基体温度对中频磁控溅射制备的氧化锌镓薄膜性能的影响

基体温度对中频磁控溅射制备的氧化锌镓薄膜性能的影响赵方红;庄大明;张弓;姬杨玲
【期刊名称】《真空科学与技术学报》
【年(卷),期】2006(26)5
【摘要】利用中频磁控溅射方法,溅射Ga2O3含量为5.7 wt.%的氧化锌镓陶瓷靶材,在不同的基体温度下制备了ZGO薄膜。

研究了基体温度对ZGO薄膜的晶体结构、电学和光学性能的影响。

结果表明:基体温度对薄膜的晶体结构、近红外反射率和透射率曲线以及薄膜的导电性能有较大影响。

当基体温度为400℃,溅射功率密度为2.93 W/cm2,氩气压力为0.5 Pa时,薄膜的电阻率低达4.5×10-4Ω.cm,方块电阻为13Ω,平均可见光(λ=400 nm^800 nm)透射率高于90%。

【总页数】4页(P404-407)
【关键词】基体温度;ZGO薄膜;磁控溅射;电阻率;透射率
【作者】赵方红;庄大明;张弓;姬杨玲
【作者单位】清华大学机械工程系
【正文语种】中文
【中图分类】O484
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