半导体工厂使用的化学品清单
第3章 半导体制造中的化学品
怎样来存储和输送工艺用化学品取 决于这些因素:化学品的兼容性、减少 化学品的沾污和安全性。在半导体制造 过程中对化学品纯度的要求是超高纯净 ( UHP ),对杂质的控制是要低于十亿 分之一( ppb )到万亿分之一( ppt )的 范围之内。
一些化学品并不适合由BCD系统来输送, 它们或是使用的数量很少或是在使用前存 放的时间长度有限。这类化学品采用特别 的包装系统便于定点输送,如光刻过程中 使用的光刻胶。
中,就能诱发等离子态。
3.2 材料的属性
材料属性有两类,化学属性和物理属性。 材料的物理属性是指那些通过物质本身而不 需要与其他物质相互作用反映出来的性质。 物理属性有:熔点、沸点、电阻率和密度等。 材料的化学属性是指那些通过与其他物质相 互作用或相互转变而反映出来的性质。化学 属性有:可燃性、反应性和腐蚀性。
一. 酸(Acid)
在半导体制造过程中使用了多种酸 。表3.1列出了一些常用的酸及其在硅片 加工中的特定用途。
表3.1
半导体制造过程中常用的酸
二. 碱(Alkali) 表3.2列出了在半导体制造过程中通常会 使用的碱性物质。
表3.2 半导体制造过程中常用的碱
三.溶剂
溶剂是能够溶解其他物质而形成 溶液的物质。溶剂是相对于溶质来说 的,不同的溶质需要不同的溶剂来形 成溶液。在生产中,一种好的溶剂能 够溶解很大范围内的同类溶质。 表3.3列出了硅片厂常用的溶剂。
第三章 半导体制造中的化学品
3.1 物质形态
宇宙中的所有物质都存在三种基本形态: 固态、液态或气态。另外还有第四种形态:等 离子体。 固体有其自己固定的形状,不会随着容器 的形状而改变。液体随着容器的形状而改变自 己的形状。液体会填充容器的相当于液体体积 大小的区域,并会形成表面。气体也随着容器 的形状而改变自己的形状,但气体会充满整个 容器,不会形成表面。
巴斯夫 半导体化学品
巴斯夫半导体化学品
巴斯夫是一家全球知名的化工公司,也是半导体化学品领域的
重要供应商之一。
在半导体化学品方面,巴斯夫提供多种产品和解
决方案,包括用于制造半导体材料的化学品和材料,以及用于半导
体制造过程的化学品。
首先,巴斯夫在半导体化学品领域提供的产品包括各种高纯度
化学品,如气相和液相前体,用于制造半导体材料,例如硅片和光
刻胶。
这些化学品对半导体材料的质量和性能起着至关重要的作用,因此巴斯夫在确保其产品高纯度和稳定性方面投入了大量的研发和
生产资源。
其次,巴斯夫还提供用于半导体制造过程的化学品和材料,例
如用于清洗和去除残留物的化学品,以及用于表面处理和涂覆的材料。
这些产品在半导体制造过程中起着关键作用,可以帮助确保芯
片的质量和性能。
此外,巴斯夫还致力于为半导体行业提供定制化的解决方案,
以满足不断变化的市场需求和技术挑战。
通过与客户紧密合作,巴
斯夫可以根据客户的特定要求定制化学品和材料,帮助客户提高生
产效率和产品质量。
总的来说,巴斯夫作为半导体化学品领域的重要供应商,通过其广泛的产品和解决方案,以及与客户的紧密合作,为半导体行业的发展和创新提供了重要支持。
巴斯夫在半导体化学品领域的持续投入和创新努力,将有助于推动半导体行业的持续发展和进步。
半导体制程用化学品应用
濕式蝕刻技術與化學品
濕式蝕刻技術是屬於化學品(液相)與薄膜(固相)之表面反應,此技術之優點在於其 製程簡且產量速度快,而由於化學反應並無方向性乃是屬於一種等方向性蝕刻.一般而 言,濕式蝕刻在半導體製程可用於下列幾個方面:
二氧化矽層之圖案蝕刻(Pattern)或去除 氮化矽(Nitride)層之圖案蝕刻或去除 金屬層(如Al)之圖案蝕刻或去除 多晶矽(Polycrystalline Si)層之圖案蝕刻或去除 非等向性矽層蝕刻 減低矽晶圓蝕刻 矽晶圖表層拋光 矽晶圖表層粗糙化 矽晶圓回收(Wafer Reclaim)
主要應用在微粒子之清除。利用NH4OH之弱鹼性來活化Si晶圓表層,將附著於表面之微粒子去除, 此外NH4OH具強化合力,也可同時去除部份金屬離子。一般是以NH4OH:H2O2:H2O = 1:1:5之體積 比例混合液在70oC溫度下進行5-10分鐘之浸泡清洗。
RCA Standard Clean 2 (SC-2,又稱HPM) HCl/H2O2/H2O
Post Plasma Etch Polymer removers Passivation of metal layers Pad passivation Hydroxyamine Ethanoldiamine Alkyl diol
Cleaning
Post CMP cleaning Particle removal
5/8/2020
微影技術用化學品
光刻膠稀釋液
光刻膠乃是經由旋轉塗佈程序而在晶片上形成薄膜,然若其黏度溫過高經常會在晶片邊緣形成珠 狀殘餘物(Edge Bead).若加入光刻膠稀釋液則可有效控制此現象之發生.
目前工業上較常使用之光刻膠稀釋液包括乙醇鹽類如Propylene Glycol Monomethyl Ether (PGME)及Propylene Glycol Monomethyl Ether Acetate (PGMEA)混合物;乳酸鹽類如Ethyl Lactate及 酮類如Methyl Ethyl Ketone等.
半导体制造中常用的液体介绍
半导体制造中常用的液体介绍一、蚀刻液蚀刻液是半导体制造过程中使用最广泛的一种液体。
它主要用于去除半导体晶圆表面的杂质和不需要的层。
蚀刻液的种类繁多,常见的包括硝酸、氢氟酸、稀盐酸等。
不同的蚀刻液适用于不同的材料和蚀刻目的。
例如,硝酸可用于蚀刻金属铝,氢氟酸可用于蚀刻二氧化硅。
二、清洗剂清洗剂是用于去除半导体晶圆表面残留的蚀刻液、杂质和有机物的液体。
在半导体制造过程中,要求晶圆表面的纯净度非常高,因此清洗剂的选择和使用非常重要。
常见的清洗剂有去离子水、氨水、甲醇等。
去离子水可以用于去除表面的离子污染物,氨水可用于去除表面的有机物,甲醇可用于去除表面的油脂。
三、溅射靶材液溅射靶材液是用于半导体制造中溅射工艺的一种液体。
溅射工艺是一种利用高能粒子轰击靶材表面,使其溅射出材料沉积到晶圆上的技术。
溅射靶材液主要是一些金属或合金的溶液,例如铝溅射靶材液、铜溅射靶材液等。
这些溅射靶材液通过溅射工艺将金属材料沉积到晶圆上,形成所需的电路元件。
四、光刻胶光刻胶是半导体制造中用于光刻工艺的一种液体材料。
光刻工艺是制造半导体器件中非常重要的一步,它通过将光刻胶涂覆在晶圆表面,然后使用掩膜和紫外线曝光的方式将图案转移到光刻胶上,最后通过蚀刻等步骤将图案转移到晶圆上。
光刻胶的选择要根据不同的工艺要求和材料特性进行,常见的光刻胶有正胶和负胶两种。
五、脱脂剂脱脂剂是用于去除半导体晶圆表面油脂污染的液体。
在半导体制造过程中,晶圆表面的油脂污染会严重影响器件的性能,因此需要使用脱脂剂进行清洗。
脱脂剂通常是一些有机溶剂,例如醇类、酮类、醚类等。
脱脂剂能够有效地溶解油脂,使其从晶圆表面脱落。
六、电镀液电镀液是半导体制造中用于电镀工艺的一种液体。
电镀工艺是将金属材料沉积到晶圆上的一种技术,通过在电解液中施加电压,使金属离子在晶圆表面还原沉积。
电镀液的种类很多,常见的有镍电镀液、铜电镀液、金电镀液等。
它们根据不同的电镀要求和材料特性进行选择。
半导体的主要原材料
半导体的主要原材料
半导体的主要原材料包括:
1. 硅(Silicon):硅是最常用的半导体材料,因为它具有适合
制造晶体管的特性,如稳定性和可控性。
2. 砷化镓(Gallium Arsenide):砷化镓是另一种常用的半导
体材料,特别适用于高频和高功率应用,如雷达和通信设备。
3. 砷化磷(Gallium Phosphide):砷化磷在光电子器件中具有
广泛应用,如光纤通信和光伏电池。
4. 碳化硅(Silicon Carbide):碳化硅具有优异的热导性和耐
高温特性,因此被广泛应用于高功率电子设备和高温工况下的应用。
5. 硒化铟(Indium Selenide):硒化铟主要应用于太阳能电池、光传感器和半导体激光器等领域。
6. 砷化铟(Indium Arsenide)和砷化铟磷(Indium Gallium Arsenide):砷化铟和砷化铟磷在光电子器件中具有重要应用,如光传感器和红外探测器。
7. 氮化镓(Gallium Nitride):氮化镓在光电子和功率电子器
件中广泛应用,如LED和功率放大器等。
除了以上主要的半导体原材料外,还有一些其他材料如硒化锌(Zinc Selenide)、氮化硼(Boron Nitride)等也被用于特定
的半导体器件制造中。
半导体制造中常用化学品
n型硅片离子注入的磷源
乙硼烷/B2H6
p型硅片离子注入的硼源
原硅酸四乙酯/
TEOSSiOC2H54
气相沉积工艺的二氧化硅源
二氯硅烷/SiH2Cl2
气相沉积工艺的硅源
氟化物
三氟化氮/NF3
等离子刻蚀工艺中的氟离子源
六氟化钨/WF6
金属淀积工艺的钨源
四氟甲烷/CF4
等离子刻蚀工艺中的氟离子源
NH4F
刻蚀二氧化硅薄膜SiO2
磷酸
H3PO4
刻蚀氮化硅Si3N4
硝酸
HNO3
用HF和HNO3的混合溶液来
刻蚀磷硅酸盐玻璃PSG
半导体制造过程中常用的碱
名称
符号
用途
氢氧化钠
NaOH
湿法刻蚀
氢氧化铵
NH4OH
清洗剂
氢氧化钾
KOH
正性光刻胶显影剂
氢氧化四甲基铵
TMAH
正性光刻胶显影剂
半导体制造过程中常用的溶剂
名称
符号
用途
去离子水
DI water
广泛用于漂洗硅片和稀释清洗剂
异丙醇
IPA
通用的清洗剂
三氯乙烯
TCE
用于硅片和一般用途的清洗溶剂
丙酮
Acetone
通用的清洗剂比IPA更强
二甲苯
Xylene
强的清洗剂,也可以用来去除硅片边缘光刻胶
半导体制造过程中常用的通用气体
性质
名称/符号
用途
惰性
氮气/N2
排出残留在气体配送系统和工艺腔中的湿气和残余气体,有时也作为某些淀积工艺的工艺气体
NH4OH/H2O2/H2O
金属不含铜
11半导体厂房化学品供应系统
Chemical Supply System 化学品供应系统简介类别流程图备注小型系统(原料桶充填式)§使用量 : 80~200L/天§用户点 : 很少§输送动力为泵或气体压力§使用量 : 300~4000L/充填及供应模块储藏槽罐充填模块储藏槽罐供应模块快速连接器储藏槽罐输送模块供应模块FMCSOCPHUBCDUVMBToolTee BoxProvided By Systems Chemistry,INCTroubleStopRequest EMO1.当机台需求化学品时,传送Request 讯号给OCP .2.OCP 收到讯号后,会先检查CDU 是否Ready 供应若是,则回传Ready 讯号.若否,则回传Trouble 讯号3.机台端EMO 被压下时,则停止供应化学品.+24V+24V +24VGN2inletStorageTank充填槽车CDUProvided By NOV AProvided By NOV AOutletPumpTransfer FilterSupply FilterGN2inletCDA inletDrumDay TankTankProvided By Systems Chemistry,INCOutletDrumTank PumpTrans/Rec FilterSupply FilterDrain Port手动阀箱体内侧下方装设泄漏侦测器Provided By NOV 箱体以PP 制成2.CPVC 外盖箱体与外盖间以 O-Ring 密合管件以PFA 制成一般酸碱类适用箱体内侧下方装设泄漏侦测器Drain PortinletCDA inlet From OCP to 气动阀Purge inletDrain PortExhaust气动阀手动阀保养管路时需先以PN2将化学品 Purge 至机台端 Drain4132Provided By NOV PP 制成外盖箱体与外盖间以 O-Ring 密合PFA 制成一般酸碱类适用1. 2. 3. 4. 5.按钮手动阀箱体内侧下方装设泄漏侦测器Drain Portinlet系统完全性1. 使用碳钢TANK,内衬PTFE,可保证其在高压压力下的安全性。
半导体工厂的毒性
半导体工厂的毒性作者:xxsavage 发表时间:2007-3-21 14:56:29在半导体厂设备单位一般包括Diff、Thin-film、CMP、Etch、Photo,各单位的主要性质介绍如下:(一)Diff 扩散设备单位(包括Kaijo、TEL、DNS、Applied 等)主要用到有毒、无毒的Process Gas、water、高电压、高电流、废气,Clean机台则使用强酸碱化学品、而有废酸液的生成。
(二)Thin-film 薄膜设备单位(包括Applied、Novellus 等)主要用到有毒、无毒的Process Gas、water、高电压、高电流、高频、废气。
(三)CMP 研磨设备单位(包括Applied、EBARA等)主要用到强碱slurry 化学液、water、而有废碱液的生成。
(四)Etch 蚀刻设备单位(包括Lam、TEL、Applied、Kaijo、Mattson、Axcelis 机台)蚀刻机台的制程主要用到有毒特殊气体(Cl2,HBr,氟化物等)、无毒的气体(N2,Ar….)、water(冷却循环水,去离子水….)、高电压、高频、高电流在真空中反应,且在生产过程会有废气、辐射、废水的生成物。
(五)Photo 黄光设备单位(包括Nikon stepper\Scanner、TEL track及其它相关量测或检视机台)主要用到紫外线光源HMDS、thinner、光阻等有机溶剂,且有高电流、高电压、紫外线的应用,生产过程会有废气、废液的生成。
综合一般无尘室内常见的工业安全伤害,可分为化学性、物理性的伤害,而伤害也分布身体的各部位。
以下就将各单位较易发生及机台维修的安全事项说明如下:(一)Diff 扩散设备单位1、Furnace tools and CVD tools(1)机械方面:robot 的夹伤、撞伤、chamber 毒气外泄、plasma 辐射伤害、gatedoor 的夹伤,高温烫伤。
1.7半导体制造中的化学品
工艺用化学品
• 有几种技术可以同时满足更洁净的化学品、
更严格的工艺控制和较低的费用。 • 一种是使用(POU)化学品混合器 (BCDS的另一版本)。这种装置连接在湿 洗柜或自动机械上,混合化学品后把他们 送到工艺罐中。
• 另一种就是化学品再加工系统,这种装置
设于湿工艺工作台的排水系统中。去除离 子的化学品被再过滤或者在某些情况下需 再加入离子重新使用。重要的“再利用刻 蚀器”要接上过滤器以保证为晶圆提供洁 净的化学品源。
• 1立方厘米水的电阻值就是水的电阻率,单
位Ω .cm,用ρ 表示。 • 去离子水在25摄氏度时的电阻率是 18MΩ· Cm,一般称为18兆欧水。是最理 想的生产用水,不同温度下水的电阻率不 同
去离子水生产流程
– 预处理系统:去除石、砂、无烟煤、软化水以 防垢、除去阳离子 → – 补偿循环系统:去除颗粒(5微米以下)、有 机碳、细菌、电离杂质和溶解矿物→用过滤器、 防垢器和净化装置 – 精处理系统:去除其余杂质,最终微粒在0.2 微米以下
3 等离子体
• 是被电离后的气体,即以离子态形式存在
的气体(正离子和电子组成的混合物 ) • 1.等离子体呈现出高度不稳定态,有很强 的化学活性。等离子体辅助CVD就是利用 了这个特点。 2.等离子体是一种很好的导 电体,利用经过设计的磁场可以捕捉、移 动和加速等离子体。
4 去离子水的制备
• 超纯去离子水:(DI)水或UPW • 城市系统中的水包含大量的洁净室不能接
受的污染物。
天然水
• 天然水中通常含有五种杂质: • 1.电解质,包括带电粒子:有H+、Na+、K+、
NH4+、Mg2+、Ca2+、Fe3+、Cu2+、 Mn2+、Al3+等;阴离子有F-、Cl-、NO3-、 HCO3-、SO42-、PO43-、H2PO4-、 HSiO3-等。 2.有机物质:有机酸、农药、烃类、醇类和酯 类等。 3.颗粒物。 4.微生物。 5.溶解气体,包括:N2、O2、Cl2、H2S、
第四章 半导体制造中的化学品,沾污控制和硅片清洗
f 自然氧化层:
g 静电释放:
h:人员产生的污染
(1)洁净室工作人员是最大的污染源之一。即使一 个经过风淋的洁净室操作员,当他坐着时,每分钟也 可释放十万到一百万个颗粒。 (2)人类的呼吸也包含着大量的污染,每次呼气向 空气中排出大量的水汽和微粒。而一个吸烟者的呼吸 在吸烟后在很长时间里仍能带有上百万的微粒。 (3)而体液,例如含钠的唾液也是半导体器件的主 要杀手。
超级净化空气
风淋吹扫、防护服、面罩、 手套等,机器手/人
超纯化学品 去离子水
特殊设计及材料 定期清洗
各种可能落在芯片表面的颗粒
b 金属离子
➢ 来源:化学试剂,离子注入、反应离子刻蚀等工艺 ❖量级:1010原子/cm2
Fe, Cu, Ni,
Cr, W, Ti…
➢ 影响:
Na, K, Li…
✓在界面形成缺陷,影响器件性能,成品率下降
0.5um
一般城市的空气中通常包含烟、雾、气。每立方英 尺有多达五百万个颗粒,所以是五百万级。
因为 209E 以 0.5 微米的颗 粒定义洁净度,而成功的晶 圆加工工艺要求更严格的控 制,所以工程技术人员工程 师们致力于减少10级和1级环 境中0.3 微米颗粒的数量。 Semetech/Jessi 建议: 64 兆内存加工车间为 0.1 级, 256 兆内存为 0.01 级。
70~80C, 10min
碱性(pH值>7)
✓可以氧化有机膜 ✓和金属形成络合物 ✓NH4OH对硅有腐蚀作用 ✓缓慢溶解原始氧化层,并再氧化——可以去除颗粒
硅表面与粒子间的相互作用力:范德华力和电偶层相互作用力 硅的表面电位为负 大部分离子在碱性条件下为负 同极性:粒子必须越过位垒才能向表面附着
半导体制造中的化学品
3.2 .1 半导体制造中的化学属性
表面张力
当一滴液体在一个平面上,液滴存在着一个接触表面积。 液滴的表面张力是增加接触表面积所需的能量。随着表面积 的增加,液体分子必须打破分子间的引力,从液体内部运动 到液体的表面,因此需要能量。表面张力的概念用在半导体 制造中来衡量液体均匀涂在硅圆片表面的粘附能力。 热膨胀
11
3.2 .1 半导体制造中的化学属性
应力
当一个物体受到外力的作用时,就会产生应力。应力的大 小取决于两个因素:外力的大小和外力作用的面积。国际单位制 中应力的单位是磅每平方英寸(psi或Pa),应力的公式为:
应力=外力/面积(psi) 在硅圆片中有多种原因可以导致应力的产生。硅片表面的物 理损伤;位错、多余的空隙和杂质产生的内力;外界材料生长都 可以产生应力。如果两个热膨胀系数(CTE)相差很大的物体结 合在一起,然后加热,由于两种材料以不同的速率膨胀导致它们 彼此推拉,因而产生应力。由于CTE不匹配产生的应力会使硅片 弯曲。在半导体制造工艺中由于微芯片采用多层不同的CTE材料 的平面工艺,所以非常关心这种应力。淀积膜通常会产生两种应 力:拉伸应力和压缩应力,应力的性质取决于工艺条件。确保材 料有最小的应力可以改善芯片的可靠性。
物,反应生成的物质则叫生成物。
典型的化学反应的例子是氢气在氧气中燃烧。这两种化学材料在
自然状态下都是气体。当氢气的温度超过600℃时,氢气将会与氧气
发生化学反应。结果是在爆炸性的热反应后有副产物水蒸气生成。化
学反应式如下: 2H2(气体)+O2
(气体)(加热)
H.1 半导体制造中的化学属性
在半导体制造的湿法工艺步骤里使用了许多种液体。硅片加工厂 使用的所有液体都要求有极高的纯度,没有任何微粒、金属离子或不 想要的化学物质的沾污。化学沾污是一个相对的概念。频繁用于描述 杂质微小浓度的单位是体积或重量的百万分之几(ppm),例如空气 中杂质含量的浓度大约是ppm这一量级。为了计算杂质体积的ppm, 可以先假设在一定体积空气中杂质的含量,然后用它除以空气的质量, 再乘上100万。在硅片加工厂一些特定的化学品其杂质含量有着更为 苛刻的要求,通常要求低于十亿分之一(ppb)或万亿分之一(ppt)。 然而在硅片加工厂工艺用化学品中杂质的数量通常被测量仪器的精度 所限制。
半导体制造中的化学品(自学为主)
应力
• 淀积膜通常会产生两种应力:拉伸应力和 压缩应力,应力的性质取决于工艺条件。
Deposited film Substrate (a) 压缩应力 (b) 拉伸应力 (c) CTE of deposited material equals CTE of substrate High CTE material Low CTE material
学习目标: 1.物质的四种形态 2.半导体制造有关的重要化学性质 3.半导体工艺化学品的分类和使用 4.如何在芯片制造中使用酸、碱和溶剂 5.通用气体和特种气体,气体在晶片制造中 的运送和使用
• 半导体制造业中使用大量的化学品来制造 硅片。另外化学品还被用于清洗硅片和处 理在制造工艺中使用的工具。在硅圆片制 造中使用的化学材料被称为工艺用化学品。 它们有不同的形态并且要严格控制纯度。
气体的压强和真空
• 压强定义为: 施加在容器表面上单位面积的力。所 有的工艺机器都用气压表来测量和控制气 压。 气压的大小用英磅每平方英寸(psia) 来表示。
气体的压强和真空
• 真空是在半导体工艺中要遇到的术语,它 实际上是低压的情况。 一般来说,压力低于标准大气压(14.7 psia )就认为是真空。
物质形态
• • • • 固态 液态 气态 等离子态
• 固体在常温常压下保持一定的形状和体积。 • 液体有一定的体积但形状是变化的。一升水会与 其容器形状一致。 • 气体既无一定形状又无一定体积。它也会跟其容 器形状一致,但跟液体不同之处是,它可扩展或 压缩直至完全充满容器。 注:特定物质的状态与其压力和温度有关。 温度是对材料中包含的所有能量的一种衡量。
• 等离子体是电离原子或分子的高能集合, 在工艺气体上施加高能射频场可以诱发等 离子体。它可用于半导体技术中促使气体 混合物化学反应。
半导体通用化学品容器-PFA试剂瓶的应用
湿电子化学品—半导体、微电子、光电子湿法工艺(湿法刻蚀、清洗、显影、互联等)制程中使用的各种电子化工材料。
按用途可以分为通用化学品和功能性化学品
通用化学品又被称为超净高纯试剂,腐蚀性强,半导体集成电路制造应用较多,半导体对湿电子化学品的微金属杂质含量等方面有严格要求,在晶圆制造中,精确性直接影响到半导体芯片的质量和性能。
所以对容器的纯度要求也非常苛刻,这时候PFA的作用就体现出来了
PFA又称可溶性聚四氟乙烯,超纯材料基本无溶出析出,耐强酸腐蚀的特性杯广泛用于半导体行业。
常用湿电子化学品容器就是PFA试剂瓶
PFA试剂瓶:分为大口小口瓶GL32,GL45两种型号
本底纯净耐腐蚀性强的优点,常常作为超净高纯试剂的储液瓶,螺纹口密封性好
常用规格:
30ml 60ml 100ml 250ml 300ml 500ml 1000ml 2000ml。
半导体 化学原料
半导体化学原料半导体是一种重要的电子材料,它被广泛应用于微电子、光电子、信息技术等领域。
半导体的制备过程中,需要用到各种化学原料。
本文将介绍一些常用的半导体化学原料。
1. 硅(Si)硅是半导体制备中最重要的原料之一。
它是一种广泛存在于地壳的化学元素,占地球壳中总质量的27.7%。
在半导体工业中,硅的纯度要达到99.9999%以上,通常使用化学气相淀积(CVD)、分子束外延(MBE)等技术制备高纯度晶体硅和硅薄膜。
2. 氨(NH3)氨是一种无色气体,具有较强的还原性,易于与氧化物反应生成亚硝基和氮氧化物。
在半导体制备中,氨通常用作化学气相淀积的氮源,也用于制备硝酸铝等其它化学物品。
3. 氧化铝(Al2O3)氧化铝是一种重要的半导体化学原料,它具有良好的绝缘能力、化学稳定性和耐高温性。
在半导体制备中,氧化铝通常用于制备氮化铝(AlN)薄膜。
此外,氧化铝还可以用于制备铝电解电容器、玻璃陶瓷、陶瓷填料等。
5. 氯(Cl2)氯是一种有毒气体,具有强烈的腐蚀性。
在半导体制备中,氯主要用于刻蚀、清洗和沉积等过程。
例如,高纯度的氧化硅可以通过氯化硅封口法得到。
氯还可以用于制备氯离子等其它化学物品。
6. 磷(P)磷是一种重要的半导体化学原料,它可以用于掺杂硅获得n型半导体。
在半导体制备中,掺杂磷的方法通常是将气相的磷化氢(PH3)注入石英管中,在高温下进行化学气相淀积。
除此之外,磷还可以用于制备荧光剂、农药等。
7. 硼(B)硼是一种轻金属,通常用于掺杂硅获得p型半导体。
在半导体制备中,掺杂硼的方法通常是将三氯化硼(BCl3)气体和氢气反应,或使用卤化物还原法将硼挥发物分别与氢气或异丙醇反应。
除此之外,硼还可以用于制备陶瓷、热水瓶涂层、马蹄铁等材料。
半导体 化学原料
半导体化学原料
半导体化学原料是指用于半导体制造中的各种化学物质。
半导体材料通常由单晶硅和其他元素组成。
在制备半导体材料过程中,需要使用各种化学原料,例如气相沉积法中使用的气体,溶液中使用的溶剂和溶质。
这些化学原料的质量和纯度对最终产品的性质和性能有着至关重要的影响。
半导体化学原料的种类繁多,包括气体、液体和固体三种状态的物质。
其中比较常见的化学原料有:氯化硅、三氯化铝、氟化氢、氯化氢、溴化氢、二甲基硅烷、磷酸二乙酯、磷酸三甲酯等。
半导体化学原料在半导体工业中的应用非常广泛。
例如,气相沉积法中的SiH4和NH3可用于生产硅和氮化硅材料;氯化硅、三氯化铝和氯化氢等可用于化学气相沉积法和物理气相沉积法中生产硅和金属氧化物等材料;磷酸三甲酯和磷酸二乙酯可用于生产磷化硅等半导体材料。
半导体化学原料的纯度和质量对半导体产品的性能和品质有着很大的影响。
因此,在半导体制造过程中必须严格控制化学原料的纯度,以确保最终产品的稳定性和可靠性。
同时,半导体化学原料的使用也需要遵循严格的安全措施,以避免化学物质对人体的伤害和环境的污染。
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半导体 废溶剂
半导体 废溶剂
半导体制造过程中使用的溶剂通常是有机溶剂,如丙酮、异丙醇(IPA)、甲醇等。
这些溶剂在生产过程中用于清洗、去脂、脱水和干燥等多种工艺步骤。
然而,随着使用,这些溶剂会逐渐被污染,含有杂质和残留物,成为废溶剂。
废溶剂的处理是一个重要环节,因为它们可能对环境造成污染,同时也存在安全隐患。
如果不当处理,有机溶剂可能会挥发到大气中,造成空气污染;如果渗入土壤或水源,还可能对生态系统造成长期的负面影响。
为了减少环境影响和提高资源利用效率,半导体制造商通常会采取以下措施来处理废溶剂:
1. 回收再利用:通过蒸馏、过滤等物理方法去除溶剂中的杂质,使其达到可以重新使用的标准。
这种方法不仅减少了新鲜溶剂的需求,也降低了废物处理的成本和环境负担。
2. 焚烧处理:对于无法回收的废溶剂,可以通过高温焚烧的方式将其分解为无害的气体和水蒸气,以减少对环境的影响。
焚烧过程需要严格控制,以确保所有的有害物质都被彻底分解。
3. 化学处理:某些情况下,废溶剂可以通过化学反应转化为其他有用的化学品或者进行无害化处理。
4. 合规处置:对于不能回收或转化的废溶剂,必须按照当地环保法规进行安全处置,通常由专业的废物处理公司负责收集和处理。
在处理废溶剂的过程中,半导体制造商需要遵守严格的环保法规,并采取相应的环境保护措施,以确保其操作不会对环境和公众健康造成危害。
同时,随着环保意识的提高和技术的发展,越来越多的企业正在寻求更加环保和经济的废溶剂处理方法。
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Chemical UseStandard Operating Procedure1.0PurposeThis document provides detailed instructions on chemical use at the wet benches at WashingtonTechnology Center.2.0Equipment and Materials2.1Equipment2.1.1Wet bench2.1.2Spin rinse dryer2.1.3Face shield2.1.4Apron2.1.5Chemical gloves2.1.6Timer2.1.7Tweezers2.1.8Teflon cassettes2.1.9Teflon cassette handles2.1.10Teflon single wafer holders2.2ChemicalsThe chemicals available in the lab are as followsName Composition Purpose Acetic acid 100% acetic acid Wafer cleanAcetone 99-100%acetone SolventAluminum etch 71-73% Phosphoric acid5-15% water9-11% nitric acid1-3% acetic acidEtch aluminumAmmonium fluoride 40% ammonium fluoride60% waterOxide etchAmmonium hydroxide 29% ammonium hydroxidewaterWafer cleanAZ300T 4% Tetramethylammonium hydroxide41% N-methylpyrrolidone, NMP, 1-methyl-2-pyrrolidinone55% Propylene glycol, 1, 2-propane-diolremove photoresistAZ 351 <10% sodium borates>90% water Developer for 1512 and 1518AZ 400K <15% Potassium borates>85% water Developer for 4620 and 9260AZ 1512 75% 1-methoxy-2-propanol acetate Thin Photoresist<25% Cresol novolak resin<10% diazonapthoquinonesulfoniestersAZ 1518 71% 1-methoxy-2-propanol acetate<30% Cresol novolak resin<10% diazonapthoquinonesulfoniestersThin (~2um) PhotoresistAZ 4620 62% 1-methoxy-2-propanol acetate<35% Cresol novolak resin<5% diazonaphthoquinonesulfoniestersThick photoresistAZ 9260 57% 1-methoxy-2-propanol acetate<40% Cresol-novolak resin<5% DiazonaphthoquinonesulfonicestersThick photoresist10:1 BOE 40% ammonium fluoride5% hydrogen fluoride55% water0.2% surfactantetch oxideChromium etch (TFD) 5-10% Ceric Sulfate5-10% Nitric Acid1-5% Sulfuric Acid75-89% WaterEtch chromiumCopper etch (Type 100/200) 30% ferric chloride3-4% hydrochloric acidwaterEtch copperEKC 830 50-60% 2-(2-Aminoethoxy) Ethanol40-50% N-Methyl PyrrolidoneRemove photoresistFuturrex 2.27% tetramethyl ammoniumhydroxidewaterNegative resist developerGold Etch (TFA) 1-10% iodine complex20-40% potassium iodide50-79% waterEtch goldHMDS 100% Hexamethyl disilazane Adhesion promoter Hydrocholoric acid 37% hydrogen chloridewaterremove metalsHydrofluoric acid 49% HFwateretch oxide, nitrideHydrogen peroxide 30% hydrogen peroxidewaterOxidizerIsopropyl alcohol 100% 2-propanol solventNanostrip 90% sulfuric acid5% peroxymonosulfuric acid<1% hydrogen proxideRemoves organics, metals Nickel etch TFB 10 to 20% nitric acid Electroless plating<1% Potassium PerfluoroalkylSulfonate80 to 90% waterNitric acid 70% nitric acid etchantP-20 20% Hexamethyl disilazane80% 1-methoxy-2-propyl acetateAdhesion promoterPad etch 1 31-35% acetic acid12-16% ammonium fluoride51-55% waterOxide etchPad etch 4 30-34% acetic acid11-15% ammonium fluoride4-8% glycol47-51% waterOxide etchPalladium Etch (TFP) 30% ferric chloride3-4% hydrogen chloride66-67% water**this is the same as copper etch 100*Etch palladiumPhosphoric acid 74-95%waterEtch nitridePolyimide Coating 30-60% n-methyl-2-pyrollidone5-10% tetraethylene glycol diacrylate30-60% photosensitive polimide resin1-5% proprietary ingredientsPlanarization “oxide”Polyimide Developer (HD Microsystems) >60% cyclohexanone30-40% 4-butyrolactoneDeveloperPolyimide Rinse 10-30% cyclohexanone>60% butyl acetaterinsePotassium hydroxide 45% potassium hydroxidewater Etch silicon with nitride maskQZ3501 polyimide developer 60-80% dihydrofuranone20-40% butyl acetatedeveloperR19180 polyimide developer 10-30% cyclohexanone>60% butyl acetatedeveloperRD6 Negative Resist Developer 97-98% water2-3% tetramethyl ammoniumhydroxidedeveloperSilver Etch (TFS) 3-10% iodine complex18-42% potassium iodide48-79% waterEtch silverSPR 220 30-52% Ethyl lactate15-25% anisole1-10% diazo photoactive compound14-40% Cresol Novolak Resin1-5% 2-Methyl Butyl Acetate2-7% n-amyl acetateThick resistSTR 1075 48-53% Ethyl lactate1-5% n-butyl acetate1-10% diazo photoactive compound30-40% Cresol Novolak Resin1-5% xylene<1% organic siloxane surfactantThick resistSU8 developer 100% methoxy-2propyl acetate developerSulfuric acid 98% sulfuric acid remove organics, metalsSylgard silicone elastomer curing agent 59% Dimethyl, methyl hydrogensiloxane13% Dimethyl vinylated andtrimethylated silicaCuring agentXP SU-8 10 40-45% Gamma butyrolactone55-60% Mixed triarylsulfonium/hexafluoroantimonate saltNegative photoresistXP SU-8 developer 98-100% 1-methoxy-2-propyl acetate DeveloperTMAH 25% tetramethylammonium hydroxide75% waterAnisotropic etch3.0SafetyA buddy system applies to the use of chemicals after normal working hours: anotherknowledgeable user should be in the clean room, aware of your situation, and closeenough to be of assistance if you have an accident.3.1 Heat3.1.1 Hot plates used for heating chemicals must be attended. You must be in the cleanroom and near the hot plate when it is on.3.1.2Check that each container you use on a hotplate is approved for hotplate use.3.1.3 The wafer baking hot plates are not to be used with chemicals.3.2 Chemical Vapor3.2.1 When working with chemicals, always use the vented chemical hoods.3.2.2 Wear appropriate personal protective equipment.3.2.3 Keep your head above the Plexiglas especially when mixing, pouring, andheating.3.2.4 Pour only approved chemical mixtures.3.2.5 If you can smell chemicals while you are processing wafers, find out why. Youmay have chemicals on your lab coat or gloves. Fresh gloves are available on topof the resist cabinet. Fresh lab coats are available in the gowning room. Theremay also be contaminated trash in the unvented waste basket. Be sure to worktoward the back of the fume hood. Clean the outside of bottles thoroughly, beforeputting them back in the chemical cabinet.3.3 Fire3.3.1 When working with chemicals, always use the vented chemical hoods.3.3.2 Check chemical flashpoints before heating. Do not heat chemicals to temperaturesnear their flashpoints. Do not heat solvents above 120 degrees C.3.3.3 Chemicals on hotplates must be attended.3.3.4 Be particularly careful with solvents like acetone around heat sources or oxidizers(peroxide or nitric acid).3.4 Contact burns3.4.1 Wear appropriate personal protective equipment.3.4.2 Keep work area clean and dry.3.4.3 Add acid to water. Do not add water to acid.3.4.4 Add peroxide to sulphuric, when pouring pirahna.3.4.5 Pour only approved chemical mixtures.3.5 Reproductive effectsUsers who are pregnant should discuss laboratory use with the lab manager assoon as possible. This need not severely restrict laboratory use but shouldnonetheless be discussed (see MSDS of photoresist). Be aware that there aremany different names for the same photoresist solvents4.0Supplies4.1Personal Protective EquipmentAprons, orange chemical resistant gloves, and face shields are available for use at thechemical hoods. Select an appropriate size orange glove. Check gloves for holes before each use; discard them if they have holes. Wear gloves to open cabinets, sign the log.Wash gloves when they become contaminated. Do not touch door knobs, notebooks,phone or microscope with gloves on. Wash and dry gloves when you are done; hangthem up on the rack. Wipe off aprons as needed and return them to the rack.4.2LabwareClean glassware and plastic ware are available for lab users. To prevent crosscontamination, many dishes are labeled. When you are done with your glassware, please empty it into the appropriate container, clean it, rinse three times, dry it and leave itupside down on the glassware shelf. Do not store WTC supplies on your own shelf.You may bring in your own labware labeled with your name; glassware not labeled with anyone’s name belongs to WTC.4.3ChemicalsThe lab stocks and supplies the chemicals commonly required for processing in thefacility. As we have limited storage, please get staff approval to store custom solutions.Mix only enough to use each day. In most cases, the shelf life of these chemicals is very short anyway. All special chemicals and solutions must be labeled with the arrival dateand the owner's name and phone number. Expired chemicals or chemicals older than 1year will be periodically disposed of.The exception is with photoresist, where each group may have a few private smallbottles of resist; these are kept in several small plastic boxes in the yellow vented cabinet next to the spinners. Before you decide to use your own bottles, consider that positiveresist has a very limited life at room temperature. Those people using the WTC bottlesare getting much fresher resist than those who use their own bottles to store a six-month supply. Please clean the outside of all resist bottles thoroughly after each use tominimize solvent odor in the resist cabinet.Working stocks of chemicals are kept in the chemical cabinets near each chemical area.Extra stock is kept in several chemical bunkers outside the lab. When a chemical hasbeen used up, write it on the white board in the gowning room, so staff can replenish the clean room stock from the bunker.4.4Emergency Response Equipment4.4.1Phone systemPhones are located at the entrance to the laboratory, as well as severalplaces within the laboratory. These are part of the university phonesystem. In an emergency, dial 9-911. You may request help for largechemical spills, accidents, medical emergencies, injuries, etc. For minoremergencies, staff contact information is available next to each phone.4.4.2Chemical spill cartSpill control pads are available on the spill cart for absorbing liquidchemical spills. Bottles of neutralization liquid are available for use onacid spills. Gloves, full protective coveralls, a squeegee, scoop pan,calcium gluconate gel and other useful items are located in or near thechemical spill cart. It is located in the grey area. A vacuum cleaner is alsoavailable for cleaning up powdered residue from neutralized chemicalspills.4.4.3Emergency showersEmergency showers and eye washes are located in each room of thelaboratory. Most chemical burns, particularly in the eyes, should bewashed for 15 minutes before seeking further medical attention.4.4.4First aid kitA first aid kit is available on the wall of the gowning room. Tubes ofcalcium gluconate gel are available at the HF wet bench and on thechemical spill cart for application to HF burns. This should be appliedpromptly, but is not a substitute for medical attention.5.0Operating Procedures5.1 Set up5.1.1 Get approval for any new chemicalIf your exact chemical is not currently in use in the lab, you must get approvalfrom the lab manager before bringing the chemical into the lab. You will beexpected to supply the appropriate MSDS, a reason why this chemical should beused in the lab, and an explanation of how it is compatible with lab usage.5.1.2 Read the MSDS for each chemical you plan to use.PPEappropriate5.1.3 SelectSafety glasses should be worn at all times in the laboratory. When pouringchemicals, wear face shield, orange gloves, acid apron. When moving wafersfrom acids to dump rinsers, operators should wear orange gloves and acid apron.stationappropriate5.1.4 SelectAcids are used at wet bench #3. Bases and acids are used at wet benches #4Solvents may only be used at the solvent station (bench #12) and resist coatingstations, never at the acid station. Log in to workbench as necessary.5.1.5 Decide whether it is necessary for you to pour your own chemicals, or whetheryou can safely use chemicals maintained by staff for lab users. In general, it issafer to use lab solutions than to pour your own. If you are concerned about theage of the solution or potential cross-contamination, you may be able to scheduleyour work, so that you use the lab chemicals immediately after they are poured(every two weeks). If you see obvious contamination in the chemical, notify labstaff, so that fresh chemicals can be poured.5.1.6 Select appropriate containerSelect a dish labeled with the specific chemical name you will be using. Do notput chemicals in a dish that is labeled with another chemical name. If there is nodish for your chemical, use an unlabeled, compatible dish. To conserve onchemicals, select the smallest dish that is appropriate for the job. Do not pour HFinto glass or metal dishes. Dishes for heated solutions must be hotplate-compatible.5.1.7 Label containerLabel dish with a Sharpie (your name, chemical name, concentration, date, andphone number)5.1.8Select chemical bottleWhen selecting a bottle to pour, finish any open bottles before opening new ones.Be sure the concentration of the chemical is correct.5.1.9Pour solutionPour solutions in a vented hood. Add acid to water. Wipe residue from outside ofbottle. Replace chemical bottles in the appropriate place in the cabinet. Coverany chemical not immediately in use.5.1.10 Wash bottles that you have emptied.Cross out the label on any chemical bottle you have emptied, rinse three times,and write “rinsed” with a Sharpie at the top of the bottle. Place rinsed bottles onthe bottom shelf of the waste chemical cabinet.5.1.11 Prepare hotplateHot plate controllers are located above the Plexiglass shield. Set temperature. Putchemical solution on the hotplate. Use an appropriate thermometer to monitor thetemperature. Do not leave the lab when the hotplate is on.5.2 Dip—Acid or Base5.2.1 Select appropriate sample holderParts to be dipped in chemicals should be in a holder. When immersing wafers inchemicals, 3” and 4” Teflon cassettes are available. Attach a Teflon handle to thecassettes. Single wafer Teflon carriers can also be used. For parts that are notwhole wafers, there are perforated Teflon ladles, as well as a small Teflon rack for tiny parts. Tweezers may be sufficient for immersing single wafers in a smallamount of developer, but are not appropriate for use in acids.5.2.2 Ensure proper PPEWhen moving wafers from acids to dump rinsers, operators should wear safetyglasses, orange gloves and an apron.5.2.3 Determine appropriate dip timeYou can determine proper time by checking in reference material, checkingprevious entries in the log book, or doing an etch rate check. To do an etch ratecheck, use a silicon wafer with the same film you are trying to etch. Measure film thickness with the Nanospec. Etch the wafer for a specified time (say, 1 minute).Then re-measure the wafer on the Nanospec. You can then calculate etch rate inAngstroms/minute. Calculate etch time by dividing film thickness on yoursample by etch rate.5.2.4 Dip sampleSet timer for the proper time, then start timer as you lower sample into thesolution. Do not sit down at the hood while processing wafers, as this positiondoes not protect your face from fume exposure.5.2.5 Remove sample from solution5.2.6 Place sample still in its container into dump rinser or cascade rinserControllers are located in the control panel above the Plexiglass. Set dump rinser for at least three cycles by pushing “cycle count” until the display reads thenumber of cycles you want (at least 3). Push “start.” When wafers are doneprocessing, push “stop,” and remove the wafers.Cascade rinser can be started by pushing “run.” When carrying wafers from onebench to another, put the wafer container in a tub to avoid dripping. If wafers areespecially fragile, you can manually rinse them in tubs of water. Use at least fivechanges of water.5.2.7 Dry sample in spin rinse dryer or under nitrogen gun.After a complete rinse, whole wafers can be put in the spin rinse dryer. Do notput unrinsed wafers in the spin rinse dryer. Substrates other than whole waferscan be dried with a nitrogen gun. Check the pressure coming out of the nitrogengun before using it on your substrate, as some have a gentle flow, and others areforceful. Fragile wafers can be dried in the vacuum oven located under theBranson barrel asher.5.3 Dip—solvent5.3.1 Use heated EKC830 and AZ 300T to strip positive photoresist. Temperatureshould be set at 75 degrees for the EKC and 90 degrees for the AZ300T.5.3.2 Allowed materials in this tank are silicon, quartz, aluminum, and positivephotoresist. Materials not allowed in this tank are water, negative photoresist andother polymers like polyimide. Water will form hydroxyls that will pit aluminum,creating a problem for some users.5.3.3 Typical strip times are 10 minutes in EKC, and 10 minutes in AZ300T.5.3.4 If you would like to use EKC, but your wafer has a material not allowed, you maypour up your own batch in a separate container, but you may not use the generaltank.5.3.5 Be sure to use Teflon cassettes.5.3.6 Bring a tub of plain water over to the station to use to carry your wafers to thedump rinser.5.4 Clean up5.4.1 Squirt wet deck with DI water, and wipe down with squeegee, then towel5.4.2 Dispose of solutionPlease dispose of chemicals as soon as you are finished. Chemicals left in thehood for more than 24 hours are subject to disposal. Hot or reacting mixtures maybe left a reasonable amount of time to settle down.5.4.2.1 Aspirate acids and basesAspirator is located in the Microvision wet bench. Put the aspirator tubein the solution, and step on the pedal on the floor. Aspirator will suck upchemical into the acid neutralization system. Do NOT aspirate solvents,as they are an explosion hazard in the acid neutralization system.5.4.2.2 Put solvents in designated carboysPut the carboy in the dishwashing sink, or the vented chemical cabinet topour. Use a funnel. Wipe sides of container. Return it to the properstorage area. The acetone/IPA waste is located on the bottom shelf of theyellow, ventilated cabinet next to the spinners.5.4.2.3 Put other chemicals into labeled containers in waste chemical storage.5.4.2.3.1.1Using the bottle labeled for your chemical.Carry the waste bottle to the appropriate sink, and use afunnel to transfer your waste. Leave two inches at the topfor thermal expansion, and put the cap on. Do not put solidcaps on any bottle containing hydrogen peroxide (H2O2). Itcontinues to decompose for months and must be stored in avented container. Wash any residue from the outside of thecontainer. Return waste container to the waste cabinet. Ifyou have filled the existing waste bottle, make a new one.5.4.2.3.1.2Making a new waste chemical bottle.If there is no bottle with the proper chemical name, get aclean, dry bottle from the bottom shelf of the chemical wastecabinet, get an EH&S label, and label the bottle properly. Besure that the bottle type is compatible with the chemical youare disposing; if in doubt, ask! Chemicals left withoutproperly labeling will be assayed by Environmental Healthand Safety, and your budget number will be billed.5.4.2.4 Do not pour anything except rinse water and AZ developer down thedrain.5.4.3 Wash and dry lab ware and return it to the proper shelf5.4.4 Final checkRemove beakers, towels, chemical and liquid residue from the wet decks. Thework surface should be clean and dry when you leave.5.5 Accidents5.5.1 Spills5.5.1.1 You are primarily responsible for cleaning up any minor chemical spillyou cause, using safe and approved procedures. Do not dispose ofcontaminated rags and broken chemically laden glass in the normal wastebaskets. You should rinse the waste articles and bag them. Bags arelocated in the gowning room in the large cabinet. Label the bags, leavethem in a ventilated area and seek assistance from a staff member onfurther disposal.5.5.1.2 Request assistance from staff for any significant spill. We will assist you,using the materials on the chemical spill cart located in the grey area nextto the tool box, which has supplies like tape to block off spill area, spillcontrol pads, and neutralizers.5.5.2.3 For major chemical spills and for any unanticipated chemical reaction,evacuate the area, and call the staff. You must remain available to provideinformation. Any user may call for an evacuation of the laboratory at anytime. These "requests" must be honored by all users until such time as thesituation is evaluated. Alternatively, you may evacuate the laboratoryusing the fire alarm in justified instances. You must first exit thelaboratory to find an alarm pull box next to the building exits.5.5.3.4 Significant events must be reported in writing, so that corrective actioncan be taken to prevent future problems, on a time scale appropriate to theseverity of the event.5.5.2 Chemical Exposure5.5.2.1 Flush affected area immediately with large quantities of water for at leastfifteen minutes. Use the sink, the safety shower, or the eyewash station asappropriate.5.5.2.2 Remove any contaminated clothing immediately.5.5.2.3 For HF exposures only, after flushing the area for a couple of minutes withwater, spread affected area liberally with calcium gluconate gel, located atthe HF wet bench and on the chemical spill cart. Wear clean gloves whenapplying the gel to prevent secondary HF burns to the hands.All HFburns, no matter how seemingly trivial, should be considered serious andproper medical treatment sought. Note: BOE is a dilute solution of HF.5.5.2.4 Minor medical treatment is available from Hall Health occupational healthand safety staff. Major medical treatment is available from HarborviewMedical Center. If you go for medical treatment, take the MSDS of therelevant chemicals from the gowning room to the medical staff to aid inprompt, appropriate medical treatment. Paramedic services are availableby dialing 9-911 from the lab phone.5.5.2.5 Notify lab staff immediately about any chemical exposures, and providewritten documentation as necessary, so that proper follow up can be done.6.0 Chemical Mixtures Approved for Lab UseDo not mix solvents with acids (potentially flammable). Do not mix organicswith peroxides (potentially explosive). You may not arbitrarily mix chemicalstogether. Only specifically approved solutions can be made. Solutions not on thischart should be checked with the lab manager.Name CompositionTemperature(°C)Removes Silicon etch 6parts acetic acid19 parts nitric acid1 part hydrofluoricacidRoom temperature siliconPiranha 4 part sulphuric acid1 parts hydrogenperoxide Reaction isexothermic will raisetemp to 110-140°organicsSC1 1 part ammoniumhydroxide1 parts hydrogenperoxide5 parts DI water 70 particles,organics(Makes surfacehydrophilic)SC2 1 part hydrochloricacid1 part Hydrogenperoxide5 parts DI water70 metallicsAqua regia 3.896 parts HCl(37%)1 part nitric acid(70%) etchesgold,platinumTitanium etch 20 parts DI water1 part H2O21 part HFRoom Temp Etches titanium7.0 Processes Approved for Lab Use7.0.1Prefurnace clean: Nanostrip (5 min), BOE (10 sec), SCI (5 min) and SC2 (5 min)8.0RevisionsRevision Initials Date PurposeA ACT 8/28/2003 format, waste chemical procedure, chemical contents,mixtures, revisionsB ACT 1/20/2004 Add wet strip criteriaC MEH 8/31/2005 Updated chemical list。