。

3.电力电子器件组成的系统，一般由_主电路_、_驱动电路_、_控制电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路_。

4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为单极型器件、双极型器件、复合型器件三类。

5.电力二极管的工作特性可概括为单向导通。

6.电力二极管的主要类型有普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管。

7.肖特基二极管的开关损耗__小于_快恢复二极管的开关损耗。

8.晶闸管的基本工作特性可概括为正向有触发则导通、反向截止。（SCR晶闸管）

9.对同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L_大于I H。（I L=2~4I H）

10.晶闸管断态不重复电压U DRM与转折电压U bo数值大小上应为，U DRM_小于_Ubo。

11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。

12.GTO的__阴极和门极在器件内并联_结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。（GTO门极可关断晶闸管）

13.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为_二次击穿_ 。

14.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的_放大区_、前者的非饱和区对应后者的_饱和区_。

15.电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数。（MOSFET场效应晶体管、GTR电力晶体管、IGBT绝缘栅双极型

16.IGBT 的开启电压U GE（th）随温度升高而_略有下降_，开关速度_低于_电力MOSFET 。晶体管）

17.功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是智能功率集成电路。

18.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为电压驱动和电流驱动两类。

19.为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是负脉冲_。

20.GTR的驱动电路中抗饱和电路的主要作用是使基极驱动电流不进入放大区和饱和区。

21.抑制过电压的方法之一是用储能元件吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。在过电流保护中，快速熔断器的全保护适用于小功率装置的保护。

22.功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用快恢复型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。

23.晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是_静态均压_措施，给每只管子并联RC支路是动态均流措施，当需同时串联和并联晶闸管时，应采用_先串后并_的方法。

24.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有负温度系数,在1/2或1/3额定电流以上区段具有正温度系数。

25.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管_，属于半控型器件的是_晶闸管_，属于全控型器件的是GTO（门极可关断晶闸管）、GTR（电力晶体管）、电力MOSFET（电力场效应管）、IGBT（绝缘栅双极型晶体管）；属于单极型电力电子器件的有电力MOSFET（电力场效应管），属于双极型器件的有晶闸管（SCR）、GTO（门极可关断晶闸管）、GTR（电力晶体管）、电力二极管，属于复合型电力电子器件得有IGBT（绝缘栅双极型晶体管）；在可控的器件中，容量最大的是GTO（门极可关断晶闸管），工作频率最高的是IGBT（绝缘栅双极型晶体管），属于电压驱动的是电力MOSFET（电力场效应管）、IGBT（绝缘栅双极型晶体管），属于电流驱动的是晶闸管（SCR）、GTO（门极可关断晶闸管）、GTR（电力晶体管）、电力二极管。1.应用电力电子器件的系统组成如题图1-27所示，试说明其中各个电路的作用？（单复合型电压型，双型为电流型）

主电路：实现系统的系统功能。

保护电路：防止电路的电压或电流的过冲对系统的破坏。

驱动电路：将信息电子电路传递过来的信号按照控制目标的

要求转换成使电力电子器件开通或关断的信号，此信号加在器件

的控制端和公共端之间，对半控型器件只需要提供开通信号。

检测电路：检测主电路和应用现场的信号，再根据这些信号

按照系统的工作要求形成控制信号。

2.GTR 的安全工作区是如何定义的？如题图1-33所示，GTR 带电感性负载时，如果不接二极管VD 会产生什么问题？有了二极管VD 是否还要加缓冲电路呢？

3.流经晶闸管的电流波形如题图1－41所示。试计算电流波形的平均值、有效值。若取安全裕量为2，问额定电流为100A 的晶闸管，其允许通过的电流平均值和最大值为多少？

4.题图1-43中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为Im ，试计算各波形的电流平均值Id1、Id2、Id3与电流有效值I1、I2、I3。

GTR 工作时不仅不能超过最大电压U cem ，集电极

最大电流I cm 和最大耗散功率P cm ，也不能超过二次击

穿临界线。GTR 的安全工作区就是在这些限制条件规

定下的区域。

不加VD ，关断时会在L 上产生很高的自感电势，

使VT 过压，已损坏。有了二极管VD 还要加缓冲电路，

以抑制电力电子器件过电压降低du/dt

第三章整流电流

填空题：

1.电阻负载的特点是电压与电流成正比，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是180o。

2.阻感负载的特点是流过电感的电流不能发生突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是180o，其承受的最大正反向电压均为√2U2，续流二极管承受的最大反向电压为√2U2（设U2为相电压有效值）。

α角移相范围为0o~180o，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为√2/2 U2和√2U2 ；带阻感负载时，α角移相范围为0o~90o，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为√2U2和√2U2；

4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ =π-α-δ;当控制角α小于不导电角 δ 时，晶闸管的导通角 θ =0o。

5.从输入输出上看，单相桥式全控整流电路的波形与单相全波可控整流电路的波形基本相同，只是后者适用于低输出电压的场合。

8.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是最大（正的最多）的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是最小（负的最多）的相电压；这种电路 α 角的移相范围是0o~120o，u d波形连续得条件是a≤60o。

9.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值下降。

12.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当 α 从0°～90°变化时，整流输出的电压u d的谐波幅值随 α 的增大而增大，当 α 从90°～180°变化时，整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而减小。

13.三相桥式全控整流电路带阻感负载时，设交流侧电抗为零，直流电感L为足够大。当 α ＝30°时，三相电流有效值与直流电流的关系为I＝√2／3 Id ，交流侧电流中所含次谐波次数为6k±1，其整流输出电压中所含的谐波次数为___6k_。

16.逆变电路中，当交流侧和电网连结时，这种电路称为有源逆变，欲实现有源逆变，只能采用全控电路，当控制角0< α < π /2 时，电路工作在整流状态； π /2< α < π 时，电路工作在逆变状态。

17.在整流电路中，能够实现有源逆变的有单相全控、三相桥式全控整流电路等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是要有直流电动势，其极性需与晶闸管的导通方向一致，其值应大于变流器直流侧的平均电压和要求晶闸管的控制角a>π /2,使u d为负值。

18.晶闸管直流电动机系统工作于整流状态，当电流连续时，电动机的机械特性为一组平行的直线，当电流断续时，电动机的理想空载转速将抬高，随 α 的增加，进入断续区的电流变化很小也可引起很大的转速变化。

19.直流可逆电力拖动系统中电动机可以实现四象限运行，当其处于第一象限时，电动机作电动运行，电动机正转，正组桥工作在整流状态；当其处于第四象限时，电动机做发电运行，电动机反转，正组桥工作在逆变状态。简答题：

1.单相桥式全控整流电路、三相桥式全控整流电路中，当负载分别为电阻负载或电感负载时，要求的晶闸管移相范围分别是多少？

单相桥式全控整流电路中，当负载为电阻负载时，要求的晶闸管移相范围为0o~180o

当负载为电感负载时，要求的晶闸管移相范围为0o~90o

三相桥式全控整流电路中，当负载为电阻负载时，要求的晶闸管移相范围为0o~120o

当负载为电感负载时，要求的晶闸管移相范围为0o~90o

2.变压器漏感对整流电路有何影响？

①出现换向重叠角γ，整流输出电压平均值u d降低；

②整流电路的工作状态增多；

③晶闸管的di/dt减小，有利于晶闸管的安全开通；

④换向时晶闸管电压出现缺口，产生正的du/dt，可能使晶闸管误导通，必须加吸收电路；

⑤换向使电网电压出现缺口，成为干扰源；

3.晶闸管通态平均电流I T=100A，当流过晶闸管的实际电流如题图2-41所示, 求允许平均电流I d的值(不考虑环境温度与安全裕量)?