钛蚀刻剂 TFT说明
TFT制程简介
Marco Inspection 强光检查
IN photo IN黄光制程
ADI CD 显影后CD量测
IN etch IN 蚀刻
TFT制作流程图: Layer-2
Layer-3
Layer-4
PR strip 去除光阻
Marco Inspection 强光检查
S-OLB-Lead
S-TAB
Panel显微镜下比对:下半部
B-R.L.
R.L. DOT AREA
B-ESDProtect
F-R.L.
F-ESDProtect
其它:
薄膜设备代码: MTSP : Metal Sputter (金属层溅镀) ITSP : ITO Sputter (ITO层溅镀) CVDA : AKT CVD (绝缘层镀膜) CVDB : BPS CVD (绝缘层镀膜)
检验设备代码: AOIH : Auto Optical Inspection High Resolution AOIL : Auto Optical Inspection Low Resolution ADSI : After Develop/Strip inspection SUFS : Surface Scan SUFP : Surface Profile NANO : NANO meter ELIP : Ellipsometer
PR coating Exposure
Developing
1.ADI 2.CD measurement 3.AOI
1.AEI 2.CD measurement 3.Etch rate monitor 4.AOI
Final testing 1.Test key 2.Function test ser repair
钛蚀刻液集中系统换液操作流程
钛蚀刻液集中系统换液操作流程英文回答：The process of changing the etchant solution in a centralized titanium etching system involves several steps. Here is a step-by-step guide on how to perform this operation:1. Prepare the necessary tools and equipment: Gatherall the required tools and equipment for the process, including safety goggles, gloves, a container for the spent etchant solution, a container for the fresh etchant solution, and a transfer pump.2. Ensure safety precautions: Before starting the process, make sure to wear proper protective gear, such as safety goggles and gloves, to avoid any contact with the etchant solution. Also, ensure that the area is well-ventilated to prevent the accumulation of harmful fumes.3. Drain the spent etchant solution: Begin by draining the spent etchant solution from the etching tank into a designated container. This can be done by connecting the transfer pump to the tank outlet and transferring the solution to the container.4. Dispose of the spent etchant solution: Properly dispose of the spent etchant solution according to local regulations and guidelines. It is important to handle and dispose of hazardous chemicals responsibly to protect the environment and ensure safety.5. Clean the etching tank: After draining the spent etchant solution, clean the etching tank thoroughly to remove any residue or contaminants. Use a suitable cleaning agent and rinse the tank multiple times to ensure it is free from any remaining traces of the previous etchant solution.6. Prepare the fresh etchant solution: Once the tank is cleaned, prepare the fresh etchant solution according to the manufacturer's instructions or the establishedformulation. Follow the recommended dilution ratios and mix the solution thoroughly to ensure proper chemical composition.7. Fill the etching tank with the fresh etchant solution: Carefully pour the fresh etchant solution into the cleaned etching tank. Take precautions to avoid spills or splashes during the filling process. Ensure that the tank is filled to the appropriate level for the etching process.8. Test the etchant solution: Before using the newly filled etchant solution for actual etching, it is advisable to perform a test run to ensure its effectiveness and compatibility with the desired etching parameters. This can be done by etching a small sample or conducting a trial etching process.9. Monitor and maintain the etchant solution: Once the fresh etchant solution is deemed suitable for etching, regularly monitor its performance and maintain its quality. This may involve periodic analysis, adjustment of chemicalcomposition, and replenishment as needed.中文回答：更换钛蚀刻液集中系统中的蚀刻液涉及几个步骤。
一种抑制TFT液晶显示屏减薄后凹点的ITO
专利名称：一种抑制TFT液晶显示屏减薄后凹点的ITO‑Ag‑ITO蚀刻液
专利类型：发明专利
发明人：白航空
申请号：CN201710354610.5
申请日：20170519
公开号：CN107119278A
公开日：
20170901
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种抑制TFT液晶显示屏减薄后凹点的ITO‑Ag‑ITO蚀刻液，其是由如下重量份数的原料组成：氢氟酸13‑16份、硝酸18‑22份、醋氟化氨9‑14份、四氢呋喃6‑10份、高氯酸钠
4‑9份、乙二胺四乙酸二钠5‑12份、钼酸钾3‑8份、菊酯4‑8份、磷酸一氢钾8‑14份、非离子表面活性剂7‑11份、添加剂3‑6份、消泡剂5‑9份、去离子水50‑60份。
本发明蚀刻液用于在TFT液晶显示屏基板进行酸蚀减薄前进行蚀刻预处理，该蚀刻液对凹点抑制效果突出，显著提升了产品合格率，同时成本较低、易于制备，因此具有良好的规模化应用前景。
申请人：合肥市惠科精密模具有限公司
地址：230000 安徽省合肥市新站区九顶山路以东奎河路以北合肥惠科金扬科技有限公司内
国籍：CN
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钨蚀刻剂TFW产品详情说明
TFM钼蚀刻剂
TFW钨蚀刻剂
外观
琥珀色水溶液
琥珀色水溶液
PH
10.0
8.0
稀释
用蒸馏水
用蒸馏水
可匹配光刻胶
阴性光刻胶：PKP（Transene）
KMER\KTFR\KPR
阴性和阳性光刻胶
冲洗
蒸馏水
蒸馏水
闪点
不可燃
不可燃ห้องสมุดไป่ตู้
蚀刻速率
20℃
30Å/秒（浸泡）
80Å/秒（喷涂）
30℃
55Å/秒
60℃
85Å/秒
pkptransenekmerktfrkpr蒸馏水不可燃55?秒85?秒30g加仑tfw钨蚀刻剂琥珀色水溶液80用蒸馏水可匹配光刻胶阴性和阳性光刻胶冲洗闪点蚀刻速率203060蚀刻能力蒸馏水不可燃30?秒浸泡80?秒喷涂64g加仑10000英寸25000?厚
钨蚀刻剂 TFW产品详情说明
本品为钼和钨的选择蚀刻剂，可用于半导体和微电子技术。TFM和TFW选择蚀刻剂是加有缓冲剂的呈中等碱性的氰化铁基蚀刻剂，其蚀刻图案分辩率高，边下蚀低，与光刻胶有良好匹配性。采用浸泡或喷涂技术可达到控制性均匀的蚀刻效果。
蚀刻能力
30g/加仑
64 g/加仑(10,000英寸2/5000Å厚)
tft al蚀刻过程
tft al蚀刻过程
TFT（薄膜晶体管）是一种用于液晶显示屏的重要元件。
TFT的蚀刻过程主要包括以下几个步骤：
1. 基片准备：选择合适的基片（通常是玻璃），并进行清洗和化学处理，以去除可能的污染物和氧化物。
2. 涂覆光刻胶：将光刻胶均匀地涂覆在基片上，光刻胶将作为蚀刻的掩模。
3. 曝光和显影：使用光刻技术，在光刻胶上暴露图案，然后将其显影，形成所需的掩模。
4. 蚀刻：将基片放入蚀刻设备中，其中包含一种化学溶液（例如酸或碱），该溶液能够蚀刻掉未被光刻胶保护的区域。
5. 清洗和去胶：将基片从蚀刻设备中取出，经过清洗和去胶处理，去除光刻胶残留物和不需要的部分。
6. 检查和测试：对蚀刻完成的基片进行质量检查和功能测试，以确保其符合要求。
以上是TFT蚀刻过程的基本步骤，不同的制造商和工艺流程可能会有所不同，
但总体上都包括这些关键步骤。
蚀刻是TFT制造过程中非常重要的一步，它决定了液晶显示屏的性能和质量。
MEN-1060钛蚀刻液 MSDS
暴露途径：皮肤、吸入、食入、眼睛。
症状：刺激感、打喷嚏、咳嗽、呼吸困难、恶心、呕吐、灼伤、流泪、结膜炎。
急毒性：
皮肤：1.会刺激皮肤，引起发红及疼痛。2.严重者会造成灼伤。
吸入：1.会刺激鼻、喉及肺部，引起喉痛、咳嗽、呼吸急促及困难。
食入：1.灼伤嘴和喉咙、胃痛、呼吸困难、恶心、呕吐、腹痛。
浓度
CEILING
生物指标
BEIs
-
-
5 ppm
－
个人防护设备：
呼吸防护：若是有经常性的使用或会暴露在高浓度下，需要呼吸防护。
手部防护：防渗手套。
眼睛防护：化学安全护目镜、护面罩
皮肤及身体防护：1.连身式防护衣2.工作靴3.工作区要有淋浴/冲眼设备
卫生措施：1.工作后尽速脱掉污染之衣物，洗净后才可再穿戴或丢弃，且需告知洗衣人员污染之危害性。2.工作场所严禁抽烟或饮食。3.处理此物后，需彻底洗手。4.维持作业场所清洁。
特殊灭火程序：1.喷水可冷却容器和避免容器破裂。2.喷水以控制蒸气。
消防人员之特殊防护设备：消防人员必须配戴全身式化学防护衣、空气呼吸器。
6、泄露处理方法
个人应注意事项：1.限制人员进入，直至外溢区完全清干净为止。2.确定是由受过训之人员负责清理之工作。3.穿戴适当的个人防护装备。
环境注意事项：1.对泄漏区通风换气。2.移开所有引燃源。3.通知政府职业安全卫生与环保相关单位。
储存：1.贮存于干燥、阴凉、通风良好以及阳光无法直接照射的地方和远离热、引燃源和不兼容物。2.尽可能小量贮存，避免大量贮存于室内。3.检查所有新进容器，确定标示清楚和无破损。4.贮存于原始标示的容器或制造商/供应商所建议的贮存容器。5.标示应避免受损并置于可见处，不使用时保持容器密闭。6.容器置于适置高度以便于操作。7.依化学品制造商/供应商建议的温度贮存。8.空桶应与贮存区分开。9.空的容器可能仍具有危害性的残留物，保持密闭。10.定期检查贮存区是否腐蚀或溢漏。11.贮存区应标示清楚，无障碍物并只能允许委任或受过训的人进入。12.贮存区与工作区分开。13.于适当处张贴警告标示。14.以兼容物制成的盘子贮存溢漏的物质。15.有立即可得的溢漏吸收剂。16.门口应制门槛、斜坡或筑沟渠，以围堵或流到安全地方。17.地板应防渗处理以防自地板吸收。18.容器的排气应遵循化学品制造商/供应商的建议，如果贮存桶出现肿胀，立即与制造商/供应商联系，以取得处理的操作程序。19.使用耐燃物质制造的贮存设施。20.贮存区有立即之灭火和溢漏清理设备。21.贮槽需在地面上，底部整个区域应封住以防漏，周围需有防溢堤能围堵整个容量。
TFT_ITO腐蚀原因
TFT_ITO腐蚀原因及防止在液晶显示行业即LCD和LCM行业，COG工艺过程及产品经常会有腐蚀现象发生，也有许多工厂称之为电刻蚀。
据调查，无论国内还是国外LCD行业都有不同程度的腐蚀现象存在，因为腐蚀问题，许多工厂损失巨大，单一生产COG产品的国外工厂出现腐蚀问题后损失可达百万人民币，同时此种现象不受控，工厂生产时有时一粒也不出，但有时比例高达100％。
如果对COGLCD做高温高湿实验，实验条件60℃,90％RH,腐蚀现象会更加明显且容易出现，从而利用这一实验条件可以对控制的效果进行评估和验证。
一、物质产生腐蚀的原因有哪些呢？腐蚀是工业上普遍存在的一种缺陷，尤其是在管道，建筑等等方面，COG类LCD电极腐蚀也属于这一范畴,根据腐蚀的理论，腐蚀的原因主要有以下几个方面：1、电化学腐蚀金属材料与电解质溶液接触，通过电极反应产生的腐蚀。
电化学腐蚀反应是一种氧化还原反应。
在反应中，金属失去电子而被氧化，其反应过程称为阳极反应过程，反应产物是进入介质中的金属离子或覆盖在金属表面上的金属氧化物（或金属难溶盐）；介质中的物质从金属表面获得电子而被还原，其反应过程称为阴极反应过程。
在阴极反应过程中，获得电子而被还原的物质习惯上称为去极化剂。
在均匀腐蚀时，金属表面上各处进行阳极反应和阴极反应的概率没有显著差别，进行两种反应的表面位置不断地随机变动。
如果金属表面有某些区域主要进行阳极反应，其余表面区域主要进行阴极反应，则称前者为阳极区，后者为阴极区，阳极区和阴极区组成了腐蚀电池。
直接造成金属材料破坏的是阳极反应，故常采用外接电源或用导线将被保护金属与另一块电极电位较低的金属相联接，以使腐蚀发生在电位较低的金属上。
2、吸氧腐蚀金属在酸性很弱或中性溶液里，空气里的氧气溶解于金属表面水膜中而发生的电化腐蚀，叫吸氧腐蚀．例如钢铁在接近中性的潮湿的空气中腐蚀属于吸氧腐蚀，其电极反应如下：负极（Fe）：Fe-2e=Fe2+正极（C）：2H2O+O2+4e=4OH-钢铁等金属的电化腐蚀主要是吸氧腐蚀．3、析氢腐蚀在酸性较强的溶液中发生电化腐蚀时放出氢气，这种腐蚀叫做析氢腐蚀。
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澄清水溶液
PH
1
1
闪点
不可燃
不可燃
贮存
室温
室温
有效期
1年
1年
毒性
强酸
强酸
操作
蚀刻容器
聚乙烯/聚丙烯
聚乙烯/聚丙烯
温度
20～50℃
70～85℃
蚀刻速率
25Å/秒，20℃
50Å/秒，30℃
10Å/秒，70℃
50Å/秒，80℃
冲洗
水
水
*匹配光刻胶
阴性和阳性
阴性和阳性
金属
——
除Al以外的大多数金属
*KPR/KMER/KTFR：PKP(Transene)；AZ/RISTON/ETC.
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钛蚀刻剂TFT
钛蚀刻剂是应用于半导体制作和薄膜微电子技术的选择性控制蚀刻剂。
钛蚀刻剂TFT是设计用来蚀刻通常在微电子产品中作为连结层和阻挡层的蒸发法薄膜的蚀刻剂。这种蚀刻剂光刻胶匹配性良好、分辨率高、边下蚀现象低。
钛蚀刻剂TFTN用来蚀刻玻璃或SiO2基板上的Ti沉积膜。TFTN并不含有氢氟酸。
性质