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希腊福朗荷提遗址 寻找欧洲的最古老村落简
前段时间，一则新闻颇吸引人们的眼球，全球最大太阳能动力船“星球太阳能号”(Turanor Planet Solar)抵达希腊科林斯，参加联合考古项目。
这个考古项目由瑞士考古研究所和希腊文化部组织，自2014年8月11日开始，为期一个月，考古学家们要开展地球物理研究和爱琴海海域水下考古，并在伯罗奔尼撒半岛东南部阿尔戈利斯湾的福朗荷提(Franchthi)洞穴附近调查搜索，继续寻找古代欧洲人类居住的最古老史前村落。
福朗荷提凭什么魅力吸引了当今全球最大的太阳能动力船加入科考队伍？让我们近前观看。
福朗荷提洞穴遗址的田野考古发掘工作开始于1967年，当时由美国印第安纳大学伯明顿分校古典系雅各布森（T.W. Jacobsen）教授领导，持续希腊福朗荷提遗址文 图/郝际陶寻找欧洲的最古老村落到1976年，宾夕法尼亚大学和美国驻雅典考古研究所的学者们也参加了发掘工作。
经过10年的工作，福朗荷提洞穴遗址以丰富的地层资料，展示了欧洲先民自欧州最后一次冰期末期，即维姆（Wurm）冰期的最冷阶段末期至新石器时代连续的生活图景。
经14C 测定，起自公元前2万年的旧石器时代晚期，止于公元前3000年的新石器时代末期，福朗荷提遗址地层中的人类文化遗存几乎从未中断，是世界上已知人类居住时间最久的洞穴遗址。
研究它，对于理解欧洲文明之起源，尤其是希腊半岛上人类文明之萌始，均可获得有益的启示。
伯罗奔尼撒半岛东部，阿哥利斯半岛的西边，是一岩石海岬。
福朗荷提洞穴在海岬西端，洞口面北。
今日，洞口高出海平面15米，距海约75米，洞深约150米，但当初可能要长得多。
洞内厚厚的落岩已封绝了大部分地区，洞顶有两处向南开的天窗，可能是约公元前3000年意大利伊斯基亚岛(Isola d'Ischia)地震带来的后果，灾难过后，该洞也不再作为居址。
福朗荷提洞穴是石灰岩洞穴，表层是石灰岩，其下是火成岩。
石灰岩与火成岩的接触面，常有淙淙的泉水，终年叮咚作响，对人类具有强大的吸引力。
外国现代天文学家：莱曼·斯皮策人物简介
• 在大学期间表现出对天文学的独特见解
1936年获得哈佛大学硕士学位
• 研究射电天文学和恒星物理
• 成为卡尔·央斯基的助手
莱曼·斯皮策的职业生涯与重要成就
1978年获得诺贝尔物理学奖
• 因其在红外天文学领域的杰出贡献
• 表彰其对恒星和星系研究的突破性成果
1940年代开始研究红外天文学
发展红外天文学观测技术
发展射电天文学观测技术
推动空间天文学的发展
• 设计并建造了第一台红外望远镜
• 参与建造了第一台射电望远镜
• 参与了多个空间天文项目的规划和
• 为红外天文学的发展提供了重要工
• 为射电天文学的发展奠定了基础
实施
具
• 为空间天文学的发展做出了重要贡
献
03
莱曼·斯皮策的科学与人文素养
CREATE TOGETHER
DOCS SMART CREATE
外国现代天文学家：莱曼·斯皮策人物简介
DOCS
01
莱曼·斯皮策的生平与成就
莱曼·斯皮策的早年生活与教育背景
1911年出生于美国纽约市
• 父亲是一位律师，母亲是一位音乐家
• 从小对科学和天文学产生浓厚兴趣
1933年获得普林斯顿大学学士学位
1962年获得美国国家科学奖章
• 以表彰其在天文学领域的杰出贡献
• 使其成为当时美国最著名的天文学家之一
1980年获得英国皇家天文学会金质奖章
• 以表彰其在天文学领域的杰出贡献
• 使其成为国际天文学界的杰出人物
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02
莱曼·斯皮策在天文学领域的贡
献
莱曼·斯皮策在恒星物理方面的贡献
兰德施泰纳
简介
姓名：兰德施泰纳 兰德施泰纳(1张) 籍贯：美籍奥地利裔职业：免疫学家 生卒：1868～1943 （Karl Landsteiner，1868.6.14～1943.6.26）
研究生涯
他最初研究化学，1892年与E.费施尔合成α-羟基乙醛。1896年后对血清学和免疫学产生兴趣，将化学方法 引入血清学研究，发现不同人的血清与血细胞混合后可发生凝集反应，1901年用抗A血清和抗B血清将血液分成A、 B、C（后称O）三型。1902年他的同事发现AB型。推断血型可以遗传。1904年他与J.多纳特提出诊断阵发性寒 冷性血红蛋白尿的试验，并阐述此病的发病机理。他又阐明胎粪性肠梗阻的病因。1905～1907年与合作者成功 地使猴感染梅毒，确定苍白密螺旋体存在于梅毒瘤中；创用螺旋体的暗视野显微镜观察法；阐明瓦瑟曼氏反应的 机制,并用牛心脏代替人体器官以提取抗原,使瓦氏试验得以广泛应用。1908～1919年用恒河猴等动物研究脊髓灰 质炎,设想其病原体为病毒,并与同事设计出一套血清诊断程序和保存病毒的方法。发现半抗原(1921)，促进免疫 学的发展。他用化学和血清学技术区分出不同的血红蛋白；与合作者发现凝集素α1和α2(1926)，MN等血液因子 (1927)、一种仅存在于黑人血液中的因子（今称亨特－享肖二氏系统）(1934)及Rh因子(1940)等；1930～1932 年与合作者成功地培养出流行性斑疹伤寒的病原体普氏立克次氏体。1936年发表免疫学经典著作《血清学反应的 特异性》。
兰德施泰纳
美籍奥地利裔免疫学家01 简介源自目录02 研究生涯
美籍奥地利裔免疫学家。1868年6月14日生于维也纳的巴登，1943年6月26日卒于纽约。因发现人的主要血 型系统而获1930年诺贝尔生理学或医学奖。1891年获维也纳大学医学院医学博士学位。1892～1894年间在德国 和 瑞 士 研 究 化 学 。 1 8 9 6 ～ 1 9 0 8 年 先 后 在 维 也 纳 大 学 卫 生 系 和 病 理 解 剖 研 究 所 任 职 。 1 9 11 年 任 病 理 学 教 授 。 1 9 2 2 年应邀赴美国纽约洛克菲勒研究所工作，1929年入美国籍。
天文学家发现另一颗像塔比星那样闪烁的恒星
2019.02/中国科技教育／65本栏目文字与图片由 《科学新闻》版权所有，授权我刊使用，不得以任何形式转载、摘编，特此声明。
天文学家发现另一颗像塔比星那样闪烁的恒星Lisa Grossman到目前为止，天文学家发现银河系中还有另外一颗奇异闪烁的恒星。
天文学家使用位于智利的望远镜发现了一颗明暗变化奇异的恒星，这让人想起了塔比星——一颗曾经被认为拥有外星超级结构体的恒星。
超级结构体的想法首先在2015年提出，不久之后被撤销，主要是因为有数据显示这种亮度的衰减有可能是尘粒遮掩住恒星光线所致。
新近发现的这颗恒星的行为也可能不是外星生命所为。
但是它实在令人困惑，来自于巴西圣卡塔琳娜州联邦大学的天文学家Roberto Saito 说道。
他和他的同事于2018年11月6日在 上就这颗恒星奇异的闪烁作了报告。
“我们不知道那个物体是什么。
”他说道，“那实在太有意思了。
”这颗恒星或可拥有一些绕行的残骸，这些残骸会定期地挡住星光，但是Saito 和他的同事们表示他们需要更多的观测确定那是否可能，或者这种奇异的闪烁是由其他原因所导致的。
当研究团队从VISTA 望远镜（位于智利北部的阿塔卡马沙漠）的数据中锁定这个目标时，研究人员一直在搜寻那些随着爆发而突然增亮的超新星和恒星。
这些数据只是针对银河中心大规模探查数据的一部分，它们被称为银河VISTA 变量，或者VVV。
与增亮恰恰相反，这颗恒星突然变暗。
研究团队将它称为VVV-WIT-07，这到底是什么呢？从2010年到2018年，这颗恒星亮度的增加与减少从没有固定模式。
这种亮度模式的缺乏与塔比星十分相像，除了VVV-WIT-07的亮度可下降达80%，而塔比星的亮度只会下降20%。
此外还有一颗被称为J1407的闪烁恒星，它可能更为匹配。
这颗恒星周期性变暗程度可达95%，来自于美国纽约罗切斯特大学的天文学家Eric Mamajek 和他的同事在2012年对此作过报告。
天文学家认为J1407的一颗绕轨运行的行星具有庞大的星环系统，它能够周期性地遮掩恒星。
自由蓝｜蓝晒摄影与策兰的诗
自由蓝｜蓝晒摄影与策兰的诗“今天是蓝色的”安娜·阿特金斯于1799年出生于英格兰的肯特郡，她自幼便对植物情有独钟，并在1843年成为世上首位利用摄影技术留下植物的“肖像”的摄影师。
她收集来采摘的海藻标本，为它们拍照存档，以便研究其组织结构。
日后，这本名为《英国海藻图集》的摄影书成为了首部研究海藻生物学的摄影集。
《英国海藻图集》内页图安娜·阿特金斯阿特金斯的《英国海藻图集》分为十卷，在十年内陆续出版，她在这个过程中采用的摄影技术是当时世界上前沿的蓝晒摄影工艺。
蓝晒法（Cyanotype）又叫做铁氰酸盐（铁-普鲁士蓝）印相法，最常用的叫法是蓝图晒印法。
约翰·赫谢尔爵士（Sir John Herschel ）于1841年-1842年发现许多铁化合物能够感光，由此发明蓝晒法。
安娜·阿特金斯用蓝晒法冲印的照片带有一种纯厚、神秘的普鲁士蓝色，使得画面中的一切都仿佛是人们未曾见过的阳光的另一种魔法，照片中的人物面孔、景物特征都在沉浸在蓝色的阴影层次之中，犹如混沌而令人痴迷的梦境，带有强烈的故事性和表现张力。
Stillness of Spirit by John Dugdale 1996该冲印法面世后，因其对事物轮廓的精细反映，主要用于制作建筑蓝图，后来安娜·阿特金斯将其引入植物摄影冲晒过程，她制作的植物图集中，那一片温柔而细腻的蓝色就像是海水仍在陪伴这些植物银白色的影子。
《英国海藻图集》内页图安娜·阿特金斯维多利亚时期，英国人对植物、园艺的喜爱渐成风气，在这个时期，涌现大批热衷研究植物学的学者，文人骚客周游散心时，也不忘书写身边的植物的风姿，而对于大自然中翩翩随风而动的蕨类植物更是情有独钟，塞缪尔·泰勒·柯勒律治在他的笔记本中写道：“世上最为独特而美丽的事物莫过于蕨叶一片，在山坡上繁盛地生长开来，风吹过时轻轻荡漾它们的身体。
”《英国海藻图集》内页图安娜·阿特金斯对蕨类植物的珍爱在阿特金斯的摄影集中也可见一斑，她将不同的蕨类植物庄重地摆成一个花圈，并在中央添上它们共同的名字“蕨”（Ferns），仿佛对这名字也回味无穷，念念不忘。
温度高达5000万度 史上第一“人造太阳”中国制造
温度高达5000万度史上第一“人造太阳”中国制造在安徽合肥的董铺水库，有一个世外桃源般的小岛，它叫科学岛，几乎所有的岛民都是中科院的科研人员，他们正潜心铸造着被称为‘人造太阳’的核聚变实验装置。
今天我们就走近“人造太阳”，走近为这个大科学工程默默奉献的科学家们。
6000度，是地球核心的温度；1500万度，是太阳核心的温度；5000万度，是中国“人造太阳”的温度。
今年年初，在安徽合肥西郊的“科学岛”上，李建刚和他的同事们，实现了人类历史上第一次5000万度持续放电100秒的奇迹。
中科院等离子体所研究员、中国工程院院士李建刚：太阳是自然界存在的，我们就是要在地球上来模拟太阳这个过程，为未来提供更大的能源。
李建刚是“科学岛”上的一名“资深岛民”，在岛上从事核聚变实验已经30多年。
这个看着像个三层楼高的大锅炉，就是李建刚和同事们研制的“人造太阳”核聚变装置。
“国际热核聚变实验堆”计划是目前全球仅次于国际空间站的全球大科学工程计划，旨在为人类持续提供可替代的清洁能源。
人们认识核聚变，其实是从氢弹爆炸开始的。
李建刚和同事们所做的，就是希望有效控制氢弹爆炸这样的核聚变过程，让巨大的能量能够持续稳定地输出，从而为人类所用。
李建刚：一杯海水里面提炼出来聚变的燃料可以相当于300公升汽油，海水里面的氘资源可以为人类用100亿年，就比地球比太阳的寿命都长。
1982年，从哈工大船舶核动力专业毕业后，李建刚就来到了科学岛上，将制造“人造太阳”作为自己终生的职业。
34年来，李建刚就在这个方圆3平方公里的小岛上，一步步接近这个天方夜谭般的梦想。
实现梦想的第一步，就是要把”人造太阳”持续加热到上亿度，这也是李建刚和同事们必须攻克的首个难关。
李建刚：家里的微波炉只有500瓦，我们这儿的微波炉是全世界最大的，是10兆瓦，就比家里的微波炉大两万倍。
所以你家里的只能点到比如说几十度到几百度，我们这儿就能到几百万度、几千万度。
我们所有的技术指标都是世界上最高参数的。
《燃烧学》第一讲PPT课件
• 恩格斯：“火”使人类脱离野蛮进入文明 • “庄子”：木与木相摩则燃。 • 战国齐国田单：火牛阵 • 晋代张华“博物志”：四川用天然气煮盐 • 火药和火箭：我国首先发明（至少在宋代）
• 燃烧技术的三次大发展：蒸汽机和内燃机（产 业革命）；航空航天技术（二次世界大战）； 能源危机（70年代末）
• 混合气中各组分的物质流不等于该组分 的扩散流
• 各组分扩散流的总和为零 • 扩散流的总和对混合气整体运动没有影
响 • 各组分扩散线速度的总和不为零
（3）多组分有反应流动分子输运定律
Jsj
D12
Ys x j
Jsj
Ds
Ys x j
q
j
T x j
sVsjhs
h Yshs Ysh0s TT0 YscpsdT h0 TT0 cpdT
即由于分子不规则运动引起的扩散漂移 速度 • VS = vS – v
三种速度和三种物质流（续）
v g svs gs SVs Js
gsj svsj Jsj Ysv j sVsj sv j g j v j gsj svsj sVsj v j
sVsj Jsj 0
三种速度和三种物质流（续）
2-1 多组分有反应流体基本性质和关系式 （1）多组分完全气体混合物
s
s
Ys s /
p ps
s
Xs ps / p
nM
s nsMs
ps sRT / Ms nsRT
p RT / M nRT
Xs ps / p ns / n
n ns
s nsMs nM
多组分完全气体混合物（续）
（3）燃烧科学的发展
• 燃素论—18世纪中叶前 • 燃烧的氧化论—Lavosier，Lomonosov （1756-1771） • 燃烧热力学—Kirshoff，Hess （19世纪） • 燃烧反应动力学—Simonov，Lewis （20世纪初） • 燃烧学—Zeldovich，Frank-Kamenetsky，Spalding，
光伏发电英文文献Ultra-High Efficiency Photovoltaic
Ultra-High Efficiency Photovoltaic Cells for Large Scale Solar Power GenerationYoshiaki NakanoAbstract The primary targets of our project are to dras-tically improve the photovoltaic conversion efficiency and to develop new energy storage and delivery technologies. Our approach to obtain an efficiency over40%starts from the improvement of III–V multi-junction solar cells by introducing a novel material for each cell realizing an ideal combination of bandgaps and lattice-matching.Further improvement incorporates quantum structures such as stacked quantum wells and quantum dots,which allow higher degree of freedom in the design of the bandgap and the lattice strain.Highly controlled arrangement of either quantum dots or quantum wells permits the coupling of the wavefunctions,and thus forms intermediate bands in the bandgap of a host material,which allows multiple photon absorption theoretically leading to a conversion efficiency exceeding50%.In addition to such improvements, microfabrication technology for the integrated high-effi-ciency cells and the development of novel material systems that realizes high efficiency and low cost at the same time are investigated.Keywords Multi-junctionÁQuantum wellÁConcentratorÁPhotovoltaicINTRODUCTIONLarge-scale photovoltaic(PV)power generation systems, that achieve an ultra-high efficiency of40%or higher under high concentration,are in the spotlight as a new technology to ease drastically the energy problems.Mul-tiple junction(or tandem)solar cells that use epitaxial crystals of III–V compound semiconductors take on the active role for photoelectric energy conversion in such PV power generation systems.Because these solar cells operate under a sunlight concentration of5009to10009, the cost of cells that use the epitaxial crystal does not pose much of a problem.In concentrator PV,the increased cost for a cell is compensated by less costly focusing optics. The photons shining down on earth from the sun have a wide range of energy distribution,from the visible region to the infrared region,as shown in Fig.1.Multi-junction solar cells,which are laminated with multilayers of p–n junctions configured by using materials with different band gaps,show promise in absorbing as much of these photons as possible,and converting the photon energy into elec-tricity with minimum loss to obtain high voltage.Among the various types of multi-junction solar cells,indium gallium phosphide(InGaP)/gallium arsenide(GaAs)/ger-manium(Ge)triple-junction cells that make full use of the relationship between band gaps and diverse lattice con-stants offered by compound semiconductors have the advantage of high conversion efficiency because of their high-quality single crystal with a uniform-size crystal lat-tice.So far,a conversion efficiency exceeding41%under conditions where sunlight is concentrated to an intensity of approximately5009has been reported.The tunnel junction with a function equivalent to elec-trodes is inserted between different materials.The positive holes accumulated in the p layer and the electrons in the adjacent n layer will be recombined and eliminated in the tunnel junction.Therefore,three p–n junctions consisting of InGaP,GaAs,and Ge will become connected in series. The upper limit of the electric current is set by the mini-mum value of photonflux absorbed by a single cell.On the other hand,the sum of voltages of three cells make up the voltage.As shown in Fig.1,photons that can be captured in the GaAs middle cell have a smallflux because of the band gap of each material.As a result,the electric currentoutputAMBIO2012,41(Supplement2):125–131 DOI10.1007/s13280-012-0267-4from the GaAs cell theoretically becomes smaller than that of the others and determines the electric current output of the entire tandem cell.To develop a higher efficiency tandem cell,it is necessary to use a material with a band gap narrower than that of GaAs for the middle cell.In order to obtain maximum conversion efficiency for triple-junction solar cells,it is essential to narrow down the middle cell band gap to 1.2eV and increase the short-circuit current density by 2mA/cm 2compared with that of the GaAs middle cell.When the material is replaced with a narrower band gap,the output voltage will drop.However,the effect of improving the electric current balance out-performs this drop in output voltage and boosts the effi-ciency of the entire multi-junction cell.When a crystal with such a narrow band gap is grown on a Ge base material,lattice relaxation will occur in the middle of epitaxial crystal growth because the lattice constants of narrower band-gap materials are larger than that of Ge (as shown in Fig.2).As a result,the carrier transport properties will degrade due to dislocation.Researchers from the international research center Solar Quest,the University of Tokyo,aim to move beyond such material-related restrictions,and obtain materials and structures that have effective narrow band gaps while maintaining lattice matching with Ge or GaAs.To achieve this goal,we have taken three approaches as indicated in Fig.3.These approaches are explained in detail below.DILUTE NITROGEN-ADDED BULK CRYSTAL Indium gallium nitride arsenide (InGaNAs)is a bulk material consists of InGaAs,which contains several percent of nitrogen.InGaNAs has a high potential for achieving a narrow band gap while maintaining lattice matching with Ge or GaAs.However,InGaNAs has a fatal problem,that is,a drop in carrier mobility due to inhomogeneousdistribution of nitrogen (N).To achieve homogeneous solid solution of N in crystal,we have applied atomic hydrogen irradiation in the film formation process and addition of a very small amount of antimony (Sb)(Fig.3).The atomic hydrogen irradiation technology and the nitrogen radical irradiation technology for incorporating N efficiently into the crystal can be achieved only through molecular beam epitaxy (MBE),which is used to fabricate films under high vacuum conditions.(Nitrogen radical irradiation is a technology that irradiates the surface of a growing crystal with nitrogen atoms that are resolved by passing nitrogen through a plasma device attached to the MBE system.)Therefore,high-quality InGaNAs has been obtained only by MBE until now.Furthermore,as a small amount of Sb is also incorporated in a crystal,it is nec-essary to control the composition of five elements in the crystal with a high degree of accuracy to achieve lattice matching with Ge or GaAs.We have overcome this difficulty by optimizing the crystal growth conditions with high precision and devel-oped a cell that has an InGaNAs absorption layer formed on a GaAs substrate.The short-circuit current has increased by 9.6mA/cm 2for this cell,compared with a GaAs single-junction cell,by narrowing the band gap down to 1.0eV.This technology can be implemented not only for triple-junction cells,but also for higher efficiency lattice-matched quadruple-junction cells on a Ge substrate.In order to avoid the difficulty of adjusting the compo-sition of five elements in a crystal,we are also taking an approach of using GaNAs with a lattice smaller than that of Ge or GaAs for the absorption layer and inserting InAs with a large lattice in dot form to compensate for the crystal’s tensile strain.To make a solid solution of N uniformly in GaNAs,we use the MBE method for crystal growth and the atomic hydrogen irradiation as in the case of InGaNAs.We also believe that using 3D-shaped InAs dots can effectively compensate for the tensile strainthatFig.1Solar spectrum radiated on earth and photon flux collected by the top cell (InGaP),middle cell (GaAs),and bottom cell (Ge)(equivalent to the area of the filled portions in the figure)occurs in GaNAs.We have measured the characteristics of a single-junction cell formed on a GaAs substrate by using a GaNAs absorption layer with InAs dots inserted.Figure 4shows that we were able to succeed in enhancing the external quantum efficiency in the long-wavelength region (corresponding to the GaNAs absorp-tion)to a level equal to GaAs.This was done by extending the absorption edge to a longer wavelength of 1200nm,and increasing the thickness of the GaNAs layer by increasing the number of laminated InAs quantum dot layers.This high quantum efficiency clearly indicates that GaNAs with InAs dots inserted has the satisfactory quality for middle cell material (Oshima et al.2010).STRAIN-COMPENSATED QUANTUM WELL STRUCTUREIt is extremely difficult to develop a narrow band-gap material that can maintain lattice matching with Ge orGaAs unless dilute nitrogen-based materials mentioned earlier are used.As shown in Fig.2,the conventionally used material InGaAs has a narrower band gap and a larger lattice constant than GaAs.Therefore,it is difficult to grow InGaAs with a thickness larger than the critical film thickness on GaAs without causing lattice relaxation.However,the total film thickness of InGaAs can be increased as an InGaAs/GaAsP strain-compensated multi-layer structure by laminating InGaAs with a thickness less than the critical film thickness in combination with GaAsP that is based on GaAs as well,but has a small lattice constant,and bringing the average strain close to zero (Fig.3.).This InGaAs/GaAsP strain-compensated multilayer structure will form a quantum well-type potential as shown in Fig.5.The narrow band-gap InGaAs layer absorbs the long-wavelength photons to generate electron–hole pairs.When these electron–hole pairs go over the potential bar-rier of the GaAsP layer due to thermal excitation,the electrons and holes are separated by a built-in electricfieldFig.2Relationship between band gaps and lattice constants of III–V-based and IV-based crystalsto generate photocurrent.There is a high probability of recombination of electron–hole pairs that remain in the well.To avoid this recombination,it is necessary to take out the electron–hole pairs efficiently from the well and transfer them to n-type and p-type regions without allowing them to be recaptured into the well.Designing thequantumFig.3Materials and structures of narrow band-gap middle cells being researched by thisteamFig.4Spectral quantum efficiency of GaAs single-junction cell using GaNAs bulk crystal layer (inserted with InAs dots)as the absorption layer:Since the InAs dot layer and the GaNAs bulk layer are stacked alternately,the total thickness of GaNAs layers increases as the number of stacked InAs dot layers is increased.The solid line in the graph indicates the data of a reference cell that uses GaAs for its absorption layer (Oshima et al.2010)well structure suited for this purpose is essential for improving conversion efficiency.The high-quality crystal growth by means of the metal-organic vapor phase epitaxy (MOVPE)method with excellent ability for mass production has already been applied for InGaAs and GaAsP layers in semiconductor optical device applications.Therefore,it is technologically quite possible to incorporate the InGaAs/GaAsP quantum well structure into multi-junction solar cells that are man-ufactured at present,only if highly accurate strain com-pensation can be achieved.As the most basic approach related to quantum well structure design,we are working on fabrication of super-lattice cells with the aim of achieving higher efficiency by making the GaAsP barrier layer as thin as possible,and enabling carriers to move among wells by means of the tunnel effect.Figure 6shows the spectral quantum effi-ciency of a superlattice cell.In this example,the thickness of the GaAsP barrier layer is 5nm,which is not thin enough for proper demonstration of the tunnel effect.When the quantum efficiency in the wavelength range (860–960nm)that corresponds to absorption of the quan-tum well is compared between a cell,which has a con-ventionally used barrier layer and a thickness of 10nm or more,and a superlattice cell,which has the same total layer thickness of InGaAs,the superlattice cell demonstrates double or higher quantum efficiency.This result indicates that carrier mobility across quantum wells is promoted by even the partial use of the tunnel effect.By increasing the P composition in the GaAsP layer,the thickness of well (or the In composition)can be increased,and the barrier layer thickness can be reduced while strain compensation is maintained.A cell with higher quantum efficiency can befabricated while extending the absorption edge to the long-wavelength side (Wang et al.2010,2012).GROWTH TECHNIQUE FOR STRAIN-COMPENSATED QUANTUM WELLTo reduce the strain accumulated in the InGaAs/GaAsP multilayer structure as close to zero as possible,it is nec-essary to control the thickness and atomic content of each layer with high accuracy.The In composition and thickness of the InGaAs layer has a direct effect on the absorption edge wavelength and the GaAsP layer must be thinned to a satisfactory extent to demonstrate fully the tunnel effect of the barrier layer.Therefore,it is desirable that the average strain of the entire structure is adjusted mainly by the P composition of the GaAsP layer.Meanwhile,for MOVPE,there exists a nonlinear rela-tionship between the P composition of the crystal layer and the P ratio [P/(P ?As)]in the vapor phase precursors,which arises from different absorption and desorption phenomena on the surface.As a result,it is not easy to control the P composition of the crystal layer.To break through such a difficulty and promote efficient optimiza-tion of crystal growth conditions,we have applied a mechanism to evaluate the strain of the crystal layer during growth in real time by sequentially measuring the curvature of wafers during growth with an incident laser beam from the observation window of the reactor.As shown in Fig.7,the wafer curvature during the growth of an InGaAs/GaAsP multilayer structure indicates a periodic behavior.Based on a simple mechanical model,it has become clear that the time changes ofwaferFig.5Distribution of potential formed by the InGaAs/GaAsP strain-compensated multilayer structure:the narrow band-gap InGaAs layer is sandwiched between wide band-gap GaAsP layers and,as a result,it as quantum well-type potential distribution.In the well,electron–hole pairs are formed by absorption of long-wavelength photons and at the same time,recombination of electrons and holes takes place.The team from Solar Quest is focusing on developing a superlattice structure with the thinnest GaAsP barrier layercurvature are proportionate to the strain of the crystal layer relative to a substrate during the growing process.One vibration cycle of the curvature is same as the growth time of an InGaAs and GaAsP pair (Sugiyama et al.2011).Therefore,the observed vibration of the wafer curvature reflects the accumulation of the compression strain that occurs during InGaAs growth and the release of the strain that occurs during GaAsP growth.When the strain is completely compensated,the growth of the InGaAs/GaAsP pair will cause this strain to return to the initial value and the wafer curvature will vibrate with the horizontal line as the center.As shown in Fig.7,strain can be compensated almost completely by adjusting the layer structure.Only by conducting a limited number of test runs,the use of such real-time observation technology of the growth layer enables setting the growth conditions for fabricating the layer structure for which strain has been compensated with highaccuracy.Fig.6Spectral quantum efficiency of GaAs single-junction cell using InGaAs/GaAsP superlattice as theabsorption layer:This structure consists of 60layers of InGaAs quantum wells.The graph also shows data of a reference cell that uses GaAs for its absorption layer (Wang et al.2010,2012)Fig.7Changes in wafer curvature over time during growth of the InGaAs/GaAsP multilayer structure.This graph indicates the measurement result and the simulation result of the curvature based on the layer structure(composition ?thickness)obtained by X-ray diffraction.Since compressive strain is applied during InGaAs growth,the curvature decreases as time passes.On the other hand,since tensile strain is applied during GaAsP growth,the curvature changes in the oppositedirection (Sugiyama et al.2011)FUTURE DIRECTIONSIn order to improve the conversion efficiency by enhancing the current matching of multi-junction solar cells using III–V compound semiconductors,there is an urgent need to create semiconductor materials or structures that can maintain lattice matching with Ge or GaAs,and have a band gap of1.2eV.As for InGaNAs,which consists of InGaAs with several percent of nitrogen added,we have the prospect of extending the band edge to1.0eV while retaining sufficient carrier mobility for solar cells by means of atomic hydrogen irradiation and application of a small quantity of Sb during the growth process.In addition,as for GaNAs bulk crystal containing InAs dots,we were able to extend the band edge to1.2eV and produce a high-quality crystal with enoughfilm thickness to achieve the quantum efficiency equivalent to that of GaAs.These crystals are grown by means of MBE. Therefore,measures that can be used to apply these crys-tals for mass production,such as migration to MOVPE, will be investigated after demonstrating their high effi-ciency by embedding these crystals into multi-junction cells.As for the InGaAs/GaAsP strain-compensated quantum well that can be grown using MOVPE,we are working on the development of a thinner barrier layer while compen-sating for the strain with high accuracy by real-time observation of the wafer curvature.We have had the prospect of achieving a quantum efficiency that will sur-pass existing quantum well solar cells by promoting the carrier transfer within the multilayer quantum well struc-ture using the tunnel effect.As this technology can be transferred quite easily to the existing multi-junction solar cell fabrication process,we strongly believe that this technology can significantly contribute to the efficiency improvement of the latest multi-junction solar cells. REFERENCESOshima,R.,A.Takata,Y.Shoji,K.Akahane,and Y.Okada.2010.InAs/GaNAs strain-compensated quantum dots stacked up to50 layers for use in high-efficiency solar cell.Physica E42: 2757–2760.Sugiyama,M.,K.Sugita,Y.Wang,and Y.Nakano.2011.In situ curvature monitoring for metalorganic vapor phase epitaxy of strain-balanced stacks of InGaAs/GaAsP multiple quantum wells.Journal of Crystal Growth315:1–4.Wang,Y.,Y.Wen,K.Watanabe,M.Sugiyama,and Y.Nakano.2010.InGaAs/GaAsP strain-compensated superlattice solar cell for enhanced spectral response.In Proceedings35th IEEE photovoltaic specialists conference,3383–3385.Wang,Y.P.,S.Ma,M.Sugiyama,and Y.Nakano.2012.Management of highly-strained heterointerface in InGaAs/GaAsP strain-balanced superlattice for photovoltaic application.Journal of Crystal Growth.doi:10.1016/j.jcrysgro.2011.12.049. AUTHOR BIOGRAPHYYoshiaki Nakano(&)is Professor and Director General of Research Center for Advanced Science and Technology,the University of Tokyo.His research interests include physics and fabrication tech-nologies of semiconductor distributed feedback lasers,semiconductor optical modulators/switches,monolithically integrated photonic cir-cuits,and high-efficiency heterostructure solar cells.Address:Research Center for Advanced Science and Technology, The University of Tokyo,4-6-1Komaba,Meguro-ku,Tokyo153-8904,Japan.e-mail:nakano@rcast.u-tokyo.ac.jp。
外国现代天文学家：帕洛玛人物简介
无数人追求真理和进步
和求知欲
• 有一些成为了国际知名的专家
• 她的学术成果为科学研究和应用
• 为他们提供了学术指导和人生榜
• 为天文学领域的发展提供了人才
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样
支持
• 她的人格魅力和道德品质为人们
树立了良好的榜样
帕洛玛在天文学界的地位与贡献
帕洛玛在天文学界享有极高的声誉和地位
• 被认为是现代天文学的奠基人之一
• 她的科学精神和探索精神影响了无数人
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谢谢观看
T H A N K Y O U F O R WATC H I N G
CREATE TOGETHER
DOCS
帕洛玛对后辈的启示与影响
帕洛玛的启示和影响为
天文学领域的发展培养
了一批优秀人才
帕洛玛的学术成就和人生经历对后辈
产生了深远的影响
帕洛玛的启示和影响也
为社会发展和进步做出
了贡献
• 传播了科学精神和探索精神
• 许多年轻天文学家在她的启示和
• 她的人生经历和科学精神激励了
• 激发了后辈对宇宙奥秘的好奇心
影响下选择了天文学专业
• 被选为国际天文学会会员
• 获得了青年科学家奖
• 参加了国际学术会议
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帕洛玛在天文领域的重大突破
帕洛玛在恒星物理领域取得了重大突破
• 提出了恒星演化理论
• 解释了恒星内部物质循环机制
• 预测了恒星爆炸现象
帕洛玛在星系演化领域也取得了重要成果
• 提出了星系形成模型
• 解释了星系相互作用机制
病卧床上的魏格那（德国气象学家
其实任何事物都是一类信息：表格，图形，地图，甚至文本，无论静态或 动态，都为我们提供认识世界的手段。而可视化(visualization)，将数倍 放大他们的威力。让我们看看它是如何穿透表面，让隐藏的信息浮现的：
1854年，霍乱在伦敦Soho区严重爆发，当时对霍乱起因的主流意见仅仅 是空气传播。 约翰斯诺（内科医生）将水质研究、霍乱死亡统计分布图与地图对比分析， 发现污染源来自于Broad Street的公用抽水机。证实了正是伦敦政府将废 物倾销进泰晤士河的决定导致了霍乱通过地面下污水传播而最终爆发。
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在Infosthetics论坛 5周年庆生之际，设计师将总共约2000个项目放在同 一个页面中按多重维度进行筛选查找。左侧每一个小块代表一个项目，并 赋予几个与右侧类别属性对应的颜 色。 点击右侧的类别、回复数、年份可进行多维度筛选。从近2000条数据中 筛选出感兴趣的内容也就点几下的功夫。通过减少搜索，以较少的空间表 现大量的数据， 间接提高了用户的信息获取效率。
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Where Does My Money Go？
2009年圣诞节前，英国政府宣布将对地方公众公开地方开支报告，于是 孕育而生。用户可以在这里查看 英国的政府过去6 年内各领域的开支。政府希望通过运作这个项目，收集更多细节的信息，包括地 方消费等。 图表内容的类别包括教育、健康以及国防等领域。由于所有图形的 尺寸都与实际金额对应，颜色都与类别对应，即使没有百分比数据统计，也能直 接看出各部分开Renting
林德布拉德
星系旋臂形成秘密
借助类比推理 探索星系旋臂
形成的秘密
“密度波”概 念
借助类比推理探索星系旋臂形成的秘密
在茫茫的宇宙中，和银河系同一等级的恒星系统即星系何止千千万万，但从外观形态上看，则可归结为三大 类型：扁率各不相同的椭圆星系；形同水中旋涡、具有两条或更多条螺线状“旋臂”的旋涡星系；形状不定的不 规则星系。人类所在的银河系是属于标准的旋涡星系。自1845年罗斯在观测猎犬座星系M51时发现旋涡星系存在 以来，其神秘而壮观的旋臂结构起源之谜，一直令天文学家浮想联翩，夜不能寐。进一步的观测发现，旋臂都在 恒星富集之处，主要成员大都是明亮的年轻恒星，以及由之产生的稠密气体——尘埃云，其中有许多电离状态的 氢云（即电离氢区）。新的恒星以特别高的速率在旋臂处生成，堪称恒星的摇篮。
银河系自转理论第一人
银河系自转理论第一人
林德布拉德是第一个系统建立银河系自转理论的人。他认为“二星流”是由银河系自转效应引起的。为了解 释恒星运动的不对称性，林德布拉德进而提出了银河系存在空间运动、空间分布和物理特性方面互有区别的“次 系”。不同的次系有一些互相混杂，但按特征不同仍可以分为三类：一类是扁平次系，高度集聚于铁饼状的银道 面两旁，形成扁平形状的恒星系统，大都是早型恒星如O型星次系、B型星次系、经典造父型变星次系和银河星团 次系等。另一类是球状次系，以银河系中心为集聚点，形成球状系统，如天琴座RR型变星次系、亚矮星次系和球 状星团次系等。最后一类是中介次系，介于扁状与球状之间。林德布拉德按照恒星的空间分布和运动特征对它们 加以分类，并指出存在高速星和低速星的原因在于运动的相对性效应。因为太阳以250公里/秒左右的速度绕银河 系的轴心（银心）运动时，那些相对于整体银河系几乎是静止的球状次系就显示出高速的表观现象，而与太阳差 不多速度的就表现为低速星现象。次系实际上就是星族，即星星的不同“种族”，就像地球上有黄种人、白种人 和黑种人等一样。
曼恩斯特半导体 钙钛矿
曼恩斯特半导体钙钛矿
曼恩斯特半导体钙钛矿是一种新型的太阳能电池材料。
它的独特之处在于，它可以将太阳光中的几乎所有波长都转换成电能，从而提高了太阳能电池的效率。
而且，这种材料的制作过程简单，成本低廉，因此有望成为未来太阳能电池的主要材料之一。
曼恩斯特半导体钙钛矿是一种结晶化合物，其化学式为ABX3，其中A通常为有机离子，B为金属离子，X为卤素离子（如氯、溴、碘等）。
该材料的晶体结构类似于钙钛矿，因此被称为“钙钛矿太阳能电池”。
曼恩斯特半导体钙钛矿具有优异的光吸收和电子传输性能，能够将光能转化为电能。
在太阳能电池中，它可以作为光电子层，吸收太阳光中的能量，产生电子空穴对，并将其输送至电池的电极中。
与传统的硅太阳能电池相比，曼恩斯特半导体钙钛矿具有更高的效率、更低的制造成本和更广泛的适用性。
目前，曼恩斯特半导体钙钛矿太阳能电池已经成为太阳能电池研究领域的热点之一。
科学家们正在不断改进制备工艺和性能，以实现更高效的太阳能电池。
预计未来，曼恩斯特半导体钙钛矿太阳能电池将得到广泛应用，成为解决能源短缺和环境问题的重要手段之一。
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植被分布规律及植被区划
纬度地带性在中国旳体现：
西部内陆腹地
受强烈旳大陆性气候旳影响，因为青藏高原旳隆起， 从北至南出现旳一系列东西走向旳巨大山系，打破了 原有旳纬度地带性，所以自北向南旳变化如下： 温带荒漠、半荒漠带→暖温带荒漠带→高寒荒漠带→ 高寒草原带→高寒山地灌丛草原带。
第七章 植被分布规律
1.植被旳水平分布规律 2.植被旳垂直分布规律 3.中国植被旳地理分布规律
地带性植被和非地带性植被
地带性植被(zonal lvegetation) （显域植被）
是指能充分反应气候 类型特征旳植被类型。地 带性植被在地球表面常呈 带状分布，与气候带(型) 旳界线大致相符。
非地带性植被（隐域植被） (azonal vegetation)
纬度地带性在中国内陆旳体现
88°E
温带荒漠、半荒漠带→暖温带荒漠带→高寒荒 漠带→高寒草原带→高寒山地灌丛草原带。
2）经度地带性分布 原因：海陆分布、大气环流水分梯度变化植被 经向分布 体现：森林草原荒漠（我国温带）
降水量逐渐降低
2、决定水平地带性分布旳原因：热量、水分、水 热配合 3、主要大陆旳植被分布情况及其成因 1）欧亚大陆（要点） 2）北美大陆 3）南美大陆 4）澳大利亚 思索：欧亚大陆旳植被类型旳水平分布具有什么 规律？
热带：1.赤道雨林；2.具有贸易 风、地形雨旳热带雨林，3.热带 落叶林（和湿润稀树草原）；4. 热带多刺灌丛（和干旱稀树草 原） ；
南半球超热带：17.海岸荒漠； 18.有雾荒漠；19.有冬雨旳硬叶 疏林；20.半荒漠；21.亚热带草 地；22.暖温带雨林；23.寒温带 森林；24.有垫状植物旳半荒漠 或草原；25.亚南极旳生草丛草 地；26.南极洲旳内陆冰川
从水和阳光中获取“氢”西班牙研发新型有机设备
从水和阳光中获取“氢”西班牙研发新型有机设备氢是一种有着很大应用潜力的新能源。
西班牙海梅一世大学光伏和光电设备集团的研究人员已经开发出了一种有机装置，仅仅用阳光就能用水生产氢。
这些设备中使用的有机材料比现用的无机材料成本低，更高效也更具灵活性，但是当与水介质接触时，它们的稳定性还存在些问题。
一项发表在物理化学期刊上的研究成果提到，这些设备已经实现了优良的稳定性，这就表明从有机材料中获取太阳燃料迈出了重要一步。
这项研究的合作者Sixto Giménez指出，“氢的生产能够在3个小时内完成，证实有机材料的稳定性还为时尚早。
”有机光伏设备在水中易腐蚀而且很容易损坏。
“我们的策略是在光伏组件和促进氢气生成反应的催化剂之间安装一个物理屏障。
为了达到目的，我们用纳米二氧化钛材料制作了一个致密层，不仅作为水和光伏组件之间的屏障，也起到光伏部件和铂催化剂间电力连接作用。
采用这种方法，我们就可以在保持这些设备性能的同时，大大提高它们的稳定性，”安东尼奥·格雷罗研究员说。
从水和阳光中获取像氢这样的太阳燃料是解决全球能源问题的一项策略。
“我们完全可以获取可再生能源，就像从阳光和水中获取氢这样的高能燃料。
此外，氢作为化合物在生产化肥或合成氢化合物等工业领域有广泛的应用，” Giménez指出。
这项PHOCS(通过有机催化系统光催化生氢)计划下的研究，已经得到了欧盟第七框架计划的资助，旨在开发一种基于有机半导体材料的新设备，能够进行水的光解，从而有效地生产氢。
这项研究寻求使用低成本以及更稳定的材料来生产氢的最佳方法。
这个即将于2015年11月完成的项目，存在一个很大的挑战，就是要证明有机材料(塑料)可用于光电化学方法制氢，这个目标已经达到了。
Giménez解释道，“氢这种高能燃料可以被当作汽油，这种能源可以被转换成电能和机械能。
”这些太阳燃料“会让你在不久的将来去加油站时，不用加满汽油，而是加满氢，这些氢能够通过燃料电池转化能电能，然后转化为机械能。
日光驱动弗赖堡
⽇光驱动弗赖堡2019-10-19⾯对⽇益恶化的⽣存环境、难以回避的能源危机与亟待拯救的⽣态平衡，⼈类的未来在哪⾥？太阳之城弗赖堡为未来的⽣态城市提供出⼀座可供借鉴的样板城。
站在弗赖堡体育馆内的淋浴喷头下，⼽尔茨有些愤懑。
刚刚结束的与云达不莱梅的⽐赛，弗赖堡队净吞六蛋。
作为弗赖堡队的门将，⼽尔茨觉得⾃⼰真是倒霉透了，都怪该死的⾬。
将⽔龙头拧到最⼤，他⽤热⽔冲去疲惫，⼼情渐渐回复平静。
在他头顶上⽅，体育馆屋顶有着60 平⽅⽶的太阳能板，热⽔并没有因为⾬⽽停⽌供应，因为它在昨天已经积蓄了⾜够的能量。
太阳能板每年个提供25MWh/a（兆⽡安培）的能量，供应着体育馆内60%的热⽔使⽤。
弗赖堡位于⿊森林西南边缘，是德国光照最充⾜的区域之⼀。
对于⼀年中阳光照射时间约1800 ⼩时的弗赖堡来说，⼀点⾬当然不会是问题。
城市中，太阳能收集设施随处可见。
弗赖堡卡斯诺医科⼤学的屋顶安装着153 平⽅⽶的光伏太阳能电池和272平⽅⽶空⽓收集器。
空⽓收集器收集空⽓中的热量，在冬天加热屋内的空⽓，在夏天加热⽔。
每年它们可以提供105MWh（兆⽡时）的能量，约占总消耗的15%，为⽔提供68MWh 的能量，约为总消耗的20%。
在中央车站南⾯矗⽴着19 层楼⾼、由240个单元组成的太阳能电池组。
天⽓晴朗时，表层的透明导电膜(TCO) 每时每刻都有亿万的电⼦在硅晶体内的空⽳间移动，经过逆变器转化为交流电后进⼊国家电⽹。
太阳能社区在弗赖堡众多的太阳能建筑中，最负盛名的是可以随着太阳⾃传的房屋Heliotrop。
它是德国第⼀个增能房屋（Plus energy house），是罗尔夫• 迪施（Rolf Disch）在1995 年设计的。
Heliotrop 的设计运⽤了机械构造原理，可以随着太阳的运⾏缓慢⾃转。
位于屋顶40 平⽅⽶的太阳能光电板则以最⼤⽇照的⾓度对准太阳，四周的太阳热能集热器也⾯对着直射的太阳，以获取最多的太阳能。
在2004 年，罗尔夫• 迪施完成了在弗赖堡Vauban 区规模更⼤的增能房屋社区建设。
1868年法国的杨森利用分光镜观察太阳表面
1868年法国的杨森利用分光镜观察太阳表面，发现一条新的黄色谱线，并认为是属于太阳上的某个未知元素，故名氦。
氦在通常情况下为无色、无味的气体，是唯一不能在标准大气压下固化的物质。
氙于1898年7月由拉姆齐（William Ramsay）和特拉维斯（Morris W.Travers）在伦敦大学学院发现。
在此之前，他们从液态空气中提取了氖，氩和氪，并且疑惑它是否包含其它气体。
工业家Ludwig Mond给了他们一台新的液态空气机，他们用它提取了更多的稀有气体氪。
经过多次蒸馏，他们终于分离出了一种更重的气体，在真空管中它发出漂亮的蓝色光芒。
他们意识到它是气体元素“惰性”组的又一个成员，因为其在化学上是惰性的。
他选择“ξένος(xenos)”这个希腊文命名氙，意为“陌生的”[6]。
到1904年，拉姆赛测定了它的光谱；1908年他和格雷合作测定了它的密度，确定它是一种新元素，不是别的，正和已经发现的一些惰性气体一样，是一种化学惰性的气体元素。
他们将它命名为niton。
这个词来自希腊文niteo，原意是“发光”，因为它在黑暗中能够发光，并且能够使一些锌盐发光。
两年后他们二人共同测定了它的原子量为220，确定了它在化学元素周期表中的位置，正好处在惰性气体的末位。
UuoUnunoctium（Uuo）（亦称Eka氡或118号元素），是一种超锕系元素，原子序为118。
其化学符号Uuo是IUPAC的临时系统命名。
在元素周期表上，它位于p区，属于18族，是第7周期中的最后一个元素。
Uuo目前是人工合成的FB，其原子序和原子量为所有已发现元素中最高的。
Uuo具放射性，其原子十分不稳定。
自2002年，一共只探测到的Uuo同位素的原子共有3BD 个（4个）。
这使对Uuo特性和可能的化合物的实验研究相当困难。
目前理论计算作出了一些有关其特性的预测，其中一些是出乎意料的。
例如，Uuo是18族成员，但它有可能并不是惰性气体。
之前它曾被认为是一气体，但现在的预测却表示，由于相对论性因素，它在标准状况下会是固体。
达明安赫斯特
当代艺术对于当代艺术，艺术家应该保有幼稚性。
在这里介绍几位当代艺术家。
达明安赫斯特，赫斯特对于生物有机体的有限性十分感兴趣。
他把动物的尸体浸泡在甲醛溶液里的系列作品自然历史有着极高的知名度。
他的标志性作品就是《生者对死者无动于衷》，一条用甲醛保存在玻璃柜里面的18英尺长的虎鲨。
赫斯特对科学和艺术之间的联系一直很感兴趣。
他常常往自己的作品中注入医学的元素，比如药品，药橱和药片等；他的“点”画模拟的是医学颜色代码。
赫斯特也常常使用日常生活中的素材，比如办公桌椅和香烟，这在作品“对逃亡的后天无能”[The Acquired Inability to Escape]里可以看得出来。
尽管作品里并没有人类作为主角，但却暗含着人的缺席。
我们面对的是一个人造环境，简洁干净的现代玻璃窗的设计同样提醒着我们：这是一个水族馆或者是动物园。
尽管，赫斯特通过玻璃窗里的香烟想要展示的是逃离的概念，但因为玻璃窗是密封的，所以从这个白领存在的空间里逃出去是不可能的。
一把转椅和一张桌子，这种典型的办公用品元素，被用来当作人类存在过的标志，就象人类学的手工艺品。
赫斯特通过这件作品，也在暗示生活不能在一个贫瘠和人造的环境里，被简化的只具有功能性。
赫斯特对于生物生命的有限性也十分感兴趣。
他将动物的尸体浸泡在甲醛溶液里的作品尤为著名，“迷途的羔羊”[Away From the Flock，1994]就是其中之一，是一只泡在这种液体里的羔羊。
村上隆，是上世纪60年代以后出生的日本艺术家中极具影响力的一位，在日本不仅是一位受到广泛的喜爱的艺术家，也是日本新一代年轻人的偶像。
他强烈意识到——西方的当代艺术与日本的艺术创作是截然不同的，重要的是我们这一代人如何不依靠任何固有的文化体系而创造出最本质的东西。
因而他的作品既融合了东方传统与西方文明，高雅艺术与通俗文化之间的对立元素，同时又保留了其作品的娱乐性和观赏性。
是一种结合了日本当代流行卡通艺术与传统日本绘画风格特点的产物。
施泰纳
施泰纳
施泰纳（1796—1863）是德国数学家，德国近代综合几何学的开创者．他出身于小农家庭，14岁前没有受过教育，18岁时就学于当时瑞士著名教育家佩斯特劳兹的学校，并立志当教师．三年后，学校因经济困难停办．为了继续学习，1818年施泰纳到德国海德堡靠当家庭教师为生，自修法国的几何学，1822—1824年在柏林大学学习，1832年他获柯尼斯堡大学荣誉博士学位，1834年任柏林大学特任教授并进入柏林科学院．他是一位成年后自学成为一代大师的数学家．施泰纳注重几何直观并且热心于在教学中启发引导学生的思想．为了培养学生生动的想像力，他讲课时不用图形．他的主要贡献是深入地发展了射影几何，给出了由简单图形导出复杂图形的纯粹综合的方法（1833），如关于二次曲线的施泰纳定理．特别著名的是他用综合方法证明了等周定理（具有一定周长的平面图形中，圆周包围的面积最大）．他的主要著作《几何型的相互依赖性的系统发展》（1832），深刻地讨论了对偶原理．由于单纯强调综合方法，把它与解析方法对立起来，他不承认有正负号的和虚的几何元素，指斥它们是“几何学中的鬼域”．在当时几何学中“综合”与“解析”之争中，施泰纳是“综合”派的代表人物．这个论争，反映了当时几何学发展的水平及其局限性，但也促进了几何学进一步的发展．。