一种新的调节分栅闪存存储器擦除能力的方法

为了增强字线和浮栅之间电场强度，需要使得
靠近字线的浮栅上角尖端更尖些，并被隧穿氧化物
图1 分栅闪存存储单元图2 分栅闪存存储单元（部分制程后）
基金项目：上海市经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项基金（1500223）。

作者简介：康军，上海华虹宏力半导体制造有限公司，工程师，研究方向：集成电路制造、工艺整合。

表1 参数选择
3 实验结果与讨论
3.1 实际电性数据比较
电性中擦除电压越低表示擦除能力越强。

图
图3 擦除电压和环绕氧化物厚度的相关性
图4 擦除失效率和环绕氧化物厚度相关性
集成电路应用 第38卷第4期（总第331期）2021。