14级 模拟电路第1-4单元 复习自测题培训资料
模拟电路自测题
RB 51k
RC 2k VD
RB1 15k
RC 2k
RB1 60k
RC 2k
β=30 β=30
RB2 51k RB2 40k
UBE=0.75V
RE 3k
(a)
(b) 图4
(c)
2．图 5 所示电路，分别计算更换晶体管，β 值由 20 变至 100，静态工作点电流、 电压的绝对值及变化百分数。图中器件为硅管。 3．图 6 所示电路为一乙类推挽功率输出级简化电路，输入信号 ui 为正弦波，要
A 中，A、B 符号___________时为负反馈，当满足 1 + AB
___________时，为深负反馈。 12．采用 BJT 管的通用集成运算放大器的输入级一般是_____________电路，而 输出级一般是_____________电路。 13．本征半导体中掺入微量_________价元素，空穴浓度将大大增加，这种半导 体称为________型半导体。 14．图(1)中 T1 不能工作在放大区的原因是_______________________；图(2)中 T2 不能工作在放大区的原因是_______________________。
I B ， I C 及 U CE 分别为多少。
2．图 4 所示是某绝缘栅场效应管的转移特性， 图中查得原始沟道漏极电流 I DSS = 7.7mA ，夹断 图3 电压 U GS ( off ) = -8V。试问： (1) 该场效应管是何种类型？画出其电路符号，标明漏极电流方向及各电极 电源极性。 (2) 试求 U GS = −2V 时工作点 Q 的漏极电流 ID 及跨导 gm。
模拟电子技术基础
练习一
模拟电路自测题4(反馈与负反馈)
反馈和负反馈放大电路1. 放大电路中有反馈的含义是___B____。
(a) 输出与输入之间有信号通路(b) 电路中存在反向传输的信号通路(c) 除放大电路以外还有信号通道2. 根据反馈的极性，反馈可分为___C____反馈。
(a) 直流和交流(b) 电压和电流(c) 正和负3. 根据反馈信号的频率，反馈可分为____A___反馈。
(a) 直流和交流(b) 电压和电流(c) 正和负4. 根据取样方式，反馈可分为_____B__反馈。
(a) 直流和交流(b) 电压和电流(c) 正和负5. 根据比较的方式，反馈可分为___C____反馈。
(a) 直流和交流(b) 电压和电流(c) 串联和并联6. 负反馈多用于____A___。
(a) 改善放大器的性能(b) 产生振荡(c) 提高输出电压7. 正反馈多用于____B___。
(a) 改善放大器的性能(b) 产生振荡(c) 提高输出电压8. 直流负反馈是指___B____。
(a) 只存在于直接耦合电路中的负反馈(b) 直流通路中的负反馈(c) 放大直流信号才有的负反馈9. 交流负反馈是指____B___。
(a) 只存在于阻容耦合电路中的负反馈(b) 交流通路中的负反馈(c) 变压器耦合电路中的反馈10.直流负反馈在电路中的主要作用是__C_____。
(a) 提高输入电阻(b) 增大电路增益(c) 稳定静态工作点11.若反馈信号正比于输出电压，该反馈为___C____反馈。
(a) 串联(b) 电流(c) 电压12.若反馈信号正比于输出电流，该反馈为____B___负反馈。
(a) 并联(b) 电流(c) 电压13.当电路中的反馈信号以电压的形式出现在电路输入回路的反馈称为___B____反馈。
(a) 并联(b) 串联(c) 电压14.当电路中的反馈信号以电流的形式出现在电路输入回路的反馈称为___A____反馈。
(a) 并联(b) 串联(c) 电压15.电压负反馈可以____A___。
模拟电路第一章习题答案
工作在放大区。
题1－13a）发射结正偏，集电结反偏，故BJT工作在放大区。
b）发射结和集电结均反偏，故BJT工作在截止区。
工作在截止区。
c）发射结正偏，集电结反偏，故BJT工作在放大区。
工作在放大区。
d）发射结和集电结均正偏，故BJT工作在饱和区。
工作在饱和区。
e）发射结和集电结均反偏，故BJT工作在截止区。
工作在截止区。
f）发射结正偏，集电结电压为0，故BJT处于临界饱和状态。
处于临界饱和状态。
g）发射结正偏，集电结反偏，故BJT工作在放大区。
工作在放大区。
h）发射结正偏，集电结反偏，故BJT工作在放大区。
工作在放大区。
模拟电子复习题
模拟电路复习题 第一章一：填空题1.半导体三极管处在饱和状态时，e 结和c 结的偏置情况是___________2.将PN 结的N 区接电源的正极，P 区接电源的负极，则为PN 结的_______偏置。
3.按照二极管的材料分,可分为________二极管和锗二极管两种。
4.PN 结加正偏导通，加反偏截止，称为PN 结的________________性能。
5.某放大状态的晶体管，知β＝50，测得其I E ＝2.04mA ，忽略穿透电流，则其I B 为________________mA 。
6.PN 结正向偏置时，应该是P 区的电位比N 区的电位________________。
7.N 型半导体是在本征半导体中掺入_______价元素构成的，其多数载流子是_______。
8.某放大状态晶体管，知I B =0.02mA,β=50，忽略其穿透电流，则I E =_________mA 。
9.图示电路中，二极管导通时压降为0.7V ，若U A =0V,U B =3V,则U O 为________。
10.PN 结反向偏置时，应该是N 区的电位比P 区的电位__________11.某放大状态的晶体三极管，当I B =20μA 时，I C =1mA ，当I B =60μA 时，I C =3mA 。
则该管的电流放大系数β值为__________。
12.图示电路，二极管VD 1，VD 2为理想元件出，则U AB 为_________伏。
二：选择题1．PN 结加反向偏置时，其PN 结的厚度将（ ） A ．变宽B ．变窄C ．不变D ．不能确定2．理想二极管构成的电路如题2图，其输出电压u 0为（ ）A ．-10VB ．-6VC ．-4VD ．0V3．NPN 型三级管，处在饱和状态时是（ ） A ．U BE <0,U BC <0 B ．U BE >0,U BC >0 C ．U BE >0,U BC <0 D ．U BE <0,U BC >04．某放大状态的三极管，测得各管脚电位为：①脚电位U 1=2.3V ，②脚电位U 2=3V ，③脚电位U 3=-9V ，则可判定（ ） A ．Ge 管①为e B ．Si 管③为e C ．Si 管①为eD ．Si 管②为e5、在N 型半导体中，多数载流子为电子，N 型半导体是（ ） A ）带正电 B ）带负电 C ）不带电 D ）不能确定6、如果在NPN 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为（ ）A ）放大状态B ）截止状态C ）饱和状态D ）不能确定7.加在二极管上的正向电压从0.65V 增大10%，流过的电流增大量为（ ） A ）大于10% B ）小于10% C ）等于10% D ）不变 8.半导体三极管的特点是( )A.输入电流控制输出电流B.输入电压控制输出电压C.输入电流控制输出电压D.输入电压控制输出电流 9.实验测得放大电路中半导体三极管的三个电极位分别为U 1=3.2V,U 2=2.5Ｖ,U 3=12Ｖ,则( )A.该管为硅管B.1为基极，2为发射极，3为集电极C.该管为NPN型D.该管为PNP型E.1为集电极，2为基极，3为发射极10.理想二极管构成的电路如题2图，该图是( )A.V截止U=-4V=+4VB.V导通U=+8VC.V截止U=+12VD.V导通U11．某锗三极管测得其管脚电位如题3图所示，则可判定该管处在（）A．放大状态B．饱和状态C．截止状态D．无法确定伏态12. 对半导体三极管，测得其发射结正偏，集电结反偏，此时该三极管处于( )。
山东大学-清华大学-模拟电子技术基础-模电(第四版)习题库及解答
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
14章自测题
一、填空题(每空1分，共22分)1．家庭电路的电压是，对人体安全的电压是．2．某导体两端的电压是10V于，通过它的电流是0．5A，则该导体的电阻是Ω；若切断电路，没有电流通过导体，则该导体的电阻为Ω．3．有三根材料相同的导线A、B、C，在相同的温度下，A比B长，粗细相同；B比C细，长度相同，则三根导线的阻值从大到小的排列顺序为(用字母表示)；若将其中一根对折使用，则它的阻值将(选填“变大”“变小”或“不变”)．4．电阻R1=10Ω，R2=30Ω．若将它们并联后接到电压为U的电源上，则通过R1和R2的电流之比I1：I2= ．若将它们串联后接到同一电源上，则R1和R2两端的电压之比U1：U2= ．5．某用电器的电阻为25Ω，允许通过的最大电流为4A，要把它接入220V的电路中，至少需联一只Ω的电阻．6．两个电阻的阻值分别是R1和R2，将它们并联后使用，相当于增大了导体的，所以导体并联后阻值会变．7．如图1所示，电源电压是6V，开关S闭合后，电流表A1和A2的示数分别是0．2A和0．4A，则电阻R1是Ω，R2是Ω，电路的总电阻是Ω．8．如图2所示，电源电压为3V，R1=30Ω，R2=60Ω．当开关S与a接触时，电流表的示数为；当开关S与b接触时，电压表的示数为．9．如图3所示，当开关S闭合，滑动变阻器的滑片P向下滑动时，A1表的示数为，A2表的示数为，V表的示数为(选填“变大”“变小”或“不变”)．10．如图4所示，R1：R2=2：3，若开关S断开，在甲、乙两处均接人电流表，则它们的示数之比I家：I乙= ．如若在甲、乙两处均改接人电压表，并闭合开关S，当甲表的示数为6V时，乙表的示数为V．二、选择题(每题3分，共33分．每小题中只有一个选项符合题意)11．下列说法中正确的是( )A．导体的电阻是导体本身的一种性质，它的大小决定于导体的材料、长度、横截面积以及温度B．欧姆定律公式中的U是电源电压，I是通过某一电阻R的电流C．在并联电路上，并联的电阻越多，电路的总电阻会越大D．在一个电路中，通过两灯的电流相等，这两灯一定是串联的12．粗细相同、长短不等的两根镍铬电阻线并联在电路上．下列说法错误的是( ) A．长镍铬电阻线比短镍铬电阻线的电阻值大B．通过长镍铬电阻线的电流比通过短镍铬电阻线的电流小C．长镍铬电阻线两端的电压比短镍铬电阻线两端的电压大D．长镍铬电阻线两端的电压与短镍铬电阻线两端的电压一样大13．用如图5所示的电路来控制小灯泡的亮暗．要求滑动变阻器的滑片P向左滑动时灯泡变亮，变阻器接入电路的方式可以是( )A．C接M，D接N B．C接M，B接NC．A接M，D接N D．A接M，B接N14．如图6所示，甲、乙、丙是三根用同种材料制成的导体．若要研究导体的电阻跟导体横截面积的关系，则应选用( )A．甲和乙B．乙和丙C．甲和丙D．任意两根均可以15．由欧姆定律公式I=U/R变形得R=U/I．对此，下列说法正确的是( )A．导体的电阻与导体两端的电压成正比B．导体的电阻与导体中的电流成反比C．导体的电阻与它两端的电压成正比，与通过它的电流成反比D．以上说法都不对16．如图7所示，R1、R2并联，则甲、乙、丙三只电表分别是( )A．电流表、电流表、电压表B．电压表、电流表、电流表C．电流表、电压表、电流表D．电压表、电流表、电压表17．图8中，R1=4Ω，R2=6Ω，电压表示数为3V，则电源电压为( )A．3V B．5V C．1V D．2V18．如图9是一种自动测定油箱内油面高度的装置．R是滑动变阻器，它的金属片是杠杆的一端．关于这套装置，下列说法错误的是( )A．油量表是由电流表改装而成的B．浮标下降，电路中的总电阻增大C．油量表的正接线柱与R’相连D．R’在电路中是没有作用的，可以去掉19．如图10，当开关S接通后，两灯均不亮，用电压表测A、B两点时示数为零，测B、C两点时示数为3V，测CD两点时示数为零．出现此现象的原因是( )A．L1灯丝断了B．L2灯丝断了C．两灯灯丝都断了D．开关S接触不良20．如图11，已知电流表A1、A2的示数分别为0．3A和0．2A，电压表示数为2V，则R1和R2的阻值分别是( )A．10Ω，20ΩB．20Ω，10ΩC．8Ω，12ΩD．12Ω，8Ω21．如图12所示，电源是6V的电池组，R1=20Ω，R2=10Ω，I1=0．2A，求I2和I．对于此题，下列说法正确的是( )A．该题去掉“电源是6V”这一已知条件，题目也能解B．该题去掉“R1=20Ω”这一已知条件，题目也能解C．该题去掉“R2=10Ω"这一已知条件，题目也能解D．该题去掉任何一个已知条件，题目都不能解三、实验、作图题(填空题每空1分，作图每个2分，连图4分，24题5分，共21分) 22．实验室测电阻值最常用的方法是法，这种方法的根据是．(1)在虚线框内画出实验电路图．(2)若被测电阻R x的阻值约为10Ω左右，请将图13 中的实物元件连成实验电路．(3)连接电路时，应将开关．经检查电路连接无误，准备合上开关做实验时，别忘记应先将滑动变阻器的滑片移到位置，目的是．(4)当移动滑动变阻器，使两表指示如图14时，记下读数，即可求出被测电阻的阻值为Ω，该实验要求测3次并求平均值，其目的是．23．用如图15所示电路来测量一个未知电阻R x的值．电源电压保持不变，当把导线M的右端接到电流表“+”接线柱上，合上开关S后，电流表示数为I1；当把导线M的右端接到电流表“0．6”接线柱上，合上开关S后，电流表示数为I2．(1)当把导线M的右端接到电流表“0．6”接线柱上时，请在虚线框中画出相应电路图．(2)求未知电阻的表达式是：R x= ．24．如果在用伏安法测电阻的过程中电流表不灵了，再给你一只已知阻值的电阻R0，也可以测未知电阻R x．请画出实验电路图，写出实验步骤及求R x的表达式．四、计算题(每题8分，共24分)25．如图16所示，一只定值电阻R=30Ω，与一只未知电阻R x并联接人电路。
模拟电子技术基础-总复习最终版
其中 RP R1 // R2 // R3 // R4
另外，uN
R R Rf
uo，uN
uP
ui1 R1 ui2i1 R2 ui3i2R3
P+ + u
o
R4 i4
uo
RP 1
Rf R
ui1 R1
ui 2 R2
ui3 R3
i3
4、 电路如图所示，各引入那种组态的负反馈？设集成运放 输出电压的最大幅值为±14V，填表。
11
14
5、求解图示电路的运算关系式。
同相求和电路 电压串联负反馈
6、求解图示电路的运算关系式。
R2
R1 ui R3
_
R4
+A1+ uo1
R5
_ +A2+
uo
7、求解图示电路的运算关系式。
电压并联负反馈。 电压放大倍数为：-R2/R1。
（3）交流负反馈是指 。 A．阻容耦合放大电路中所引入的负反馈 B．只有放大交流信号时才有的负反馈 C．在交流通路中存在的负反馈
解：（1）D （2）B （3）C
4、选择合适答案填入空内。
A．电压 B．电流 C．串联 D．并联
（1）为了稳定放大电路的输出电压，应引入 负反馈；
（2）为了稳定放大电路的输出电流，应引入 负反馈；
解：将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路，图略。 各电路的交流通路如解图P2.2所示。
5.在图示电路中，已知晶体管β，rbe，RB，RC=RL，VCC。
（1）估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
（2）当考虑信号源内阻为RS时，Aus的数值。
6. 电路如图所示，晶体管的＝100，=100Ω。
2014电子电工一摸试题
常州市2014年普通高校单独招生第一次模拟考试电子电工专业综合理论试卷本试卷分第Ⅰ卷（客观题）和第Ⅱ卷（主观题）两部分。
第Ⅰ卷1页至5页，第Ⅱ卷6页至15页。
两卷满分300分。
考试时间150分钟。
第Ⅰ卷（共120分）注意事项：1．答第Ⅰ卷前，考生务必按规定要求填涂答题卡上的姓名、考试科目等项目。
2．用2B铅笔把答题卡上相应题号中正确答案的标号涂黑。
一、单项选择题（本大题共22小题，每小题4分，共88分。
在下列每小题中，选出一个正确答案，将答题卡上相应题号中正确答案的字母标号涂黑）一选择题1如图1所示电路中，Is为6A，当开关S断开时，电流表读数为10A，当开关S闭合时，电流表读数为____。
A、2AB、6AC、8AD、10A题1图2.如图所示的正弦交流电路中，已知R=X C若电压u2与电压u1同相位，则__ _A．R2>XC2 B. R2<XC2 C．R2=XC2 D．不能确定3、如图3所示的交流电路中，若R=X L=X C，则ui和uo的相位关系为。
A、ui和uo同相B、ui超前uo 450C、uo超前ui900D、ui超前uo 13504. 在同一供电系统中，若保持三相对称负载相电流不变，则作三角形联接时负载消耗的功率是作星型联接时的12A ．3倍B ．3倍C ．1倍D ．31倍5.如图5,R1=1Ω,R2=R3=2Ω,L=2H ，U=2V ，开关长期合在1的位置。
当将开关合到2的位置后，则 。
A. i L （0+）=2/3A ， i L （∞+）=0A ， τ=0.5sB. i L （0+）=0A ， i L （∞+）=2/3A ， τ=2/3sC. iL （0+）=2/3A ， i L （∞+）=2/3A ， τ=2/3s D. i L （0+）=1/2A ， i L （∞+）=1/2A ， τ=0.5s6．如图6所示，导线a 、b 、c 在磁感应强度为B 的匀强磁场中， 以速度v 向右作匀速运动，导线长ab=bc=L ，则Uac= A 、U=2BLv B 、U=BLv sin θ C 、U=BLv cos θ D 、U= 2BLv sin θ 7．题7图所示各特性曲线中，N 沟道增强型MOS 管的转移特性曲线是（ ）（B ）/V（A ）（C ）/V/V（D ）题7图8．在如图所示电路中，C 断开对电路性能产生的影响是： A ．静态工作点下移 B ．增大放大倍数 C ．减小输入电阻 D ．增大输出电阻题6图S题5图39．对题9图所示电路，下列说法中正确的是 _________。
模拟电路知识点复习
3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法
1.二极管V-I 特性的建模 将指数模型 iD = IS(e分vD段VT线性1) 化，得到二极管特性的
等效模型。 （1）理想模型
（a）V-I特性 （b）代表符号 （c）正向偏置时的电路模型 （d）反向偏置时的电路模型
（2）恒压降模型
（3）折线模型
（a）V-I特性 （b）电路模型
模拟电路知识体系
• 总的来说就是以三极管为核心，以集成运放为主 线。
• 集成运放内部主要组成单元是差分输入级、电压 放大级、功率放大级、偏置电路。
• 集成运放的两个不同工作状态：线性和非线性应 用。
• 模拟电路主要就是围绕集成运放的内部结构、外 部特性及应用、性能改善、工作电源产生、信号 源产生等展开。
（a）V-I特性 （b）电路模型
（4）小信号模型
iD
=
1 R
vD
1 R
(VDD
vs )
vs =0 时, Q点称为静态工作点 ，反映直流时的工作状态。
vs =Vmsint 时（Vm<<VDD）, 将Q点附近小范围内的V-I 特性线性化，得到
小信号模型，即以Q点为切点的一条直线。
过Q点的切线可以等 效成一个微变电阻
下面举两个例子说明虚短和虚断的运用。
几种常见的基本运算电路
• 反相比例运算 • 同相比例运算 • 电压跟随器 • 加法电路 • 减法电路 • 积分电路
3.1 半导体的基本知识 3.2 PN结的形成及特性 3.3 半导体二极管 3.4 二极管基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管
3.1.4 杂质半导体
3.3.2 二极管的伏安特性
一、PN 结的伏安方程
iD = IS (euD /nVT 1)
2014-2015学年第一学期《模拟电子》(本)复习题.
2014-2015学年第一学期《模拟电子技术》期末考核参考复习题适用于2013级（本）自动化、电气自动化、电子信息工程专业一、填空题1、在本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成（ N ）型半导体，其多数载流子是（自由电子 ）；若掺入微量的三价元素，则形成（ P ）型半导体，其多数载流子是（ 空穴 ）。
2、PN 结在（ 正偏 ）时导通，（ 反偏 ）时截止，这种特性称为（ 单向导电 ）性。
3、晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结（ 正偏导通 ），集电结（ 反偏 ）4、某晶体管工作在放大区，如果基极电流从uA 10变化到uA 20，集电极电流从mA 1变化到mA 99.1，则交流电流放大系数=β（ 99 ）5、如图：，它是（ NPN ）（填NPN 还是PNP)，其电流放大系数β=（ 49）6、场效应管从结构上可分为（MOS ）和（ 结型 ）；根据导电沟道的不同又可分为（ P 沟道）和（ N 沟道）；对于MOSFET ，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为（耗尽型 ）和（ 增强型 ）7、场效应管的转移特性曲线如图：，画出该场效应管的符号：（ MOS ，N 沟道,耗尽型 ）8、共集电极放大电路的特点是输出电压与输入电压（ 同 ）相，电压放大倍数近似为（ 1 ），输入电阻（ 大 ），输出电阻 （ 小）9、差分放大电路对（ 差模 ）输入信号具有良好的放大作用，对（ 共模 ）输入信号具有很强的抑制作用。
10、在单管共射放大电路中，如果静态工作点设置过高，则容易出现（ 饱和）失真。
（填截止或饱和）11、在晶体管乙类互补对称功率放大电路中，采用双电源供电的电路称为（ OCL ）电路，采用单电源供电的电路称为（ OTL ）电路。
12、两级放大电路中，第一级的电压增益为40dB ，第二级的电压放大倍数为10倍，则两级总电压的放大倍数为（1000 ）13、反馈放大电路中，若反馈信号取自输出电压，则为（电压 ）反馈。
模拟电路考试试题套和答案
试卷编号01………………………………………………………………………………………………………………一、填空（本题共20分，每空1分）：1．整流电路的任务是_将交流电变成直流电_；滤波电路的任务是__滤除脉动直流电中的交流部分。
2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于_载流子浓度差__而产生的，漂移运动是____电场力___作用下产生的。
3．放大器有两种不同性质的失真，分别是__线性__失真和___非线性__失真。
4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是__耦合电容和旁路电容___的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__三极管的极间电容__的影响。
5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是__稳定静态工作点___；引入交流负反馈的作用是稳定增益，改变输出电阻，减小非线性失真，展宽频带，抑制干扰和噪声__。
6．正弦波振荡电路一般由_选频网络__、_放大电路__、__正反馈网络___、__稳幅电路__这四个部分组成。
7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB、第二级15dB、第三级60dB，放大器的总增益为___100___，总的放大倍数为_105__。
8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e对__差模输入__信号的放大无影响，对_共模输入__信号的放大具有很强的抑制作用。
共模抑制比K CMR为__差模增益与共模增益__之比。
9．某放大电路的对数幅频特性如图1（在第三页上）所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为__37__dB。
二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）：1、（√）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。
2、（√）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。
3、（√）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。
4、（×）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。
(完整版)模拟电路试卷及答案(十套)
模拟综合试卷一. 填充题1集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是 a , b 。
2•通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是a ,b。
3. 在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。
4. 一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。
5. 工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为。
6. 甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。
7. 若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压U ii =U2,则输出电压为—匚; 若山=1500皿U i2=500N,则差模输入电压u id为N,共模输入信号u ic为V8 .由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。
9. 晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。
10. 在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最；组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受最高反向电压。
频带最宽的是组态。
二. 选择题1 .晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的B，I CBO U BE的变化情况为（）。
)A.B 增加，I CBO 和u BE 减小B. B 和I CBC 增加，U BE 减小C.B 和U BE 减小，I CBO 增加D. B 、I CBC 和U BE 都增加 2. 反映场效应管放大能力的一个重要参数是（）A.输入电阻B. 输出电阻C.击穿电压D. 跨导 3.双端输出的差分放大电路主要（ ）来抑制零点飘移。
A.通过增加一级放大B.利用两个C.利用参数对称的对管子D. 利用电路的对称性4•典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（A.变大B. 变小C.不变D. 无法判断5 •差分放大电路的共模抑制比K CM越大，表明电路（）A.放大倍数越稳定B.交流放大倍数越大C.直流放大倍数越大D.抑制零漂的能力越强6•负反馈放大电路以降低电路的（）来提高嗲路的其他性能指标。
模拟电子技术期末考试复习资料
《模拟电子技术》课程综合复习资料一、判断题1.P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。
答案：错2.阻容耦合放大电路只能放大交流信号，不能放大直流信号。
答案：对3.同相求和电路跟同相比例电路一样，各输入信号的电流几乎等于零。
答案：错4.差动放大电路可以放大共模信号，抑制差模信号。
答案：错5.共集电极放大电路放大动态信号时输入信号与输出信号相位相反。
答案：错一、单选题1．测得某电路板上晶体三极管3个电极对地的直流电位分别为UE =3V，UB=3.7V，UC=3.3V，则该管工作在（）。
A．放大区B．饱和区C．截止区D．击穿区答案：B2.放大器的增益是随着输入信号频率的改变而改变的，当输入信号的频率为Hf时，放大器增益的幅值将（）。
A．降为1B．降为中频时的1/2倍C．降为中频时的1/D．降为中频时的倍答案：C3.三级放大电路中Av1=Av2=10dB，Av3=15dB，则总的电压增益为（）dB。
A．35C．45D．60答案：A4.某三极管各个电极的对地电位如图所示，可判断其工作状态是（）。
A．放大B．饱和C．截止D．已损坏答案：D5.二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电压Vo为（）。
（设二极管的导通压降为0.7V）A．-5VB．-4.3VC．-5.7VD．-10V答案：C6.测得图示放大电路中晶体管各电极的直流电位如图所示，由此可知该管为（）。
A．Ge，PNP管B．Ge，NPN管C．Si，PNP管D．Si，NPN管答案：B7.在单级放大电路中，若输入电压为正弦波形，用示波器观察vo和vi的波形，当放大电路为共集电极放大电路时，则vo和vi的相位（）。
A．同相B．反相C．相差90D．不定答案：A8.在单级放大电路中，若输入电压为正弦波形，用示波器观察vo和vi的波形，当放大电路为共发射放大电路时，则vo和vi的相位（）。
A．同相B．反相C．相差90D．不定答案：B9.理想运放的开环差模增益AOd为（）。
14级 模拟电路第5-9单元 复习自测题
14级 《模拟电路》第5-9单元 复习自测题第五单元 集成运算放大电路5.1 理想运放的开环差模增益A Od 为 [ D ] A. 0 B. 1 C. 105D. ∞5.2对于理想运算放大器，在两种可能的答案（A.∞；A.0）中选择正确的填空： （1）开环差模电压放大倍数A od =_∞______；(2) 共模抑制比K CMR =___∞___; （3）差模输入电阻R id =_____∞________； (4) 差模输出电阻R od =___0______； 5.3理想运放工作在线性区存在虚短和虚断的概念，“虚短” 指 ，虚断是指 。
5.4 判断下列说法是否正确（在括号内画√或×）。
1．反相比例运算电路属于电压串联负反馈，同相比例运算电路属于电压并联负反馈。
（× ） 2．反相比例放大电路的输入电阻较低 ，同相比例放大电路的输入电阻较高。
（√ ） 5.5 工作在线性区的运算放大器应置于[ A ]状态。
A. 深度负反馈B. 开环C. 正反馈D. 无反馈 5.6分析下图所示的电路，回答下列问题：1） A 1、A 2、A 3与相应的元件各组成何种电路？2） 设A 1、A 2、A 3均为理想运算放大器，输出电压u O 与u I1、u I2有何种运算关系（写出表达式）？ 解：（1）A 1差分输入比例运算电路；A 2积分运算电路；A 3与电压跟随器。
（2）)(I1I21f O1u u R R u -=；dt u u R R C R u u o )(1I1I21f2O2--==⎰ 5.7用单运放设计一个比例运算电路， 要求运算关系u o =-(2u i 1+5u i 2+10u i 3)，画出电路图，确定各个电阻值。
设R F ＝100k Ω。
解：可采用单运放反相求和运算电路，电路形式如（课堂例题）图所示。
据运放工作在线性区的虚短和 虚断两条分析依据，可以推出对比 u o =-（2u i 1+5u i 2+10u i 3）)(321I3F I2F I1F O u R R u R R u R R u ++-=10,5,2321===R R R R R R FF F得：R 1= 50K R 2= 20K R 3= 10K 平衡电阻 R 4= R 1// R 2//R 3// R f = 5.56K5.8 试求如图所示各电路输出电压与输入电压的运算关系式。
模拟电路-期末复习资料
模拟电路—期末复习资料一、判断题1．构成各种半导体器件的基础是PN 结，它具有单向导电和反向击穿特性。
( )2.只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。
( )3. 在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。
( )4.由于集成电路工艺不能制作大电容和高阻值电阻，因此各放大级之间均采用阻容耦合方式。
（ ）5.测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是输入电压幅值不变，改变频率。
（ ）6. 一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。
（ ）7.反馈量仅仅决定于输出量。
（ ）8.功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。
（ ）9. 运放的共模抑制比c d CMR A A K 。
( ) 10. 图题图1所示电路中，若Ce 突然开路，则中频电压放大倍数usmA &减小。
（ ）11. 运算电路中一般均引入负反馈。
（ ） 12.单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强，而滞回比较器比单限比较器灵敏度高。
（ ）13.功率放大电路与电压放大电路的区别是前者比后者效率高。
（ ）14. 直流电源是一种将正弦信号转换为直流信号的波形变换电路。
（）15.凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
（）16.凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
（）17.当集成运放工作在非线性区时，输出电平不是高电平，就是低电平。
（）18.在稳压管稳压电路中，其最大稳定电流与最小稳定电流之差应大于负载电流的变化范围。
（）19. 整流电路可将正弦电压变为脉动的直流电压。
20.电容滤波电路适用于小负载电流，而电感滤波电路适用于大负载电流。
21.在功率放大电路中，输出功率越大，功放管的功耗越大。
（）22.功率放大电路与电压放大电路、电流放大电路的共同点都使输出功率大于信号源提供的输入功率。
(完整版)14级模拟电路第1-4单元复习自测题
14级 《模拟电路》第1-4单元 复习自测题第一单元 半导体器件1.1 在P 型半导体中，多数载流子是 [ B ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质1.2 在N 型半导体中，多数载流子是 [ A ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质1.3 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 [ C ]A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷1.4下面哪一种情况二极管的单向导电性好 [ A ]A.正向电阻小反向电阻大B. 正向电阻大反向电阻小C.正向电阻反向电阻都小D. 正向电阻反向电阻都大1.5二极管的主要特性是 [ C ]A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性1.6. 左下图，设二极管导通压降为0.7V ，判断二极管是否导通，并求输出电压 U O 。
1.7 二极管电路如右上图所示，考虑其正向压降为0.7V ，判断二极管是否导通，求输出电压U o （D1导通，D2截止。
U O = -0.7V ）1.8左下图，二极管均为理想元件，则VD1、VD2、 VD3的工作状态为[ A ]。
A. VD1导通， VD2 、 VD3截止B. VD2导通， VD1 、 VD3截止C. VD3导通， VD1 、 VD2截止D. VD1， VD2 、 VD3均导通1.9. 判断右上图电路中二极管的工作状态。
[ A ]A. VD1导通， VD2截止B. VD2导通， VD1 截止C. VD1 、 VD2均导通D. VD1， VD2均 截止1.10 如左下图所示电路中D 为理想元件，已知u i = 5sin ωt V ，试对应u i 画出u o 的波形图。
（当u i >0,D 通，u 0=u i ;当u i <0,D 截止，u 0=0）VD VD 21 3.5 导通截止，O V U1.11在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如图1.1(左图)所示，该晶体管的类型是[ A ]A.NPN型硅管B.PNP型硅管C.NPN型锗管图1.1 2V 6VD.PNP型锗管 1.3V1.12测得处于放大状态的三极管三个管脚的直流电位如右上图所示，试说明三极管的类型是[ D ]A. NPN型硅管；B. PNP型硅管；C. NPN型锗管；D. PNP型锗管1.13 某三极管各个电极的对地电位如下图所示，可判断其工作状态是[ D ]A.饱和B.放大C.截止D.已损坏1.14双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是[ B ]A 发射结正偏，集电结正偏B 发射结正偏，集电结反偏C 发射结反偏，集电结反偏D 发射结反偏，集电结正偏1.15当三极管的两个PN结都反偏时，则三极管处于[ A ]A.截止状态B.饱和状态C.放大状态D.击穿1.16当三极管的两个PN结都正偏时，则三极管处于[ B ]。
电工电子1-4复习题
张掖市职教中心08-09学年第一学期期末考试复习资料科目：《电子电工技术及应用》一、填空题1、已知电阻R1=2R2，如果将其串联，则通过电阻R1和R2中的电流之比是 ；电阻R1与R2两端电压之比是 ；电阻R1与R2消耗的功率之比是 。
2、若A 点电位是5V ，B 点的电位是3V 则Uab= ;Uba= ;3、导体的电阻越大，电导越 ，其导电能力越 。
4、电容在充电过程中，充电电流逐渐 ，而电容两端的电压逐渐 ；在放电过程中，放电电流逐渐 ；电容器两端电压 。
5、电路中三条或三条以上支路的连接点称为 。
6、 是表征电容器储存电荷的能力的物理量，国际单位是 。
7、正弦量的三要素 。
8、在交流电路中相位差的 条件是 。
9、串联谐振电路的特点是 ； 。
10、一只220V ，40W 的白炽灯正常发光时，它的灯丝电阻是 ，它的额定功率 ，但它接在110V的电源上，它的实际功率是 （不考虑温度对电阻的影响）。
11、已知某正弦交流电压为(314u t V π=+，则该交流电的最大值为 ，有效值为 ，频率为 ，角频率为 ，周期为 ，初相位为 ，t ＝0时刻的电压瞬时值为 。
12、电压的方向规定为由 端指向 端，是指 移动单位正电荷所做的功。
13、用电流表测量电流时，应把电流表 在被测电路中；用电压表测量电压时，应把电压表表与被测电路 。
14、电源电动势的方向规定为由 端指向 端，是 克服电场力移动单位正电荷做功。
15、电阻元件是 能元件，电感元件是 能元件。
16、电路是电流通过的路径,电路一般由 、 、 还有 四个部分组成。
17、人体的安全电压为 。
18、有三个阻值为6欧姆的电阻，若把它们串联，等效电阻是 ，若把它们并联，等效电阻是 。
19、基尔霍夫电流定律告诉我们,在任意瞬间,流入任一结点的 、等于从这个结点流出的 。
20、有效值与最大值之间的关系为I m = I ；U m = U ；E m = E 。
21、 是表征电容器存储点和能力的物理量，国际单位是 。
模拟电路复习资料Ⅰ
模拟电路复习资料Ⅰ一、填空题1. P型半导体的多子是，N型半导体的少子是，PN结具有特性。
2. 在P型半导体中，电子浓度空穴浓度；在N型半导体中，电子浓度空穴浓度。
3. 在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于，少子的浓度受的影响很大。
4. 当PN 结正向偏置时，耗尽层将，反向偏置时空间电荷区将。
5. 引起PN结击穿的机理一般认为有两种，即击穿和击穿。
6. PN结之间存在着两种电容，分别叫作电容和电容。
7．在PN结形成过程中，载流子扩散运动是由于作用下产生的，漂移运动是由于作用下产生的。
8．当环境温度升高时，二极管的死区电压将，二极管的反向饱和电流将。
9．稳压二极管有作用，在电路中是将其阳极接于电源的极，阴极接于电源的极。
10．利用二极管的特性可以制成稳压管。
利用二极管在反向偏置时的电容效应可制成。
11. 晶体管三极管在作正常放大运用时,必须使处于正向偏置, 处于反向偏置。
12. NPN型晶体三极管处于放大状态时,三个电极中极电位最高，极电位最低。
13. 在单级共射放大电路中,若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是失真，失真的主要原因是。
14．若三级放大电路中A u1= A u2=30dB，A u3==30dB ，则其总电压增益为dB，折合为倍。
15．在三极管的三种基本组态放大电路中，组态电压增益最小，组态输入电阻最小。
16．在三极管的三种基本组态放大电路中，组态输入电阻最大，组态放大倍数最大且为正。
17．实验中用直流电流表测量三极管的静态电流,其中流进电极的电流为3.66mA,流出电极的电流分别为0.06mA和3.6mA。
则该管是型三极管，其β值为。
18．场效应管属于____控制型器件，它们的导电过程仅仅取决于____载流子的流动。
19．耗尽型N沟道FET的导电载流子是，一般把在漏源电压作用下开始导电的栅源电压U GS 叫做。
20. 结型场效应管利用栅源极间所加的(反偏电压、反向电流、正偏电压)来改变导电沟道的电阻；P沟道结型场效应管的夹断电压U GS为(正值、负值、零) 。
第十四章了解电路单元测试题.
第十四章认识电路单元测试题一、填空题1、用丝绸摩掠过的玻璃棒凑近碎纸屑，发现碎纸屑被吸引，这是因为；有的纸屑接触玻璃棒后“跳开”，这又是因为。
2、一节一般干电池的电压为______________伏。
在图 14-1 中， A 端为干电池的______________极（选填“正”或“负”）。
图 14-1 图 14-2 图 14-33、如图 14-2 所示，标出了制成铅笔的几种资料名称，往常条件下______________是绝缘体（只选一种）。
4、图 14-3 是一个简化的电冰箱电路图，学习了串连和并联电路知识，你能看懂这个电路图吗 ? 此中 M 是压缩机用的电动机， L 是电冰箱内的照明灯泡。
电路图中的灯泡L与电动机 M 是串连的仍是并联的 ?请写出你的猜想和判断方法。
你的猜想： _______________________。
判断的方法 :。
5、如图 14-4 ，在一根横跨河流两岸的硬塑料管内穿有三根完整同样的电线。
为了鉴别哪两个线头为同一根导线的两头，能够用图示的测通器来测试，其操作过程以下：⑴连结 A 和 B，将测通器的 m 连结在 D 上。
当 n 连结 F 时小灯泡发光，连结 E 时小灯泡不发光。
由此能够确立为同一导线的两头（填字母，下同）。
⑵为了弄清另两根导线的两头，可连结 A 和 C，测通器的一端一定与相连时，另一端只需接触一根导线就能将两两根导线鉴别开。
5、以下图电路中，当S1、 S3断开， S2 闭合时， L1 与 L2 是______联；当 S2 断开， S1、S3 闭合时， L1 与 L2 是 _______联；若同时闭合S1、S2、S3，则会造成电路 _________。
5题 6题6、在以下图的电路中，只增添一根导线，使电路变为并联电路，则这根导线应当接在 ______和_____两点之间。
7．如图 14—5 甲中电流表 Al 读数为 0．2A，则电流表 A2 的读数是 .图乙中电流表 A2 的读数为 0.9A， A1 读数为 0.3A，则经过电流表 A 的电流是 .电流表 A 采纳的量程应为 A ．图 14-5 图 14-68.图 14—6(a)所示电表的示数为；图 14-6(b) 所示电表的示数为。
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14级 《模拟电路》第1-4单元 复习自测题第一单元 半导体器件1.1 在P 型半导体中，多数载流子是 [ B ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质1.2 在N 型半导体中，多数载流子是 [ A ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质1.3 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 [ C ]A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷1.4下面哪一种情况二极管的单向导电性好 [ A ]A.正向电阻小反向电阻大B. 正向电阻大反向电阻小C.正向电阻反向电阻都小D. 正向电阻反向电阻都大1.5二极管的主要特性是 [ C ]A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性1.6. 左下图，设二极管导通压降为0.7V ，判断二极管是否导通，并求输出电压 U O 。
1.7 二极管电路如右上图所示，考虑其正向压降为0.7V ，判断二极管是否导通，求输出电压U o （D1导通，D2截止。
U O = -0.7V ）1.8左下图，二极管均为理想元件，则VD1、VD2、 VD3的工作状态为[ A ]。
A. VD1导通， VD2 、 VD3截止B. VD2导通， VD1 、 VD3截止C. VD3导通， VD1 、 VD2截止D. VD1， VD2 、 VD3均导通1.9. 判断右上图电路中二极管的工作状态。
[ A ]A. VD1导通， VD2截止B. VD2导通， VD1 截止C. VD1 、 VD2均导通D. VD1， VD2均 截止1.10 如左下图所示电路中D 为理想元件，已知u i = 5sin ωt V ，试对应u i 画出u o 的波形图。
（当u i >0,D 通，u 0=u i ;当u i <0,D 截止，u 0=0）VD VD 21 3.5 导通截止，O V U1.11在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如图1.1(左图)所示，该晶体管的类型是[ A ]A.NPN型硅管B.PNP型硅管C.NPN型锗管图1.1 2V 6VD.PNP型锗管 1.3V1.12测得处于放大状态的三极管三个管脚的直流电位如右上图所示，试说明三极管的类型是[ D ]A. NPN型硅管；B. PNP型硅管；C. NPN型锗管；D. PNP型锗管1.13 某三极管各个电极的对地电位如下图所示，可判断其工作状态是[ D ]A.饱和B.放大C.截止D.已损坏1.14双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是[ B ]A 发射结正偏，集电结正偏B 发射结正偏，集电结反偏C 发射结反偏，集电结反偏D 发射结反偏，集电结正偏1.15当三极管的两个PN结都反偏时，则三极管处于[ A ]A.截止状态B.饱和状态C.放大状态D.击穿1.16当三极管的两个PN结都正偏时，则三极管处于[ B ]。
A.截止状态B.饱和状态C.放大状态D.击穿1.17测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5.3V和-6V，则该三极管的类型为[ A ]A.硅PNP型B.硅NPN型C.锗PNP型D.锗NPN型1.18测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为8V、2.3V和2V，则该三极管的类型为[ D ]。
A.硅PNP型B.硅NPN型C.锗PNP型D.锗NPN型1.19测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5.3V和12V，则该三极管的类型为[ B ]A.硅PNP型B.硅NPN型C.锗PNP型D.锗NPN型1.20测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5.7V和-6V，则该三极管的类型为[ C ]。
A.硅PNP型B.硅NPN型C.锗PNP型D.锗NPN型1.21用直流电压表测得三极管电极1、2、3的电位分别为V1=1V，V2=1.3V，V3=-5V，则三个电极为[ C ]。
A.1为e；2为b；3为cB.1为e；2为c；3为bC.1为b；2为e；3为cD.1为b；2为c；3为e1.22处于放大状态的NPN型晶体管，各电极的电位关系是[ C ]。
A. V B＞V C＞V EB. V E＞V B＞V CC. V C＞V B＞V ED. V C＞V E＞V B1.23处于放大状态的PNP型晶体管，各电极的电位关系是[ B ]。
A. V B＞V C＞V EB. V E＞V B＞V CC. V C＞V B＞V ED. V C＞V E＞V B1.24 判断下列说法是否正确，并在相应的括号内画√或×。
1、P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。
（×）2、P型半导体带正电，N型半导体带负电。
（×）3、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。
（√）填空题：1.25半导体材料有三个特性，它们是（光敏特性）、（杂敏特性）和（光敏特性）。
半导体具有三敏特性，它们分别是（光敏特性）、（杂敏特性）和（光敏特性）。
1.26在本征半导体中加入（5价）元素可形成N型半导体，加入（3价）元素可形成P 型半导体。
N型半导体可通过在纯净半导体中掺入（5价）元素而获得，而P型半导体可通过在纯净半导体中掺入（3价）元素而获得。
1.27在P型半导体中，多数载流子是（空穴），而在N型半导体中，多数载流子是（电子）。
P型半导体中（空穴）是多数载流子，（电子）是少数载流子。
在N型半导体中，多数载流子是（电子），而在P型半导体中，多数载流子是（空穴）。
N型半导体中（电子）是多数载流子，（空穴）是少数载流子。
1.28二极管的主要特性是（单向导电特性）。
（单向导电特性）是二极管的主要特性。
1.29在常温下，硅二极管的门限电压约为（0.5）V，导通后的正向压降约为（0.6~0.8工程中取0.7）V；锗二极管的门限电压约为（0.1）V，导通后的正向压降约为（0.2~0.3工程中取0.2）V。
1.30.在常温下，发光二极管的正向导通电压约为（1~2.5）V，考虑发光二极管的发光亮度和寿命，其工作电流一般控制在（10~20）mA。
1.31晶体管按结构分有（NPN）和（PNP）两种类型。
1.32晶体管按材料分有（锗管）和（硅管）两种类型。
1.33晶体管实现放大作用的外部条件是发射结（正偏）、集电结（反偏）。
三极管工作在放大区时，发射结（正偏），集电结（反偏）；工作在饱和区时，发射结（正偏）），集电结（正偏））。
三极管工作在放大区时，发射结（正偏），集电结（反偏）；工作在截止区时，发射结（反偏）），集电结（反偏））。
第二单元放大电路基本原理和分析方法2.1 在基本放大电路的三种组态中，输入电阻最大的放大电路是[ C ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定2.2 在基本放大电路的三种组态中，输出电阻最小的是[ C ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定2.3 在三种基本放大电路中，电压增益（放大倍数）最小的放大电路是[ C ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定2.4在基本共射放大电路中，负载电阻RL 减小时，输出电阻RO将[ C ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定2.5 在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了底部削平的失真，这种失真是[ A ]A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真2.6 在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真，这种失真是[ A ]A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真2.7单级共射极放大电路，输入正弦信号，现用示波器观察输入电压u i和晶体管集电极电压u c的波形，二者相位[ B ]。
A.相差00B.相差1800C.相差900D.相差27002.8共基极放大电路，输入正弦信号，现用示波器观察输入电压u i和晶体管集电极电压u c的波形，二者相位[ A ]。
A.相差00B.相差1800C.相差900D.相差27002.9对于基本共射放大电路， Rb 减小时，输入电阻Ri将[ B ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定2.10在基本共射放大电路中，信号源内阻RS 减小时，输入电阻Ri将[ C ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定2.11以下电路中，可用作电压跟随器的是[ D ]A．差分放大电路 B．共基电路 C．共射电路 D．共集电路2.12固定偏置共射极放大电路，已知V CC＝12V，R C=3KΩ，β＝40,忽略U BE,若要使静态时U CE＝9V，则R B应取[ C ]。
A. 600KΩB. 240KΩC. 480KΩD. 360KΩ2.13固定偏置共射放大电路,V CC＝10V，硅晶体管的β＝100, R B=100KΩ，R C=5KΩ，则该电路中三极管工作在[ B ]。
A.放大区B.饱和区C.截止区D.无法确定2.14.固定偏置共射极放大电路,V CC＝10V，硅晶体管的β＝100, R B=680KΩ，R C=5K Ω，则该电路中三极管工作在[ A ]。
A.放大区B.饱和区C.截止区D.无法确定2.15多级放大电路A u1=20dB, A u2=40dB,则电路总的电压放大倍数A u为[ C ]dB。
A．80 B．800 C．60 D.202.16在三级放大电路中，已知|Au1|=50，|Au2|=80，|Au3|=25，则其总电压放大倍数|Au|=100000。
2.17在三极管多级放大电路中，已知A u1＝20，A u2＝－10，A u3＝1，则可知其接法分别为：A u1是CB放大器，A u2是CE放大器，A u3是CC放大器。
2.18在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的负载电阻，而前级的输出电阻则也可视为后级的信号源内阻。
2.19 判断下列说法是否正确，对的画√，错的画×。
1、晶体管的输入电阻rbe是一个动态电阻，故它与静态工作点无关。
（×）2、在基本共射放大电路中，若晶体管的β增大一倍，则电压放大倍数也相应地增大一倍。
（×）3、共集放大电路的电压放大倍数总是小于1。
（√）4、阻容耦合放大电路只能放大交流信号，不能放大直流信号。
（√）5、直接耦合放大电路只能放大直流括号，不能放大交流信号。
（×）2.20 在多级放大电路常见的三种耦合方式(a.阻容耦合，b.直接耦合，c.变压器耦合)中选择合适者（可不止一种）填空。
1、要求各级静态工作点互相不影响，可选用 a,c 。
2、要求能放大直流信号，可选用 b 。
3、要求能放大交流信号，可选用 a,b,c 。
2.21晶体管放大电路有三种组态，分别是（共射）、（共集电极）和（共基）。
2.22共集电极放大电路的输入电阻很（大），输出电阻很（小）。