DDR2与DDR3的区别
DDR2和DDR3有什么区别
DDR2和DDR3有什么区别导语：DDR2和DDR3有什么区别呢？以下是店铺为大家精心整理的知识，欢迎大家参考！一、DDR2与DDR3内存的特性区别：1、逻辑Bank数量DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。
而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。
2、封装(Packages)由于DDR3新增了一些功能，在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。
并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。
3、突发长度(BL，Burst Length)由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期(BL，Burst Length)也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop(突发突变)模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。
4、寻址时序(Timing)就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。
DDR2的CL范围一般在2至5之间，而DDR3则在5至11之间，且附加延迟(AL)的设计也有所变化。
DDR2时AL的范围是0至4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。
另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟(CWD)，这一参数将根据具体的工作频率而定。
二、与DDR2相比DDR3具有的优点(桌上型unbuffered DIMM)：1.速度更快：prefetch buffer宽度从4bit提升到8bit，核心同频率下数据传输量将会是DDR2的两倍。
DDR2，DDR3和DDR4RAM（内存）有什么区别？
DDR2，DDR3和DDR4RAM（内存）有什么区别？RAM是随机存取存储器(Random Access Memory)的缩写，是计算机用于运行进程的短期存储位置。
在购买一台新电脑时，除了（RAM）内存的大小之外，你可能不会过多考虑它。
但是并不是所有的内存都是一样的。
不同代的RAM提供不同的速度，只能与某些系统兼容。
以下是DDR2和DDR3 RAM与较新的DDR4 RAM的区别。
什么是DDR RAM?如果您不熟悉RAM，您可能不知道“DDR”是什么意思。
这个缩写表示双数据速率。
简单来说，以两倍的数据速率运行意味着RAM可以在每个时钟周期中传输两次数据。
您可能知道，计算机上的所有数据都是数字的，这意味着它由1 (on)或0 (off)表示。
一个时钟周期由CPU信号从off到on再返回来表示。
这通常是从中间点开始测量的，如下图所示。
这种双数据速率是对旧的SDR(单数据速率)RAM的重大升级，后者每个时钟周期只运行一次。
最初的DDR RAM在2000年开始普遍可用，与SDR RAM一样，现在已经过时了。
实际上，现在所有可用的RAM都是DDR。
但是为什么这几代RAM会改变呢?DDR世代介绍原来的DDR RAM被DDR2、DDR3和现在的DDR4取代。
这些都是具有更快速度和其他改进的相同技术的后代，并且都是相同的物理尺寸。
这并不奇怪，因为许多计算标准都是随着时间的推移而发展的。
但是您可能想知道DDR2和DDR3从何而来，以及它们为何出现。
与计算机一起使用的RAM的产生与处理器和主板的发展密切相关。
当像英特尔这样的公司推出新的CPU技术时，他们需要新的主板芯片组。
这是一套电子元件，它使计算机的所有部分都能正常通信。
新一代的RAM是使用最新芯片组所必需的。
这就是我们在第一代之后看到DDR2、DDR3和DDR4 RAM的原因。
如果没有这些改进，我们就无法将RAM放到新的系统中。
重要的是，RAM不是向后或向前兼容的。
内存条的分类和区别
内存条的分类和区别内存条之间的种类的区别，本质上是速度不同，越新的内存种类速度越快。
然后，为了保证不插错，物理插槽也有不同。
下图是DDR三代内存的外观上的不同的对比。
1、DDR1代，最高到533。
2、DDR2代，最高到1066。
3、DDR3代，最高到2400左右。
4、DDR4代，从2400开始起步。
内存主要看主频1代DDR266，DDR333,DDR400. 2代DDR533, DDR667,DDR800。
3代DDR1033,DDR1066,DDR1333等内存条种类之间的区别 DDR2与DDR的区别与DDR相比，D DR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。
这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。
作为对比，在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。
技术上讲，DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。
与双倍速运行的数据缓冲相结合，DDR2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数据，比传统DDR内存可以处理的2bit数据高了一倍。
DDR2内存另一个改进之处在于，它采用FBGA封装方式替代了传统的TSOP方式。
然而，尽管DDR2内存采用的D RAM核心速度和DDR的一样，但是我们仍然要使用新主板才能搭配DDR2内存，因为DDR2的物理规格和DDR是不兼容的。
首先是接口不一样，DDR2的针脚数量为240针，而DDR内存为184针；其次，DDR2内存的VDIMM电压为1.8V，也和DD R内存的2.5V不同。
DDR2的定义： DDR2（Double Data R ate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。
DDR3和DDR2和DDR的工作原理及技术区别
DDR3和DDR2和DDR的工作原理及技术区别DDR3、DDR2和DDR（又称为DDR1）是计算机系统中常见的内存标准。
它们在工作原理和技术上有一些区别，下面是关于它们的详细介绍。
1. DDR3（Double Data Rate 3）：DDR3是一种内存技术标准，它是DDR2的升级版本。
DDR3相比于DDR2有更高的带宽和更低的功耗。
工作原理：DDR3内存的工作原理是在时钟的上升沿和下降沿两个时刻读取数据，因此它被称为双倍数据率。
数据传输速度是时钟速度的两倍，例如DDR3-1600的内存模块实际传输速度为3200MB/s。
技术区别：-电压：DDR3的工作电压为1.5V，比DDR2的电压低，可以节省功耗并降低发热。
-带宽：DDR3的带宽比DDR2更高。
DDR2的带宽是每个内存信号线上每个时钟周期传输的位数乘以时钟速度，而DDR3通过使用更高的时钟速度和每个时钟周期传输的字节大小来提高带宽。
-寻址能力：DDR3的寻址能力比DDR2更高，可以支持更大的内存容量。
-内存频率：DDR3支持更高的内存频率，从800MHz到2133MHz以上。
2. DDR2（Double Data Rate 2）：DDR2是DDR的升级版，它具有更高的频率、更低的功耗和更高的密度。
工作原理：DDR2内存也是在上升沿和下降沿两个时刻读取数据，实现双倍数据率传输。
技术区别：-电压：DDR2的工作电压为1.8V，比DDR的电压低，能够降低功耗。
-带宽：DDR2的带宽比DDR更高。
DDR2使用更高的频率和每个时钟周期传输的字节大小来提高带宽。
-寻址能力：DDR2具有更高的寻址能力，能够支持更大的内存容量。
-内存频率：DDR2的内存频率从400MHz到1066MHz。
3. DDR（Double Data Rate）：DDR是首个双倍数据率内存技术的标准，它在之前的SDRAM的基础上提高了数据传输速率和带宽。
工作原理：DDR内存是在上升沿读取数据。
SD、DDR1、DDR2、DDR3内存外观区别
《内存区别》SD、DDR1、DDR2、DDR3内存外观区别（附图）
SD：
两个缺口、单面84针脚、双面168针脚
DDR1：
一个缺口、单面92针脚、双面184针脚、左52右40、内存颗粒长方形
DDR2：
一个缺口、单面120针脚、双面240针脚、左64右56、内存颗粒正方形、电压1.8V
DDR3：一个缺口、单面120针脚、双面240针脚、左72右48、内存颗粒正方形、电压1.5V
DDR1 DDR2 DDR3内存的区别对比
DDR SDRAM 是 Double Data Rate SDRAM 的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。
DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。
目前DDR已经发展到了第三代,下面来看一下几代内存的区别:外观不同之处
参数不同之处。
DDR1和DDR2和DDR3的区别
DDR1和DDR2和DDR3的区别严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。
DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。
DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。
SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。
DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。
与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。
DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRA的两倍。
DDR2的定义：DDR2（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。
换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
DDR3内存的不同之处DDR3内存采用8 bit 预取设计，较DDR2 4bit 的预取设计提升一倍，其运算频率介于800MHz -1600MHz之间。
二代和三代内存区别
无论DDR DDR2 还是DDR3，其工作频率主要有以下几种100MHz 133MHz 167MHz 200MHz 等
DDR采用一个周期来回传递一次数据，因此传输在同时间加倍，因此就像工作在两倍的工作频率一样。
为了直观，以等效的方式命名，因此命名为DDR 200 266 333 400 DDR2尽管工作频率没有变化，数据传输位宽由DDR的2bit变为4bit，那么同时间传递数据是DDR的两倍，因此也用等效频率命名，分别为DDR2 400 533 667 800 DDR3内存也没有增加工作频率，继续提升数据传输位宽变为8bit，为DDR2两倍，因此也在同样工作频率下达到更高带宽，因此用等效方式命名DDR3 800 1066 1333 1600 所以可以看到，如DDR 400 DDR2 800 DDR3 1600内存工作频率没有区别，只是由于传输数据位宽倍增，导致带宽的增加。
而内存的真正工作频率决定了延迟了，DDR400与DDR2 800真实工作频率相同，后者带宽是前者一倍，延迟上一样。
如果是DDR400与DDR2 667，那后者虽然带宽更大，不过其真实频率反而低一些，延迟上略大。
另外，内存在升级发展过程中，其工作电压一直在降低，因此在性能提升的同时，功耗也在逐渐变小。
至于说到接口，三者都不一样，在内存上有一个小缺口，三种内存的小缺口都不在同一位置，因此只能插在对应的插槽上。
不能兼容。
ddr1,ddr2,ddr3的区别
3个的区别是频率，还有延时，DDR1的最高速度是DDR400，DDR2最高可达1150（极个别的超频条子），而DDR3最低都有1333左右，这个就跟电脑处理器的主频是差不多的，但是呢，随着频率的提高，延时也加大了，所以，最低的DDR3速度不会比最高的DDR2快，同样，DDR2 533也比DDR400快不到哪里去
理论上来说，同频率下DDR3会比DDR2省电达30%之多，这里需要强调的是，DDR3-1600的核心频率与DDR2-800是相同的(都是200MHz)，DDR3的IO频率虽然翻了一倍但对功耗发热的贡献不大，此消彼长之后DDR3-1600比DDR2-800省电23%！
但是，在DDR3发展初期，很多内存厂商为了片面追求高频率，推出过不少高压高频内存条，默认1.8V-2V甚至2.2V的内存都有，这些内存的功耗与发热显然不会比DDR2低，这也就导致大家对DDR3产生不好的印象。
近年来内存的频率虽然在成倍增长，可实际上真正存储单元的频率一直在133MHz-200MHz之间徘徊，这是因为电容的刷新频率基本到了上限。而每一代DDR的推出，都能够以较低的存储单元频率，实现更大的带宽，并且为将来频率和带宽的提升留下了一定的潜力。
虽然存储单元的频率一直都没变，但内存颗粒的I/O频率却一直在增长，再加上DDR是双倍数据传输，因此内存的数据传输率可以达到核心频率的8倍之多！
RDRAM：RDRAM（Rambus DRAM）是美国的RAMBUS公司开发的一种内存。与DDR和SDRAM不同，它采用了串行的数据传输模式。在推出时，因为其彻底改变了内存的传输模式，无法保证与原有的制造工艺相兼容，而且内存厂商要生产RDRAM还必须要加纳一定专利费用，再加上其本身制造成本，就导致了RDRAM从一问世就高昂的价格让普通用户无法接收。而同时期的DDR则能以较低的价格，不错的性能，逐渐成为主流，虽然RDRAM曾受到英特尔公司的大力支持，但始终没有成为主流。
解密电脑内存DDRDDR有何区别
解密电脑内存DDRDDR有何区别DDR内存，即双倍数据率内存，是一种广泛应用于计算机系统中的随机访问内存（RAM）。
DDR内存按照代数划分，从DDR1到DDR4，每一代内存相对于前一代都有了显著的改进和提升。
在本篇文章中，我将介绍DDR内存的不同代数之间的区别，帮助读者更好地了解和选择适合自己的内存。
DDR内存是目前市面上最常见的计算机内存类型之一。
DDR内存的不同代数对于计算机性能和速度的提升都起到了重要的作用。
以下是DDR内存的各代之间的主要区别。
1. DDR1内存：DDR1是最早应用于计算机的DDR内存，它具有一定的基本功能，但相对较低的传输速度。
DDR1内存的主频通常为400MHz或200MHz，数据传输速度较低。
由于技术限制，DDR1内存的容量通常较小，最高为1GB。
DDR1内存在当前的计算机应用中已经逐渐被淘汰，很少再使用。
2. DDR2内存：DDR2内存是DDR内存的第二代产品。
相对于DDR1内存，它具有更高的内部频率和更高的传输速度。
DDR2内存的主频通常为800MHz到1066MHz，数据传输速度比DDR1内存提升了约两倍。
此外，DDR2内存的容量也有了显著的提升，最高可达8GB。
DDR2内存在2000年左右开始广泛应用于计算机系统中，是当时的主流内存类型。
3. DDR3内存：DDR3内存是DDR内存的第三代产品。
与DDR2相比，DDR3内存在内部频率和传输速度方面又有了一定的提升。
DDR3内存的主频通常在800MHz到2133MHz之间，数据传输速度相比DDR2内存又提高了一倍左右。
DDR3内存的容量也有了继续提升，目前最高可达64GB。
DDR3内存的广泛应用推动了计算机性能的进一步提升。
4. DDR4内存：DDR4内存是目前市场上最新的DDR内存代数。
相较于DDR3内存，DDR4内存在内部频率和传输速度方面有了较大的提升。
DDR4内存的主频通常在2133MHz到3200MHz之间，传输速度又提高了约50%。
DDR2_DDR3知识汇总
DDR2_DDR3知识汇总DDR2和DDR3是两种不同的内存标准，下面将对它们的主要特点和区别进行汇总。
1.DDR2和DDR3的速度和带宽不同。
DDR2的速度一般为400MHz至1066MHz，而DDR3的速度一般为800MHz至2133MHz，带宽也相应增加。
这意味着DDR3的速度和数据传输效率更高，可以更快地处理数据。
2.DDR2和DDR3的电压不同。
DDR2的工作电压为1.8V，而DDR3的工作电压降低到1.5V，这意味着DDR3的功耗更低，能够减少电能消耗。
3.DDR2和DDR3的显著区别在于时钟速率的延迟和预取长度。
DDR2的时钟速率延迟为5-6个时钟周期，而预先读取的数据长度为4个字节。
而DDR3的时钟速率延迟更低，一般为9-11个时钟周期，而预先读取的数据长度可以达到8个字节。
4.DDR3拥有更大的存储容量。
DDR2的单个模块最大容量为2GB，而DDR3的单个模块最大容量可达16GB。
这意味着DDR3可以提供更大的存储空间，并且支持更高的容量需求。
5.DDR2和DDR3的引脚数目和排列方式也不同。
DDR2有240个引脚，而DDR3有204个引脚。
此外，DDR3的引脚排列方式更加紧凑，可以在更小的空间中放置更多的内存。
6.DDR3还引入了新的特性，如校正插装和增强的预取能力。
校正插装（ECC）是一种错误检测和纠正技术，可以提高数据的可靠性。
增强的预取能力可以提高内存的读取效率，减少等待时间。
总的来说，DDR3相较于DDR2在速度、功耗、存储容量和功能上有明显的改进。
然而，DDR3的主板和处理器需要支持DDR3的技术以进行兼容。
在选择内存时，需要根据自己的需求和硬件设备的兼容性来决定使用DDR2还是DDR3。
DDR DDR2 DDR3 DDR4 DDR5
DDR=Double Data Rate双倍速率同步动态随机处理器严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM,就认为是SDRAM。
其中,SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的缩写，即同步动态随机存取存储器.而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。
DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进,即可实现DDR内存的生产,可有效的降低成本.SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据,因此称为双倍速率同步动态随机存储器.DDR内存可以在与SDRAM 相同的总线频率下达到更高的数据传输率。
与SDRAM相比:DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop,延时锁定回路提供一个数据滤波信号）技术,当数据有效时,存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。
DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRAM的两倍。
从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离.但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号.DDR内存采用的是支持2。
5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3。
3V电压的LVTTL标准。
DDR DDR2 DDR3之 区别
1 首先，DDR其实是“DDR SDRAM”它是Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory（双数据率同步动态随机存储器）的简称，是由VIA等公司为了与RDRAM相抗衡而提出的内存标准。
DDR SDRAM是SDRAM的更新换代产品，采用2.5v工作电压，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据，这样不需要提高时钟的频率就能加倍提高SDRAM的速度，并具有比SDRAM多一倍的传输速率和内存带宽。
2 “333”是内存传输标准，标准的DDR SDRAM内存分为DDR 200，DDR 266，DDR 333以及DDR 400几种传输标准，其标准工作频率分别100MHz，133MHz，166MHz和200MHz，对应的内存传输带宽分别为1.6GB/sec，2.12GB/sec，2.66GB/sec和3.2GB/sec，非标准的还有DDR 433，DDR 500等等。
3 关于察看自己的电脑内存。
你需要下载EVEREST来检测，这个软件很好找，安装也很快。
它测出来的数据是内存的传输带宽，如果显示是“PC2100 DDR”，则指你的内存是DDR266的；如果显示是“PC2700 DDR”，则指你的内存是DDR333的；如果显示是“PC3200 DDR”，则指你的内存是DDR400的。
DDR DDR2 DDR3 就是根据主板和cpu等硬件升级换代的产品内存类型工作频率传输带宽DDR200 100MHz 1.6GB/sec(即PC1600)DDR266 133MHz 2.12GB/sec(即PC2100)DDR333 166MHz 2.66GB/sec(即PC2700)DDR400 200MHz 3.2GB/sec(即PC3200)DDR2是第二代的意思，就是DDR第二代DDR3就是DDR第三代双通道主要看主板和CPU是否支持双通道内存DDR显存分为两种，一种是大家习惯上的DDR内存，严格的说DDR应该叫DDR SDRAM。
有关ddrddr2ddr3内存频率的问题详解
DDR2可以看作是DDR技术标准的一种升级和扩展：DDR的核心频率与时钟频率相等，但数据频率为时钟频率的两倍，也就是说在一个时钟周期内必须传输两次数据。
而DDR2采用“4 bit Prefetch(4位预取)”机制，核心频率仅为时钟频率的一半、时钟频率再为数据频率的一半，这样即使核心频率还在200MHz，DDR2内存的数据频率也能达到800MHz—也就是所谓的DDR2 800。
目前，DDR2内存分为DDR2 400和DDR2 533，还有DDR2 667和DDR2 800，其核心频率分别为100MHz、133MHz、166MHz和200MHz，其总线频率(时钟频率)分别为200MHz、266MHz、333MHz和400MHz，等效的数据传输频率分别为400MHz、533MHz、667MHz和800MHz，其对应的内存传输带宽分别为sec、sec、sec和sec，按照其内存传输带宽分别标注为PC2 3200、PC2 4300、PC2 5300和PC2 6400。
PS:不列颠应该是britain,如果指英国应该说UK，光说English其他人会不高兴的，比如irish,welsh。
DDR3与DDR2的不同之处1、逻辑Bank数量DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。
而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank 做好了准备。
2、封装（Packages）DDR3由于新增了一些功能，所以在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。
并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。
3、突发长度（BL，Burst Length）由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（BL，Burst Length）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。
DDR3与DDR2的区别是什么？
DDR3（Double Data Rate 3）和DDR2（Double Data Rate 2）是计算机内存标准，它们有以下主要区别：
1. 电压：DDR3工作电压为1.5V，而DDR2的工作电压为1.8V。
DDR3使用更低的电压，相比DDR2能够降低功耗并提供更好的能效。
2. 传输速率：DDR3的传输速率比DDR2更高。
DDR3的传输速率可以达到800MHz至2133MHz，而DDR2则在400MHz至1066MHz之间。
因此，DDR3的传输速度更快，可以提供更高的数据传输带宽。
3. 内存密度：DDR3内存可以提供更大的内存容量。
DDR2技术在单个模块上通常限制为2GB（部分更高容量可用），而DDR3技术可以提供4GB、8GB甚至更高容量的单个内存模块。
4. 时序延迟：DDR3具有更低的时序延迟。
时序延迟是指内存存取数据的速度。
DDR3可以实现更低的CL（CAS Latency）延迟，提供更快的访问速度。
5. 数据预取技术：DDR3通过引入更高级的数据预取技术，
可以提供更高的数据吞吐量。
虽然DDR3相比DDR2拥有更多的优势，但它们的兼容性有所不同。
DDR3内存模块无法与DDR2插槽兼容，需要与兼容DDR3的主板一起使用。
当购买或升级计算机内存时，重要的是选择与计算机主板和处理器兼容的内存类型。
每种类型的内存都有其特定的规格和适用范围，因此建议参考计算机的用户手册或生产商的指南来确定适合的内存类型。
内存DDR的123代区分
温馨提示：
1、DDR代表是1代内存、DDR2代表是2代内存、DDR3代表是3代内存。
2、金士顿512M DDR 400 台式机内存的“400”是频率的意思！常用内存频率有266、33
3、400、533、667、800、1066……等频率。
频率越高，速度越快！
3、内存最好要使用同型号、同大小、同频率为好，这样您的系统才能更稳定。
4、常用内存有DDR、DDR2、DDR3之分，3种内存不能混用，拍前请确定自己电脑使用的是什么型号内存、什么频率。
5、如果您不确定自己电脑使用什么内存！可以用下面这个“C PU-Z”软件检测一下，谢谢！
运行软件后看“SPD”选项的“最大带宽”一栏,会看到“PCxx00”，如下：
DDR 是“1代内存”频率分266 333 400 规格
PC2100是DDR 266内存
PC2700是DDR 333内存
PC3200是DDR 400内存
DDR2 是“2代内存”频率分533 667 800 规格PC2-4200是DDR2 533内存
PC2-4300是DDR2 533内存
PC2-5300是DDR2 667内存
PC2-6400是DDR2 800内存
DDR3是“3代内存”频率分1066 1333 1600 PC3-8500 是DDR3 1066/1067内存
PC3-10600是DDR3 1333内存
PC3-10700是DDR3 1333内存
PC3-12800是DDR3 1600内存。
[整理]DDR和DDR2,DDR3从外观上的区别.
![[整理]DDR和DDR2,DDR3从外观上的区别.](https://img.taocdn.com/s3/m/7cacb6e576a20029bd642d61.png)
DDR和DDR2，DDR3从外观上的区别1、防呆缺口DDR内存单面金手指针脚数量为92个（双面184个），缺口左边为52个针脚，制品右边为40个针脚；DDR2内存单面金手指120个（双面240个），缺口左边为64个针脚，缺口右边为56个针脚；DDR3内存单面金手指也是120个（双面240个），缺口左边为72个针脚，缺口右边为48个针脚。
2、DDR内存的颗粒为长方形，DDR2和DDR3内存的颗粒为正方形，而且体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一。
3、使用电压不同DDR2的电压1.8VDDR3的电压1.5V.4 DDR1内存全是采用引角焊接技术，DDR2内存都是BGA焊接技术。
所谓的BGA焊接技术就是看不见引角有点象芯片用胶粘在PCB板上的5 内存上有型号和编号可以知道PC4200 以上包括PC4200 都是DDR2的DDRDDR2DDR3关于DDR与DDR2的整理，ddr1与ddr2的区别什么是 DDR？DDR 内存是双倍数据传输速率同步动态随机存储器的简称，全称 :Double Data Rate,DDR 内存是 SDRAM 向前发展的产品，本质上与 SDRAM 完全相同。
什么是 DDR2？DDR2 是 DDR SDRAM 内存的第二代产品。
它在 DDR 内存技术的基础上加以改进，从而其传输速度更快（可达 667MHZ ），耗电量更低，散热性能更优良。
什么是 DDR1？有时候大家将老的存储技术 DDR 称为 DDR1 ，使之与 DDR2 加以区分。
尽管一般是使用“DDR” ，但 DDR1 与 DDR 的含义相同。
区别分析:DDR2 不能向下兼容 DDR, DDR2 内存芯片与内存模组与 DDR 有很大差异。
例如，DDR2的工作电压为 1.8 伏，低于 DDR 的 2.5 伏。
DDR2 DIMMs 不能插入 DDR 的插口，反之也不能，因为内存模组有专门的“ 键” 或者插口与其连接器相连。
这些键必须与存储器中的一个键相连，才能插入模块。
DDR3和DDR2和DDR的工作原理及技术区别
DDR3和DDR2和DDR的工作原理及技术区别转贴DDR2与DDR的区别（1）DDR的定义：严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。
DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。
DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系。
SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。
DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。
与DDR相比，DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。
这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。
作为对比，在每个设备上DDR 内存只能够使用一个DRAM核心。
技术上讲，DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。
与双倍速运行的数据缓冲相结合，DDR2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数据，比传统DDR 内存可以处理的2bit数据高了一倍。
DDR2内存另一个改进之处在于，它采用FBGA封装方式替代了传统的TSOP方式。
然而，尽管DDR2内存采用的DRAM核心速度和DDR的一样，但是我们仍然要使用新主板才能搭配DDR2内存，因为DDR2的物理规格和DDR是不兼容的。
首先是接口不一样，DDR2的针脚数量为240针，而DDR内存为184针；其次，DDR2内存的VDIMM电压为1.8V，也和DDR内存的2.5V不同。
DDR2的定义：DDR2（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。
ddr3 标准
ddr3 标准
DDR3标准是一种计算机内存规格，与DDR2相比，DDR3具有更高的性能和更低的功耗。
以下是一些DDR3标准的主要特点：
1. 电压要求：DDR3内存的标准电压为1.5伏特，这比DDR2内存的标准电压1.8伏特更低。
较低的电压可以降低电力消耗并减少发热量。
2. 时序要求：DDR3内存的时序要求非常严格，它使用了一种称为“倍增发射器”的技术，可以在每个时钟周期内传输两次数据。
这种技术使得DDR3内存的操作速度相比DDR2内存更快。
3. 数据传输速率：DDR3内存的数据传输速率可以达到每秒1600兆字节。
与DDR2内存相比，DDR3能够增加数据传输效率，提高电脑系统的整体性能。
4. 芯片容量：DDR3标准允许DRAM芯片容量高达8吉比特（Gbit），每个DDR3DIMM最多可容纳4个64位列，总共最多16吉字节（GB）。
请注意，虽然DDR3内存具有更高的性能和更低的功耗，但选择哪种内存类型取决于具体的应用需求和硬件配置。
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3、寻址时序（Timing）
就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2至5之间，而DDR3则在5至11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。
1、逻辑Bank数量
DDR2 SDRAM中有ank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。
2、封装（Packages）
DDR3由于新增了一些功能，所以在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。
3、突发长度（BL，Burst Length）
由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（BL，Burst Length）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。
这是为了提高系统性能而进行了重要改动，也是与DDR2系统的一个关键区别。在DDR3系统中，一个内存控制器将只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能一个插槽。因此内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点（P2P，Point-to-Point）的关系（单物理Bank的模组），或者是点对双点（P22P，Point-to-two-Point）的关系（双物理Bank的模组），从而大大减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面，与DDR2的类别相类似，也有标准DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（笔记本电脑）、FB-DIMM2（服务器）之分，其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2（高级内存缓冲器）。不过目前有关DDR3内存模组的标准制定工作刚开始，引脚设计还没有最终确定。
8、局部自刷新（RASR，Partial Array Self-Refresh）
这是DDR3的一个可选项，通过这一功能，DDR3内存芯片可以只刷新部分逻辑Bank，而不是全部刷新，从而最大限度的减少因自刷新产生的电力消耗。这一点与移动型内存（Mobile DRAM）的设计很相似。
9、点对点连接（P2P，Point-to-Point）
5、新增功能——ZQ校准
ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（ODCE，On-Die Calibration Engine）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令之后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。
4、新增功能——重置（Reset）
重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界已经很早以前就要求增这一功能，如今终于在DDR3身上实现。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有的操作，并切换至最少量活动的状态，以节约电力。在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所以有数据接收与发送器都将关闭。所有内部的程序装置将复位，DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的。
6、参考电压分成两个
对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF，在DDR3系统中将分为两个信号。一个是为命令与地址信号服务的VREFCA，另一个是为数据总线服务的VREFDQ，它将有效的提高系统数据总线的信噪等级。
7、根据温度自动自刷新（SRT，Self-Refresh Temperature）
除了以上9点之外，DDR3还在功耗管理，多用途寄存器方面有新的设计，但由于仍入于讨论阶段，且并不是太重要的功能，在此就不详细介绍了。
为了保证所保存的数据不丢失，DRAM必须定时进行刷新，DDR3也不例外。不过，为了最大的节省电力，DDR3采用了一种新型的自动自刷新设计（ASR，Automatic Self-Refresh）。当开始ASR之后，将通过一个内置于DRAM芯片的温度传感器来控制刷新的频率，因为刷新频率高的话，消电就大，温度也随之升高。而温度传感器则在保证数据不丢失的情况下，尽量减少刷新频率，降低工作温度。不过DDR3的ASR是可选设计，并不见得市场上的DDR3内存都支持这一功能，因此还有一个附加的功能就是自刷新温度范围（SRT，Self-Refresh Temperature）。通过模式寄存器，可以选择两个温度范围，一个是普通的的温度范围（例如0℃至85℃），另一个是扩展温度范围，比如最高到95℃。对于DRAM内部设定的这两种温度范围，DRAM将以恒定的频率和电流进行刷新操作。