模电1-3章课后习题
模拟电子技术基础-模电课后题答案
(d)
6
解图 Pl.13 1.14 已知场效应管的输出特性曲线如图 Pl.14 所示，画出它在恒流区的转移特性曲线。
图 Pl.14
(a) 解图 Pl.14
(b)
解：在场效应管的恒流区作横坐标的垂线(如解图 Pl.14 (a)所示),读出其与各条曲线交点的纵坐标值及
uGS 值，建立 iD f (uGS ) 坐标系，描点，连线，即可得到转移特性曲线，如解图 Pl.14 (b)所示。
六、测得某放大电路中三个 MOS 管的三个电极的电位如表 Tl.6 所示，它们的开启电压也在表中。试分析 各管的工作状态（截止区、恒流区、可变电阻区） ，并填入表内。 表 T1.6 管号 T1 T2 T3 UGS(th)/V 4 -4 -4 US/V -5 3 6 UG/V 1 3 0 UD/V 3 10 5 工作状态 恒流区 截止区 可变电阻区
I CS
VCC U CES 11.3mA ， 所以 T 处于饱和状态。 Rc
5
1.11 电路如图 Pl.11 所示,晶体管的 β=50 , U BE 0.2V ，饱和管压降 U CES 0.1V ；稳压管的稳定电 压 U Z 5V , 正向导通电压 U D 0.5V 。试问：当 uI 0V 时 uO ？；当 uI 5V 时 uO ？ 解：当 uI 0V 时，晶体管截止，稳压管击穿，
7
(a)
(b) 图 P1.16
(c)
(d)
解：(a)可能,(b)不能,(c)不能,(d)可能。 补充 1.电路如补图 P1(a)、(b)所示，稳压管的稳定电压 U Z 3V , R 的取值合适， u I 的波形如图(c)所 示。试分别画出 uO1 和 uO 2 的波形。
模拟电子技术习题集参考答案
第一章参考答案一、判断题1、√2、×3、√4、√5、×6、×二、单项选择1、(a)2、(c)3、(c)4、(a)5、(c)6、(c)7、(c)8、(b)9、(b) 10、(b)11、(c) 12、(a) 13、(a) 14、(b) 15、(a) 16、(c) 17、(b) 8、(a) 19、(a) 20、(b)21、(c)三、解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、解：U O1＝6V，U O2＝5V。
五、解：u i和u o的波形如题5解图所示。
题6解图题5解图六、解：u i和u o的波形如题6解图所示。
题6解图七、解：1、当U I＝10V时，若U O＝U Z＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故V 33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V同理，当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝6V 。
2、 =-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
八、解：波形如题8解图所示。
题8解图第二章 参考答案一、判断1、√2、×3、×4、√5、×6、√7、×8、×9、√ 10、× 11、√二、单项选择题1、(c)2、(a)3、(b)4、(b)5、(c)6、(a)7、(a)8、(a)9、(b) 10、(c) 11、(b) 12、(a) 13、(c) 14、(b) 15、(c) 16、(b) 17、(b) 18、(c) 19、(b) 20、(a) 21、(c) 22、(a) 23、(c) 24、(c) 25、(a) 26、(c) 27、(c) 28、(c) 29、(a) 30、(b) 31、(c) 32、(b) 33、(b) 34、(a) (a) (a) 35、(c) 36、(a) 37、(c) 38、(c) 39、(b) 40、(c) 41、(c) 42、(b) 43、(b) 44、(c) 45、(c) 46、(b) 47、(b) 48、(b) 49、(a) 50、(a) 51、(c) 52、(c) 53、(c) (c) 54、(c) (a)二、填空题1、NPN,PNP ；硅，锗；电子和空穴。
模电1-3章课后习题
填空1、与开路PN结得结区宽度相比较,当PN结加正偏电压时,其结区宽度将变窄;当PN结加反偏电压时,其结区宽度将变宽。
2、整流二极管得整流作用就是利用PN结得单向导电特性,稳压管得稳压作用就是利用PN结得反向击穿特性。
3、三极管工作在放大状态时,发射结应正偏置,集电结应反偏置。
若工作在饱与状态时,发射结应正偏置,集电结应正偏置。
若工作在截止状态时,发射结应反偏置,集电结应反偏置。
4、三极管电流放大系数β＝50,则α＝0、98 ;若α＝0、99,则β＝99 。
5、当环境温度升高时,三极管得下列参数变化得趋势就是:电流放大系数β增大,穿透电流I CEO增加,当I B不变时,发射结正向压降|U BE|减小。
6、共射极放大电路中三极管集电极静态电流增大时,其电压增益将变大;若负载电阻R L变小时,其电压增益将变小。
7、单级共射极放大电路产生截止失真得原因就是静态Ic偏小;产生饱与失真得原因就是Ic偏大;若两种失真同时产生,其原因就是输入信号太大。
8、试比较共射、共集与共基三种组态得放大电路,其中输入电阻较大得就是共集电路;通频带较宽得就是共基电路;输入电阻较小得就是共基电路;输出电阻较小得就是共集电路;输出信号与输入信号同相位得就是共集与共基电路;电压增益小于1得就是共集电路;带负载能力较强得就是共集电路;既有电流放大能力又有电压放大能力得就是共射电路。
9、单级阻容耦合共射极放大电路得中频电压增益为100,当信号频率为上限频率f H时,这时电路得实际增益为77、7 ,其输出与输入信号得相位相差225 度。
10、某放大电路得对数幅频特性如图所示,由图可知,该电路得中频电压放大倍数为100 倍,上限频率f H＝2×106Hz,下限频率f L＝20 Hz,当信号频率恰好为f H或f L时,实际电压增益为37 dB。
11、在PN结得形成过程中,载流子扩散运动就是载流子得浓度差作用下产生得,漂移运动就是载流子在内电场作用下产生得。
模电第四版习题解答
模电第四版习题解答 YUKI was compiled on the morning of December 16, 2020模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。
( √)GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS( ×)二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
《模电课后习题答案》-经典版-清华大学-童诗白
第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R G S 大的特点。
（ ） （6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U G S 大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e U B. TU U I eS C. )1e (S －T U U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（5）U G S ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。
A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
图T1.3解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Z m i n＝5mA。
求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
模电第四版习题解答
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。
( √ )GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS( × )二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
模电习题
模拟电子技术课程习题第一章习题1-1 PN 结上存在内电场，用导线将P 区端和N 区端短接起来，导线中是否有电流流过？若加光照或加热，导线中是否有电流？为什么？1-2 如用万用表的电阻档测量二极管的正向电阻时，发现用R ×10档测出的电阻值较用R ×100档测得的电阻值小，试用伏安特性曲线解释。
1-3 如图题1.3所示，试判断电路中哪个二极管导通，哪个二极管截止?设各二极管导通时的正向压降为0.7V ，求U 0。
(a) （b ）题1-3图1-4一个二极管工作在正向导通阶段是否有稳压作用?稳压管工作在正向导通阶段是否有稳压作用。
为什么?1-5两只稳压管的稳定电压分别是4V 和6V ，它们的正向导通电压为O ．7V ，试问用它们串联和并联可以得到几种稳压值?1-6 如图1-6所示，若电源电压的有效值为12V ， A 、B 、C 为三只相同的灯泡，问哪只灯泡最亮，并求各灯泡两端电压的平均值。
题1-6图1-7 有人用万用表测量二极管反向电阻时，为了使表棒和二极管引线接触好一些，用双手把两端捏紧，结果测得二极管的反向电阻比较小，认为不合格，但在设备上却正常工作，这是什么原因？这样的操作和判断是否正确?为什么?1-8要使稳压性能好，稳压管的稳压值是大一些好还是小一些好?工作电流是大一些好还是小一些好?温度系数是大一些好还是小一些好?1-9既然三极管有两个PN 结，可否用两个二极管相联以构成一只三极管？说明理由。
1-10 一只NPN型的三极管，具有e、b、c三个电极，能否将e、c两个电极交换使用？为什么？1-11一块正常工作的放大电路板上，测得某晶体管的三只管脚对地电压分别为-6V,-6.2V,-9V，试问这只晶体三极管是PNP型还是NPN型？是锗管还是硅管？并确定各管脚哪个是基极、发射极、集电极。
1-12 测量某硅三极管的各极对地电压值如下：1）V C=6V，V B=7V，V E=0V；2）V C=6V，V B=67V，V E=5.4V; V C=3.6V，V B=47V，V E=3.40V 试判别管子工作在什么区域?1-13能不能用鉴别晶体管的简易方法来鉴别场效应管的三个电极和它的性能好坏?1-14 场效应管的跨导是大一些好还是小一些好？如果管子已经确定，为了使跨导大一些应该如何改变U GS的变化范围？第二章习题2-1 说明如图2-1放大电路中的R B和R C的作用。
模拟电子技术(模电课后习题含答案)(第三版)
第1章 常用半导体器件选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价B. 四价C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。
(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大；B.不变；C.减小电路如图 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图 解图解：i u 与o u 的波形如解图所示。
电路如图所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =。
试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。
图 解图电路如图所示, 二极管导通电压U D =,常温下mV U T26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少解：二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω故动态电流的有效值：/1d i D I U r mA =≈现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为。
试问：(1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值各为多少 (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值各为多少解：(1)串联相接可得4种：；14V ；；。
1、两个管子都正接。
（）2、6V的管子反接，8V的正接。
3、8V的反接， 6V的管子正接。
4、两个管子都反接。
（14V）(2)并联相接可得2种：；6V。
1、两个管子都反接，电压小的先导通。
(6V)2.、一个正接，一个反接，电压小的先导通。
模电第四版习题解答
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章 常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ ) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × ) (3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其GS R 大的特点。
( √ )(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS U 大于零，则其输入电阻会明显变小。
( × ) 二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄 B.基本不变 C.变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏 (4) U GS =0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D =。
模电课后习题答案
V cc - U CESR c =2.86mA第一章半导体基础知识自测题一、(1)v (2)X ( 3)v (4)X ( 5)v (6)X二、(1) A (2) C ( 3) C (4) B ( 5) AC三、U oi 〜1.3V U02 = 0 U03 1.3V U O4〜2V U05 〜2.3V U°6―2V四、U O1 = 6V U O2= 5V五、根据P CM = 200mW 可得：U CE= 40V 时I C= 5mA , U CE= 30V 时I C 〜6.67mA，U CE = 20V 时 I c = 10mA , U CE = 10V 时 I c = 20mA，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。
图略。
六、1、I B =V BB —U BE詔6讥R bI c 二T B二2.6mAU CE = Vcc j c R c = 2VU O = U CE= 2V。
2、临界饱和时U CES=U BE= 0.7V，所以I B=28.6讥&=V BB一 U BE，45.4小I B七、T1 :恒流区；T2：夹断区；T3:可变电阻区。
习题1.1 (1) A C (2) A ( 3) C ( 4) A1.2不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。
..'t1.3 u i和U o的波形如图所示。
1.4 u i和U o的波形如图所示。
1.5 u o的波形如图所示。
1.6I D=( V —U D) /R=2.6mA ,U T/I D = 10Q , l d= U i/r D心 1mA。
1.7(1 )两只稳压管串联时可得 1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。
(2)两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。
1.8l ZM = P ZM/U Z = 25mA, R= U Z/I DZ = 0.24 〜〔.2k Q。
1.9(1 )当U I = 10V时，若U O=U Z = 6V，则稳压管的电流为4mA , 小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
模电习题与答案
模拟电子技术习题答案电工电子教学部2012.2、填空题:I. 自然界的各种物理量必须首先经过 传感器 将非电量转换为电量，即 电信号 。
2•信号在频域中表示的图形或曲线称为信号的频谱 。
3. 通过傅立叶变换可以实现信号从 时域 到频域的变换。
4. 各种信号各频率分量的 振幅 随角频率变化的分布，称为该信号的幅度频谱。
5. 各种信号各频率分量的 相位随角频率变化的分布，称为该信号的相位频谱。
6. 周期信号的频谱都由 直流分量、基波分量以及无穷多项高次谐波分量组成。
7. 在时间上和幅值上均是连续的信号 称为模拟信号。
8.在时间上和幅值上均是离散的信号称为数字信号。
9. 放大电路分为 电压放大电路 、电流放大电路、互阻放大电路 以及 互导放大电路四类。
10. 输入电阻、输出电阻、增益、频率响应和非线性失真 等主要性能指标是衡量放大电路的标准。
II. 放大电路的增益实际上反映了 电路在输入信号控制下，将供电电源能量转换为信号能量的能力。
12. 放大电路的电压增益和电流增益在工程上常用“分贝”表示，其表达式分别是电压增益 =20lgA v dB 、电流增益 =20lgA i dB 。
13. 放大电路的频率响应指的是，在输入正弦信号情况下，输出随 输入信号频率连续变化的稳态响应。
14.幅频响应是指 电压增益的模与角频率 之间的关系。
15. 相频响应是指 放大电路输出与输入正弦电压信号的相位差与角频率_______ 之间的关系 。
10pA 时，输出为500mV ，它的增益是多少？属于哪一类放大电 路？ 三、某电唱机拾音头内阻为 1M Q ，输出电压为1V （有效值），如果直接将它与10Q 扬声器 连接，扬声器上的电压为多少？如果在拾音头与扬声器之间接入一个放大电路， 它的输入电阻R i =1M Q ,输出电阻R o =10 Q,电压增益为1，试求这时扬声器上的电压。
该放大电路使用 哪一类电路模型最方便？解：直接将它与10Q 扬声器连接，扬声器上的电压V =10 QOVsz 10 Q X1V=10iV o.61 M Q +10 Q10 Q第一章绪论、某放大电路输入信号为 解:A rV 。
(完整版)模拟电子技术教程课后习题答案大全
第1章习题答案1. 判断题：在问题的后面括号中打√或×。
（1）当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。
（√）（2）当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。
（×）（3）线性电路一定是模拟电路。
（√）（4）模拟电路一定是线性电路。
（×）（5）放大器一定是线性电路。
（√）（6）线性电路一定是放大器。
（×）（7）放大器是有源的线性网络。
（√）（8）放大器的增益有可能有不同的量纲。
（√）（9）放大器的零点是指放大器输出为0。
（×）（10）放大器的增益一定是大于1的。
（×）2 填空题：（1）放大器输入为10mV电压信号，输出为100mA电流信号，增益是10S。
（2）放大器输入为10mA电流信号，输出为10V电压信号，增益是1KΩ。
（3）放大器输入为10V电压信号，输出为100mV电压信号，增益是0.01 。
（4）在输入信号为电压源的情况下，放大器的输入阻抗越大越好。
（5）在负载要求为恒压输出的情况下，放大器的输出阻抗越大越好。
（6）在输入信号为电流源的情况下，放大器的输入阻抗越小越好。
（7）在负载要求为恒流输出的情况下，放大器的输出阻抗越小越好。
（8）某放大器的零点是1V，零漂是+20PPM，当温度升高10℃时，零点是 1.0002V 。
（9）某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V，其最大不失真正电压输出+U OM是14V，最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。
（10）某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内，增益是100V/V，在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V，该放大器的下限截止频率f L是0HZ，上限截止频率f H是250KHZ，通频带f BW是250KHZ。
3. 现有：电压信号源1个，电压型放大器1个，1K电阻1个，万用表1个。
如通过实验法求信号源的内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗，请写出实验步骤。
模电习题答案(第五版)
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电子技术基础模拟部分 第五版
第九章作业题解答
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电子技术基础模拟部分 第五版
第五章作业题解答
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模拟电子技术(模电课后习题含答案)(第三版)
第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大；B.不变；C.减小 1.3电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。
1.4电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。
试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。
图P1.3 解图P1.31.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω故动态电流的有效值：/1di D I U r mA =≈1.7现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。
试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。
1、两个管子都正接。
（1.4V ）2、6V 的管子反接，8V 的正接。
模电书后习题参考答案
《电路与模拟电子学》部分习题参考答案第一章1.1 (a) 10W 吸收功率 (b)10W 吸收功率 (c) 10W 发出功率 (d) 10W 发出功率 1.2 1P =8W 吸收功率； 2P =－16W 吸收功率； 3P =12W 发出功率 1.3 (a) A 5.0-＝I (b)6V -＝U (c) Ω1＝R 1.4 A 1.0=I1.5 Ω1210＝R h 6KW ⋅＝W 1.6 F 2C μ= J 1046-⨯＝W1.7 (a) A 5=I (b) 6V ＝U (c) 2A ＝I1.8 (a) 10V ＝U 50W ＝P (b) 50V ＝U 50W 2＝P (c) V 3-＝U 5W 1-＝P (d) V 2＝U 10W ＝P1.9 (a) A I 2= (b) 10V ＝U (c) 2A ＝I 1.10 (a) 18.75V ＝U (b) 3A ＝I (c) 0.9A ＝I 1.11 (a) 2V ＝U (b) 2.5A ＝I1.12 (a) 2V 11＝U 72W -＝P (发出功率) (b) 0.5A 2＝I 5W 1＝P (吸收功率) 1.13 (a) 4V ＝U (b) 2A -＝I ；2A 1＝I 1.14 (a) A I 3-= (b) 4V ＝U (c) 1A ＝I1.15 (a) A I 0= 2V -＝U (b)A I 20-= V 10-＝U (c) 1A 1＝I 2A 2＝I 1.16 (a) 2V ＝ab U (b) 7V ＝ab U (c) 2V ＝ab U1.17 (a) 0V 1＝a V 8V ＝b V 6V 1＝c V 0V 1＝d V 6V ＝e V(b) 4V ＝a V 0V ＝b V 0V ＝c V 9V ＝d V V 11-＝e V 1.18 断开：2V -＝A V ； 闭合： 3.6V ＝A V 1.19 0.4A ＝I 10V ＝ab U 0V ＝ac U1.20 (a) 27V ＝U A I 3-= (b) 60W ＝P (c) 74W min ＝P第二章2.1 (a) Ω2.5 (b) Ω1.6 (c) Ω2.67 (d) Ω5 2.2 Ω5k ＝R 2.3 Ω81.25＝R2.4 (1)400V 2＝u (2) 4V 36=V (3)滑线变阻器、电流表均将被烧毁(电流过大)2.5 3V ＝U 2.6 A 2-=I2.7 (a) A 4=I (b) A 6.1=I 2.8 (a) A 9.0=I (b) A 4=I2.9 (a) 2V =V (b) 20V 1=V 6V 2=V2.10 (a) 7V =u A i 3= (b) 42V =u A i 1.1-= 2.11 60V =u2.12 4V ＝a u ； 2.5V ＝b u ；2V ＝c u2.13 14V -＝U ；A 3-=I2.14 (a) A I 8.1= 121.6W -＝P (b) A I 1= 12W -＝P 2.15 52W 2＝P ；78W 3＝P 2.163.75A 2.17 4V ＝oc U ；Ω1＝i R2.18 Ω4＝R2.19 (a) A I 3= (b) mA I 33.1= (c) mA I 5.1=2.20 Ω10＝R ； 35.1W ＝P 2.21 A I 5.2=；Ω20＝i R 2.22 (a)Ω6＝i R (b)Ω7.5＝i R2.23 (a) A I 6.4-= 9.2W -＝P (b) A I 5.22-= 12.5W 10-＝P2.24 (a) 8V ＝U A I 1= (b)28V ＝U A I 5.0= 2.25 7.2V ＝U ； A I 4.1= 2.26 A I 4=2.27 1V 0＝U 、A I 01.00=；Ω=100R ；Ω50＝d R 2.28 A i 88.3= 2.29 3V ＝u ；A i 21=2.30 A )1cos 01.0(+t 2.31 Ω1＝ab R 2.32 Ω8＝ab R 2.33 b2.34 5V 1-＝U ； 3V 2-＝U ；5V 3＝U 2.35 10V ＝ab U第三章3.1 (a)6V )0(＝+u A 2.0)0(=+i (b) 20V )0(＝+u A i m 10)0(=+(c) 8V )0(-+＝u A 2)0(=+i 3.2 (a)A 05.0)0(=+L i 0V )0(＝+C u1000A/S d d 0L -＝－t iV/S 105d d 40C ⨯＝－tu(b)A i L 5)0(=+ 17V )0(＝+C u4.5A/S d d 0L ＝－tiV/S 0d d 0C＝－tu3.3 ① 45V )0()0(＝+-=C C u u A i C 0)0(=- A i m 45.0)0(C =+② mA i i L L 15)0()0(==+- 0V )0(＝-L u 45V )0(＝+L u ③ 换路时L i 、C u 不会跃变；C i 、L u 会跃变 3.4 19.5V ；6V3.5 V e 20-2⨯=u mA e 10-2⨯=i 3.6 (a) ms t 1= (b) s 2.4μ=t3.7 (a) V e 4)(-2t ⨯＝t u ；mA e t i t 204.0)(-⨯=(b) V e3)(-111t⨯＝t u ；mA e t i t 11167.0)(-⨯-=(c) V e 3)(-6t⨯＝t u ；A et i t)1(5.0)(6--⨯=3.8 (a) )V e 1(9)(4103.3C t t u ⨯--=； (b) )V e 1(12)(-0.1t -⨯＝t u C 3.9 )mA e 75.05.0()(208tt i -+-=3.10 A et i tL 101)(--=；V e 20)(-10t ⨯＝t u L ；V e 1020)(-10t ⨯+＝t u 3.11 A et i t)1(10)(500--=3.12 V e 761)(-t-＝t u C 3.13 )V e8.12.2()(5105tt u ⨯-+=3.14 V e 821)(-5t+＝t u C 3.15 A et i tL 45005.02.0)(-⨯+-=3.16 A e t i t -⨯+=3.05.0)(3.17 (a) ）－（）（＝3)2()1()(t t t t t f εεεε----+(b) )1()1()(--+t t t t t f εε）（＝ (c) )2()42()1()22()(--+-+-+t t t t t t f εεε）（＝ (d) ]3)1()[3()]1(1)[1()(）－（）（＝t t t t t t t f εεεε--+-+--++ 3.18 V )1(565.0)(48.0t C e t t u --⨯）（＝ε3.19 ① V )1(2)(9o t e t t u --⨯）（＝ε ②V )1(210)()2(9o ---⨯-t e t t u ）（＝ε 3.20 A )5.01()(）（＝t e t i t ε--3.21 V )e 80e 100(5-4C t t u --= A )e 8e 10(5-4:L t t i --= 3.22 临界阻尼情况；过阻尼情况3.23 V ]100e )10001(100[1000C ++-=-t t u ；A e 1001000tt i -＝3.24 A/S 5.23.25 V 810)(5t C e t u --＝ 3.26 V 2)(5.1te t u -⨯＝第四章4.2 mA )12031400(cos 20︒+=t i 4.3 U V 33m U ＝； mA I 152＝4.4 A 63101︒∠=∙I A )63(cos 210)(1︒+=t t i ωA 117102︒∠=∙I A )117(c o s 210)(2︒+=t t i ωA 117103︒-∠=∙I A )117(c o s 210)(3︒-=t t i ω A 63104︒-∠=∙I A )63(cos 210)(4︒-=t t i ω4.5 V )37(cos 50︒+=t u ω4.6 A 7=I ；A5.3'=I4.7 Ω2.76k ＝R4.8 Ω4＝R ；0.24H ＝L 4.9 V 113=U ；A 38.0=I 4.10 Ω5＝R ；0.1F ＝C4.11 读数为A 5；()Ω-=j1612Z ；()j0.0403.0+=Y S4.12 (a)阻容串联：Ω5＝R ；0.058F ＝C (b)阻感串联Ω=3R ，H 3.29=L4.13 Ω10＝R ；172.2mH ＝L 4.14 A )1171000(cos 48.0)(︒+=t t i ab4.15 A )7.291000(cos 75.1)(1︒+=t t i ；A )3.561000(cos 92.3)(2︒+=t t i 4.16 A 728.15︒-∠=∙I4.17 A 41.1=I ；Ω14.1＝R ；Ω=1.14C X ； Ω=07.7L X 4.18 视在功率A)V (447⋅=S 有功功率W)(400=P 无功功率var)(200=Q功率因数89.0cos =ϕ4.19 Ω+=)7j 22(Z W)(8.2=P 89.0cos =ϕ 4.20 ()Ω-=j2010L Z ； 0.005W max =P 4.21 j)V 3(10A +=V ；W 300=S ；ar Q v 300=4.22 ① Hz f 5o 103.2⨯＝；433=Q ②A5.1o ＝I ；6495V ==C L U U4.23 Ω14.1＝R ；H 67.0=L ；F 0.17μ=C ；20=Q 4.24 V 18=U4.25 断开时：V 3111=U ；V 2202=U 闭合时：V 01=U ；V 2202=U 4.26 A 1.4＝I4.27 (a) V cos 1t u = V c o s 25.02t u -= (b) V sin 21t u =，V sin 5.02t u =(c) )V 0.252(21-t te eu +-=- )V 25.05.0(22t t e e u ---=4.28 H 0628.0=M4.29 V )143cos(2215oc ︒-=t u 4.30 62.0=K ︒∠=∙7652.1I 4.32 mH 86.52=M4.33 星形：相电流与线电流相等：A 1.5322A ︒-∠=∙I ，A 1.17322B ︒-∠=∙IA 9.6622C ︒∠=∙I ； W 8688=P三角形：相电流：A 1.5338B'A'︒-∠=∙I ，A 1.17338C'B'︒-∠=∙I ，A 9.6638A'C'︒∠=∙I 线电流：A 1.5366A ︒-∠=∙I ，A 1.17366B ︒-∠=∙I ，A 9.6666C ︒∠=∙IW 26064=P4.34 ︒-∠=∙1.3744A I ，A 1.15722B ︒-∠=∙I ，A 9.8222C ︒∠=∙I ，W 23232=P 4.35 不可； A 022A ︒∠=∙I ，A 3022B ︒-∠=∙I ， A 3022B ︒∠=∙I ，︒∠=∙01.60N I 4.36 A :0A 1A :5.77A 2A :10A 3A :5.77A 4.37 TtU U ∆⋅=m T t U U ∆⋅=m av4.38 123V =U A 11=I 273.5W =P4.39 V 3.131，A 93.1， A 86.1 4.40 V )45(cos 55)(2︒-+=t t u ω4.41 V )455.1cos(2)1.532cos(25.0)(R ︒-+︒-+=t t t u ，W 75.3375.0S1=+=P 4.42 0.8mA 1， V 4.67， .82W 0 4.43 A 12C =I 4.44 ︒∠=∙9.3625oc U 4.45 ]Re[2A A *∙∙I U 4.46 V 17 4.47 5W ＝P 4.48 A 02︒∠=∙I第五章5.5 (a)⎩⎨⎧-=->=-≤3V V 3V 3o o u u u u u ii i (b) ⎩⎨⎧=>=≤i i i u u u u u o o V 33V V 3(c)⎩⎨⎧=>=≤3V V 3 V 3o o u u u u u i i i (d) ⎩⎨⎧=≥=≤i i i u u u u u o o V 33V V 3 (e) ⎩⎨⎧=-≥-=-≤i i i u u u u u o oV 33VV 35.9 “与”门5.14 利用二极管5.15 ① V 6o ＝U ；A 6L m I ＝；A 24Z m I ＝② V 4.2o ＝U ；A 48L m I ＝；A 0Z m I ＝ ③ 增大R 的阻值5.16 4.65V4.65V 4.65V V 65.44.65V V 65.4o o o -=≥-=≤≤-=-≤u u u u u u u i i i i第六章6.3 A.放大区 B.饱和区 C.截止区 6.4 ① C E B ② 40 ③ PNP 6.5 15；100；306.6 增大；下降；左移；上升；增大 6.7 截止；饱和；饱和 6.9 D 6.10 Ω1k o ＝R6.11 ① (a)截止失真 (b)饱和失真6.12 ①9V CC ＝V ；Ω1k E ＝R ；12V CEQ ＝U ；Ω2k L ＝R ②截止失真；4V opp ＝U 6.13 ①2mA CQ ＝I ； 5.4V CEQ -＝U ②0V CQ ＝U ；截止 ③7.3V CQ ＝U ；饱和④Ω455k B1＝R ⑤45.1u -＝A6.15 1mA EQ ＝I ；9.5V CEQ ＝U ；83u ＝A ；Ω29i ＝R ；Ω1k .2o ＝R 6.16 44u -＝A ；减小；增大 6.17 饱和失真；增大B1R 或减小B2R6.19 ①Ω19.2k 2＝R ②mV sin 580o t u ω-＝ ③Ω8.3k i ＝R ；Ω44o ＝R6.20 ①1T 共射；2T 共射；3T 共集 ②2mA C1Q ＝I ；3mA C2Q ＝I ；4mA C3Q ＝I ；Ω31k B1＝R ③568u ＝A ④Ω1.2k i ＝R ；Ω48o ＝R6.21 ①W 125.10max o =P ② 2.5W CM ＝P ；38V (BR)CEO ＝U ； 1.125A CM ＝I 6.22 ①W 9max o =P ② 1.8W CM ＝P ③V U CEO BR 24)(>6.23 ①18V min CC ＝V ② 1.125A CM ＝I ；36V (BR)CEO ＝U ③12.89W V ＝P④2W CM ＝P ⑤12.7V ＝U 6.24 ①5V C ＝U ；调整1R 或3R ②调整2R ，使其增大 ③烧毁三极管 6.25 ① 3.5W o ＝P ②W 5V ＝P ③0.75W T2T1=P P ＝ 6.26 分别处于击穿区、饱和区、非饱和区6.28 ①1mA DQ ＝I ②Ω2k S1＝R ③Ω6k max S2＝R④)310(2u S R k kA +-＝ C ⑤2i 334S G R R R +＝；Ω10k o ＝R6.29 ①V 2GSQ -＝U ②0.22mA D Q ＝I ；V 8.9DSQ ＝U ③0.44mS m ＝g 6.30 beC L u 1)//(r g R R g A m m +-=β；G R R ＝i ；C R R =o6.31 Ebe L C m E D m R r R R R g R r R g A )1()//(1)])1(//([2be2u βββ++⋅+++=； 321i //G G G R R R R +＝；L C R R R //o =6.34 ①mA I Q C 11＝；V 10CE1Q ＝U ②10u -＝A ③Ω23k i ＝R ；Ω6k o ＝R 6.35 ①mA I I Q C Q C 5.021=＝、V7.921=Q CE Q CE U U ＝；mA I Q C 13=、V8.10CE3Q ＝UmA I Q C 5.04=、V 7.0CE4Q ＝U6.36 ①V 9.2O Q ＝U ②])1([2)//(111C2L u E be B R r R R R A ββ+++=第七章7.1 (a)电流并联负反馈 (b)电流串联负反馈 (c)电压串联负反馈 (d)电压并联负反馈 7.2 ①上负下正 ②电压串联负反馈7.4 (a)电压并联负反馈 (b)电压并联负反馈、正反馈 (c)电压并联负反馈 (d)电流串联负反馈 (e) 正反馈 (f)电流并联负反馈 7.5 (a) 13u R R A -= (b) 32u R R A -= 7.6 (a) 电压并联负反馈；BR R A Fud -= (b) 正反馈7.7 电压串联负反馈 )(121u E D ER R R R R F ++=7.8 电压串联负反馈 )1)()(1(6598917uf R R R R R R R A +++= 7.9 ①mA I C 12= ②mA I C 2.33= ③减小 C2R④应改为电压串联负反馈，f R 接至2b 、3b 接1c ⑤变动前10uf -＝A ；变动后11uf ＝A 7.10 2500；0.0967.11 31099.9-⨯；91；-9%7.12 ① 电压负反馈，F R 接在 3T 射级和 1T 射级之间 ② 电流负反馈，F R 接在 3T 集电极和 1T 基极之间7.13 ①V 71=Q C U ；V 7.01-=Q E U ②V 576.61=C u ；V 424.72=C u③ 3b 与1c 相连 ④Ω9k F ＝R7.14 ①V 522==C C U U ②1c 接运放反相端，2c 接运放同相端；③10uf ＝A ④1c 接运放同相端，2c 接运放反相端，F R 接1 b ；9uf -＝A 7.15 电压串联负反馈，254421o )()(R R R R R R u u i ++=第八章8.1 (a) V 45.0o =u (b) V 15.0o -=u (c) V 9.0o =u (d) V 15.0o =u 8.2 ① i u R R u 12o1-= ；i u R R R R Ru )(63612o +-= 8.3 ① i u R R R R R u )(63612o +-= 8.4 2500u -＝A 8.6 50084o +-=i u u 8.7 ① 44332211o i F i F i F i F u R Ru R R u R R u R R u ----=② )41212(4321o i i i i u u u u u +++-= (V 0V 15o ≤≤-u ) 8.8反相比例运算；40u -＝A ；V 6.58.9① f offoffi i i o ref R R V d R V u ])21([301o -=∑=+ ② 组成偏置电路，使电路由单极性输出变为双极性输出8.10 ① dt R t u R t u C t u i i ))()((12211o +⎰）＝－（ 8.11 ① 每个节点由3个支路构成，每个支路的电阻为2R② )2(321o ∑-=⋅=n i i i nf ref d RR V u③ V 10V 0O ≤≤U8.12 dtt du t u i )()(o1-＝；)(2)(o t u t u i ＝ 8.13 ① (a)反相比例运算器 (b)乘法器② (a) 23)(1124o R R S i S I R u I R u -＝ (b) )(21o i i S u u RI u ⋅-＝ 8.14 ① 带通 ② 高通 ③ 带阻 ④ 低通8.15 一阶有源高通滤波器； 二阶无源低通滤波器；二阶无源带阻滤波器； 二阶有源带通滤波器8.16 ① 30.8o ＝A ；200Hz o ＝f ；5＝Q ② 50o ＝A ；20Hz o ＝f ；5＝Q 8.17 ① 过零比较器 ② 单门限比较器 ③ 迟滞比较器 8.18 ①1A 、4A 为虚地； 2A 、3A 为虚短②1A 为反相加法器；2A 为电压跟随器；3A 为减法器；4A 为积分器；5A 为过零比较器 ③321o152.0i i i u u u u ---＝；4o2i u u ＝；)(2o1o2o3u u u -＝；t u U u C 2)0(3o o4--＝ ④ V 2.1o4＝u ；V 15o5-＝u8.19 ①1A 为积分器；2A 为迟滞比较器 ②ms 20 ③ms 808.20 实际是个窗口比较器；当时，或B A U u U u <>i i 输出为低电平；否则输出为高电平。
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填空1. 和开路PN结的结区宽度相比较，当PN结加正偏电压时，其结区宽度将变窄；当PN结加反偏电压时，其结区宽度将变宽。
2. 整流二极管的整流作用是利用PN结的单向导电特性,稳压管的稳压作用是利用PN结的反向击穿特性。
3. 三极管工作在放大状态时，发射结应正偏置，集电结应反偏置。
若工作在饱和状态时，发射结应正偏置，集电结应正偏置。
若工作在截止状态时，发射结应反偏置，集电结应反偏置。
4. 三极管电流放大系数50，J则a= 0.98 ;若a = 0.99, J则99 。
5. 当环境温度升高时，三极管的下列参数变化的趋势是：电流放大系数大，穿透电流I CEO 增加，当I B不变时，发射结正向压降|U BE|减小。
6. 共射极放大电路中三极管集电极静态电流增大时，其电压增益将变大 ;若负载电阻R L变小时，其电压增益将变小。
7. 单级共射极放大电路产生截止失真的原因是静态lc偏小;产生饱和失真的原因是lc偏大：若两种失真同时产生，其原因是输入信号太大。
8. 试比较共射、共集和共基三种组态的放大电路，其中输入电阻较大的是共集电路；通频带较宽的是共基电路；输入电阻较小的是共基电路：输出电阻较小的是共集电路；输出信号与输入信号同相位的是共集和共基电路;电压增益小于1的是共集电路;带负载能力较强的是共集电路；既有电流放大能力又有电压放大能力的是共射电路。
9. 单级阻容耦合共射极放大电路的中频电压增益为-100,当信号频率为上限频率f H时，这时电路的实际增益为-77.7，其输出与输入信号的相位相差-225 度。
10. 某放大电路的对数幅频特性如图所示，由图可知，该电路的中频电压放大倍数为100倍，上限频率f H = 2X 106 Hz，下限频率f L = 20 Hz，当信号频率恰好为f H或f L时，实际电压增益为37 dB11. 在PN结的形成过程中，载流子扩散运动是载流子的浓度差作用下产牛的，漂移运动是载流子在内电场作用下产生的。
12. 放大器有两种不同性质的失真，分别是线性失真和非线性失真。
13. 在三极管多级放大电路中，已知A V1 = 20, A V2 = -10, A V3 = 1, A V1是共基放大器，A V2是共射放大器,A V3是共集放大器。
14. 射极输出器的主要特点是：电压放大倍数近似为1、输入电阻比较大、输出电阻比较小。
15. 半导体中有自由电子和空穴两种载流子。
本征半导体的导电能力取决于环境温度或光照强度，杂质半导体的导电能力主要取决于掺杂浓度。
16 •温度升高，本征载流子浓度增加；杂质半导体中少子浓度—多子浓度基本不变。
仃.改变半导体导电能力的方法有受到外界光和热的刺激和在纯净的半导体中加入微量的杂质。
18. N型半导体的多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。
19. P型半导体的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。
20. PN结在形成的时候载流子存在两种运动形式，分别是多数载流子的扩散运动和少数载流子的漂移运动021. PN结的电击穿分为雪崩击穿和齐纳击穿两种类型。
22. BJT所代表的电气元件是双极型三极管。
23. 三极管的三个工作区域分别是饱和区、线性放大区和截止区。
24. 静态工作点Q点一般选择在交流负载线的中央。
25. 根据结构的不同，场效应管可分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管两类。
26. MOSFET所代表的电气元件是金属-氧化物-半导体场效应管。
27. 共集电极电路又被称为电压跟随器；共基极电路又被称为电流跟随器。
28. 静态工作点Q点选得过低会导致截止失真;Q点选得过高会导致饱和失真。
29. 三极管的放大作用一方面要满足内部条件，即要求发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度,同时基区厚度要很址；另一方面要满足外部条件，即发射结要正向偏置、集电结要反向偏置。
30. 对应于BJT的三种基本放大电路，被称为射极输出器的电路是共集电极电路、称为电流跟随器的电路是共基极电路、称为电压跟随器的电路是共集电极电路。
31. 在BJT的三种基本放大电路中，同时具有电压和电流放大作用的电路是丿射极放大电路;仅具有电压放大作用的电路是共集电极电路;仅具有电流放大作用的电路是共基极电路。
32. 场效应管是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件。
33. 稳压二极管在稳压电路中稳压时工作于反向击穿（正向导通；反向截止；反向击穿）。
34. 半导体三极管属于电流控制器件，而场效应管属于电压控制器件。
35. 射极输出器的主要特点是：电压放大倍数近似为1 :输入电阻很大：输出电阻彳艮小、。
36.多级放大电路的总电压增益等于各级电压增益的 之积 37. 将几级放大电路串联起来后，总电压增益虽然提高了，但通频带变 窄了。
38. JFET 是利用PN 结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变 导电沟道 的宽窄, 从而控制漏极电流的大小；而MOSFET 则是利用栅源电压的大小，来改变半 导体表面 感应电荷 的多少，从而控制漏极电流的大小。
39. 对于下图所示电路,设 V cc =12V,R b =510k Q, F C =8 k Q, V BE =0.7V‘V C EZ )=0.3V, 当B =50,静态电流I B F 22卩A , I cQ = 1.1mA ，管压降V C E = 3.2V ;若换 上一个当 B =80,静态电流 I BC F 22 u A , lcd= 1.46mA ，管压降 V C E (= 0.3V ，三级管工作在 饱和状态。
40. 对于下图所示电路，设 V cc =12V ，三级管B =50, V B E =0.7V ,若要求静态电流41. 对于下图所示电路，已知 V Cc =12V,弘=27 k Q, R=2 k Q ,R e =1 k Q ,V BE =0.7V,42. 已知图示的放大电路中的三级管B =40, V BE =0.7V ,稳压管的稳定电压V Z =6V, 则静态电流 l B Q = 0.275mA , I C F 11mA ，管压降 V C E F 3V 。
,R F 4 k QR F 282.543. 若下图所示放大电路在冬天调试时能正常工作，当到了夏天后，发现输出波形失真，且幅度增大，这时发生的失真是饱和失真,失真的主要原因是由于夏天室温升高后，三级管的I CBO、V BE和B 三个参数的变化,引起工作点上移；输出波形幅度增大，则是因为B 参数随温度升高而增大所造信号源索取的电流小，应选用共集组态选择1. 由理想二极管组成的电路如图所示，其A、B两端的电压U AB应为（B ）A、U AB = —12VB、U AB = —6VC、U AB = + 6VD、U AB = + 12V丰弭T=12V2. 由硅二极管组成的电路如图所示，电阻R2中的电流I为（C ）A、1 = 2mAB、1 = 0mAC、1= 1.5mAD、l = —1.5mA3. 在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、一10V和一9.3V,则该管为（A ）0A、NPN硅管B、NPN锗管C、PNP硅管D、PNP锗管4. 测得某放大电路中NPN管三个极对地的电位分别为U C= 12V, U B = 1.8V和U E = 0V，则该管是处于（D ）。
A、放大状态B、饱和状态C、截止状态D、已损坏5. 有人选用最大允许集电极电流I CM = 20mA，最大允许电压U CEO = 20V，集电极最大允许耗散功率P CM = 100mW的三极管组成放大电路，其静态工作点I C =15mA，U CE = 10V，则该管应属于下列四种状态中的（ D ）。
A、可以正常放大B、可能击穿C、放大性能较差D、过热或烧坏6. 某放大电路在负载开路时的输出电压为6V，当接入2k Q的负载后，其输出电压为4V，这表明该放大电路的输出电阻是（ C ）oA 、电流控制电流源器件B 、电流控制电压源器件A 、10k QB 、2k QC 、1k QD 、0.5 k Q7. 放大电路如图所示，如 U>>U B E ,且I CE Q 0,则在静态时，该三极管工作的状8.电路如图所示，若不慎将旁路电容 C e 断开，则将（C A 、不仅影响静态工作点，而且也影响电压增益。
B 、只影响静态工作点，但不影响电压增益。
C 、不影响静态工作点，只影响电压增益。
D 、不影响静态工作点，也不影响电压增益。
R e-Q将它们串接成两级电压放大电路时，贝U 总的电压增益满足（ C 、＞| A i X A 2 | D 、＜| A i X A 2 | i0.场效应管本质上是一个（ C ）o 双极型三极管本质上是一个（ AC 、截止状态 不定9•两个独立的共射极放大电路，负载开路时的电压增益分别为 A i 和 A 2, 如果D )oA 、A i + A 2B 、A i X A 2 态是（B ） o11. N沟道JFET的跨导g m是（C ）。
A、一个固定值B、随电源电压V DD增加而加大C、随静态栅源电压V GS增加而加大D、随静态栅源电压V GS增加而减小12. 某场效应管的转移特性如图所示，则该管是（ A ）。
A、P沟道增强型MOSFETB、P沟道JFETC、N沟道增强型MOSFETD、N沟道耗尽型MOSFET13. 已知某FET的输出特性如图所示，试判别它是（D ）A、P沟道增强型MOSFETB、N沟道JFETC、P沟道耗尽型MOSFETD、N沟道耗尽型MOSFET14. 硅二极管和锗二极管的死区电压分别约为（ B ）A、0.6V; 0.6VB、0.6V; 0.1VC、0.1V; 0.6VD、0.1V; 0.1VC 、减小基极偏置电阻R BD 、增大基极偏置电阻R B15•在杂质半导体中，少数载流子的浓度取决于（ A ）A 、温度B 、掺杂元素C 、掺杂浓度D 、掺杂工艺16. N 型半导体是在纯净的本征半导体中加入（ D ）。
A 、自由电子 B 、空穴C 、硼元素D 、磷元素17. 用万用表直流电压档，测得电路中晶体管（硅管）各电极相对于某一参考点 的电位如图所示，从而可以判断出该晶体管工作在（ D ）。
A 、放大状态B 、饱和状态C 、截止状态D 、倒置状态5・3V T J十-5. 3V18. 电路如图所示，若更换晶体管，使 B 由50变为100,则电路的电压放大倍 数（C ）。
A 、约为原来的一半 B 、基本不变 C 、约为原来的2倍D 、约为原来的4倍19. 当下图所示电路输入1kHZ 5mV勺正弦波电压时，输出电压波形的底部出现了被削平的失真，为了削除这种失真，应（ D ）0A、增大集电极电阻R CB、改换B大的晶体管C、减小基极偏置电阻R BD、增大基极偏置电阻R B5-------------------- r20. 温度上升时，半导体三极管的（A ）。