功率板
大功率串励直流电机控制器功率板散热设计分析
保证 了电机控制器在恶劣 的情况下可 以正常工作 ， 并且不会损坏电池或者 电机 ； 功率板则包括 了电流 、 箩草 电． 孽芦 ． ２ Ｉ Ｅ 限制 的取样 电阻 和反 馈 信 号 ， 重要 的是 它 承受 着 最
控制 器几乎 全部 的电流 和热量 。如 果功 率板不 能尽 快地将 热量散 去 ， 会 导 致 控 制器 内部 温 度 迅速 上 将
０ｇ 言 ｌ
电动叉 车用 电机 是 ２ ２～８ｋ 的 大 功 率 串 励 ． Ｗ 直 流 电动 机 ， 其控 制器 采用模 拟 电路设计 ， 已得到 广 泛应 用 。该 控制 器分 为控制 板和 功率板 两部 分 。其 中控 制板 中的温 度保 护 、 接 保 护 等各 种 保 护 电 路 短
＼ 摹 ＼烽 ＼ 畚歙．
大
串
常用 的功 率 管 有 ＩＦ ７０ ＩＦ ４ １ 、Ｒ Ｂ ３０ Ｒ ３１ 、Ｒ Ｂ ７０ ＩＦ ４ １ 。
升， 很快达到温度保护电路的极 限而进行保护 ， 从而
使 电动叉车 的使用 效 率 大 大 降低 ， 其 在 炎热 的夏 尤
其 中 ，Ｒ ３ １ ＩＦ７０和 ＩＦ ４ １ Ｒ Ｂ ７０是 专 用 的 电 机 控 制 器 功 ＭＯ Ｆ Ｔ管 。这三 种芯 片 的主要 区别如 表 １ 示 。 ＳＥ 所 室
完成工作 ， 特别是在环境温度较高的时候更是如此 ， 从而严重影响 了工 作进度 ， 为此 ， 通过对 电机控制器 的重新 设计
改进 ， 以及其影响散热 的主要 因素进行考察 ， 最终验证 电路板铜箔厚度才是影响 电机控制器散热 的最主要 因素 。
关键词 ： 散热 ； 功率板 ； 电机控制器
（ ｅ ｉ ｎｖｒ ｔ ｏ ｅｈ ｏｏｙ Ｈ ｆｉ ３ ０ ９ Ｃ ｉａ Ｈ ｆ ｉｅ ｉ ｆ ｃｎ ｌ ， ｅｅ ２ ０ ０ ， ｈｎ ） ｅＵ ｓｙ Ｔ ｇ
功率电路板pcb 焊锡方法
功率电路板PCB焊锡方法一、焊前准备在进行焊锡之前，需要先准备好相应的工具和材料，包括焊台、焊锡丝、助焊剂、清洗剂等。
同时，需要确保工作台面干净整洁，以免杂质和灰尘影响焊接质量。
二、焊锡工具焊台是焊接过程中最重要的工具之一，它能够提供稳定的温度和良好的导热性，保证焊接的质量和效率。
选择合适的焊台，需要注意其功率、调温范围、稳定性等方面。
三、焊锡材料焊锡材料的选择直接影响到焊接的质量和效果。
一般来说，焊锡材料需要具备良好的润湿性、流动性、抗氧化性和耐腐蚀性等特点。
常用的焊锡材料包括纯锡、锡铅合金、银锡合金等。
四、焊接技巧1.掌握好焊接的温度和时间，保证焊锡能够充分熔化并润湿被焊接表面。
2.在焊接过程中，需要注意控制焊锡的量，避免过多或过少。
3.在焊接电子元件时，需要特别注意不要让热风枪或焊台的热风影响到周围的其他元件。
4.对于敏感的电子元件，如晶体管、集成电路等，需要采用较低的温度进行焊接，以免损坏元件。
五、焊后检查在完成焊接后，需要进行仔细的检查，确保所有的焊接点都符合要求，没有出现虚焊、漏焊等现象。
如果发现有不良的焊接点，需要及时进行修正。
六、焊锡质量1.保证焊锡材料的纯度和成分，避免使用劣质的焊锡材料。
2.注意焊锡的保存环境，避免潮湿和污染。
3.定期对焊台进行维护和保养，保证其正常运行。
七、安全注意事项1.在焊接过程中，需要注意防止烫伤和火灾等安全事故的发生。
2.在使用助焊剂和清洗剂时，需要佩戴防护眼镜和手套等个人防护用品。
3.对于有毒有害的物质，需要采取相应的通风排气等措施，减少对身体的危害。
八、焊锡效率提升1.熟练掌握焊接技巧，提高焊接速度和质量。
2.优化工作流程，合理安排工作任务和时间。
3.使用先进的工具和设备，提高工作效率。
4.加强团队协作，发挥每个人的优势，共同提升工作效率。
50kW-PSM短波发射机功率模块和功率控制板的原理及常见故障处理方法
50kW-PSM短波发射机功率模块和功率控制板的原理及常见故障处理方法随着无线通信技术的不断发展，短波通信作为一种具有广泛应用的通信方式，其重要性不断凸显。
而在短波通信中，50kW-PSM短波发射机功率模块和功率控制板则扮演着重要的角色。
这些设备不仅能够实现短波信号的发射，还能够控制信号的功率大小，从而满足不同应用场景的需求。
在使用这些设备的过程中，由于各种原因，难免会出现一些故障，因此对于这些设备的原理及常见故障处理方法的了解，对于保证设备正常运行具有重要的意义。
本文深入分析了50kW-PSM短波发射机功率模块和功率控制板原理及常见故障处理，以供参考。
1.50kW-PSM短波发射机的功率模块1.1 功率模块的工作原理50kW-PSM短波发射机的功率模块是短波通信系统中的关键部件之一，它的主要作用是将输入的低功率信号转换为高功率的短波信号，从而能够在远距离进行通信。
该功率模块采用了高频电子管作为主要的功率放大器，其工作原理是将输入信号经过功率放大器的放大作用后，输出一个高功率的短波信号。
在功率放大器中，输入信号首先经过一个变压器，将其电压升高，然后进入电子管的控制网格，控制电子管的导通和截止，从而控制输出功率。
同时，为了保证功率放大器的稳定性和可靠性，还需要配备相关的保护电路和温度控制系统，以保证电子管能够在安全的工作范围内运行。
此外，为了进一步提高短波发射机的效率，该功率模块还采用了一系列的调节电路和反馈电路，以确保输出信号的稳定性和精度。
其中，调节电路主要是用来控制功率放大器的输出功率，而反馈电路则是用来监测输出信号的质量和稳定性，并对其进行相应的修正和控制。
50kW-PSM短波发射机的功率模块是短波通信系统中非常重要的一个组成部分，它的功率放大器采用高频电子管作为主要的功率放大器，通过配备相关的保护电路和温度控制系统以及调节电路和反馈电路等，能够确保短波信号的稳定性和精度，从而实现远距离的通信。
功率板书
率
主讲人：XX
Presentation Title
一、功率 二、平均功率和瞬时功率 三、额定功率和实际功率
一、功率
1、定义：功率是反应做功快慢的物理量。功 跟完成这些功所用时间的比值，叫做功率。 2、功率的定义式是：P=W/t 3、功率的单位：在国际单位制中为瓦特，简 称瓦。符号是W。1W=1J/s，而KW大单位 也很常用，1KW=1000W
4、功率的另一种表示式： 在作用力方向和位移方向相同的情况下
W=Fs P=W/t=Fs/t s/t=v
P=Fv
5、当作用力的方向和位移的方向不同的情况 下：
W=Fs· cosα P=W/t=Fs·cosα/t=Fv·cosα
二、平均功率和瞬时功率
1、若F为恒力，根据P=Fv（或P=Fvcosα）， v为时间t内的平均速度，W为时间t内所做 的功，则P为平均功率。若v是即时速度计 算的是即时功率。P=W/t计算的是平均功率 2、当时间t趋近于0时，平均功率就趋近于即 时功率
三、额定功率和实际功率
1、额定功率是发动机正常工作时最大输出功 率，通常在发动机铭牌及说明书中标明。 2、实际功率是发动机工作时实际的输出功率。 特殊情况下发动机的实际功率可以小于或 者大于额定功率，正常情况下等于额定功 率 3、当发动机以。要增大动力，则需 减小行驶速度。
巩固练习： 1、一个物体在相同的水平恒力作用下，由静 止开始运动。先后分别沿光滑水平面和粗 糙水平面上移动相同的距离。力分别做功 为W1和W2，末态的功率分别为P1和P2， 则（） A、W1 >W2 ，P1=P2 B、W1 =W2 ，P1<P2 C、W1 =W2 ，P1>P2 D、W1 < W2 ，P1>P2
接地-浪涌测试为什么只烧功率板
1.有人问我：在做设备的浪涌试验时，其他的都没有损坏，为什么只有离电源输入端最远的功放板烧毁了？我也很纳闷，等看过了他的布局图，我乐了，因为我也犯过同样的错误。
设备布局图如下：打不开，请参考附件在分析前，先明确接地的概念，这里的接地，不是指安全地，而是特指参考地。
因为EMC 测试所说的地就是参考地，是一个大面积的等电位的金属板，这个金属板接大地的线缆就是安全接地线。
这只是个简图，原图上没有C1、C2、 C3、C4和C5，是我后期为了分析容易补上去的，电源输入线的正负极之间肯定也有保护电路，如果大家感兴趣，我们可以在后续文章里再重点讨论。
同样，我们这里也不讨论差模干扰，因为对于浪涌，差模很容易解决。
在设备布局时，他考虑更多的是功能，对EMC设计考虑的太少。
EMC里的接地的主要目的是改变共模干扰传输路径，避免干扰电流流过敏感电路。
原图的设计中针对浪涌的处理，靠的是工作地和机箱间的空气间隙来保证。
但是，对于高频干扰信号，影响最大的是寄生参数，隔离电路只能阻断差模信号，对共模干扰没有阻隔能力。
从图上可以看出，相对于输入干扰信号，存在很多寄生通道，如C1、C2、 C3、C4和C5，因为任何信号的传递，都是闭环的，干扰信号肯定会通过这些寄生通道流回到干扰源，只是流过不同寄生通道的电流大小不同罢了。
当电缆相对于参考地位10cm时，寄生电容为50pf/m，寄生电感是10nH/m。
对于长距离传输的电缆，功放和外设之间的距离超过100米，这个时候，如果C1和C2也是寄生电容，那么C3和C4就是一个低阻抗的通路，浪涌共模干扰电流就通过大面积的背板流向功放板，然后通过C3流向参考地，功放板能保住那就见鬼了。
为什么控制板没有问题呢？那是因为控制板没有对地泄放通路，准确地说对参考地的寄生电容太小，相对于功放板的输出电缆，可以忽略不计。
分析到这里，大家应知道怎么进行EMC改造了吧，那就是在电源板上加上C1和C2。
C5和机箱接地点对本文分析影响不大，但它在其他应用里影响相当可以。
业余手工猛料打造24V3000W高频正弦波逆变器
业余手工猛料打造24V3000W高频正弦波逆变器有段时间没搞机子了,最近手有点“痒”,却又无奈业余搞条件有限,很多东西都搞不漂亮,比如这次的变压器,凡立水有点稠,也没稀释剂,泡好凡立水了,也没烤箱烤干,只好放在锅里烤,呵呵.先讲变压器吧,24V3000W,为了减少安装高度,加强散热,前级MOS均流没有用一个EE70而用了4个EC42-20,PC40材质的,为了每个上到750W,采用了约35KHZ的频率,初级4T+4T,用0.8mm的线9根并绕,次级16T用0.8mm的线4根并绕.4个EC42初级并联,次级串联,因为初级电流太大没用骨架引脚,铜线直接焊在PCB上.功率PCB:预留了一个前级闭环控制的EC42-20做整流后的电感,实际用的开环,没装.办法一:加焊扁铜;办法二:在下图标示处焊4组电池线,在接线柱上会合: 功率板原理图:3000W的功率,除了效率要高,要强制风冷,散热片也很重要,用了一整块和功率板差不多大的散热片,所有前后级的功率管和整流管都装在上面,重约1.5KG.功率管,前级用的是IRFP2907,8只,原装进口管.后级功率管4只FQL40N50,仙童40A500V的管子:前后级驱动板:由于采用了单片机控制后级所以做的比较简单,元件较少,也用的单面板.前级驱动板原理图:后级驱动板原理图:此图大部分参考了wwwjjwww大师的原理图,并做了一些改进,主要是为了大家便于使用wwwjjwww大师公布的程序.关于源程序,不愿意自己编的可使用wwwjjwww或z760622大师改过的: /topic/111661/topic/444342几点说明:1.这套方案支持输入电池12/24/36/48V,12V时装34063升压的辅助电源,24、36、48V装分立元件降压的辅助电源;。
1kw纯正弦波逆变电源原理图与PCB图
1kw纯正弦波逆变电源原理图和PCB图这个机器，BT是12V,也可以是24V，12V时我的目标是800W，力争1000W，整体结构是学习了钟工的3000W机器，也是下面一个大散热板，上面是一块和散热板一样大小的功率主板，长228MM，宽140MM。
升压部分的4个功率管，H桥的4个功率管及4个TO220封装的快速二极管直接拧在散热板;DC-DC升压电路的驱动板和SPWM的驱动板直插在功率主板上。
因为电流较大，所以用了三对6平方的软线直接焊在功率板上：吸取了以前的教训：以前因为PCB设计得不好，打了很多样，花了很多冤枉钱，常常是PCB打样回来了，装了一片就发现了问题，其它的板子就这样废弃了。
所以这次画PCB时，我充分考虑到板子的灵活性，尽可能一板多用，这样可以省下不少钱，哈哈。
如上图：在板子上预留了一个储能电感的位置，一般情况用准开环，不装储能电感，就直接搭通，如果要用闭环稳压，就可以在这个位置装一个EC35的电感。
上图红色的东西，是一个0.6W的取样变压器，如果用差分取样，这个位置可以装二个200K的降压电阻，取样变压器的左边，一个小变压器样子的是预留的电流互感器的位置，这次因为不用电流反馈，所以没有装互感器，PCB下面直接搭通。
上面是SPWM驱动板的接口，4个圆孔下面是装H桥的4个大功率管，那个白色的东西是0.1R电流取样电阻。
二个直径40的铁硅铝磁绕的滤波电感，是用1.18的线每个绕90圈，电感量约1MH，磁环初始导磁率为90。
上图是DC-DC升压电路的驱动板，用的是KA3525。
这次共装了二板这样的板，一块频率是27K，用于普通变压器驱动，还有一块是16K，想试试非晶磁环做变压器效果。
这是SPWM驱动板的PCB，本方案用的是工提供的单片机SPWM芯片TDS2285，输出部分还是用250光藕进行驱动，因为这样比较可靠。
也是为了可靠起见，这次二个上管没有用自举供电，而是老老实实地用了三组隔离电源对光藕进行供电。
屹晶微电子 EGP1000W 逆变器功率板 说明书
3.2.2 交流输出接口(P8、P9)
板上 P8、P9 接口为交流输出接口。高频模式时，经板上（L3、C13）LC 滤波后直接提供 220V 纯正弦波 输出。工频模式时，板上 LC 滤波电路（L1、C13）可以省去，滤波电感 L1 用粗铜丝短路，滤波电容 C13 不 焊，输出 SPWM 波形，经外挂工频变压器和滤波电容后输出 220V 正弦波。可参考章节“4.3 工频模式”。
GND
U2 7805
C7
C6 Cap
2
EGS001 2
*
EG8010
EGS001
FANCTR 17 TFB 16 VFB 15 +5V 14 GND 13
+12V 12 GND 11 2HO 10 VS2 9 2LO 8 GND 7 VS2 6 VS1 5 GND 4 1LO 3 GND 2
IFB 1
高频模式时，交流输出端需接 LC 滤波，将调制波滤除，需在板上（C13）位置焊接一个 2.2uF 的 CBB 电容，（L1）位置焊接一个 3.3mH 的电感（L1）。电容的耐压及电感的电流能力根据实际需要选择。注意， 逆变器为交流输出，输出 LC 滤波电容（C13）不可使用电解电容，一般选择 CBB 电容，且耐压需大于交流 输出峰值电压。
工频模式时，驱动电源接口（P5）可以不接，使用功率电源经板上降压电路降压后为驱动电路供电， 根据输入的功率电源电压不同，配置跳线；若不使用板上降压电路，也可在驱动电源接口（P5）外接+12V 的电源为驱动电路供电。具体配置见表 3‐1.
简析功率电路PCB的设计准则
简析功率电路PCB的设计准则功率电路PCB设计准则是电子工程师必须熟悉和遵循的重要规范。
在设计功率电路板（PCB）时，需要考虑许多因素，包括电路的电流、电压、功率、热量和EMI等。
以下是一些常见的功率电路PCB设计准则。
1. 细线宽度和间距功率电路PCB通常需要通过大电流。
因此，应该使用较大的线宽和间距，以确保电路板不会过热或损坏。
常见的线宽和间距为0.5毫米。
2. 适当的铺铜为了降低电路板的电阻和热阻，建议在电路板上增加适当的铜片。
宽度应为电路板的一半或三分之二，并确保在PCB板上均匀分布。
3. 热量处理功率电路PCB设计必须考虑电路产生的热量。
在布线时，应尽可能摆放较大的元件和铜片，以便于散热并降低温度。
此外，还可以在电路板上添加散热片。
4. 避免尖锐的角度在PCB设计中，应避免设计太多细小的、尖锐的角度，因为这些角度会导致电流过载并可能损坏电路板。
应使用圆角设计来减少角度。
5. 去耦电容在功率电路板设计中，应使用适当的去耦电容器来过滤电源噪声并稳定电压。
此外，还应采用低ESR（有效串联等效电阻）电容器，以确保电路板的稳定性和可靠性。
6. EMI和EMC电磁干扰（EMI）和电磁干扰（EMC）是设计功率电路PCB时需要关注的重要问题。
应通过给适当的地线保持传输线分离，分隔地面平层和电源电平，使控制环安装。
7. 细节问题在PCB设计时，还应注意以下细节问题：a) 元件的合适安装位置和方向。
b) 铜片大小和位置的合适层次。
c) 避免元件之间太近，从而防止发生短路。
d) 根据业内标准设置布局以便实现容易阅读、生产和修复。
在设计功率电路PCB时，应该遵循这些准则。
通过这些准则，可以确保电路板的性能、可靠性和稳定性，同时减少可能损坏电路板的风险。
EGP1000W(正弦波配套功率驱动板)
GND
U2 7805
C7
C6 Cap
2
EGS001 2
*
EG8010
EGS001
FANCTR 17 TFB 16 VFB 15 +5V 14 GND 13
+12V 12 GND 11 2HO 10 VS2 9 2LO 8 GND 7 VS2 6 VS1 5 GND 4 1LO 3 GND 2
IFB 1
不接
外接
12V‐15V
不接
不接
15V‐25V
不接
不接
25V‐75V
不接
不接
表 3‐1 工作模式与电源配置表格
不焊
不焊 L7812 EG1181 不焊 L7812 EG1181
跳线 JP1
断开
断开 断开 断开 断开 短接 短接 短接
跳线 JP2
断开
断开 断开 短接 短接 短接 短接 短接
跳线 JP3
断开
R1 3.3K
C5
C4 Cap
P1
1 FAN_VCC
2 GND
外挂风扇电源接口
散热风扇
F2
FAN
1
2
2 2
U1 1 VIN +12V 3
EG1181 GND 电源模块
C9
C8 0.1uF/25V
D1
+5V
1 VIN +5V 3 GND
R2
大于45°C开启风扇
U2 7805
C7
C6 Cap
2.2K
风扇控制
风扇电源(P1)主要为散热风扇提供电源，由于散热风扇的工作电压不同，一般风扇电源需要外接，工作 在工频模式时，也可通过配置跳线 JP2 选择功率电源为散热风扇供电。
PCB电源板layout的设计注意事项说明
PCB电源板layout的设计注意事项说明做了几年的电源板layout，总结了一些主要注意的地方，主要是从以下这几个地方考虑：一、功率回路部分功率板中比较重要首当其冲的就是功率回路部分，在layout的时候应该首先要知道所布的功率部分的电路性质，在电源中功率电路主要分di/dt电路和dv/dt电路，这两种电路在布局走线的时候走法是不一样的。
di/dt电路因为它的单位时间内电流的变化比较大，所以这部分电路在走线的时候重点要关注整个电路的环路面积应尽可能的小，最好是一个环路的走线在不同的层重叠走，这样电路的环路面积最小，本身产生的干扰可以自身就耦合掉。
dv/dt电路它的侧重点就完全不一样，因为这种电路在单位时间内电压变化会比较大，所以它容易对外界产生干扰，所以这种电路在走线的时候铜皮不能太宽，在满足承载电流的情况下铜皮宽度尽可能的小，不同层的重叠区域尽可能小，敏感信号尽可能远离这些走线。
二、驱动部分驱动部分的线首先要考虑整个驱动回路的面积，要尽可能的小，要远离干扰源，离被驱动的部分尽可能的近。
像MOS管之类工功率元件的驱动，在走线的时候要特别注意G极和D极的走线不要平行走，因为在大多数情况下MOS管的D极部分的电路是dv/dt的电路，G极是驱动电路，如果平行走的话，驱动信号很容易被干扰，从而导致MOS的误动作。
三、采样信号在功率板中像一些电压采样和电流采样之类的采样信号也是至关重要的，因为这些信号准确与否直接关系到控制端，所有这些采样信号也要尽量避开其他信号，如果有条件的话这些采样信号可以用差分采样，并且在相对应的走线地方能够给他们一个完整的地平面。
四、地的处理地的重要性就更不用说了，无论在哪种板子上，对于地的处理都是非常重要的。
在功率板中地相对来说会比较复杂，因为很多时候功率部分走大电流的地、控制部分一些小电流的。
NCP4390GEVB高功率电源评估板用户手册说明书
NCP4390GEVBImplementing High Power Supply Evaluation Board User's ManualHigh Power Supply with the NCP1616, NCP1072 and NCP4390DescriptionThis evaluation board user’s manual provides elementary information about a high efficiency, low light load power consumption reference design that is targeting power adapter or similar type of equipments that accepts 24 V.The design utilizes NCP1616 for PFC front stage to assure unity power factor, NCP4390 for current mode LLC power stage with secondary side SR drive. And NCP1072 control the fly−back converter for secondary side VCC power supply.The NCP1616 is a high voltage PFC controller with CrM operation. Additionally, it has an innovative Current Controlled Frequency Foldback (CCFF) method to maximizes the efficiency at both nominal and light load condition.The NCP1072 integrate a fixed frequency current mode controller with a 700 V MOSFET. The NCP1072 offer a high level of integration, including soft−start, frequency−jittering, short−circuit protection, skip−cycle, a maximum peak current set point, ramp comensation, and a Dynamin Self−Supply.The NCP4390 is an advanced Pulse Frequency Modulated (PFM) controller for LLC resonant converters with Synchronous Rectification (SR) that offers best in class efficiency for isolated DC/DC converters. It employs a current mode control technique based on a charge control, where the triangular waveform from the oscillator is combined with the integrated switch current information to determine the switching frequency. Closed−loop soft start prevents saturation of the error amplifier and allows monotonic rising of the output voltage regardless of load condition. A dual edge tracking adaptive dead time control minimizes the body diode conduction time thus maximizing efficiency.Key Features•High V oltage Start−Up Circuit with Integrated Brownout Detection •Wide Input voltage Range•High Efficiency•Fast Line / Load Transient Compensation•PWM operation mode in light load condition for Improved Efficiency •Overvoltage Protection•Auto recovery Overload Protection•Auto recovery Over Current Protection•Auto recovery Output Short Circuit Protection•Adaptive Synchronous Rectification Control with Dual Edge Tracking•Programmable Dead Times for primary side switches and secondaryside Synchronous RectifiersEVAL BOARD USER’S MANUAL Figure 1. NCP4390GEVB Evaluation BoardTable 1. GENERAL INFORMATIONSParameter Test Conditions Min Typ Max Unit Input Voltage V AC90−264V AC Input Voltage Brown Ouput−70−V AC Output voltage No Load Condition−24−V DCFull Load Condition−24−V DC Maximum Output Current−12−A Output Power−312−W Operating Frequency of LLC Full Load Condition100105110kHz System Efficiency110V AC @ Full Load−92.74−%220V AC @ Full Load−95.05−% Power Factor90 VAC ~ 264 VAC @ Over 50% Load−0.950.99h Board Dimension−215 x 125−mmCIRCUIT DESCRIPTIONFor the PFC front stage, utilizes the NCP1616 to optimize the efficiency and Power Factor throughout the load range. NCP1616 has an integrated high voltage start up circuit accessible by the HV pin. The rectified input voltage supplies to HV pin at start up. After then Supply to VCC directly from the auxilirary winding of LLC transformer. In operation mode, the NCP1616 achieves power factor correction using the Current Controlled Frequency Foldback (CCFF) topology. In CCFF the circuit operates in the classical Critical Conduction Mode (CrM) when the inductor current exceeds a programmable value. Once the current falls below this preset level, the frequency is linearly reduced, reaching about 26 kHz when the current is zero. Also NCP1616 enter to skip mode at the Input current near the line zero crossing where the current is very low. Both CCFF and Skip mode optimize PFC stage efficiency. To protect the application system under abnormal condition, the NCP1616 has OVP, OCP, Brown Out and FB pin open protection.In the secondary side, the NCP4390 LLC controller provides a high efficiency and high power density by zero voltage switching (ZVS) of half−bridge MOSFETs. The power stage operates in above resonance area at around the resonant frequency caused by a resonant capacitor Cr and a resonance inductor Lr. It can provide PWM operation for higher efficiency with less frequency variation for light load condition.The NCP4390 included secondary side SR driver for higher efficiency without additional circuit. It uses a dual edge tracking adaptive gate drive method that anticipates the SR current zero crossing instant with respect to two different time references. The first tracking circuit measures SR conduction time using dv/dt of SR MOSFET drain voltage and uses this information to generate the first adaptive drive signal. The second tracking circuit measures the turn−off extension time which is defined as time duration from the falling edge of the primary side drive to the corresponding SR turn−off instant. This information is then used to generate the second adaptive darive signal and compensation next switching cycle.To protect the application system under abnormal condition, the NCP4390 has OLP, OCP, OVP and OSP protection.EVALUATION BOARD SCHEMATICFigure 2. Evaluation Board SchematicPCB LAYOUT Board Dimension: 215 mm x 125 mmPCB material: FR4Copper Thickness: 2 ozFigure 3. TOP Side ViewFigure 4. BOTTOM Side ViewBOARD PICTURES Board Dimension: 170 mm x 100 mmPCB material: FR4Copper Thickness: 2 ozFigure 5. TOP Side ViewFigure 6. BOTTOM Side ViewTable 2. BILL OF MATERIALSReference Vendor Part Number Type Value PC/Board BD101, BD102ON Semiconductor DFB2560TS−6P−4L600 V / 25 A2MKP RADIAL275 Vac / 470 nF1 CX101PILKO PCX2 337 / 470 nF(Pitch: 22.5 mm)CX102PILKO PCX2 337 / 1 m FMKP RADIAL275 Vac / 1 m F1(Pitch: 22.5 mm)CY103TDK CD45B2GA472K Y−Cap400 V / 4.7 nF1 CY104, CY105TDK CD45B2GA222K Y−Cap400 V / 2.2 nF2MKP RADIAL500 V / 1 m F1 C101PILKOR PCMP 372J / 1 m F(Pitch: 22.5 mm)C102SAMYOUNG KMF−series: 35 x 37KMF450 V / 330 m F1C105, C119, C222, C225SAMYOUNG KMF−series: 5 x 11KMF50 V / 47 m F4TDK C2012X7R1E105K085AB MLCC_201225 V / 1 m F10C106, C107, C113, C117,C205, C206, C210, C211,C213, C219C108, C112TDK C2012CH1H472J085AA MLCC_201250 V / 4.7 nF2 C109, C216TDK C2012X7R1H224K125AE MLCC_201250 V / 220 nF2 C110, C123TDK C2012C0G1H103J060AA MLCC_201250 V / 10 nF2 C111, C208TDK C2012 C0G1E101J060AA MLCC_201225 V / 100 pF2 C114, C115Yageo RC1206JR−07000RL CHIP_R_32160 R2 C116Rubicon FILM Capacitor (10 mm Pitch)Lead type650 V / 2.2 nF133 nF630 V/ 33 nF1C118PILKOR PCMP 384 / 33 nF 630 V(Pitch: 15 mm)C120TDK C2012C0G1H153J060AA MLCC_201225 V / 15 nF1C121PILKOR PCMP 384 / 15 nF 630 VMMKP RADIAL 630 V / 15 nF1(Pitch: 15 mm)C201, C202, C203, C204SAMYOUNG NXB−series: 12.5 x 25NXH35 V / 1200 m F4 C207, C209TDK C2012C0G1H152J060AA MLCC_201225 V / 1.5 nF2 C212TDK C2012 C0G1E200J060AA MLCC_201225 V / 20 pF1C214TDK C2012 C0G1E471J060AA MLCC_201225 V / 470 pF1C215TDK C2012C0G1H102J060AA MLCC_201225 V / 1 nF1 C217, C218Yageo RC0805JR−075R6L CHIP_R_2012 5.6 R2 C221, C224TDK C2012X7R1H154K125AE MLCC_201250 V / 150 nF2 C223TDK C2012X7R1H104K125AE MLCC_201250 V / 100 nF1 D101, D102, D116ON Semiconductor US1MFA SOD−123FA1000 V / 1 A3D103, D105, D118, D219ON Semiconductor S210FA SOD−123FA100 V / 2 A4 D104ON Semiconductor S3MB SMB1000 V / 3 A1D106ON Semiconductor FFPF30UA60S TO−220F−2L600 V / 30 A1D107ON Semiconductor MMSZ18T1G (Zener Diode)SOD−12318 V / 0.5 W1ON Semiconductor MBR0540SOD−12340 V / 0.5 A5 D108, D109, D201,D202, D207D117ON Semiconductor UF4007DO−411000 V / 1 A1 D205, D206ON Semiconductor OPEN OPEN OPEN2 F101 (Fuse)Little Fuse021 7004.MXP5 x 20250 Va / 4 A1Fast−actingF101 (Holder)STELVIO PTF78 5 x 20Fuse Holder1ISO1ON Semiconductor FOD817B4−pin DIP Optocoupler1 J1MOLEX5273−03A3−pin Connector1 LF101EMC parts CV240260SK133T−F300 Va / 4 A1 LF102, LF103TNC NVL200N−60150Vertical150 m H / 6 A2 PT101, PT102FEELUX EE10/11 2 mH2 Q101, Q107ON Semiconductor FCPF125N65S3TO−220F650 V / 24 A2 Q102, Q105, Q106ON Semiconductor NSS20200L SOT−23−20 A / 4 A3 Q103, Q104ON Semiconductor FCB199N65S3D2 PAK650 V / 14 A2 Q108, Q109ON Semiconductor2N7002SOT−2360 V / 115mA2 Q201, Q202ON Semiconductor FDB045AN08A0D2 PAK75 V / 235 A2 R101Yageo RC1206JR−07272RL CHIP_R_3216 2.7 k W1 R106Yageo RC0805JR−07622RL CHIP_R_2012 6.2k W1 R107Yageo RC1206JR−07620RL CHIP_R_321662 W1 R108, R124Yageo RC0805JR−07100RL CHIP_R_201210 W2Yageo RC0805JR−07103RL CHIP_R_201210 k W5 R109, R125, R128,R135, R234R110PILKO MPR5W 0.02J Metal plate R0.02 W1 R111, R112Yageo RC0805JR−07185RL CHIP_R_2012 1.8 M W2 R113, R114Yageo RC0805JR−07155RL CHIP_R_2012 1.5 M W2 R115Yageo RC0805JR−07184RL CHIP_R_2012180 k W1 R116Yageo RC0805JR−07433RL CHIP_R_201243 k W1 R117, R214, R219Yageo RC0805JR−07303RL CHIP_R_201230 k W3 R118Yageo RC0805JR−07753RL CHIP_R_201275 k W1 R119Yageo RC0805JR−07154RL CHIP_R_2012150 k W1 R120, R232, R238Yageo RC0805JR−07203RL CHIP_R_201220 k W3 R121, R137, R138, R139Yageo RC0805JR−07204RL CHIP_R_2012200 k W4 R122Yageo RC0805JR−07392RL CHIP_R_2012 3.9 k W1 R126Yageo Axial type 1/2W Axial 1/2W150 k W1 R127Yageo RC1206JR−07100RL CHIP_R_321610 W1 R129, R131Yageo RC1206JR−07103RL CHIP_R_321610 k W2 R130, R132Yageo RC1206JR−07560RL CHIP_R_321656 W2 R133, R134Yageo RC0805JR−07301L CHIP_R_2012300 W2 R136Yageo RC0805JR−07474RL CHIP_R_2012470 k W1 R140Yageo RC0805JR−07622RL CHIP_R_2012 6.2 k W1 R141Yageo RC1206JR−07302RL CHIP_R_3216 3 k W1 R204Yageo RC0805JR−07203RL CHIP_R_201220 k W1 R205, R206Yageo RC0805JR−07153L CHIP_R_201215 k W2 R207Yageo RC0805JR−07332L CHIP_R_2012 3.3 k W1 R208Yageo RC0805JR−07222L CHIP_R_2012 2.2 k W1 R209Yageo RC0805JR−07223L CHIP_R_201222 k W1 R211Yageo RC0805JR−07513RL CHIP_R_201251 k W1 R212, R213Yageo RC1206JR−07203RL CHIP_R_321620 k W2R215, R216Yageo RC0805JR−07000RL CHIP_R_20120 W2 R217, R218Yageo RC0805JR−072R2L CHIP_R_2012 2.2 W2 R220Yageo RC0805JR−07272L CHIP_R_2012 2.7 k W1 R221Yageo RC0805JR−07303L CHIP_R_201230 k W1 R222Yageo RC0805JR−07300RL CHIP_R_201230 W1 R223, R229Yageo RC0805JR−07201L CHIP_R_2012200 W2 R224Yageo RC0805JR−07302L CHIP_R_2012 3 k W1 R227, R233Yageo RC0805JR−07122L CHIP_R_2012 1.2 k W2 R230Yageo RC0805JR−07152L CHIP_R_2012 1.5 k W1 R231Yageo RC0805JR−07183L CHIP_R_201218 k W1 R235, R237Yageo RC0805JR−07823L CHIP_R_201282 k W1 R236Yageo RC0805JR−07472L CHIP_R_2012 4.7 k W1 R239Yageo RC0805JR−07102RL CHIP_R_2012 1 k W1 R240, R241PILKO MPR5W 0.01 W J Metal plate R0.01 W2 SW101DECO AT1D−2M3Toggle SW 3 pin1 CT101FEELUX EE10/1145:11 T101FEELUX PQ4121230 m H1 T102FEELUX SRV5018300 m H1 T103FEELUX RM6−8pin 1.2 mH1 U101ON Semiconductor NCP1616SOIC−9PFC1 U102ON Semiconductor NCP1072SOT−223Flyback1 U103ON Semiconductor NCP4390SOIC−16LLC1 U202ON Semiconductor LM431SBCM3X SOT−23Shunt1 U203, U204ON Semiconductor FAN3225SOIC−8Gate Driver2 U205ON Semiconductor NCP4352TSOP−6CC/CV1 VA101HIEL HVR431D10VARISTOR1TRANSFORMER SPECIFICATIONS There are five kinds of transformer used in this EVB.PFC,LLC,Fly−back,Current Sensing transformer and PulseTransformer.PQ4121Figure 7. Transformer Dimension and Shapes (PFC) Table 3. TRANSFORMER SPECIFICATION (PFC)Pin(Start " Finish)Wire Turns Winding MethodBarrier Tape TOP BOT TsN p 6 → 80.1 φ x 60 USTC44Solenoid winding−−−Insulation: Polyester Tape t = 0.025 mm, 2 LayersN A4→30.2 φ2 3 mm 3 mm1 Insulation: Polyester Tape t = 0.025 mm, 2 LayersN B1→20.2 φ6 3 mm 3 mm1 Insulation: Polyester Tape t = 0.025 mm, 2 LayersCopper Tape→5Copper19 mm−−−Insulation: Polyester Tape t = 0.025 mm, 2 LayersPin Spec.Remark Inductance 6 − 8230 m H100 kHz, 1 VSRV5018EVFigure 8. Transformer Dimension and Shapes (LLC)Table 4. TRANSFORMER SPECIFICATION (LLC)Pin(Start " Finish)Wire Turns Winding MethodBarrier Tape TOP BOT TsN p1→20.1 φ x 60 USTC28Solenoid winding−−−Insulation: Polyester Tape t = 0.025 mm, 2 LayersN s4→712→150.10 φ x 150 USTC3Bifilar−−−Insulation: Polyester Tape t = 0.025 mm, 2 LayersN s6→914→170.10 φ x 150 USTC3Bifilar−−−Insulation: Polyester Tape t = 0.025 mm, 2 LayersPin Spec.Remark Inductance Lm 1 − 2 (other pin open)330 m H100 kHz, 1 VInductance Llkg 1 − 2 (secondary side pins allshort))58 m H100 kHz, 1 VFigure 9. Transformer Dimension and Shapes (Fly−back) Table 5. TRANSFORMER SPECIFICATION (FLY−BACK)Pin(Start " Finish)Wire Turns Winding MethodBarrier Tape TOP BOT TsN p1→ 40.2 φ48Solenoid winding−−−Insulation: Polyester Tape t = 0.025 mm, 2 LayersN A3→20.2 φ6 2 mm 2 mm1 Insulation: Polyester Tape t = 0.025 mm, 2 LayersN S5→80.2 φ7 2 mm 2 mm1 Insulation: Polyester Tape t = 0.025 mm, 2 LayersPin Spec.Remark Inductance 1 − 4 1.2 mH100 kHz, 1 VFigure 10. Transformer Dimension and Shapes (Current Sensing Transformer) Table 6. TRANSFORMER SPECIFICATION (CURRENT SENSING TRANSFORMER)Pin (S " F)Wire Turns Winding MethodBarrier Tape TOP BOT TsN s8→50.15 φ44Solenoid 1.5 1.53 Insulation: Polyester Tape t, 3 LayersN p1→ 40.6 φ1Solenoid 1.5 1.51 Insulation: Polyester Tape t, 3 LayersPin Spec.Remark Inductance8 − 5−100 kHz, 1 VFigure 11. Transformer Dimension and Shapes (Pulse Transformer) Table 7. TRANSFORMER SPECIFICATION (PULSE TRANSFORMER)Pin (S " F)Wire Turns Winding MethodBarrier Tape TOP BOT TsN p1→ 40.15 φ50Solenoid000 Insulation: Polyester Tape t, 3 LayersN s5→80.15 φ50Solenoid 1.5 1.53 Insulation: Polyester Tape t, 3 LayersPin Spec.Remark Inductance 1 − 4, 5 − 8 2 mH100 kHz, 1 VSTART UP PFC STAGEFigure 12 show that the NCP1616 start up waveforms by high voltage start up circuit. The output voltage reflects rectifiered voltage around 150 V by bridge diodes until the V CC voltage reaches start up threshold 17 V . Once V CC is charged to the start up threshold voltage, the HV start upregulator is disabled and the controller is enabled. After PFC start up switching by Dynamic Self Supply of NCP1616,V CC bias comes from the auxiliary winding of PFC transformer. After then PFC stage operating by Vcc supply of PFC transformer auxiliary winding and the PFC output voltage regulated target voltage.Figure 12. PFC Stage Start Up Waveforms(CH1: HV , CH2: V CC , CH3: V DRV , CH4: PFC output )START UP FLY −BACK STAGEWhen the power supply is first powered from the Drain pin, the internal current source is biased and charges up the Vcc capacitor. Once the voltage on this Vcc reaches the Vcc on level, the current source turns off and pulses are delivered by the output stage. And then auxiliary Vcc winding supply to the Vcc. But the PFC output detection circuit is include forstable start up LLC stage. When the Vcc voltage reaches turn on threshold level, PFC output detection circuit pull down the FB pin voltage til the output voltage reaches around 370V . During this time, NCP1072 is not transfer to the output.After then the PFC output voltage over than around 370 V ,Fly −back start up and supply Vcc voltage for LLC stage.Figure 13. Flyback Stage Start Up Waveforms(CH1: V CC , CH2: V FB , CH3: V DRAIN , CH4: Output Voltage )START UP LLC STAGEThe NCP4390 located in the secondary side and the supply voltage is charged by the NCP1072. To prevent OCP at start up condition, the V CC voltage should be supply after the PFC output voltage reaches around target level. As youcan see the below waveforms, V CC voltage supply to the LLC stage after the PCB voltage reaches around target level.When the V CC voltage reaches turn on threshold level,NCP4390 start up switching and the LLC output start with Soft Start function.Figure 14. LLC Stage Start Up Waveforms(CH1: V CC , CH2: V PROUT2, CH3: LLC Output , CH4: PFC Output )START UP SR STAGEThe NCP4390 integrated in SR driver with LLC controller and directly driving SR MOSFET in secondary side. During no load or light load condition, NCP4390 is not generate SR gate signal. When the output load increased, the CurrentSensing Transformer reflect a primary side average current information to Vics pin. When the Vics pin peak voltage reaches threshold level around 0.2 V , NCP4390 generate SR gate signal as like below waveforms.Figure 15. SR Stage Start Up Waveforms(CH1: V CC , CH2: V ICS , CH3: SROUT1, CH4: Output Voltage )CURRENT CONTROLLED FREQUENCY FOLDBACKThe NCP1616 PFC controller achieves power factor correction using the novel Current Controlled Frequency Foldback (CCFF) topology. In this mode, the circuit operates in classical Critical Conduction Mode (CrM) with ZCD when the inductor current exceeds a programmable value. When the current falls below this preset level, the NCP1616 linearly reduces the operating frequency down to a minimum of about 26 kHz when input current reaches zero.Figure 16. Critical Conduction Mode OperationFigure 17. Current Controlled Frequency Foldback Operation (CH2: V DS, CH3: DRV, CH4: Input Current)PWM OPERATION AT LIGHT LOAD CONDITIONThe conventional PFM control method at the light load condition, it has a poor efficiency due to the high frequency operation and the large circulating primary side current. To improve the light load efficiency, NCP4390 employs PFM operation at light load condition. In the PWM control, the switching frequency is fixed by the clamped internal COMP voltage and the duty cycle is determined by the difference between COMP voltage and the PWM mode threshold voltage. The PWM operation threshold can be programmed between 1.5 V and 1.9 V using a resistor on the PWM pin.Figure 18. PWM Control Operation Waveforms(CH1: PROUT1, CH2: PROUT2, CH3: V COMP, CH4: Output Voltage)LLC OPERATIONBelow waveform is normal operation mode of LLC inheavy load condition. The LLC operated in above resonancearea.Figure 19. LLC Operation Waveforms(CH1: PROUT1, CH2: PROUT2, CH4: Primary Current)SYNCHRONOUS RECTIFICATION CONTROL AND NORMAL OPERATIONThe NCP4390 controls the SR MOSFET using the dv/dt of SR MOSFET drain voltage. Before SR gate is turned on,SR body diode conducts as the conventional diode rectifier.When the Vics peak voltage reaches threshold level around 0.2 V , NCP4390 generate the SR gate signal. At this time, toguarantee stable SR operation during light load operation,the NCP4390 operate in Shrink mode. During this time, the SR dead time is increased resulting in SR gate shink. And then, the SR dead time is reduced to the programmed value when Vics peak value rises about 0.25 V .Figure 20. SR Operation at Light Load ConditionFigure 21. SR Gate Operation at Light Load Condition(CH1: SROUT1, CH2: SROUT2, CH3: V ICS , CH4: SR1DS )(CH1: SROUT1, CH2: SROUT2, CH3: V ICS , CH4: SR1DS )Figure 22. SR Gate Operation at Middle Load ConditionFigure 23. SR Gate Operation at Heavy Load Condition(CH1: SROUT1, CH2: SROUT2, CH3: V ICS , CH4: SR1DS )(CH1: SROUT1, CH2: SROUT2, CH3: V ICS , CH4: SR1DS )SYSTEM EFFICIENCY & PFFigure 24 presents the system efficiency of the EVB with various input voltage. The EVB demonstrated that the 288W power application can approach 95% peak system efficiency at high line. Also the PF is over 0.96 at wide input range.Figure 24. System Efficiency by the Input VoltageTable 8. MEASURING RESULTS OF EFFICIENCY & PFVac90110130150170190220240264 Efficiency91.52%92.74%93.70%94.20%94.57%94.82%95.04%95.21%95.38% PF99.60%99.50%99.20%98.80%98.70%98.60%98.50%98.00%96.60%Figure 25 and Figure 26 show system efficiency & PF bythe output load condition, respectively.Figure 25. Comparison Efficiency by the Low and High LineTable 9. MEASURING RESULTS OF EFFICIENCY BY LOAD CONDITIONOutput Current 1 A 2 A 3 A 4 A 5 A 6 A Efficiency @ 110 Vac80.27%87.65%89.73%91.31%92.14%92.67% Efficiency @ 220 Vac78.45%88.77%91.72%92.88%93.11%93.57% Output Current7 A8 A9 A10 A11 A12 A Efficiency @ 110 Vac92.91%93.01%93.01%92.99%93.15%92.82% Efficiency @ 220 Vac94.02%94.34%94.55%94.59%94.73%94.93%Figure 26. Comparison PF by the Low and High LineTable 10. MEASURING RESULTS OF PF BY LOAD CONDITIONOutput Current 1 A 2 A 3 A 4 A 5 A 6 A PF @ 110 Vac92.2%98.2%98.6%98.8%98.9%99.1% PF @ 220 Vac63.9%85.0%89.6%93.0%95.0%96.5% Output Current7 A8 A9 A10 A11 A12 A PF @ 110 Vac99.2%99.3%99.4%99.4%99.5%99.5%PF @ 220 Vac97.2%97.6%97.9%98.1%98.3%98.4%CONDUCTED EMISSIONThe following figures illustrate conducted EMI signaturesunder full loading for different input line voltage levels.Figure 27. EMI Result both 110 VAC and 220 VAC & Full−LoadADDITIONAL INFORMATIONTECHNICAL PUBLICATIONS :Technical Library: /design/resources/technical−documentation onsemi Website: ONLINE SUPPORT : /supportFor additional information, please contact your local Sales Representative at /support/sales。
纯正弦波逆变器H桥专用驱动板使用简介
纯正弦波逆变器H桥专用驱动板使用简介一、主控板V1.2版图片：功能选择区2二、纯正弦波逆变器H桥专用驱动板功能说明：1、采用高性能32位单片机，输出波形精度高，稳压性能好，各种保护功能。
2、5V 、+15V电源供电3、引脚设置50Hz纯正弦波固定频率 60Hz纯正弦波固定频率4、双极性调制方式。
5、自带死区控制，引脚设置4种死区时间： 500nS死区时间 1uS死区时间 1.5uS死区时间 2.0uS死区时间可通过跳线选择，通过上位机软件可以设置最大为3uS。
6、 PWM载波频率20K、25K可选，频率越高，波形越好，但是相对来说开关损耗也越大，这个根据需要可以通过跳线选择。
7、H桥驱动芯片为IR2113S，600V 2A，比2110耐压高，耐冲击。
8、电压反馈为真有效值采样，不论任何负载，电压的稳定度均在+-2%内。
9、输出电压过压、欠压保护可用跳线选择开启或关闭。
方便初期调试，调试完工后再打开此功能即可。
10、软启动可用跳线选择开启和关闭。
12、无负载自动休眠功能，可以通过跳线选择开启和关闭。
13、所有保护停机，自动重启动能，可以通过跳线选择开启和关闭。
14、可长期短路，短路取消后在5秒内电压自动恢复。
15、独立的电压调整模拟量输入，实现输出电压真正的从0V起调。
15、与上位机软件配合，所有用户参数和设置，都可以随意修改，更改后会自动保存，下次启动会以上次设置参数运行。
三：驱动板指示灯接口及控制接口说明：J15为与功率板对接接口：PIN1：CUR_I ，为霍尔电流传感器输入。
PIN2：VOLT_ADJ ，输出电压调整电位器输入，交流输出的电压随输入电压的变化而变化，可以控制输出电压从0V 起调。
PIN 3：+5V 电源。
PIN 4：GND ，电源地。
PIN 5：VFB2，交流电压采样二。
PIN 6：TFB ，温度传感器输入（10K 负温度系数热敏电阻）PIN 7：VFB ，交流电压采样一。
PIN 8：FAN_OUT ，风扇自动控制输出。
IPM功率板说明书
2． IPM 供电电压：+15V（±1.5V）.
电话：021-64764189 传真：021-64764189 联系人：蒋梅
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3． 内部IGBT 打开方式（SPWM 输入）：低电平打开，高电平关闭。 4． SPWM 频率：最高不超过8KHZ。 5． 死区时间：≥3µS。 6． 额定电流：20A@Tj=25℃@PM20CTM060 。 7． 绝缘耐压：2500V@60HZ，1 分钟。 8． IGBT 开关时间： a. IGBT 打开时间：0.5-2.0µS;(其中上升沿：0.1µS, 延时：0.2-0.8µS)。 b. IGBT 关断时间：2.5-3.5µS(延时：0.9-2.0µS)。 9. 保护技术参数 a. 过流保护参数：28-34A（条件：-20℃≤TJ≤125℃，供电电压为15V，仅N 侧）。 b. 短路保护参数：51A（条件：-20℃≤TJ≤125℃，供电电压为15V，仅N 侧）。 c. 过温保护参数：基板温度为100-120℃，典型值为90℃（条件：供电电压为15V）。 d. 欠压保护参数：供电电压为11.5V-12.5V，典型值为12.5V（条件：-20℃≤TJ≤125℃， 供电电压为15V， 仅N 侧）。 e. FO（故障输出参数）：有故障时IPM 低电平输出电流为10mA,宽度为1.8mS 的脉冲信号， 在此期间系统 必须做出反应，停机检查，否则循环输出故障信号容易打坏模块。 10.开关电源性能指标： SP81-01 开关电源厚膜电路是专为通用变频调速器而开发的反激式开关电源厚膜电路。在应 用上具有简单 方便的优点，只需增添少量的外围元器件就可构成输出电压可调整的开关电源。 管脚描述 ① 供电电源（最大电压36V），输入 ② PWM 输出（驱动MOSFET） ③ 供电电源地，输入 ④ 振荡频率选择，输入 ⑤ 电流传感，输入 ⑥ 开关电源的输出电压反馈（最大电压48V），输出 ⑦ 输出电压调整端子，输入 ⑧ 电源地，输出 ⑨ 直流母线检测，输入 ⑩ 直流母线检测，输出 适用电压：140-380V 输出容量：+15V 50mA*3
大功率电源板设计注意事项
大功率电源板设计注意事项《来聊聊大功率电源板设计的那些事儿》嘿，朋友们！今天咱来唠唠大功率电源板设计的那些注意事项。
这可不是小事儿，弄不好那可就是一场小“灾难”啊！首先呢，咱得清楚电源板可是整个设备的“心脏”，功率大了那就得更加小心对待。
就好像给大力士设计房子，你不得把结构弄得更结实点呀！散热可是个大问题。
大功率电源板工作起来那热量就跟夏天的太阳似的，热得烫人。
这时候你就得给它找个好的散热途径，不然它一气之下“罢工”了，你可就傻眼啦！就像人热了要吹空调、扇扇子，电源板也得有它的降温秘籍。
还有元件的选择也很关键哟。
别挑那些不靠谱的元件，不然它们关键时刻给你来个“掉链子”，那可就悲剧了。
好比你建房子用了质量差的砖头，那房子能牢固吗？能让你安心住吗？所以啊，咱得瞪大眼挑选那些质量过硬的元件，给咱的电源板打下坚实的基础。
布线也是个技术活，不能随便乱糟糟的。
这就好比城市里的交通规划，你要是乱了套，那肯定得出问题。
合理的布线能让电流顺畅地流淌，就像道路畅通无阻，设备才能愉快地工作。
安全更是不能忽视！大功率电源板就像个小怪兽，一个不小心它可能就“咬”你一口。
一定要做好各种保护措施，让它乖乖地为我们服务，而不是捣乱。
咱设计的时候还得有点远见。
别今天设计好了，明天就发现跟不上需求了，那多尴尬呀！就像你买衣服得买个稍微大一号的，不然明年长胖了穿不下可咋办。
总之呢，设计大功率电源板就跟养孩子似的，得细心、耐心，还得有智慧。
每一个环节都不能马虎，不然最后哭都没地方哭去。
希望大家都能设计出优秀的大功率电源板，让我们的设备都能稳定可靠地工作，为我们创造更多的价值！加油吧，设计师们！。
逆变器功率板作用
逆变器功率板作用逆变器功率板是逆变器的核心部件之一，其作用是将直流电能转换为交流电能。
逆变器功率板通常由多个功率半导体器件组成，通过控制器的控制，将直流电源的输入转换为交流输出电源，以满足各种电子设备的供电需求。
逆变器功率板的主要作用可以总结为以下几点：1. 实现直流到交流的转换：逆变器功率板能够将直流电能转换为交流电能，使得直流电源可以为交流电设备提供电力。
这对于许多电子设备，如家用电器、电动车等来说是非常重要的。
2. 提供电源稳定性：逆变器功率板具有电源稳定性的特点，能够保证输出的交流电能稳定，不受输入直流电源波动的影响。
这对于一些对电源要求较高的设备，如医疗设备、通信设备等来说尤为重要。
3. 调整电压和频率：逆变器功率板不仅可以将直流电转换为交流电，还可以通过控制器的调节，实现对输出电压和频率的调整。
这使得逆变器功率板可以适应不同设备的电源需求，提高设备的兼容性和适用性。
4. 提供保护功能：逆变器功率板通常具有过流、过压、过温等保护功能，能够及时检测到电路异常情况并采取相应的保护措施，确保设备的安全运行。
这对于一些对电源要求较高或者工作环境较恶劣的设备来说尤为重要。
5. 提高能源利用率：逆变器功率板能够将直流电能转换为交流电能，从而提高能源的利用效率。
逆变器功率板的使用可以减少能源的浪费，降低对环境的影响，符合可持续发展的要求。
逆变器功率板作为逆变器的重要组成部分，具有将直流电能转换为交流电能的功能，提供稳定的电源输出，调整电压和频率，提供保护功能，提高能源利用率等作用。
逆变器功率板的性能和质量直接影响着逆变器的整体性能，对于各种电子设备的正常运行和稳定供电至关重要。
随着技术的不断发展，逆变器功率板的性能和功能也在不断提升，为各种电子设备的发展和创新提供了有力支持。
不同功率单晶硅光伏板尺寸
不同功率单晶硅光伏板尺寸1. 小功率单晶硅光伏板尺寸小功率的单晶硅光伏板尺寸一般较小，常见的尺寸为约100mm×100mm或更小。
这种尺寸的光伏板功率较低，适用于一些小型应用，如计算器、手表等。
由于尺寸小，这种光伏板可以方便地嵌入到各种小型电子设备中，为其提供独立的电源。
2. 中功率单晶硅光伏板尺寸中功率的单晶硅光伏板尺寸一般在几十厘米到一米左右。
这种尺寸的光伏板功率适中，广泛应用于家庭光伏发电系统、农业光伏发电系统以及一些小型商业光伏发电系统。
其尺寸适中，可以方便地安装在屋顶、地面或其他合适的位置上，为家庭或农业提供清洁能源。
3. 大功率单晶硅光伏板尺寸大功率的单晶硅光伏板尺寸一般在几米到十数米之间。
这种尺寸的光伏板功率较大，常用于大型商业光伏发电系统、工业光伏发电系统以及一些大型电站。
由于尺寸较大，这种光伏板需要更大的安装空间，一般安装在大面积的屋顶或地面上，为工业和电力系统提供可靠的电力供应。
4. 超大功率单晶硅光伏板尺寸随着科技的进步，单晶硅光伏板的功率不断提升，出现了一些超大功率的单晶硅光伏板。
这种光伏板的尺寸可达到十几米甚至更大，功率更是高达数十千瓦甚至更多。
这种尺寸的光伏板常用于大型光伏电站、光伏农业园等大规模光伏发电项目。
超大功率的光伏板不仅需要更大的安装空间，还需要更强的支撑结构和更复杂的电力管理系统。
总结起来，不同功率的单晶硅光伏板尺寸各有特点。
小功率光伏板尺寸小巧，适用于小型应用；中功率光伏板尺寸适中，适用于家庭和农业；大功率光伏板尺寸较大，适用于商业和工业；而超大功率光伏板尺寸巨大，适用于大型光伏发电项目。
随着技术的不断发展，单晶硅光伏板的尺寸和功率还将不断提升，为清洁能源的应用提供更多可能性。