华工模拟电子技术随堂练习资料

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华南理工大学 电工与电子技术 随堂练习及参考答案

华南理工大学 电工与电子技术 随堂练习及参考答案

第1章电路的基本概念与基本定律??1.(单选题)? 如图所示电路中,电流实际方向为__A___。

A. e流向d B. d流向e C. 无法确定?2.(单选题)? 如图所示电路中,电流实际方向是由d流向e,大小为4A,电流I数值为__ C____。

A. 4A???????? B. 0A???????? C. ―4A?3.(单选题)? 电流与电压为关联参考方向是指??A????。

A. 电流参考方向与电压降参考方向一致B. 电流参考方向与电压升参考方向一致C. 电流实际方向与电压升实际方向一致D. 电流实际方向与电压降实际方向一致4.(单选题) 下面说法正确的是C。

A.电压源与电流源在电路中都是供能的。

B. 电压源提供能量,电流源吸取能量。

C. 电压源与电流源有时是耗能元件,有时是供能元件。

D. 以上说法都不正确。

5.(单选题) 计算元件功率时应注意和的正方向,当和的正方向一致时,计算公式=,当和的正方向相反时,计算公式=-,计算结果若>0表示元件(吸收)功率,表明此元件起(负载)作用。

CA. 吸收,电源B. 发出,电源C. 吸收,负载D. 发出,负载6.(单选题) 额定值为110V,60W的一个白炽灯和额定值为110V,40W的一个白炽灯串联后接到220V的电源上,后果是(B)的白炽灯烧坏。

A. 40WB. 60WC. 40W和60W7.(单选题) 如图所示电路中,供出功率的电源是(A )。

A. 理想电压源B. 理想电流源C. 理想电压源与理想电流源8.(单选题) 如图所示电路,电压源和电流源释放的功率分别为( B )A. 12W,-4WB.–12W,4WC. 12W,4WD.–12W,-4W9.(单选题) 电源电动势为3V,内电阻为0.3Ω,当外电路断开时,电路中的电流和电源端电压分为 A 。

A. 0A,3VB. 3A,1VC. 0A,0V10.(单选题) 电源电动势为3V,内电阻为0.3Ω,当外电路短路时,电路中的电流和电源端电压分为D。

华工教育2020年《模拟电子技术》随堂练习参考答案

华工教育2020年《模拟电子技术》随堂练习参考答案

《模拟电子技术》随堂练习参考答案1.(单选题) N型半导体的多数载流子是电子,因此它应( )。

A.带负电B.带正电C.不带电答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:C问题解析:2.(单选题) 将PN结加适当的反向电压,则空间电荷区将( )。

A.变窄B.变宽C.不变答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:B问题解析:3.(单选题) 二极管的死区电压随环境温度的升高而( )。

A.增大B.不变C.减小答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:C问题解析:4.(单选题) 电路如图所示,设全部二极管均为理想元件,当输入电压ui=10sintV时,输出电压最大值为10V 的电路是( )。

答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:C问题解析:5.(单选题) 电路如图所示,D1,D2均为理想二极管,设U1=10V,ui=40sinωtV,则输出电压uO应为( )。

A.最大值为40V,最小值为0VB.最大值为40V,最小值为+10VC.最大值为10V,最小值为-40VD.最大值为10V,最小值为0V答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:D问题解析:6.(单选题)稳压管的动态电阻rZ是指( )。

A.稳定电压与相应电流IZ之比B.稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZ的比值C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:B问题解析:7.(单选题) 在放大电路中的晶体管,其电位最高的一个电极是( )。

A.PNP管的集电极B.PNP管的发射极C.NPN管的发射极D.NPN管的基极答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:B问题解析:8.(单选题) 已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V,VB=-1.4V,VC=5V,则该管类型为( )。

A.NPN型锗管B.PNP型锗管C.NPN型硅管D.PNP型硅管答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:A问题解析:1.(单选题) 如果改变晶体管基极电压的极性,使发射结由正偏导通改为反偏,则集电极电流( )。

2020年华南理工模拟电子技术基础随堂练习

2020年华南理工模拟电子技术基础随堂练习

参考答案:A. B. C. D. 参考答案:A. B. C. D. 参考答案:参考答案:A. B. C. D. 参考答案:参考答案:A. B. C. D.参考答案:9.(单选题)9. 二极管电路如图1-1所示,二极管D1、D2为理想二极管,判断图中二极管工作状态()。

A. D1和D2都导通B. D1和D2都截止C. D1导通,D2截止D. D1截止,D2导通答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:C问题解析:10.(单选题)10. 二极管电路如图1-2所示,二极管为硅二极管,二极管的工作状态是()。

A. 正向导通B.反向截止C. 反向击穿D.电流为零答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:A问题解析:A. 电流正常B.电流过大使管子烧坏C. 反向击穿D.电流为零答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:B问题解析:12.(单选题)12. 电路如图1-4所示,二极管是硅管,死区电压是0.7V,电路中的U0值是()。

A. 20.7VB.19.3VC. 10VD. -10.7V答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:D问题解析:13.(单选题)13.电路如图1-5所示,二极管导通电压UD约为0.7V。

当开关S断开时输出电压UO数值是( )。

A. 18VB. 6.7VC. 6VD. 5.3V答题: A. B. C. D. (已提交)14.(单选题)14.电路如图1-6所示,二极管导通电压UD约为0.7V。

当开关S闭合时输出电压UO数值是( )。

A. 18VB. 12VC. 6.7VD. 5.3V答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:B问题解析:15.(单选题)15.电路如图1-7所示,设二极管均为理想元件,当输入电压时,输出电压最大值是( )。

A. 15VB.10VC. 5VD. -5V答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:C问题解析:16.(单选题)答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:C问题解析:参考答案:A. B. C. D.参考答案:答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:D问题解析:20.(单选题)20.电路如图1-10所示,其中限流电阻R=2KΩ,硅稳压管DZ1、DZ2的稳定电压UZ1、UZ2分别为6V和8V,正向压降为0.7V,动态电阻可以忽略。

(完整版)华工电力电子随堂练习题库

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第一章电力二极管和晶闸管一、单选题1.晶闸管内部有()PN结A.一个B.二个C.三个D.四个【答案:C】2. 晶闸管两端并联一个RC电路的作用是(C )A.分流B.降压C.过电压保护D.过电流保护【答案:C】3. 普通晶闸管的通态电流(额定电流)是用电流的()来表示的A.有效值B.最大值C.平均值D.瞬时值【答案:C】4. 晶闸管在电路中的门极正向偏压()愈好A.愈大B.愈小C.不变D.0【答案:B】二、判断题1.晶闸管串联使用时,必须注意均流问题。

()【答案:×】2.给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。

()【答案:×】3. 两个以上晶闸管串联使用,是为了解决自身额定电压偏低,不能胜任电路电压要求,而采取的一种解决方法,但必须采取均压措施。

()【答案:√】4. 触发普通晶闸管的触发脉冲,也能触发可关断晶闸管。

()【答案:×】5. 普通晶闸管外部有三个电极,分别是基极、发射极和集电极。

()【答案:×】6. 只要让加在晶闸管两端的电压减小为零,晶闸管就会关断。

()【答案:×】7. 只要给门极加上触发电压,晶闸管就导通。

()【答案:×】第二章单相可控整流电路一、单选题1.单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差()度A.180°B.60°C.360°D.120°【答案:A】2. 单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角α的最大移相范围是( )A.90°B.120° C.150°D.180°【答案:D】3. 晶闸管可控整流电路中的控制角α减小,则输出的电压平均值会()。

A.不变,B.增大,C.减小。

【答案:B】4. 单相半波可控整流电路输出直流电压的最大平均值等于整流前交流电压的()倍。

A.1,B.0.5,C.0.45,D.0.9.【答案:C 】5. 单相桥式全控整流电路输出直流电压的最大平均值等于整流前交流电压的()倍。

华工网络教育模拟电子随堂练习和答案

华工网络教育模拟电子随堂练习和答案

第1章常用半导体器件A. B. D.参考答案:CA. B. C. D.参考答案:BA. B. D.参考答案:Cui=10sin tVA. B. C. D.参考答案:CA. B. D.参考答案:D稳定电压与相应电流稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZA. B. C. D.参考答案:BA. B. D.参考答案:BA. B. D.参考答案:AA. B. D. 参考答案:BA. B. C. D. 参考答案:C是指A. B. D. 参考答案:BA. B.C.A. B. C. D.A. B. D.参考答案:BA. B. C. D.参考答案:B约A. B. D. 参考答案:CA. B. C. D. 参考答案:AA. B. D. 参考答案:BA. B. D. 参考答案:C.A. B. D. 参考答案:AA.6VB.0VC.0.6VD.5.3VA. B. C. D. 参考答案:AA. B. D.参考答案:CA. B. C. D.参考答案:A确定电压放大倍数A. B. D.参考答案:C管子的值太小电路电源电压太高偏置电阻太小偏置电阻太大A. B. C. D. 参考答案:CA. B. D. 参考答案:CA. B. C. D. 参考答案:AA. B. D.参考答案:AA. B. D.参考答案:BA. B. D.参考答案:B第二级的基极电流随之而改变(..)第二级的静态电流不改变但要改变A. B. C. D.参考答案:BA. B. C. D. 参考答案:CA. B. D. 参考答案:AA. B. C. D. 参考答案:AA. B. D. 参考答案:BA. B. C. D.参考答案:DA. B. D.参考答案:BA. B. C. D.参考答案:AA. B. D.参考答案:CA. B. C. D.参考答案:D.时的输出电压A. B. D.参考答案:DA. B. D. 参考答案:CA. B. D. 参考答案:AA. B. D. 参考答案:AA. B. D. 参考答案:BA. B. C. D. 参考答案:CA. B. D. 参考答案:BA. B. D. 参考答案:CA. B. D. 参考答案:BA. B. D. 参考答案:CB.A. B. D.参考答案:C若将源极旁路电容去掉A. B. C. D.参考答案:B约几十微法大于 C.小得多A. B. D.参考答案:C等于A. C.A. B. D. 参考答案:AA. B. D. 参考答案:BA. B. C. D. 参考答案:AA. B. D. 参考答案:AA. B. D. 参考答案:CA. B. D. 参考答案:AA. B. C. D. 参考答案:BA. B. D. 参考答案:CA. B. C. D.参考答案:C.A. B. C.A. B. D.参考答案:D一个正弦波振荡器的开环电压放大倍数为.A. B. C.A. B. C. D.参考答案:C反馈电压反馈电压反馈电压A. B. D.参考答案:C一个正弦波振荡器的反馈系数.开环电压放大倍数必须等于A. B. C.A. B. C. D.参考答案:C答题: A. B. C. D.A. B. D.参考答案:BA. B. C. D.参考答案:CA. B. D.参考答案:AA. B. C. D.参考答案:B..消耗的功率为A. D.A. B. D.参考答案:BA. B. C. D.A. B. D. 参考答案:CA. B. C. D. 参考答案:CA. B. D.参考答案:A.弦信号A. B. D.参考答案:AA. B. D.参考答案:CA. B. C. D.参考答案:CA. B. D.参考答案:CA. B. C. D.参考答案:A≤0.2sin出A.12sin V C.A. B. D.参考答案:CA. B. C. D.A. B. C. D.参考答案:B静态时电容两端的电压等于A. B. C. D.A. B. C. D.参考答案:BA. B. D.参考答案:B设变压器副边电压有效值为.输出电流平均值为。

华工网院电力电子技术随堂练习

华工网院电力电子技术随堂练习

第一章电力二极管和晶()参考答案:×9.电容滤波的三相桥式不可控整流电路,串联滤波电感,其功率因数的特点为()A、与单相桥式不可控整流电路相比,功率因数越1B、比单相桥式不可控整流电路的功率因数低C、负载越重,功率因数越小D、滤波电感越大,功率因数越小参考答案:A10.带平衡电抗器的双反星型可控整流电路适用于()负载。

A、大电流B、高电压C、电动机D、小电流参考答案:A12.电容滤波的三相不可控整流电路,负载越重,输出电压平均值越小。

参考答案:√13.电容滤波的单相不可控整流电路,负载越重,功率因数越低。

()参考答案:×14.电容滤波的三相不可控整流电路,负载越重,谐波越小。

参考答案:√15.电容滤波的单相不可控整流电路中,电阻负载的电阻值越小,输出电压平均值越接近 ( ) ,为输入电压有效值。

A. B.C.0.9D.参考答案:C16.电容滤波的单相不可控整流电路中,空载时,输出电压平均值等于 ( ) ,为输入电压有效值。

A.1.2B.C.0.9D.参考答案:B17.电容滤波的三相不可控整流电路中,空载时,输出电压平均值等于 ( ) ,为输入电压有效值。

A.2.45B.C.0.9D.参考答案:A18.电容滤波的三相不可控整流电路中,随着负载加重,输出电压平均值越接近 ( ) ,为输入电压有效值。

A.2.45B.C.2.34D.参考答案:C19.电容滤波的三相不可控整流电路中,负载为纯电阻,输出电压平均值在( ) 内变化,为输入电压有效值。

A.(2.34~2.45)B.C.(0~2.45)D.参考答案:A20.电容滤波的单相桥式不可控整流电路,串联滤波电感,其交流侧谐波组成有哪些规律()。

A.谐波次数为奇数B.谐波次数为偶数C.谐波次数越高,谐波幅值越大D.越大,谐波越大参考答案:A21.电容滤波的三相桥式不可控整流电路,串联滤波电感,其交流侧谐波组成有哪些规律()。

A、负载越轻,谐波越小B、谐波次数为偶数C、谐波次数越高,谐波幅值越小D、越大,谐波越大参考答案:C22.电容滤波的单相不可控整流电路,时,输出电压平均值等于1.2倍输入电压有效值。

华工电路与电子技术_随堂练习-精选.pdf

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D. (已提交)
参考答案: C 问题解析:
3.(单选题 ) 如图所示电路,电流
A. ? 2A B. 4A C. ? 4A D. 2A
为( )。
答题:
A.
B.
C.
D. (已提交)
参考答案: C 问题解析: 4.(单选题 ) 应用叠加定理时,理想电压源不作用时视为(
A. 短路 B. 开路 C. 电阻 D. 理想电压源
)。
答题:
A.
B.
C.
D. (已提交)
参考答案: B 问题解析: 5.(单选题 ) 如图所示电路中,电压 A. 2V B. 3V C. 1V D.4V
UAB 的值为( )。
答题:
A.
B.
C.
D. (已提交)
参考答案: B 问题解析:
6.(单选题 ) 理想电压源,内阻
=( ),理想电流源,内阻
A. 0 , 0 B. ∞, ∞ C. 0, ∞ D. ∞, 0
答题:
A.
B.
C.
D. (已提交)
参考答案: A
)。
问题解析: 5.(单选题 ) 应用叠加定理时,理想电流源不作用时视为
A. 短路 B. 开路 C. 电阻 D. 理想电流源
答题:
A.
B.
C.
D. (已提交)
参考答案: B 问题解析:
( )。
第 3 章 一阶电路的暂态分析
1.(单选题 ) 如图所示电路,开关 A. 0V B. 3V C. 6V D. ? 6V选题 ) 计算元件功率时应注意
和 的正方向, 当 和 的正方向一致时, 计算公式 =
,当 和 的正方向相反时,计算公式
=-
,计算结果若

华工电路与电子技术随堂练习答案

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第1章电路的基本概念与基本定律本次练习有23题,你已做22题,已提交22题,其中答对11题。

当前页有10题,你已做10题,已提交10题,其中答对5题。

1. 如图所示电路中,电流实际方向为_____。

A. e流向d B. d流向e C. 无法确定参考答案:A问题解析:2. 如图所示电路中,电流实际方向是由d流向e,大小为4A,电流I数值为______。

A.4A B. 0A C. ―4A参考答案:C问题解析:3. 电流与电压为关联参考方向是指。

A.电流参考方向与电压降参考方向一致B.电流参考方向与电压升参考方向一致C.电流实际方向与电压升实际方向一致D.电流实际方向与电压降实际方向一致参考答案:A问题解析:4. 下面说法正确的是。

A.电压源与电流源在电路中都是供能的。

B.电压源提供能量,电流源吸取能量。

C.电压源与电流源有时是耗能元件,有时是供能元件。

D.以上说法都不正确。

参考答案:C问题解析:5. 计算元件功率时应注意和的正方向,当和的正方向一致时,计算公式=,当和的正方向相反时,计算公式=-,计算结果若>0表示元件()功率,表明此元件起()作用。

A. 吸收,电源 B. 发出,电源 C. 吸收,负载 D. 发出,负载参考答案:C问题解析:6. 额定值为110V,60W的一个白炽灯和额定值为110V,40W的一个白炽灯串联后接到220V的电源上,后果是()的白炽灯烧坏。

A.40WB.60WC.40W和60W参考答案:B问题解析:7. 如图所示电路中,供出功率的电源是()。

A. 理想电压源 B. 理想电流源 C.理想电压源与理想电流源参考答案:A问题解析:8. 如图所示电路,电压源和电流源释放的功率分别为()A. 12W,-4W B.–12W,4WC. 12W,4W D.–12W,-4W参考答案:B问题解析:9. 电源电动势为3V,内电阻为0.3Ω,当外电路断开时,电路中的电流和电源端电压分为。

A.0A,3VB.3A,1VC.0A,0V参考答案:A问题解析:10. 电源电动势为3V,内电阻为0.3Ω,当外电路短路时,电路中的电流和电源端电压分为。

华工模拟电子技术随堂练习

华工模拟电子技术随堂练习

第1章常用半导体器件当前页有8题,你已做8题,已提交8题,其中答对8题。

1. N型半导体的多数载流子是电子,因此它应( )。

A.带负电B.带正电C.不带电参考答案:C2.将PN结加适当的反向电压,则空间电荷区将( )。

A.变窄B.变宽C.不变参考答案:B3.二极管的死区电压随环境温度的升高而( )。

A.增大B.不变C.减小参考答案:C4.电路如图所示,设全部二极管均为理想元件,当输入电压ui=10sin tV时,输出电压最大值为10V的电路是( )。

参考答案:C5.电路如图所示,D1,D2均为理想二极管,设U1=10V,ui=40sinωtV,则输出电压uO应为( )。

A.最大值为40V,最小值为0VB.最大值为40V,最小值为+10VC.最大值为10V,最小值为-40VD.最大值为10V,最小值为0V参考答案:D6.稳压管的动态电阻rZ是指( )。

A.稳定电压与相应电流IZ之比B.稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZ的比值C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值参考答案:B7. 在放大电路中的晶体管,其电位最高的一个电极是( )。

8. 管的集电极管的发射极9.管的发射极管的基极10.参考答案:B8.已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=,VB=,VC=5V,则该管类型为( )。

型锗管型锗管型硅管型硅管参考答案:A第2章基本放大电路当前页有10题,你已做10题,已提交10题,其中答对10题。

3.晶体管的电流放大系数是指( )。

A.工作在饱和区时的电流放大系数B.工作在放大区时的电流放大系数C.工作在截止区时的电流放大系数参考答案:B4.低频小功率晶体管的输入电阻rbe等于( )。

A. B.C.参考答案:B5.某电路如下图所示,晶体管集电极接有电阻RC,根据图中的数据判断该管处在( )。

A.截止状态B.放大状态C.饱和状态参考答案:B6. 某场效应管的漏极特性曲线如图所示,则该场效应管为( )。

华南理工 模拟电子技术基础试卷1

华南理工 模拟电子技术基础试卷1

华南理工模拟电子技术基础试卷1华南理工-模拟电子技术基础试卷1模拟电子技术基础试卷试卷号:b140008学校名称____________(请考生注意:本试卷共页)大问题1分,2分,3分一、选择正确答案填入空内,只需填入a、b、c、d(本大题分6小题,每小题12分,共72分)1.从括号中选择正确答案,并用a、B、C和D填充空格。

在图中所示的电路中,已知二极管的反向击穿电压为100V。

当v=10V,温度为20℃时,I=1μa1.当v增大到20v时,则i约为____。

(a.10μa,b.2μa,c.1μa,d.0.5μa)2。

当v在10V下保持不变,温度上升到30℃时,I约为_。

(a.10μa,b.2μa,c.1μa,d.0.5μa)3.在实际使用中,该二极管的反向工作电压通常不应该超过____。

(a.100v,b.50v,c.10v)里夫德2、从括号中选择合理的参数,用a、b、c?填空。

所示电路中晶体管的数量已知β?100,要求电路具有尽可能大的线性工作范围。

1.当rb?1m?时,rc应选____。

(a.1k?,b.5.1k?,c.10k?,d.100k?)2.什么时候?2k?什么时候,Rb应该选择_;。

(a.10万英镑、b.20万英镑、c.39万英镑、d.1万英镑)+vcc(+12v)rbc1uiuorcc23.正弦波振荡电路如图所示。

试着选择正确答案并填写空白:1。

电路为______;型。

(a.变压器反馈式,b.电感三点式,c.电容三点式)2.反馈信号取自____两端电压。

(A.电容C1,B.电容C2,C.电感L)3。

振荡频率表达式F0?_;。

11cc12πl?12c1?c2)(a.2πl?c1?c2?,b.2πl?c1?c2?,c.4.如果电路不振动,可以两端并联一个大电容器(a.re,b.rb2,c.rb1)+vccc1rb1lc2vtrb2re4、分别指出下列传递函数表达式各表示哪一种滤波电路(a.低通,b.高通,c.带通,d.带阻,e.全通)。

华工模拟电子技术基础平时作业参考解答过程

华工模拟电子技术基础平时作业参考解答过程

华工模拟电子技术基础平时作业参考解答过程一、反馈放大电路作业题1.已知反馈放大电路的放大倍数A=1000,反馈系数β=0.01,求开环增益Af和闭环增益A。

解答过程:首先,我们可以利用反馈放大电路的基本公式:A=Af/(1+Aβ),其中A为闭环增益,Af为开环增益,β为反馈系数。

根据题目给出的已知条件,代入公式进行计算:A=1000/(1+1000*0.01)=1000/(1+10)=1000/11≈90.91所以,闭环增益A约为90.91,开环增益Af为1000。

2. 将一个放大倍数A=1000的反馈放大电路,加上一个带通滤波电路,滤波器增益模为0.1,求该系统的直流增益Adc和交流增益。

解答过程:在这个问题中,我们需要考虑到加入了滤波器增益模为0.1的带通滤波电路,所以我们需要分别计算直流增益Adc和交流增益。

首先,直流增益Adc可以通过将输入信号的频率调整为0,然后计算输出信号和输入信号的比值来求得。

根据题目给出的放大倍数A=1000,Adc = Af * 滤波器增益模 = 1000 * 0.1 = 100。

其次,交流增益可以通过将输入信号的频率调整为一个很小的数(通常为零),然后计算输出信号和输入信号的比值来求得。

根据题目给出的放大倍数A=1000,交流增益等于放大倍数A。

所以,交流增益等于1000。

二、运算放大器作业题1.已知运放电路中的输入电阻为1kΩ,运放电路的放大倍数为1000,输入电压为5mV,求输入电流。

解答过程:首先,根据题目给出的运放电路的输入电阻为1kΩ,我们可以知道输入电流Iin等于输入电压Vin除以输入电阻Rin。

所以,输入电流Iin = Vin / Rin = 5mV / 1kΩ = 5μA。

所以,输入电流为5μA。

解答过程:所以,输出电压为100V。

总结:在模拟电子技术基础课程中,我们学习了反馈放大电路和运算放大器的基本原理和计算方法。

通过解答反馈放大电路和运算放大器的作业题,我们巩固了所学知识,并学会了如何计算闭环增益、开环增益、直流增益、交流增益、输入电流和输出电压等参数。

华工模拟电子专业技术随堂练习

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华工模拟电子技术随堂练习————————————————————————————————作者:————————————————————————————————日期:第1章常用半导体器件当前页有8题,你已做8题,已提交8题,其中答对8题。

1.N型半导体的多数载流子是电子,因此它应( )。

A.带负电B.带正电C.不带电参考答案:C2.将PN结加适当的反向电压,则空间电荷区将( )。

A.变窄B.变宽C.不变参考答案:B3.二极管的死区电压随环境温度的升高而( )。

A.增大B.不变C.减小参考答案:C4.电路如图所示,设全部二极管均为理想元件,当输入电压ui=10sin tV时,输出电压最大值为10V的电路是()。

参考答案:C5.电路如图所示,D1,D2均为理想二极管,设U1=10V,ui=40sinωtV,则输出电压uO应为( )。

A.最大值为40V,最小值为0VB.最大值为40V,最小值为+10VC.最大值为10V,最小值为-40VD.最大值为10V,最小值为0V参考答案:D6.稳压管的动态电阻rZ是指()。

A.稳定电压与相应电流IZ之比B.稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZ的比值C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值参考答案:B7. 在放大电路中的晶体管,其电位最高的一个电极是( )。

A.PNP管的集电极B.PNP管的发射极C.NPN管的发射极D.NPN管的基极8.参考答案:B8.已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V,VB=-1.4V,VC=5V,则该管类型为( )。

A.NPN型锗管B.PNP型锗管C.NPN型硅管D.PNP型硅管参考答案:A第2章基本放大电路当前页有10题,你已做10题,已提交10题,其中答对10题。

1.如果改变晶体管基极电压的极性,使发射结由正偏导通改为反偏,则集电极电流( )。

A.反向B.近似等于零C.不变D.增大参考答案:B2.晶体管处于饱和状态时,集电结和发射结的偏置情况为( )。

模拟电子技术·随堂练习2020春华工答案

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模拟电子技术第1章常用半导体器件1.(单选题) N型半导体的多数载流子是电子,因此它应( )。

A.带负电B.带正电C.不带电答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:C问题解析:2.(单选题) 将PN结加适当的反向电压,则空间电荷区将( )。

A.变窄B.变宽C.不变答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:B问题解析:3.(单选题) 二极管的死区电压随环境温度的升高而( )。

A.增大B.不变C.减小答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:C问题解析:4.(单选题) 电路如图所示,设全部二极管均为理想元件,当输入电压ui=10sin tV时,输出电压最大值为10V的电路是( )。

答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:C问题解析:5.(单选题) 电路如图所示,D1,D2均为理想二极管,设U1=10V,ui=40sinωtV,则输出电压uO应为( )。

A.最大值为40V,最小值为0VB.最大值为40V,最小值为+10VC.最大值为10V,最小值为-40VD.最大值为10V,最小值为0V答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:D问题解析:6.(单选题)稳压管的动态电阻rZ是指( )。

A.稳定电压与相应电流IZ之比B.稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZ的比值C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:B问题解析:7.(单选题) 在放大电路中的晶体管,其电位最高的一个电极是( )。

A.PNP管的集电极B.PNP管的发射极C.NPN管的发射极D.NPN管的基极答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:B问题解析:8.(单选题) 已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V,VB=-1.4V,VC=5V,则该管类型为( )。

A.NPN型锗管B.PNP型锗管C.NPN型硅管D.PNP型硅管答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:A问题解析:第2章基本放大电路1.(单选题) 如果改变晶体管基极电压的极性,使发射结由正偏导通改为反偏,则集电极电流( )。

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第1章常用半导体器件当前页有8题,你已做8题,已提交8题,其中答对8题。

1.N型半导体的多数载流子是电子,因此它应( )。

A.带负电B.带正电C.不带电参考答案:C2.将PN结加适当的反向电压,则空间电荷区将( )。

A.变窄B.变宽C.不变参考答案:B3.二极管的死区电压随环境温度的升高而( )。

A.增大B.不变C.减小参考答案:C4.电路如图所示,设全部二极管均为理想元件,当输入电压ui=10sin tV时,输出电压最大值为10V的电路是()。

参考答案:C5.电路如图所示,D1,D2均为理想二极管,设U1=10V,ui=40sinωtV,则输出电压uO应为( )。

A.最大值为40V,最小值为0VB.最大值为40V,最小值为+10VC.最大值为10V,最小值为-40VD.最大值为10V,最小值为0V参考答案:D6.稳压管的动态电阻rZ是指()。

A.稳定电压与相应电流IZ之比B.稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZ的比值C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值参考答案:B7. 在放大电路中的晶体管,其电位最高的一个电极是( )。

A.PNP管的集电极B.PNP管的发射极C.NPN管的发射极D.NPN管的基极8.参考答案:B8.已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V,VB=-1.4V,VC=5V,则该管类型为( )。

A.NPN型锗管B.PNP型锗管C.NPN型硅管D.PNP型硅管参考答案:A第2章基本放大电路当前页有10题,你已做10题,已提交10题,其中答对10题。

1.如果改变晶体管基极电压的极性,使发射结由正偏导通改为反偏,则集电极电流( )。

A.反向B.近似等于零C.不变D.增大参考答案:B2.晶体管处于饱和状态时,集电结和发射结的偏置情况为( )。

A.发射结反偏,集电结正偏B.发射结、集电结均反偏C.发射结、集电结均正偏D.发射结正偏、集电结反偏参考答案:C3.晶体管的电流放大系数是指()。

A.工作在饱和区时的电流放大系数B.工作在放大区时的电流放大系数C.工作在截止区时的电流放大系数参考答案:B4.低频小功率晶体管的输入电阻rbe等于()。

A. B.C.参考答案:B5.某电路如下图所示,晶体管集电极接有电阻RC,根据图中的数据判断该管处在()。

A.截止状态B.放大状态C.饱和状态参考答案:B6. 某场效应管的漏极特性曲线如图所示,则该场效应管为()。

A.P沟道耗尽型MOS管B.N沟道增强型MOS管C.P沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管参考答案:B7.已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示,则此管子的夹断电压约为()。

A.0VB.+2VC.-2VD.-1V参考答案:C8.已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示,则在UDS=10V,UGS=0V处的跨导gm约为()。

A.1mA./VB.0.5mA./VC.-1mA./VD.-0.5mA./V参考答案:A9.如图示放大电路中接线有错误的元件是()。

A.RLB.RBC.C1D.C2参考答案:B10.放大电路如图所示,由于RB1,和RB2阻值选取得不合适而产生了饱和失真,为了改善失真,正确的做法是()。

A.适当增加RB2,减小RB1B.保持RB1不变,适当增加RB2C.适当增加RB1,减小RB2D.保持RB2不变,适当减小RB1参考答案:C第2章基本放大电路当前页有10题,你已做10题,已提交10题,其中答对10题。

11.图示电路,已知晶体管,,忽略UBE,如要将集电极电流IC调整到1.5mA.,RB应取()。

A.480kWB.120kWC.240kWD.360kW参考答案:A12.电路如图所示,若晶体管的发射结被烧坏而形成开路,那么集电极电位UC应等于()。

A.6VB.0VC.0.6VD.5.3V参考答案:A13.某固定偏置单管放大电路的静态工作点Q如图所示,欲使工作点移至Q'需使()。

A.偏置电阻RB增大B.集电极电阻RC减小C.偏置电阻RB减小参考答案:C14.单管放大电路如图所示,其交直流负载的正确画法是图2中的()。

参考答案:A15.对放大电路进行动态分析的主要任务是()。

A.确定静态工作点QB.确定集电结和发射结的偏置电压C.确定电压放大倍数和输入,输出电阻ri,r0。

参考答案:C16. 某一固定偏置NPN管共射放大电路如图1所示,其输入和输出电压波形如图2所示,造成这种失真的原因是()。

A.管子的值太小B.电路电源电压太高C.偏置电阻太小D.偏置电阻太大参考答案:C17.如图所示的放大电路()。

A.不能稳定静态工作点。

B.能稳定静态工作点,但比无二极管D的电路效果要差。

C.能稳定静态工作点且效果比无二极管D的电路更好参考答案:C18.与共射单管放大电路相比,射极输出器电路的特点是( )。

A.输入电阻高,输出电阻低B.输入电阻低,输出电阻高C.输入,输出电阻都很高D.输入,输出电阻都很低参考答案:A19.27场效应管放大电路如下图所示,该电路的电压放大倍数()。

A.小于但近似等于1B.约几十倍C.为参考答案:A20.某两级阻容耦合共射放大电路,不接第二级时第一级的电压放大倍数为100倍,接上第二级后第一级电压放大倍数降为50倍,第二级的电压放大倍数为50倍,则该电路总电压放大倍数为( )。

A.5000倍B.2500倍C.150倍D. 1000倍参考答案:B第2章基本放大电路当前页有3题,你已做3题,已提交3题,其中答对3题。

21.两级阻容耦合放大电路中,第一级的输出电阻是第二级的( )。

A.输入电阻B.信号源内阻C.负载电阻参考答案:B22.两级阻容耦合放大电路中,若改变第一级静态基极电流IB1,则()。

A.第二级的基极电流随之而改变B.第二级的静态值(,,)均不改变C.第二级的静态电流不改变,但要改变参考答案:B23.直流放大器中的级间耦合通常采用()A.阻容耦合(b)变压器耦合(c)直接耦合(d)电感抽头耦合参考答案:C第3章多级放大电路1.差分放大电路的作用是()A.放大差模信号,抑制共模信号B.放大共模信号,抑制差模信号C.放大差模信号和共模信号D.差模信号和共模信号都不放大参考答案:A2.集成运放输入级一般采用的电路是()。

A.差分放大电路(b)射极输出电路(c)共基极电路(d)电流串联负反馈电路参考答案:A3.集成运放的电压传输特性之中的线性运行部分的斜率愈陡,则表示集成运放的()。

A.闭环放大倍数越大(b)开环放大倍数越大(c)抑制漂移的能力越强(d)对放大倍数没有影响参考答案:B4.若集成运放的最大输出电压幅度为UOM,则在情况下,集成运放的输出电压为-UOM。

A.同相输入信号电压高于反相输入信号B.同相输入信号电压高于反相输入信号,并引入负反馈C.反相输入信号电压高于同相输入信号,并引入负反馈D.反相输入信号电压高于同相输入信号,并开环参考答案:D5.第一空电路的输入阻抗大,第二空电路的输入阻抗小。

第一空选择为()A.反相比例B.同相比例C.基本积分D.基本微分参考答案:B6.第一空电路的输入阻抗大,第二空电路的输入阻抗小。

第二空选择为()A.反相比例B.同相比例C.基本积分D.基本微分参考答案:A7.在第一空电路中,电容接在集成运放的负反馈支路中,而在第二空电路中,电容接在输入端,负反馈元件是电阻。

第一空选择为()A.反相比B.同相比例C.基本积分D.基本微分参考答案:C8.在第一空电路中,电容接在集成运放的负反馈支路中,而在第二空电路中,电容接在输入端,负反馈元件是电阻。

第二空选择为()A.反相比B.同相比例C.基本积分D.基本微分参考答案:D9.某一理想运算放大器开环工作,其所接电源电压为,当输入对地电压>时的输出电压为()。

A.-2UB.-UC.+2UD.+U参考答案:D10.理想运算放大器的共模抑制比为( )。

A.零B.约120dBC.无穷大参考答案:C第3章多级放大电路11.理想运算放大器的开环电压放大倍数是()。

A.无穷大B.零C.约120dB参考答案:A12.理想运算放大器的开环差模输入电阻rid是( )。

A.无穷大B.零C.约几百千欧D.约几十欧姆参考答案:A第4章集成运算放大电路当前页有4题,你已做4题,已提交4题,其中答对4题。

1.电路如下图所示,R1、R2支路引入的反馈为()。

A.串联电压负反馈B.正反馈C.并联电压负反馈参考答案:B2.在运算放大器电路中,引入深度负反馈的目的之一是使运放( )。

A.工作在线性区,降低稳定性B.工作在非线性区,提高稳定性C.工作在线性区,提高稳定性参考答案:C3.放大电路如下图所示,当RF增加时,该电路的通频带()。

A.变宽B.变窄C.不变参考答案:B4.比例运算电路如下图所示,同相端平衡电阻R应等于()。

A.R1B.R1+RFC.R1与RF并联参考答案:C第5章放大电路的频率相应当前页有2题,你已做2题,已提交2题,其中答对1题。

1.比例运算电路如下图所示,该电路的输入电阻为( )。

A.零B.R1C.无穷大参考答案:B2.同相输入的运算放大器电路如下图所示,该电路的输入电阻为()。

A.零B.RC.无穷大参考答案:C第6章放大电路中的反馈当前页有4题,你已做4题,已提交4题,其中答对4题。

1.场效应管放大电路如下图所示,该电路的输入电阻应等于()。

A.无穷大B.C.参考答案:C2.共源场效应管放大电路中,若将源极旁路电容去掉,则该电路的电压放大倍数将()。

A.增大B.减小C.不变参考答案:B3.场效应管放大电路如下图所示,耦合电容约几十微法,则的取值通常()。

A.大于B.等于C.比小得多,约0.01~0.047参考答案:C4.场效应管放大电路如下图所示,该电路的电压放大倍数等于()。

A. B. C.参考答案:A第7章信号的运算和处理当前页有4题,你已做4题,已提交4题,其中答对4题。

1.放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是(第一空),而低频作用时放大倍数数值下降的原因是(第二空)。

第一空选择为:()A.耦合电容和旁路电容的存在B.半导体管级间电容和分布电容的存在C. 半导体管的非线性特性D.放大电路的静态工作点不合适参考答案:B2.放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是(第一空),而低频作用时放大倍数数值下降的原因是(第二空)。

第二空选择为:()A.耦合电容和旁路电容的存在B.半导体管级间电容和分布电容的存在C. 半导体管的非线性特性D.放大电路的静态工作点不合适参考答案:A3.测试放大电路输出电压幅值与相位的变化,可以得到它的频率响应,条件是( )。

A. 输入电压幅值不变,改变频率B. 输入电压频率不变,改变幅值C. 输入电压的幅值与频率同时变化D. 输入电压频率随机改变参考答案:A4.交流负反馈是指( )。

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