参数

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电子元器件的主要参数

电子元器件的规格参数
描述电子元器件的特性参数的数量称为它们的规格参数。规格参数包括标称值、允许偏差值与精度等级、额定值与极限值。
(1)标称值:电子设备的社会需求量是巨大的,电子元器件的种类及年产量则更为繁多巨大。然而,电子元器件在生产过程中,其数值不可避免地具有离散化的特点;并且,实际电路对于元器件数值的要求也是多种多样的。为了便于大批量生产,并让使用者能够在一定范围内选用合适的电子元器件,我们规定出一系列的数值作为产品的标准值,称为标称值。
在制作那些要求长期稳定工作或工作环境温度变化较大的电子产品时,应当尽可能选用温度系数较小的元器件,也可以根据工作条件考虑产品的通风、降温,以至采取相应的恒温措施。
(2)噪声电动势和噪声系数:电子设备的内部噪声主要是由各种电子元器件产生的。我们知道,导体内的自由电子在一定温度下总是处于“无规则”的热运动状态之中,从而在导体内部形成了方向及大小都随时间不断变化的“无规则”的电流,并在导体的等效电阻两端产生了噪声电动势。噪声电动势是随机变化的,在很宽的频率范围内都起作用。由于这种噪声是自由电子的热运动所产生的,通常又把它叫做热噪声。温度升高时,热噪声的影响也会加大。
(2)允许偏差值与精度等级:实际生产出来的元器件,其数值不可能和标称值完全一样,总会有一定的偏差。用百分数表示的实际数值和标称值的相对偏差,反映了元器件数值的精密程度。对于一定标称值的元器件,大量生产出来的实际数值呈现正态分布,为这些实际数值规定了一个可以接受的范围,即为相对偏差;规定了允许的最大范围,叫做数值的允许偏差(简称“允差”)。不同的允许偏差也叫做数值的精度等级(简称“精度”),并为精度等级规定了标准系列,用不同的字母表示。例如,常用电阻器的允许偏差有±5%、±10%、±20%三种,分别用字母J、K、M标记它们的精度等级(以前曾用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ表示)。精密电阻器的允许偏差有±2%、±1%、±0.5%,分别用G、F、D表示

步进电机参数

步距角：一般两相步进电机步距角为1.8度(即一个整步)，即在驱动器设置为 1细分的状态下，控制器每发一个脉冲到驱动器，电机转过1.8度，这样，步进电机转过360度，一共需要 200个脉冲。单位：度/1个脉冲驱动器的细分技术：就是将步距角分的更细，比如 2 细分状态下，步距角变为 1.8 ÷ = 0.9 2 度，控制器每发一个脉冲到驱动器，电机转过0.9度，这样，步进电机转过360度，一共需要（200× 2）= 400个脉冲。对应于4 细分状态，步距角为1.8÷ = 0.45度，电机转一圈需要800 4 个脉冲，其他细分依次类推，即步距角 =1.8 ÷细分数（度）细分后的步距角＝一整步步距角/细分数，单位：度转一圈所需的脉冲数：=360/步距角（细分后），单位：脉冲/1转，如1细分时，360/1.8＝ 200个脉冲/转，也就是200步/转。电机转数：V＝脉冲频率/（360/步距角）＝转/秒，控制器发出脉冲频率，单位为Hz，即脉冲/秒，是为控制器能控制的电机最大转数，而非电机的本身的最大转数。机械速度：＝（电机转数/减速比）×(2π R/360)，单位mm/秒。角位移：脉冲当量线位移：电子齿轮：当控制器发出1个脉冲时，机械实际转过的角度＝步距角（整步）÷（减速比×细分数）＝步距角（细分后）÷减速比，单位：度/脉冲。当控制器发出1个脉冲时，机械实际行走的直线距离＝[步距角（整步）÷（减速比×细分数）]×（2π R÷360）＝[步距角（细分后）÷减速比]×（2π R÷360)，单位：mm/脉冲。
分子（n）：电机单向转动一周所需的脉冲数=360/步距角（细分后），单位：脉冲/1转 n/m，单位：脉冲/μ m，即脉冲当量的倒数。分母（m)：电机单向转动一周所移动的距离＝2π R÷减速比，单位：μ m/1转

汽车中英参数表(各部件中英文对比-)

20
发动机
Engine
21
发动机型号
Engine Model
22
发动机型式
23
排量（L）
24
最大扭矩/转速（N.m/rpm）
25
变速器
26
变速器型号
Engine Type Displacement（L） Max torque （N.m/rpm）
Gearbox Gearbox Model
27
变速器速比
Speed ratio
28
离合器
Clutch
29
离合器型式
Clutch Type
30
后桥
Rear axle
31
型式/主减速器速比
Type/Main reducer ratio
32
悬挂
Suspension
33
前悬挂
型式/弹簧片数
Front suspension/Leaf spring number
34
产品参数中英文对照表
一、整车基本信息
Product Basic Informationand
2
车辆型号
Vehicle model
3
整车主要尺寸参数
Whole vehicle main dimensions
4
外廓尺寸（长×宽×高）mm
Overall dimensions (LxWxH)mm
Whole vehicle main performance
16
最高车速（km/h）
Max. speed（km/h）
17
最大爬坡度（%）
Max. slope of climb（%）
18

声学设计中的几个重要参数

声学设计中的几个重要参数1、吸声系数〆建筑声学设计中用吸声材和吸声结构来消除回声，颤动回声，声聚焦和减少混响时间等房间的声学缺陷。

吸声材料吸声结构通常用吸声系数〆来表示。

Eo-Er〆=０Eo式中：Eo-入射到吸声材料的声能：Er-被材料反射出来的声能。

〆=1意味着声能全被吸收；〆=0意味着声能全被反射。

2、临界距离DC前面已提到直达声的传播衰减与传输距离的平方比成反比，离声源的距离越远，声压级越低，混响声的传播衰减不遵守平方反比定律，在理想状态下，理论上它在整个房间的声压级是相等的。

临界距离DC是指在声源轴线方向上，直达声与混响声声能相等的距离，即D/R=（0dB）,临界距离在计算声音清晰度时很有用,一般来说,在D/R>-6dB 区域内(即2倍临界距离),声音的清晰度是最好的。

Q-扬声器的指向性因数R-房间常数(即房间的吸声量)〆-房间的平均吸声系数S-房间的总吸声面积3、混响时间R60房间的混响R60与房间的容积V表面面积S和房间的平均吸声系数有关,V-房间容积M3S-房间的总吸声面积房间平均吸声系数应使用EYING公式计算；M为空气吸声系数，它与频率和湿度有关，1KHZ~8KHZ的M值为0.003~0.057。

不同混响时间R60的听觉感受:R60<0.5秒(500HZ);声音清晰,但太于(单薄),适宜于录音室。

R60=0.7~0.8秒（500HZ）：声音清晰、干净、适宜于电影院和会议厅。

R60=1.2~1.4秒（500HZ）：声音丰满、有气魄、空间感强，适用于音乐厅和剧场。

R60>2秒~3秒（500HZ）：声音混浊、语言清晰度差，声音发嗡，有回声感。

吸声材料与吸声结构按吸声机理，常用的吸声材料与吸声结构可分为多孔吸声材料和共振吸声结构。

1、多孔吸声材料多孔吸声材料包括纤维材料和颗粒材料。

纤维材料有：玻璃棉、超细玻璃棉、矿棉等无机纤维及其毡、板制品，棉、毛、麻等有机纤维织物。

39个工程参数及40个发明原理

39 个工程参数的定义Altshuller的39项工程参数1. 移动物体重量2.静止物体重量3. 移动物体长度4.静止物体长度5. 移动物体面积6.静止物体面积7. 移动物体体积8.静止物体体积9. 速度10. 力量11. 张力，压力12. 形状13. 物体稳定性14. 强度15. 移动物体耐久性16.静止物体耐久性17. 温度18. 明亮度19. 移动物体消耗能量20.静止物体消耗能量21. 功率22. 能源浪费23. 物质浪费24. 信息损失25. 时间浪费26. 物质数量27. 可靠度28. 量测准确度29. 制造准确度30. 作用于物体上有害因素31. 有害副作用32. 制造性33. 使用方便性34. 维护性35. 适应性36. 设备复杂性37. 控制复杂性38. 自动化程度39. 生产力1. 移动物体的重量(Weight of moving object)-在重力场中运动物体所受到的重力(移动物体是指会自行改变位置，或者受到外力会改变位置的物体；而重量则是來自重力。

)2. 静止物体的重量(Weight of non-moving object)-在重力场中静止物体所受到的重力(静止物体是指不会自行改变位置，或者受到外力也不会改变位置的物体；而重量则是來自重力。

)3. 移动物体的长度(Length of moving object)-移动物体的任意线性尺寸，不一定是最长的(长度是指移动物体的一维量测量，如长、宽、高等。

)4. 静止物体的长度(Length of non-moving object)-静止物体的任意线性尺寸，不一定是最长的(长度是指静止物体的一维量测量，如长、宽、高等。

)5.移动物体的面积(Area of moving object)-移动物体内部或外部所具有的表面或部分表面的面积(面积是指移动物体内部或者外部的任意2D尺寸。

)6. 静止物体的面积(Area of non-moving object)-静止物体内部或外部所具有的表面或部分表面的面积。

钢料加工参数参考表

刀具名 D5称0R5 D35R5 D30R5 D25R5 D20R5 D20R4 D20R0.8 D16R4 D16R0.8 D12R0.4
八千转以下加工中心切削参数
转速 1500 1800 1800 2000 2000 2200 2000 2500 2800 2800
进给 3000 2500 2200 2200 2200 2200 1500 2000 2000 1600
步距
75%(刀具直径去圆角后的75%） 75%(刀具直径去圆角后的75%） 75%(刀具直径去圆角后的75%） 75%(刀具直径去圆角后的75%）
刀具名称 D16 D12 D10 D8 D6 D5 D4 D3 D2 D1.5
D1
D0.8
D0.6 D0.5
在加工钢料时，小口径铣刀比较少用到，如果有必要，可以拆电极。
0.13-0.15
0.12-0.15
0.1-0.12 0.06-0.08 0.02-0.03
0.02
15000
600
0.01
15000
400
0.01
要尽量避免中间下刀和吃全刀的状况，在编程时选择跟随工件即可
R0.75 R0.5 R0.3
转速 3200 3500 3600-3800 3800-4200 4000-4500 4200-4600 4500-4800 5000-5200 5500-5800 6000-6500 6500-7000
进给 1500-1800 1500-1600 1300-1500 1300-1500 1300-1500 1000-1300 700-900 400-500 200-300 100-200 100-150
每刀切削深度 0.3 0.3

齿轮的参数

你设计的这个齿轮基本参数为：1、模数m=22、齿数z=103、分度圆直径D=mz=2*10=20mm4、齿根圆直径D2=D-2.5*m=20-2.5*2=15mm5、齿顶圆直径D1=D+2*m=20+2*2=24mm6、压力角α=20度（这是标准值）7、分度圆弦齿厚S=3.1286mm（查手册，再根据手册上的参数乘以模数）8、分度圆弦齿高h=2.1232mm（查手册，再根据手册上的参数乘以模数）你的参数大部分都对，就是“分度圆弦齿厚”不对，需要查手册，加计算，同时要查出“分度圆弦齿高”，也要计算，都是用表中的数据乘以模数，应该是很简单的，祝你成功，未来的工程师！齿轮模数“模数”是指相邻两轮齿同侧齿廓间的齿距t与圆周率π的比值(m＝t/π)，以毫米为单位。

模数是模数制轮齿的一个最基本参数。

模数越大，轮齿越高也越厚，如果齿轮的齿数一定，则轮的径向尺寸也越大。

模数系列标准是根据设计、制造和检验等要求制订的。

对於具有非直齿的齿轮，模数有法向模数mn、端面模数ms与轴向模数mx 的区别，它们都是以各自的齿距(法向齿距、端面齿距与轴向齿距)与圆周率的比值，也都以毫米为单位。

对於锥齿轮，模数有大端模数me、平均模数mm和小端模数m 1之分。

对於刀具，则有相应的刀具模数mo等。

标准模数的应用很广。

在公制的齿轮传动、蜗杆传动、同步齿形带传动和棘轮、齿轮联轴器、花键等零件中，标准模数都是一项最基本的参数。

它对上述零件的设计、制造、维修等都起著基本参数的作用(见圆柱齿轮传动、蜗杆传动等)。

齿轮计算公式:分度圆直径d=mz m 模数z 齿数齿顶高ha=ha* m齿根高hf=(ha*+c*)m齿全高h=ha+hf=(z ha*+c*)mha*=1 c*=0.25图片中的应该两箭头之间距离是t。

【词语】分度圆【英文】reference circle【解释】在齿轮计算中必须规定一个圆作为尺寸计算的基准圆，定义：直径为模数乘以齿数的乘积的圆。

参数知识点总结

参数知识点总结一、参数的概念参数是指在研究某一问题时，不确定的、可变的因素。

在数学、物理学、工程学、计算机科学等领域中，参数是一个非常重要的概念。

参数可以是一个变量，也可以是一个常数，它们可以影响一个方程、函数或模型的行为。

二、参数的分类1. 实际参数（Actual Parameter）：在调用函数时所传递的参数。

2. 形式参数（Formal Parameter）：在函数定义时使用的参数，是变量或常量。

3. 形式参数是在函数的参数列表的定义中给出的一些变量名（可以是一个或多个），它是在函数定义中可以使用的某一种数据类型。

三、参数的作用参数的作用在于确定一个方程或函数的行为，通过不同的参数值，可以使得方程或函数具有不同的特性，这样可以更好地适应各种实际应用或解决问题。

四、参数的应用1. 在数学中，参数常常用于描述曲线、曲面的特性，比如方程 y = ax^2 + bx + c 中的 a、b、c 就是参数。

2. 在物理学中，参数可以描述某种物理特性，比如质量、电荷等。

3. 在工程学中，参数可以描述一个系统的特性，比如阻尼系数、弹簧刚度等。

4. 在计算机科学中，参数可以用来传递数据、控制程序的行为。

五、参数的重要性1. 参数是描述事物特性的重要手段，可以帮助科学家、工程师更好地理解和预测事物的行为。

2. 参数的确定对于研究、设计、控制事物至关重要，通过调整参数可以使得系统更加稳定、高效。

3. 参数的合理选择可以降低系统的复杂度，提高系统的可控性和可预测性。

六、参数的应用举例1. 在数学中，通过调整参数，可以得到不同类型的曲线，比如改变方程 y = ax^2 + bx + c中的参数 a、b、c，可以得到不同形状的抛物线。

2. 在物理学中，通过调整参数，可以研究不同材料的特性，比如改变电磁场中的参数，可以得到不同的电磁场分布。

3. 在工程学中，通过调整参数，可以设计出更加稳定、高效的系统，比如改变控制系统中的参数，可以使得系统的响应速度更快、稳定性更好。

材料的三大参数

剪切弹性模量(elastic shear modulus)G，材料的基本物理特性参数之一，与杨氏(压缩、拉伸)弹性模量E、泊松比ν并列为材料的三项基本物理特性参数，在材料力学、弹性力学中有广泛的应用。

其定义为：G=τ/γ，其中G(M pa)为切变弹性模量；τ为剪切应力(M pa)；γ为剪切应变(弧度)。

剪切模量：材料常数,是剪切应力与应变的比值。

又称切变模量或刚性模量。

材料的力学性能指标之一。

是材料在剪切应力作用下，在弹性变形比例极限范围内，切应力与切应变的比值。

它表征材料抵抗切应变的能力。

模量大，则表示材料的刚性强。

剪切模量的倒数称为剪切柔量，是单位剪切力作用下发生切应变的量度，可表示材料剪切变形的难易程度。

剪切应力shear stress物体由于外因（载荷、温度变化等）而变形时，在它内部任一截面的两方出现的相互作用力，称为“内力”。

内力的集度，即单位面积上的内力称为“应力”。

应力可分解为垂直于截面的分量，称为“正应力”或“法向应力”；相切于截面的分量称为“剪切应力”。

作用在构件两侧面上的外力的合力是一对大小相等，方向相反，作用线相距很近的横向集中力。

在这样的外力作用下，构件的变形特点是：以两力之间的横截面为分界线，构件的两部分沿该面发生相对错动。

构件的这种变形形式称为剪切，其截面为剪切面。

截面的单位面积上剪力的大小，称为剪应力。

剪切应力的计算：在实用计算中，假设在剪切面上剪切应力是均匀分布的。

若以A表示剪切面面积，则应力是τ 与剪切面相切，故称:切应力剪切应变shear strain剪切时物体所产生的相对形变量。

即指在简单剪切的情况下，材料受到的力F是与截面A0相平行的大小相等、方向相反的两个力，在此剪切力作用下，材料将发生偏斜。

偏斜角θ的正切定义为剪切应变γ：即γ=tanθ。

当剪切应变足够小时，γ=θ，相应地剪切应力为τ=F/A。

杨氏弹性模量杨氏模量(Young's modulus)是表征在弹性限度内物质材料抗拉或抗压的物理量，它是沿纵向的弹性模量，也是材料力学中的名词。

参数名词解释

参数名词解释参数，也叫参变量，是一个变量。

我们在研究当前问题的时候，关心某几个变量的变化以及它们之间的相互关系，其中有一个或一些叫自变量，另一个或另一些叫因变量。

如果我们引入一个或一些另外的变量来描述自变量与因变量的变化，引入的变量本来并不是当前问题必须研究的变量，我们把这样的变量叫做参变量或参数。

参数估计（parameterestimation）是根据从总体中抽取的样本估计总体分布中包含的未知参数的方法。

人们常常需要根据手中的数据，分析或推断数据反映的本质规律。

当估计值的数学期望等于参数真值时，参数估计就是无偏估计。

当估计值是数据的线性函数时，参数估计就是线性估计。

当估计值的均方差最小时，参数估计为一致最小均方误差估计。

若线性估计又是一致最小均方误差估计，则称为最优线性无偏估计。

如果无偏估计值的方差达到克拉默-尧不等式的下界,则称为有效估计值。

若，则称为一致性估计值。

在一定条件下，最小二乘估计是最优线性无偏估计，它的估计值是有效估计，而且是一致性估计。

极大似然估计在一定条件下渐近有效，而且是一致的。

参数是很多机械设置或维修上能用到的一个选项，字面上理解是可供参考的数据，但有时又不全是数据。

对指定应用而言，它可以是赋予的常数值；在泛指时，它可以是一种变量，用来控制随其变化而变化的其他的量。

简单说，参数是给我们参考的。

描述总体特征的概括性数字度量，它是研究者想要了解的总体的某种特征值。

总体未知的指标叫做参数。

数学中参数思想贯彻于解析几何中。

对于几何变量，人们用含有字母的代数式来表示变量，这个代数式叫作参数式，其中的字母叫做参数。

用图形几何性质与代数关系来连立整式，进而解题。

同时“参数法”也是许许多多解题技巧的源泉。

产品参数知识点总结

产品参数知识点总结产品参数是指产品的一些具体特性和规格，例如尺寸、重量、材质、功率等等。

对于消费者来说，了解产品参数对于选择合适的产品是非常重要的。

而对于生产者来说，合理设置产品参数也是提高产品竞争力的关键之一。

本文将对产品参数的一些常见知识点进行总结，包括产品参数的分类、影响产品参数的因素、产品参数的选择与设置等方面进行阐述。

一、产品参数的分类1. 尺寸参数尺寸参数通常包括产品的长度、宽度、高度等尺寸信息。

在购买家具、电器等产品时，尺寸参数是非常重要的，可以直接影响产品是否能够满足需求。

2. 重量参数重量参数适用于电器、机械设备等产品，消费者通常会关心产品的重量，以便于选择适合自己的产品。

3. 功率参数功率参数通常用于描述电器、机械设备等产品的功率大小，可以反映产品的性能和使用范围。

4. 材质参数材质参数描述产品所采用的材质，如金属、塑料等，这直接影响产品的使用寿命和质量。

5. 电压参数电压参数通常适用于电器产品，描述产品所需的电压范围，以满足不同国家、地区的电压标准。

6. 温度参数温度参数通常用于描述产品的工作温度范围，例如若是电子产品，这一参数可以很好地反映产品的耐高温性能。

7. 包装参数包装参数描述产品的包装方式、包装尺寸、包装材料等，这直接影响产品的运输和保护。

8. 其他参数除了以上几种常见的产品参数之外，还有一些其他参数，如颜色、型号、产地、品牌等，这些参数也都是消费者在选购产品时需要考虑的因素。

以上是一些产品参数的常见分类，对于不同的产品，可能还有其他的参数分类。

在选择和设置产品参数时，首先要了解产品的特性，根据实际需求合理选择和设置参数。

二、影响产品参数的因素产品参数受到多方面因素的影响，以下对一些常见的影响因素进行总结。

1. 市场需求市场需求是影响产品参数的重要因素之一，产品的参数设置需根据市场需求进行调整。

例如，如果市场对于节能产品的需求较大，那么产品的功率参数就需要相应地设置为节能型。

参数符号及意义

参数符号及意义.txt∞-一人行,必会发情二人行,必会激情三人行,必有奸情就不会被珍惜。

真实的女孩不完美，完美的女孩不真实。

得之坦然，失之淡然，顺其自然，争其必然。

场效应管参数符号及意义Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比(占空系数,外电路参数)di/dt---电流上升率(外电路参数)dv/dt---电压上升率(外电路参数)ID---漏极电流(直流)IDM---漏极脉冲电流ID(on)---通态漏极电流IDQ---静态漏极电流(射频功率管)IDS---漏源电流IDSM---最大漏源电流IDSS---栅-源短路时,漏极电流IDS(sat)---沟道饱和电流(漏源饱和电流)IG---栅极电流(直流)IGF---正向栅电流IGR---反向栅电流IGDO---源极开路时,截止栅电流IGSO---漏极开路时,截止栅电流IGM---栅极脉冲电流IGP---栅极峰值电流IF---二极管正向电流IGSS---漏极短路时截止栅电流IDSS1---对管第一管漏源饱和电流IDSS2---对管第二管漏源饱和电流Iu---衬底电流Ipr---电流脉冲峰值(外电路参数)gfs---正向跨导Gp---功率增益Gps---共源极中和高频功率增益GpG---共栅极中和高频功率增益GPD---共漏极中和高频功率增益ggd---栅漏电导gds---漏源电导K---失调电压温度系数Ku---传输系数L---负载电感(外电路参数)LD---漏极电感Ls---源极电感rDS---漏源电阻rDS(on)---漏源通态电阻rDS(of)---漏源断态电阻rGD---栅漏电阻rGS---栅源电阻Rg---栅极外接电阻(外电路参数)RL---负载电阻(外电路参数)R(th)jc---结壳热阻R(th)ja---结环热阻PD---漏极耗散功率PDM---漏极最大允许耗散功率PIN--输入功率POUT---输出功率PPK---脉冲功率峰值(外电路参数)to(on)---开通延迟时间td(off)---关断延迟时间ti---上升时间ton---开通时间toff---关断时间tf---下降时间trr---反向恢复时间Tj---结温Tjm---最大允许结温Ta---环境温度Tc---管壳温度Tstg---贮成温度VDS---漏源电压(直流)VGS---栅源电压(直流)VGSF--正向栅源电压(直流)VGSR---反向栅源电压(直流)VDD---漏极(直流)电源电压(外电路参数) VGG---栅极(直流)电源电压(外电路参数) Vss---源极(直流)电源电压(外电路参数) VGS(th)---开启电压或阀电压V(BR)DSS---漏源击穿电压V(BR)GSS---漏源短路时栅源击穿电压VDS(on)---漏源通态电压VDS(sat)---漏源饱和电压VGD---栅漏电压(直流)Vsu---源衬底电压(直流)VDu---漏衬底电压(直流)VGu---栅衬底电压(直流)Zo---驱动源内阻η---漏极效率(射频功率管)Vn---噪声电压aID---漏极电流温度系数ards---漏源电阻温度系数双极型晶体管符号及意义Cc---集电极电容Ccb---集电极与基极间电容Cce---发射极接地输出电容Ci---输入电容Cib---共基极输入电容Cie---共发射极输入电容Cies---共发射极短路输入电容Cieo---共发射极开路输入电容Cn---中和电容(外电路参数)Co---输出电容Cob---共基极输出电容.在基极电路中,集电极与基极间输出电容Coe---共发射极输出电容Coeo---共发射极开路输出电容Cre---共发射极反馈电容Cic---集电结势垒电容CL---负载电容(外电路参数)Cp---并联电容(外电路参数)BVcbo---发射极开路,集电极与基极间击穿电压BVceo---基极开路,CE结击穿电压BVebo--- 集电极开路EB结击穿电压BVces---基极与发射极短路CE结击穿电压BV cer---基极与发射极串接一电阻,CE结击穿电压D---占空比fT---特征频率fmax---最高振荡频率.当三极管功率增益等于1时的工作频率hFE---共发射极静态电流放大系数hIE---共发射极静态输入阻抗hOE---共发射极静态输出电导h RE---共发射极静态电压反馈系数hie---共发射极小信号短路输入阻抗hre---共发射极小信号开路电压反馈系数hfe---共发射极小信号短路电压放大系数hoe---共发射极小信号开路输出导纳IB---基极直流电流或交流电流的平均值Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值IE---发射极直流电流或交流电流的平均值Icbo---基极接地,发射极对地开路,在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流Iceo---发射极接地,基极对地开路,在规定的反向电压VCE条件下,集电极与发射极之间的反向截止电流Iebo---基极接地,集电极对地开路,在规定的反向电压VEB条件下,发射极与基极之间的反向截止电流Icer---基极与发射极间串联电阻R,集电极与发射极间的电压VCE为规定值时,集电极与发射极之间的反向截止电流Ices---发射极接地,基极对地短路,在规定的反向电压VCE条件下,集电极与发射极之间的反向截止电流Icex---发射极接地,基极与发射极间加指定偏压,在规定的反向偏压VCE下,集电极与发射极之间的反向截止电流ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值.IBM---在集电极允许耗散功率的范围内,能连续地通过基极的直流电流的最大值,或交流电流的最大平均值ICMP---集电极最大允许脉冲电流ISB---二次击穿电流IAGC---正向自动控制电流Pc---集电极耗散功率PCM---集电极最大允许耗散功率Pi---输入功率Po---输出功率Posc---振荡功率Pn---噪声功率Ptot---总耗散功率ESB---二次击穿能量rbb'---基区扩展电阻(基区本征电阻)rbb'Cc---基极-集电极时间常数,即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积rie---发射极接地,交流输出短路时的输入电阻roe---发射极接地,在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻RE---外接发射极电阻(外电路参数)RB---外接基极电阻(外电路参数)Rc ---外接集电极电阻(外电路参数)RBE---外接基极-发射极间电阻(外电路参数)RL---负载电阻(外电路参数)RG---信号源内阻Rth---热阻Ta---环境温度Tc---管壳温度Ts---结温Tjm---最大允许结温Tstg---贮存温度td----延迟时间tr---上升时间ts---存贮时间tf---下降时间ton---开通时间toff---关断时间VCB---集电极-基极(直流)电压VCE---集电极-发射极(直流)电压VBE---基极发射极(直流)电压VCBO---基极接地,发射极对地开路,集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压VEBO---基极接地,集电极对地开路,发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压VCEO---发射极接地,基极对地开路,集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压VCER---发射极接地,基极与发射极间串接电阻R,集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压VCES---发射极接地,基极对地短路,集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压VCEX---发射极接地,基极与发射极之间加规定的偏压,集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压Vp---穿通电压.VSB---二次击穿电压VBB---基极(直流)电源电压(外电路参数)Vcc---集电极(直流)电源电压(外电路参数)VEE---发射极(直流)电源电压(外电路参数)VCE(sat)---发射极接地,规定Ic、IB条件下的集电极-发射极间饱和压降VBE(sat)---发射极接地,规定Ic、IB条件下,基极-发射极饱和压降(前向压降)VAGC---正向自动增益控制电压Vn(p-p)---输入端等效噪声电压峰值V n---噪声电压Cj---结(极间)电容, 表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数.在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容双极型晶体管符号及意义IF---正向直流电流(正向测试电流).锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流;硅整流管、硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流.IF(AV)---正向平均电流IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流).在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流.发光二极管极限电流.IH---恒定电流、维持电流.Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流)Io---整流电流.在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR(AV)---反向平均电流IR(In)---反向直流电流(反向漏电流).在测反向特性时,给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规定值时,所通过的电流;硅开关二极管两端加反向工作电压VR 时所通过的电流;稳压二极管在反向电压下,产生的漏电流;整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流.IRM---反向峰值电流IRR---晶闸管反向重复平均电流IDR---晶闸管断态平均重复电流IRRM---反向重复峰值电流IRSM---反向不重复峰值电流(反向浪涌电流)Irp---反向恢复电流Iz---稳定电压电流(反向测试电流).测试反向电参数时,给定的反向电流Izk---稳压管膝点电流OM---最大正向(整流)电流.在规定条件下,能承受的正向最大瞬时电流;在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流IZSM---稳压二极管浪涌电流IZM---最大稳压电流.在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流iF---正向总瞬时电流iR---反向总瞬时电流ir---反向恢复电流Iop---工作电流Is---稳流二极管稳定电流f---频率n---电容变化指数;电容比Q---优值(品质因素)δvz---稳压管电压漂移di/dt---通态电流临界上升率dv/dt---通态电压临界上升率PB---承受脉冲烧毁功率PFT(AV)---正向导通平均耗散功率PFTM---正向峰值耗散功率PFT---正向导通总瞬时耗散功率Pd---耗散功率PG---门极平均功率PGM---门极峰值功率PC---控制极平均功率或集电极耗散功率Pi---输入功率PK---最大开关功率PM---额定功率.硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率PMP---最大漏过脉冲功率PMS---最大承受脉冲功率Po---输出功率PR---反向浪涌功率Ptot---总耗散功率Pomax---最大输出功率Psc---连续输出功率PSM---不重复浪涌功率PZM---最大耗散功率.在给定使用条件下,稳压二极管允许承受的最大功率RF(r)---正向微分电阻.在正向导通时,电流随电压指数的增加,呈现明显的非线性特性.在某一正向电压下,电压增加微小量△V,正向电流相应增加△I,则△V/△I称微分电阻RBB---双基极晶体管的基极间电阻RE---射频电阻RL---负载电阻Rs(rs)----串联电阻Rth----热阻R(th)ja----结到环境的热阻Rz(ru)---动态电阻R(th)jc---结到壳的热阻r δ---衰减电阻r(th)---瞬态电阻Ta---环境温度Tc---壳温td---延迟时间tf---下降时间tfr---正向恢复时间tg---电路换向关断时间tgt---门极控制极开通时间Tj---结温Tjm---最高结温ton---开通时间toff---关断时间tr---上升时间trr---反向恢复时间ts---存储时间tstg---温度补偿二极管的贮成温度a---温度系数λp---发光峰值波长△λ---光谱半宽度η---单结晶体管分压比或效率VB---反向峰值击穿电压Vc---整流输入电压VB2B1---基极间电压VBE10---发射极与第一基极反向电压VEB---饱和压降VFM---最大正向压降(正向峰值电压)VF---正向压降(正向直流电压)△VF---正向压降差VDRM---断态重复峰值电压VGT---门极触发电压VGD---门极不触发电压VGFM---门极正向峰值电压VGRM---门极反向峰值电压VF(AV)---正向平均电压Vo---交流输入电压VOM---最大输出平均电压Vop---工作电压Vn---中心电压Vp---峰点电压VR---反向工作电压(反向直流电压)VRM---反向峰值电压(最高测试电压)V(BR)---击穿电压Vth---阀电压(门限电压)VRRM---反向重复峰值电压(反向浪涌电压) VRWM---反向工作峰值电压V v---谷点电压Vz---稳定电压△Vz---稳压范围电压增量Vs---通向电压(信号电压)或稳流管稳定电流电压av---电压温度系数Vk---膝点电压(稳流二极管)VL ---极限电压二极管参数符号及意义CT---势垒电容Cj---结(极间)电容, 表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数.在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流(正向测试电流).锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流;硅整流管、硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF(AV)---正向平均电流IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流).在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流.发光二极管极限电流.IH---恒定电流、维持电流.Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流)Io---整流电流.在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR(AV)---反向平均电流IR(In)---反向直流电流(反向漏电流).在测反向特性时,给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规定值时,所通过的电流;硅开关二极管两端加反向工作电压VR 时所通过的电流;稳压二极管在反向电压下,产生的漏电流;整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流.IRM---反向峰值电流IRR---晶闸管反向重复平均电流IDR---晶闸管断态平均重复电流IRRM---反向重复峰值电流IRSM---反向不重复峰值电流(反向浪涌电流)Irp---反向恢复电流Iz---稳定电压电流(反向测试电流).测试反向电参数时,给定的反向电流Izk---稳压管膝点电流IOM---最大正向(整流)电流.在规定条件下,能承受的正向最大瞬时电流;在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流IZSM---稳压二极管浪涌电流IZM---最大稳压电流.在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流iF---正向总瞬时电流iR---反向总瞬时电流ir---反向恢复电流Iop---工作电流Is---稳流二极管稳定电流f---频率n---电容变化指数;电容比Q---优值(品质因素)δvz---稳压管电压漂移di/dt---通态电流临界上升率dv/dt---通态电压临界上升率PB---承受脉冲烧毁功率PFT(AV)---正向导通平均耗散功率PFTM---正向峰值耗散功率PFT---正向导通总瞬时耗散功率Pd---耗散功率PG---门极平均功率PGM---门极峰值功率PC---控制极平均功率或集电极耗散功率Pi---输入功率PK---最大开关功率PM---额定功率.硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率PMP---最大漏过脉冲功率PMS---最大承受脉冲功率Po---输出功率PR---反向浪涌功率Ptot---总耗散功率Pomax---最大输出功率Psc---连续输出功率PSM---不重复浪涌功率PZM---最大耗散功率.在给定使用条件下,稳压二极管允许承受的最大功率RF(r)---正向微分电阻.在正向导通时,电流随电压指数的增加,呈现明显的非线性特性.在某一正向电压下,电压增加微小量△V,正向电流相应增加△I,则△V/△I称微分电阻RBB---双基极晶体管的基极间电阻RE---射频电阻RL---负载电阻Rs(rs)----串联电阻Rth----热阻R(th)ja----结到环境的热阻Rz(ru)---动态电阻R(th)jc---结到壳的热阻r δ---衰减电阻r(th)---瞬态电阻Ta---环境温度Tc---壳温td---延迟时间tf---下降时间tfr---正向恢复时间tg---电路换向关断时间tgt---门极控制极开通时间Tj---结温Tjm---最高结温ton---开通时间toff---关断时间tr---上升时间trr---反向恢复时间ts---存储时间tstg---温度补偿二极管的贮成温度a---温度系数λp---发光峰值波长△λ---光谱半宽度η---单结晶体管分压比或效率VB---反向峰值击穿电压Vc---整流输入电压VB2B1---基极间电压VBE10---发射极与第一基极反向电压VEB---饱和压降VFM---最大正向压降(正向峰值电压)VF---正向压降(正向直流电压)△VF---正向压降差VDRM---断态重复峰值电压VGT---门极触发电压VGD---门极不触发电压VGFM---门极正向峰值电压VGRM---门极反向峰值电压VF(AV)---正向平均电压Vo---交流输入电压VOM---最大输出平均电压Vop---工作电压Vn---中心电压Vp---峰点电压VR---反向工作电压(反向直流电压)VRM---反向峰值电压(最高测试电压)V(BR)---击穿电压Vth---阀电压(门限电压)VRRM---反向重复峰值电压(反向浪涌电压)VRWM---反向工作峰值电压V v---谷点电压Vz---稳定电压△Vz---稳压范围电压增量Vs---通向电压(信号电压)或稳流管稳定电流电压av---电压温度系数Vk---膝点电压(稳流二极管)VL ---极限电压CT---势垒电容Cj---结(极间)电容, 表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数.在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流(正向测试电流).锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流;硅整流管、硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF(AV)---正向平均电流IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流).在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流.发光二极管极限电流.IH---恒定电流、维持电流.Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流)Io---整流电流.在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR(AV)---反向平均电流IR(In)---反向直流电流(反向漏电流).在测反向特性时,给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规定值时,所通过的电流;硅开关二极管两端加反向工作电压VR 时所通过的电流;稳压二极管在反向电压下,产生的漏电流;整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流.IRM---反向峰值电流IRR---晶闸管反向重复平均电流IDR---晶闸管断态平均重复电流IRRM---反向重复峰值电流IRSM---反向不重复峰值电流(反向浪涌电流)Irp---反向恢复电流Iz---稳定电压电流(反向测试电流).测试反向电参数时,给定的反向电流Izk---稳压管膝点电流IOM---最大正向(整流)电流.在规定条件下,能承受的正向最大瞬时电流;在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流IZSM---稳压二极管浪涌电流IZM---最大稳压电流.在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流iF---正向总瞬时电流iR---反向总瞬时电流ir---反向恢复电流Iop---工作电流Is---稳流二极管稳定电流f---频率n---电容变化指数;电容比Q---优值(品质因素)δvz---稳压管电压漂移di/dt---通态电流临界上升率dv/dt---通态电压临界上升率二极管参数符号及意义(中)PB---承受脉冲烧毁功率PFT(AV)---正向导通平均耗散功率PFTM---正向峰值耗散功率PFT---正向导通总瞬时耗散功率Pd---耗散功率PG---门极平均功率PGM---门极峰值功率PC---控制极平均功率或集电极耗散功率Pi---输入功率PK---最大开关功率PM---额定功率.硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率PMP---最大漏过脉冲功率PMS---最大承受脉冲功率Po---输出功率PR---反向浪涌功率Ptot---总耗散功率IZSM---稳压二极管浪涌电流IZM---最大稳压电流.在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流iF---正向总瞬时电流iR---反向总瞬时电流ir---反向恢复电流Iop---工作电流Is---稳流二极管稳定电流f---频率n---电容变化指数;电容比Q---优值(品质因素)δvz---稳压管电压漂移di/dt---通态电流临界上升率dv/dt---通态电压临界上升率PB---承受脉冲烧毁功率PFT(AV)---正向导通平均耗散功率PFTM---正向峰值耗散功率PFT---正向导通总瞬时耗散功率Pd---耗散功率PG---门极平均功率PGM---门极峰值功率PC---控制极平均功率或集电极耗散功率Pi---输入功率PK---最大开关功率PM---额定功率.硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率PMP---最大漏过脉冲功率PMS---最大承受脉冲功率Po---输出功率PR---反向浪涌功率Ptot---总耗散功率Pomax---最大输出功率Psc---连续输出功率PSM---不重复浪涌功率PZM---最大耗散功率.在给定使用条件下,稳压二极管允许承受的最大功率RF(r)---正向微分电阻.在正向导通时,电流随电压指数的增加,呈现明显的非线性特性.在某一正向电压下,电压增加微小量△V,正向电流相应增加△I,则△V/△I称微分电阻RBB---双基极晶体管的基极间电阻RE---射频电阻RL---负载电阻Rs(rs)----串联电阻Rth----热阻R(th)ja----结到环境的热阻Rz(ru)---动态电阻R(th)jc---结到壳的热阻r δ---衰减电阻r(th)---瞬态电阻Ta---环境温度Tc---壳温td---延迟时间tf---下降时间tfr---正向恢复时间tg---电路换向关断时间tgt---门极控制极开通时间Tj---结温Tjm---最高结温ton---开通时间toff---关断时间tr---上升时间trr---反向恢复时间ts---存储时间tstg---温度补偿二极管的贮成温度a---温度系数λp---发光峰值波长△λ---光谱半宽度η---单结晶体管分压比或效率VB---反向峰值击穿电压Vc---整流输入电压VB2B1---基极间电压VBE10---发射极与第一基极反向电压VEB---饱和压降VFM---最大正向压降(正向峰值电压)VF---正向压降(正向直流电压)△VF---正向压降差VDRM---断态重复峰值电压VGT---门极触发电压VGD---门极不触发电压VGFM---门极正向峰值电压VGRM---门极反向峰值电压VF(AV)---正向平均电压Vo---交流输入电压VOM---最大输出平均电压Vop---工作电压Vn---中心电压Vp---峰点电压VR---反向工作电压(反向直流电压)VRM---反向峰值电压(最高测试电压)V(BR)---击穿电压Vth---阀电压(门限电压)VRRM---反向重复峰值电压(反向浪涌电压)VRWM---反向工作峰值电压V v---谷点电压Vz---稳定电压△Vz---稳压范围电压增量Vs---通向电压(信号电压)或稳流管稳定电流电压av---电压温度系数Vk---膝点电压(稳流二极管)VL ---极限电压CT---势垒电容Cj---结(极间)电容, 表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数.在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流(正向测试电流).锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流;硅整流管、硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流二极管参数符号及意义(下)Pi---输入功率PK---最大开关功率PM---额定功率.硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率PMP---最大漏过脉冲功率PMS---最大承受脉冲功率Po---输出功率PR---反向浪涌功率Ptot---总耗散功率Pomax---最大输出功率Psc---连续输出功率PSM---不重复浪涌功率PZM---最大耗散功率.在给定使用条件下,稳压二极管允许承受的最大功率RF(r)---正向微分电阻.在正向导通时,电流随电压指数的增加,呈现明显的非线性特性.在某一正向电压下,电压增加微小量△V,正向电流相应增加△I,则△V/△I称微分电阻RBB---双基极晶体管的基极间电阻RE---射频电阻RL---负载电阻Rs(rs)----串联电阻Rth----热阻R(th)ja----结到环境的热阻Rz(ru)---动态电阻R(th)jc---结到壳的热阻r δ---衰减电阻r(th)---瞬态电阻Ta---环境温度Tc---壳温td---延迟时间tf---下降时间tfr---正向恢复时间tg---电路换向关断时间tgt---门极控制极开通时间。

MOS重要参数

MOS重要参数MOS管为压控器件：加在输入端G（栅极）电压，来控制D（漏极）输出端电流。

一、极限参数：ID ：最大漏源电流（最大连续电流）。

是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。

场效应管的工作电流不应超过 ID 。

此参数会随结温度的上升而有所衰减。

IDM ：最大脉冲漏源电流（所能承受瞬间最大电流）。

此参数会随结温度的上升而有所减额。

PD ：最大耗散功率。

是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。

使用时，场效应管实际功耗应小于 PDSM 并留有一定余量。

此参数一般会随结温度的上升而有所衰减。

BVDSS :漏源雪崩电压.VGS ：最大栅源电压。

Tj ：最大工作结温。

通常为 150 ℃或 175 ℃，器件设计的工作条件下须确应避免超过这个温度，并留有一定裕量。

TSTG ：存储温度范围.二、静态参数：V(BR)DSS：漏源击穿电压。

（D端-S端所能承受电压值，受制于内藏二极管的耐压，条件：VGS=0，ID=250uA时，与温度成正比）是指栅源电压 VGS 为 0 时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。

这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于V(BR)DSS 。

它具有正温度特性，故应以此参数在低温条件下的值作为安全考虑。

△ V(BR)DSS/ △ Tj ：漏源击穿电压的温度系数,一般为 0.1V/ ℃。

RDS(on) ：在特定的 VGS (一般为 10V,4.5V,2.5V )、结温及漏极电流的条件下，MOSFET 导通时漏源间的最大阻抗。

（量测方法：GS给电压，DS端给电流ID，量测VDS与ID，通过欧姆定律算出电阻：内阻）它是一个非常重要的参数，决定了 MOSFET 导通时的DC消耗功率。

此参数一般会随结温度的上升而有所增大。

故应以此参数在最高工作结温条件下的值作为损耗及压降计算。

VGS(th) ：开启电压(阀值电压)。

当外加栅极控制电压 VGS 超过 VGS(th) 时，漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道。

LCD技术参数

LCD技术参数LCD的技术参数1、点距、分辨率液晶显示器的原理决定了其最佳分辨率就是其固定分辨率，同级别的液晶显示器的点距也是一定的。

液晶显示器在全屏幕任何一处点距是完全相同的。

现在绝大多数15寸LCD的点距都是0.297，而最大(最佳)分辨率则都是1024x768。

2、刷新率LCD显示器的刷新率与CRT相比有着原理上的区别。

首先，LCD是对整幅的画面进行刷新，而在CRT上则是将画面分成若干"扫描线"来进行刷新的，这导致后者会出现画面闪烁的问题，而LCD即使在较低的刷新率(如60Hz)下，也不会出现闪烁的现象。

因此，这就决定了刷新率对于LCD来说并不是一个重要的指标。

而更大的刷新频率指标只能说明LCD可以接受并处理具有更高频率的视频信号，而对画面效果而言，并不会有所提高。

所以，在选购时大可不必在刷新频率上下大功夫。

3、亮度通常在液晶显示器规格中都会标示亮度，而亮度的标示就是背光光源所能产生的最大亮度。

有别于一般灯泡的亮度单位「烛光Lux」，LCD显示器采用的单位是cd/m2。

一般LCD显示器都有显示200cd/m2的亮度能力，现在主流的甚至达300cd/m2或以上，其作用就在于适合的工作环境光线的配合，如果操作环境的光线较亮，LCD显示器的亮度不调大一点就比较看不清楚，所以最大亮度越大，所能适应的环境范围更大。

但选择高亮度机种最容易忽略的就是色彩的变化，亮度提高要表现色彩的真实饱和性，除了对比设定要调整外，至少也要有色彩饱和度手动调整的功能。

较为高级的机种在调整亮度时会自动的增加或减少色彩饱和度使得色彩的表现，不因为亮度不同而有太大的失真，这个技术的困难度相当高，所以特别提醒要购买亮度规格超过400 cd/m2以上且需要使用到这样亮度的朋友，务必当场确认色彩饱和度的真实变化。

4、对比度用户在选择显示器时，也要留意LCD显示器的对比度与亮度，对比度愈大，表示输出白色与黑色时更分明；而亮度愈大，则可在较光的环境下，显示清晰的影像。

技术参数表【模板】

1
8
大单槽水池
1200*800*800
广东广厨
个
3
双槽水池
1200*760*800
广东广厨
个
2
9
9KW开水炉
连底座
广东南顺
台
1
10
排烟罩
6500*1200*550
广东广厨
台
1
11
轴流风机
广东雄顺
台
3
12
五格保温售饭车
1800*700*800
广东广厨
台
2
13
四层货架
1200*500*1550
广东广厨
台
1
第二包：寒亭中心小学厨具等
序号
货物名称
技术要求
品牌
单位
数量
1
双头大锅灶
2000*1000*800
广东广厨
台
1
2
单眼炒灶
1100*1000*800
广东广厨
台
1
3
24盘蒸饭车
广东广厨
台
1
4
12盘蒸饭车
广东广厨
台
1
5
双眼矮汤炉
广东广厨
台
1
6
格珊工作台
1800*800*800
广东广厨
台
8
7
调料车
广东广厨
台
技术参数表
第一包：**区血防站小型烤箱、检查床等
序号
货物名称
技术要求
单位
数量
1
烤箱
烘烤粪检玻片用
台
1
2
可微调量移液器
5-50微升一支；10-100微升一支；
100-1000微升一支；