SD107WS(丝印SG)二极管选型资料

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TSTG
Limit
30 100
750 250 400 125 -55~+150
Electrical Ratings @T百度文库=25℃
Parameter Reverse breakdown voltage
Forward voltage
Reverse current Capacitance between terminals
B,Jul,2012
【领先的片式无源器件整合供应商—南京南山半导体有限公司】
www.nscn.com.cn
联系资料
电话:
南京南山半导体有限公司-样品申请单
技术支持:
传真:
电邮:Service@nscn.com.cn
客户基本资料
公司名称
联系方式
电话:
收货地址
主要产品
联络人
姓名:
电话:
传真:
职务: 手机:
网址:
□技术 □采购 □贸易商 邮箱:
元器件明细资料
元器件名称 型号及封装
单机用量 申请数量 备注
预计生产情况
预计小批量生产时间:
规模生产时间:
样品申请时间:
样品申请流程
1、请详细、全面、真实填写上列各项。表格不够填写,可自行复制。 2、请以附件的形式将该文档通过 E-mail 发送,并请客户将此单打印盖章后 邮件至:Service@nsc。n.com.cn 。 3、公司将根据客户所填信息并综合相关情况,及时确定该样品申请是否执行及如何执行。 4、收到样品申请单并经审核通过后,南京公司有现货24小时内发出,如需订货,交期3-4周,非常规品顺延1-2 周。 5、样品免费,运费到付(一般选择顺丰快递);样品数量规定:单个型号5~20pcs, 或按单机数量2~5套。 6、特别说明:由于体制约束等不确定因素,我们并不保证样品数量和型号完全符合要求,也不承诺一定按期 交出。
SOD-323 +
FEATURES
z Low Forward Voltage Drop
z Guard Ring Die Construction for Transient Protection
z Ideal for Low Logic Level Applications
-
z Low Capacitance
Forward current
Forward surge current Power dissipation
tp=10ms TC=25℃
Thermal resistance junction to ambient
Junction temperature
Storage temperature
Symb ol VRM IFM IFSM Ptot TөJA TJ
z Also Available in Lead Free Version
MARKING: SG
Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @Ta=25℃
Parameter
Non-repetitive peak reverse voltage
回访记录
□已联系确认 日期:
□已建议执行 日期:
□未发送但已下单 日期:
□已发送样品 日期:
□客户已签收 日期:
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Symbol Min Typ Max Unit
VR
30
V
300
360
VF
mV
470 550
580 800
IR
1
µA
CT
7
pF
Unit
V mA mA mW ℃/W ℃ ℃
Conditions IR=100µA
IF=2mA IF=15mA IF=50mA IF=100mA VR=25V VR=10V,f=1MHz
【领先的片式无源器件整合供应商—南京南山半导体有限公司】
www.nscn.com.cn
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOD-323 Plastic-Encapsulate Diodes
SD107WS SCHOTTKY BARRIER DIODE
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