薄膜晶体管液晶显示器的发展分析

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单 晶 硅 高 温 多 晶 硅 低 温 多 晶硅 I G Z 0
表 1各类 薄膜 参数比较
属 性 非 晶硅 微 晶 硅 纳 米 硅
迁移率 ( c m / V・ S )
氢原子数 ( %) 晶粒大小 ( n m) I o n / l o t性 能 f
一 0 . 2
5 ~ l 0 O l 0
—0 . 5
1 5 3 ~ l 0
8 ~ 1 0
l 5 - 2 5 3 ~ 8
其 发展 的现 状 , 以期 为探 求 适应 市场 的新 科技 材料 的应 用 与开发提 供 一定依 据 。
关键 词 : 薄膜 晶体 管 ; 硅; 金 属氧 化物 ; 液 晶显 示 器 ; 发展 现状
0 引言
随着时代 的进步 , 人们在满足对衣食住 行的需 求 的基 础 上 , 对 精 神 的需 求 也 越 来 越 高 , 因此 对 显 示 器 的要 求 也 随 之 提升 , 不 仅 仅 停 留在基 础 性 能上 , 更 表 现 为 对 高 品质 色 彩 、 清 晰度 等 方 面 的追 求 上 。 薄 膜 晶体管在此基础上应运 而生 , 将 现代 电子科 技与 显 示 器 的技 术 有 效 结 合 , 最 早 为 了 配 合 笔 记 本 电 脑 的应 用 而 确 定 了其 地 位 , 随着 科 技 的广 泛 注 人 , 成 本 也 得 到 了降低 , 并 配合 市 场 的需求 , 轻 薄 的显 示 器 逐 步 成 为主 流 。 1 薄 膜 晶体 管液 晶显 示器 概述 科 学 家在 2 O世 纪 6 O年 代 中 期 时 发 现 , 对 液 晶 材 料 的外 部边 缘 增加 电场 以改 变其 光 向 , 利 用 这 原 理 研 发 液 晶 显 示 器 件 , 而 薄 膜 晶体 管 液 晶 显 示 器 是 在 这 一 基 础 上 运 用 薄 膜 晶 体 管 进 行 驱 动, 其 主要 构成 包括 : 上、 下偏 振 片 、 液 晶层 、 彩 色 滤 光片 、 薄 膜 晶体 管阵列 、 背光模 组等 。其 中薄膜 晶 体 管 主 要 起 到 开 关 的作 用 , 通常 是 3 段器 件 , 在 玻 璃基 衬 上源 极 连接 半 导体 再连 接漏 极 , 在 半 导 体 的相 对 处设 置 栅极 绝缘 层 , 并 在 此 基 础 上 通 过 施加 电压实现 电源的流通 … 。 针对显示 器 , 从 结构上看 , 是像素 、 共 同电极之 间 夹层 液 晶 ; 从 电学 上 看 , 是 兼 并 电容 的器 件 。显 示 图 像 的关 键 就 是 电 场 中分 子 取 向 问题 , 一 般 是 在 电 场下 , 液 晶分 子 通 过偏 振 片 的 共 同作 用 产 生 取 向上 的变化 , 使 得 通 过液 晶层 后 的入 射 光 发 生改 变 , 实 现 显示 图像 。对 于 薄膜 晶体 管 液 晶显 示 器 是 指 每一 像 素 上都 有 各 自的薄膜 晶体 管 , 可 以克 服 串扰 问题 , 使 其 不受 扫 描 数 影 响 , 提 高 成像 质 量 , 同 时满 足低 通 态
沙 双 庆
( 南京 中电熊猫平板显示科技有限公司, 江苏 南京 2 1 0 0 3 3 ) 摘要 : 随着科技 的发展 , 薄膜晶体 管液晶显 示器广受大众的好评 , 但目 前广泛运用的非晶硅薄膜晶体 管 却 因迁 移 率低 致使 其 阻碍 了行 业 的发 展 。 为解 决此 问题 而 引进 的 多晶硅 、 金 属氧 化物 等材 质 , 虽一 定程度上解决了此问题 , 但仍有其运 用的不足。为改善此状 况, 文章分析 了薄膜 晶体 管液晶显示器及
第2 6 期 2 0 1 7 年9 月
江 苏科 技信 息
J i a n g s u S c i e n c e& T e c h n o l o g y I n f o r ma t i o n
No . 2 6
Se p t e mbe r , 2 01 7
薄 膜 晶体 管液 晶显 示器 的发展 分 析

电阻 、 闭态 电阻 的要求 。 2 薄膜 晶体 管结 构 薄 膜 晶体 管 的性 能 会直 接 影 响 薄膜 晶体 管 显示 器 的质 量 与性能 等相 关 问题 , 而薄 膜 晶体管 的关 键就
是高品质薄膜 。因此在 了解薄膜 晶体显示器的运行 基础 前 , 就要 明确 薄膜 晶体 管 的构成 。 薄 膜 晶体 管 一 般 是 由正 、 反两 交 叠 结 构组 成 , 通 常 正交 叠 结 构 构成 了薄 膜 晶体 结 构 的源 极 、 漏极 , 却 因与 欧姆 叠结 构 替 代 , 反 交 叠 结构 通 常 为 背沟 道 刻蚀 型 、 保 护 型 。其结 构 的基 本构 成都 相似 , 如 源 电极 、 漏 电极 、 栅 金属 电极 有源 层 、 绝缘层 等 , 具体 示 意如 图 1 所示。
源 极 漏 板
玻 璃基片
栅擞
图 1 薄膜晶体管结构 示意
有 源 层 通 常 采用 硅 薄 膜 , 并 根 据 晶粒 百 分 比 、 大 小、 所 含氢 原 子不 同等 , 可 以分 为非 晶硅 、 微 晶硅 、 纳 米、 多 晶硅 、 单 品硅 等各 种类 型 , 其 中成功 大规 模生 产 的为非 晶硅及低 温多 晶硅 。近些 年随着新 材料 的进 一 步发 展 , 金属 氧化 物也成 了有源层 的新选择 , 其 中铟镓 锌 氧化 物 ( I n d i u m G a l l i u m Z i n c O x i d e , I G Z O) 已实现 大 规模 批量生 产 , 以上 薄膜材 质主要对 比如表 1 所示 。
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