晶圆切割资料.共45页
晶圆切割[整理]
![晶圆切割[整理]](https://img.taocdn.com/s3/m/422743f9afaad1f34693daef5ef7ba0d4b736d5a.png)
芯圆切割（Wafer Dicing）本文介绍，IC封装(packaging)的后端工艺(back-end)之一：晶圆切片(wafer dicing)。
在过去三十年期间，切片(dicing)系统与刀片(blade)已经不断地改进以对付工艺的挑战和接纳不同类型基板的要求。
最新的、对生产率造成最大影响的设备进展包括：使两个切割(two cuts)同时进行的、将超程(overtravel)减到最小的双轴(dual-spindle)切片系统；自动心轴扭力监测和自动冷却剂流量调节能力。
重大的切片刀片进步包括一些刀片，它们用于很窄条和/或较高芯片尺寸的晶圆、以铜金属化的晶圆、非常薄的晶圆、和在切片之后要求表面抛光的元件用的晶圆。
许多今天要求高的应用都要求设备能力和刀片特性两方面都最优化的工艺，以尽可能最低的成本提供尽可能高的效率。
切片机制(The Dicing Mechanism)硅晶圆切片工艺是在“后端”装配工艺中的第一步。
该工艺将晶圆分成单个的芯片，用于随后的芯片接合(die bonding)、引线接合(wire bonding)和测试工序。
一个转动的研磨盘(刀片)完成切片(dicing)。
一根心轴以高速，30,000~60,000rpm (83~175m/sec的线性速度)转动刀片。
该刀片由嵌入电镀镍矩阵黏合剂中的研磨金刚石制成。
在芯片的分割期间，刀片碾碎基础材料(晶圆)，同时去掉所产生的碎片。
材料的去掉沿着晶方(dice)的有源区域之间的专用切割线(迹道)发生的。
冷却剂(通常是去离子水)指到切割缝内，改善切割品质，和通过帮助去掉碎片而延长刀片寿命。
每条迹道(street)的宽度(切口)与刀片的厚度成比例。
关键工艺参数硅圆片切割应用的目的是将产量和合格率最大，同时资产拥有的成本最小。
可是，挑战是增加的产量经常减少合格率，反之亦然。
晶圆基板进给到切割刀片的速度决定产出。
随着进给速度增加，切割品质变得更加难以维持在可接受的工艺窗口内。
半导体晶圆切割
By Dianne Shi and Ilan Weisshas本文介绍，先进圭寸装（advaneed packaging的后端工艺（back-end）之一:xx 圆切片(wafer dicing)。
在过去三十年期间，切片(dieing)系统与刀片(blade)已经不断地改进以对付工艺的挑战和接纳不同类型基板的要求。
最新的、对生产率造成最大影响的设备进展包括:采用两个切割(two cuts)同时进行的、将超程(overtravel)减到最小的双轴(dual-spindle)切片系统，代表性的有日本东精精密的AD3000T和AD2000T;自动心轴扭力监测和自动冷却剂流量调节能力。
重大的切片刀片进步包括一些刀片，它们用于很窄条和/或较高芯片尺寸的晶圆、以铜金属化的晶圆、非常薄的晶圆、和在切片之后要求表面抛光的元件用的晶圆。
许多今天要求高的应用都要求设备能力和刀片特性两方面都最优化的工艺，以尽可能最低的成本提供尽可能高的效率。
最近，日本东精精密又向市场推出了非接触式的激光切割设备ML200和ML300 型切片机制(The Dicing Mechanism)硅晶圆切片工艺是在“后端”装配工艺中的第一步。
该工艺将晶圆分成单个的芯片，用于随后的芯片接合(die bon di ng)、弓I线接合(wire bonding)和测试工序。
一个转动的研磨盘(刀片)完成切片(dicing)。
一根心轴以高速，30,000~60,000rpm (83~175m/sec的线性速度)转动刀片。
该刀片由嵌入电镀镍矩阵黏合剂中的研磨金刚石制成。
在芯片的分割期间，刀片碾碎基础材料(晶圆)，同时去掉所产生的碎片。
材料的去掉沿着晶方(dice)的有源区域之间的专用切割线(迹道)发生的。
冷却剂(通常是去离子水)指到切割缝内，改善切割品质，和通过帮助去掉碎片而延长刀片寿命。
每条迹道(street)的宽度(切口)与刀片的厚度成比例。
关键工艺参数硅圆片切割应用的目的是将产量和合格率最大，同时资产拥有的成本最小。
晶圆切割站培训资料
➢ 首件检查（使用工具显微镜）
➢
目检（使用普通显微镜）
➢ 机器维护：换刀（在F5.1菜单下更换）
➢
机器异常情况处理
精品课件
8
➢晶圆贴片步骤
1、准备工作
打开离子风扇 有效距离60cm 准备擦净的铁圈若干
精品课件
9
贴片
2、用气枪吹净机器表面
3、用沾酒精的无尘布擦拭机器表面及滚筒
精品课件
10
贴片
4、取一盒晶圆，先从外部观察 晶圆有无破损，若有，通知工 程师处理；然后打开，再确认 有无破片
27HCEE：12000刀 27HCCE：6500刀 27HCCB：6500刀 27HCCE：6500刀
1、当屏幕右下角的刀数到预定的 刀片使用寿命时即须换刀
2、当刀片磨损量到达刀刃极限时 也须换刀（在正常切割画面下按F3， 进入刀片状态信息）
精品课件
24
换刀
3、在主目录下按F5（刀片参数维护），再 按F1（刀片更换）进入更换刀片画面
E、具体操作要领
一、常见异常报警的处理
1、切痕检查：偏离中心
*消除警报
偏移
*确认警报原因为切割位置偏移OR基准线
*若是基准线偏移，则利用Y方向键调节基
准线中心对准切割痕中心
*按F5键基准线调整
*利用F4刀痕参数中的F5刀痕检查，检查
以上调整的位置，检查后会自动调整误差，并显示于屏
幕
精品课件
35
异常处理
按下此键后，系统进入单 品种全自动切割准备状态， 再按下快捷键NEW CST、 START，机器将按F4菜单中 设置的程序进行单品种全自 动切割
F2：多品种全自动切割
跟F1相类似，只是F1切割 过程中程序不变，而在F2中， 可以设定料盒中有不同的产 品，不须中途全自动结束更 改程序（例如：EAGLE的CCD 与TG可以放在同一个料盒中 切割）
晶圆切割
芯圆切割（Wafer Dicing）6 WX7^$R3^7\)T$K本文介绍，IC封装(packaging)的后端工艺(back-end)之一：xx圆切片(wafer dicing)。
* t#n"r)T2o3e2o在过去三十年期间，切片(dicing)系统与刀片(blade)已经不断地改进以对付工艺的挑战和接纳不同类型基板的要求。
最新的、对生产率造成最大影响的设备进展包括：使两个切割(twocuts)同时进行的、将超程(overtravel)减到最小的双轴(dual-spindle)切片系统；自动心轴扭力监测和自动冷却剂流量调节能力。
重大的切片刀片进步包括一些刀片，它们用于很窄条和/或较高芯片尺寸的晶圆、以铜金属化的晶圆、非常薄的晶圆、和在切片之后要求表面抛光的元件用的晶圆。
许多今天要求高的应用都要求设备能力和刀片特性两方面都最优化的工艺，以尽可能最低的成本提供尽可能高的效率。
切片机制(The Dicing Mechanism)硅晶圆切片工艺是在“后端”装配工艺中的第一步。
该工艺将晶圆分成单个的芯片，用于随后的芯片接合(diebonding)、引线接合(wire bonding)和测试工序。
一个转动的研磨盘(刀片)完成切片(dicing)。
一根心轴以高速，30,000~60,000rpm (83~175m/sec的线性速度)转动刀片。
该刀片由嵌入电镀镍矩阵黏合剂中的研磨金刚石制成。
在芯片的分割期间，刀片碾碎基础材料(晶圆)，同时去掉所产生的碎片。
材料的去掉沿着晶方(dice)的有源区域之间的专用切割线(迹道)发生的。
冷却剂(通常是去离子水)指到切割缝内，改善切割品质，和通过帮助去掉碎片而延长刀片寿命。
每条迹道(street)的宽度(切口)与刀片的厚度成比例。
关键工艺参数# [# }9F/?*g* X( r5r8N#~:w1e3^.k2};s(x硅圆片切割应用的目的是将产量和合格率最大，同时资产拥有的成本最小。
晶圆切割站培训资料PPT课件
换刀
3、在主目录下按F5（刀片参数维护）， 再按F1（刀片更换）进入更换刀片画 面
警告：因在此目录 下按SPINDL，转 轴
不4会、转打，开所保以护尽盖量 在，此先目擦录净下压更克换， 以力板以及各管 免路意外发生！
25
换刀
5、拧开螺丝，拿掉WHEEL COVER ， 将刀片破损检测敏感器旋至最上
7
SCR INDEX：SCR索引
8
➢晶圆贴片步骤
1、准备工作 打开离子风扇 有效距离60cm
准备擦净的铁圈若干
9
贴片
2、用气枪吹净机器表面
3、用沾酒精的无尘布擦拭机器表面及滚筒
10
贴片
4、取一盒晶圆，先从外部观察 晶圆有无破损，若有，通知工 程师处理；然后打开，再确认 有无破片
11
贴片
5、双手小心取出一片晶圆 6、将其小心放置在工作盘上， 先将晶圆底部靠近工作盘的底 线，慢慢放下晶圆，左手不放 开，用右手打开真空开关
现问题超过2次(包括2次)的员工提报给当班制造线 良
长
图
片
铝 电 极 23
➢换刀步骤
目前使用切
割刀的估计 寿 命如下：
27HEEE2： 1刀121、722片H00当00C使00E屏刀刀用F幕1寿：右命下时角即的须 2、2当7H刀CE片E磨：损量到达 也12须0换00刀刀（在正常切 进入27刀HC片C状E：态信息） 6500刀
12
贴片
7、放上铁圈，两个卡口 卡住工作盘上的两个突出 点
8、拉出胶布，先松开，让前 部贴住贴片机的前部；再拉紧 胶布，贴住贴片机后部
13
贴片
9、用滚筒压过胶布
10、看胶布与晶圆间有无气泡， 若有超过0.5mm的气泡，将其 UV照射后重新再贴
晶圆激光切割与刀片切割工艺介绍ppt正式完整版
双刀台片面 切方割片刀可片控需量硅要晶频级圆繁的, 更从换，而后期对运行晶成本圆较高的。 微处理更具优越性, 可以进行小部 从二而极实 管现G切PP割晶的件圆目的的因为加光斑工较小;，即最低使限度在的炭不化影高响。的脉冲能量水平下, 也能得到较 高的能量密度, 有效地进行材料加工。 激光划片速度为150mm/s。
对于厚度在100微米以下的晶圆，用刀具进行划片极易导致晶圆破碎。 新型划片---激光
大多数材料吸收激光直接将硅材料汽 大多数材料吸收激光直接将硅材料汽化，形成沟道。
IGBT,VNOS管等
化，形成沟道。从而实现切割的目的因 激光划片不需要去离子水，不存在刀具磨损问题，并可连续24小时作业。
大多数材料吸收激光直接将硅材料汽化，形成沟道。
二极管 GPP 晶圆
晶圆图片
触发管 GPP 晶圆
直线六边形 GPP 晶圆
晶圆图片
硅放电管晶圆
双台面方片可控硅晶圆
晶圆图片
传统划片方法---刀片
最早的晶圆是用划片系统进行划片（切割）的，现在 这种方法仍然占据了世界芯片切割市场的较大份额，特别 是在非集成电路晶圆划片领域。金刚石锯片（砂轮）划片 方法是目前常见的晶圆划片方法。
5.激光可以切割一些较复杂的晶圆芯片，如 六边形管芯等。
激光划片工艺介绍
6.激光划片不需要去离子水，不存在刀具磨 损问题，并可连续24小时作业。
7.激光具有很好的兼容性，对于不同的晶圆 片，激光划片具有更好的兼容性和通用性。
对比表格
谢谢观看
激光可以切割一些较复杂的晶圆芯片，如六边形管芯等。
发从光而二 实极现管切，割三的极目管的，因整为流光桥斑，较小，最低限度的炭化影响。•钻石颗粒旋转方向
半导体晶圆切割
By Dianne Shi and Ilan Weisshas本文介绍，先进封装(advanced packaging)的后端工艺(back-end)之一：xx圆切片(wafer dicing)。
在过去三十年期间，切片(dicing)系统与刀片(blade)已经不断地改进以对付工艺的挑战和接纳不同类型基板的要求。
最新的、对生产率造成最大影响的设备进展包括：采用两个切割(two cuts)同时进行的、将超程(overtravel)减到最小的双轴(dual-spindle)切片系统，代表性的有日本东精精密的AD3000T和AD2000T；自动心轴扭力监测和自动冷却剂流量调节能力。
重大的切片刀片进步包括一些刀片，它们用于很窄条和/或较高芯片尺寸的晶圆、以铜金属化的晶圆、非常薄的晶圆、和在切片之后要求表面抛光的元件用的晶圆。
许多今天要求高的应用都要求设备能力和刀片特性两方面都最优化的工艺，以尽可能最低的成本提供尽可能高的效率。
最近，日本东精精密又向市场推出了非接触式的激光切割设备ML200和ML300型切片机制(The Dicing Mechanism)硅晶圆切片工艺是在“后端”装配工艺中的第一步。
该工艺将晶圆分成单个的芯片，用于随后的芯片接合(die bonding)、引线接合(wire bonding)和测试工序。
一个转动的研磨盘(刀片)完成切片(dicing)。
一根心轴以高速，30,000~60,000rpm (83~175m/sec的线性速度)转动刀片。
该刀片由嵌入电镀镍矩阵黏合剂中的研磨金刚石制成。
在芯片的分割期间，刀片碾碎基础材料(晶圆)，同时去掉所产生的碎片。
材料的去掉沿着晶方(dice)的有源区域之间的专用切割线(迹道)发生的。
冷却剂(通常是去离子水)指到切割缝内，改善切割品质，和通过帮助去掉碎片而延长刀片寿命。
每条迹道(street)的宽度(切口)与刀片的厚度成比例。
关键工艺参数硅圆片切割应用的目的是将产量和合格率最大，同时资产拥有的成本最小。