英飞凌推出高功率密度和高可靠性的汽车级品质功率模块——EconoDUALTM3

英飞凌IGBT模块安装说明应用笔记

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由于技术要求，组件可能包含有害物质。若需了解相关物质的类型，请联系距离您最近的英飞凌办事处。如果可以合理地预计英飞凌的某个组件可能会导致生命支持设备或系统失效，或者影响该等设备或系统的安全性或有效性，那么在将该等组件用于生命支持设备或系统之前，必须获得英飞凌的明确书面同意。生命支持设备或系统意指用于植入人体内部，或者支持和/或维持、维系和/或保护人类生命的设备或系统。如果这些设备或系统失效，可以合理地假设其用户或其他人的健康将受到威胁。 AN 2006-05 修订记录：2011 年 1 月 31 日 V2.0 先前版本：2006 年 7 月 1 日 V1.0 在上一版本的基础上作出的主要更改：一般修订；采用 PressFIT 技术安装 PCB 电路板：第二章第 5-11 页全部：第二次发布作者：Martin Knecht（IFAG IMM INP MP）

1.2 静电敏感元件的处理
IGBT 模块是静电敏感元件。静电放电（ESD）可能导致这些模块被过早损坏甚至毁坏。为了防止静电放电造成元件毁坏或过早损坏，所交付的元件均采用了适当的静电防护封装，符合公认的 ESD 法规要求。要拆卸静电防护装置，处理未受保护的模块，必须在符合 ESD 法规要求的工作场所中执行。如需了解更多信息，请参考诸如 IEC 61340-5-1 和 ANSI/ESD S2020 等 ESD 安装准则。
图 2： EconoDUAL™ 3 模块上的 PCB 电路板安装支脚（红圈）
-5-
N 2010-03 2009
应用笔记 AN 2006-05 V2.0，2011年1月
取决于所安装的具体 PCB 电路板的厚度和重量，拧入 PCB 电路板安装支脚内的有效螺纹长度应当至少为 lmin 4 毫米，且最长不超过 lmax 10 毫米。

英飞凌的IGBT驱动芯片介绍

电容设定故障消隐时间
EN
VCC HIN1,2,3 VB1,2,3 LIN1,2,3 HO1,2,3 FAULT VS1,2,3 EN 欠压锁定 RRCIN
TO LOAD
外接NTC用于过温 (OT)保护
RCIN ITRIP VSS
LO1,2,3 COM
RNTC
GND
外接取样电阻作短路/过流保护
Page 8
EiceDriver
Page 23
Isoaltion Definitions
Functional Insulation:
VDE 0884-10 Approved UL1577 Pending
Insulation between conductive parts which is necessary only for the proper functioning of the equipment. Basic Insulation: Insulation applied to live parts to provide basic protection against electric shock. Supplementary Insulation: Independent insulation applied in addition to basic insulation, in order to provide protection against shock in the event of a failure of basic insulation. Double Insulation: Insulation comprising both basic insulation and supplementary insulation. Reinforced Insulation: A single Insulation applied to live parts, which provides a degree of protection against electric shock equivalent to double insulation

半导体创新技术在新能源车上的应用 “英飞凌”在上海慕尼黑电子展上的诸多产品

一
放，提高安全性和经济性。其产品１Ｖ，商用车为２Ｖ，而随着新能变器始终采用类似的方式工作，并２４
具体到汽车上的应用包括：汽车动源车上大功率的应用，传统汽车所通过一个集成式Ｐ电路板控制。ＣＢ
力系统（包括发动机和变速器控制需电压下的电子电器设备已经不能逆变器设计需要考虑用于实现开关装置，用于降低燃耗，满足排放要满足。为此，英飞凌在独立于工业损耗的最小化和热效率的最大化。求，还包括适用于各种新兴技术的部门之外专门成立了汽车大功率部逆变器不仅可驱动电机，还可捕获
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ｌ半导体创新技术在新能源车上的应用
“ 英飞凌’在上海慕尼黑电子展上的诸多产品 ’
撰文／玉玲李
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Ｉ了减排和提升燃油效率，半
导体的应用越来越广泛；在电动汽车中，电机取代内燃机成为动力来源，在混合动力汽车中，电机只是
设计更紧凑且经济高效，并大幅度电池充电状态、健康状况和放电等等。面向辅助逆变器的半导体解决降低系统能耗。其ＨｂｉＰＣｙｄＡＫｒ深度，确保延长蓄电池寿命，其系列ｌＴＧＢ，从１ｋ１０Ｗ，可主动电池平衡解决方案使蓄电池方案。按需供电可提高电动汽车ＯＷ～０ｋ０的能效。对于混合动力汽车和电动覆盖从混合动力汽车到纯电动汽车的可用容量至少提高１％。此外，ｔＭＴ，英飞凌推出了汽车而言，以往采用皮带驱动装置的所有功率等级。另外，通过散热立足于ＯｐｉＯＳＭＦＴ器的优化，提高了紧凑型水冷逆变ＭＯＳＥ技术、出色品质的高可靠已实现电气化，通过集成的电源管器设计的功率密度。性封装，ＯｐｉＳＭｔＭＯＴ系列经过精心理系统，来实现按需供电。通过高面向直流／转换器（ＣＤ）设计，可确保在高开关频率下的低压电池供电的典型辅助系统包括空直流Ｄ／Ｃ调、电动助力转向系统、油泵和冷的半导体解决方案。以往，传统交通态电阻。

白金级绿色工业建筑：上海普惠发动机中心

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英飞凌推出62mm CoolSiC^TM模块,为碳化硅开辟新应用领域

企业动态Company News英飞凌推出62mm CoolSiC tm模块，为碳化硅开辟新应用领域2020年7月14H,英飞凌科技股份公司为其1200V CoolSiC™MOSFET模块系列新增了一款62mm 工业标准模块封装产品。

它采用成熟的62mm器件半桥拓扑设计，以及沟槽栅芯片技术，为碳化硅打开了250kW以上（硅IGBT技术在62mm封装的功率密度极限）中等功率应用的大门。

在传统62mm IGBT模块基础上，将碳化硅的应用范围扩展到了太阳能、服务器、储能、电动汽车充电桩、牵引以及商用感应电磁炉和功率转换系统等。

该62mm模块配备了英飞凌的CoolSiC MOSFET 芯片，可实现极高的电流密度。

其极低的开关损耗和传导损耗可以最大限度地减少冷却器件的尺寸。

在高开关频率下运行时，可使用更小的磁性元件。

借助英飞凌CoolSiC芯片技术，客户可以设计尺寸更小的逆变器，从而降低整体系统成本。

它采用62mm标准基板和螺纹接口，具有高鲁棒性的结构设计，从而最大限度地优化并提高系统可用性，同时降低维修成本并减少停机损失。

出色的温度循环能力和150°C的连续工作温度（Tvjop）,带来出色的系统可靠性。

其对称的内部设计，使得上下开关有了相同的开关条件。

可以选装"预处理热界面材料"（TIM）配置，进一步提高模块的热性能。

供货情况采用62mm封装的1200V CoolSiC™MOSFET有6mS2/250A、3mJ2/357A和2mJ2/500A型号可供选择。

它还有专为快速特性评估（双脉冲/连续工作）而设计的评估板可供选择。

为了便于使用，它还提供了可灵活调整的栅极电压和栅极电阻。

同时，还可作为批量生产驱动板的参考设计使用。

全球顶尖碳化硅芯片生产商罗姆落子临港上证报中国证券网讯（记者宋薇萍）记者7月8日从上海自贸试验区临港新片区管委会获悉，ROHM-臻驱科技碳化硅技术联合实验室揭牌仪式近日在临港新片区举行。

英飞凌IGBT模块型号参数大全

EasyPACK 750 EasyPACK 750 EasyPACK 750 EasyPACK 1B EasyPACK 1B EasyPACK 1B EasyPACK 750 EasyPACK 750 EasyPACK 750 EconoPACK 2B EasyPACK 1B EasyPACK 1B EasyPACK 1B EasyPACK 1B EasyPACK 750 EconoPACK 2B EconoPACK 2B EasyPACK 1B EasyPACK 1B EconoPACK 2B EconoPACK 2B EconoPACK 2B EconoPACK 2B EconoPACK 2B EconoPACK 2B EconoPACK 2B EconoPACK 3B EconoPACK 3B EconoPACK 3B
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FS150R06KE3 FS150R06KE3_B4 BSM200GD60DLC FS200R06KE3 FS400R06A1E3 FS400R07A1E3 FS800R06A2E3 FS800R07A2E3 FS200R07N3E4R FS200R07N3E4R_B1 1 FP50R06W2E3 BSM10GP60 BSM15GP60 BSM20GP60 BSM30GP60 BSM50GP60 BSM50GP60G BSM75GP60 BSM100GP60 FP10R06KL4 FB10R06KL4G FB15R06KL4 FB15R06KL4B1 FB20R06KL4 FB20R06KL4_B1 FP10R06KL4_B3 FP10R06W1E3 FP10R06YE3 FP10R06YE3_B4

英飞凌推出最新EconoPACK

英飞凌推出最新EconoPACK™ + D家族在德国纽伦堡举办的PCIM Europe 2011展会(5月17日至19日)上，英飞凌科技展出了最新EconoPACK™ + D家族额定电流最高为450A的最新一代1200V和1700V系列功率半导体模块。

以业界享有盛誉的EconoPACK™+平台为蓝本，英飞凌开发了新的EconoPACK ™ + D 系列，以满足诸如可再生能源系统、商用电动车辆、电梯、工业驱动装置或电源等应用不断提高的要求。

得益于诸如超声波焊接功率端子、优化基板结构或可靠的创新PressFIT压接式管脚技术等不计其数的改进和创新，英飞凌新推出的这些模块，能够让客户设计出坚固高效、外形小巧的功率转换器。

更长使用寿命、更高功率密度，以及允许使用新一代芯片的坚固的模块封装这些正是开发新的功率模块所面临的主要挑战。

新的应用领域提出了苛刻的电气和机械要求，例如城市公交车和货车等商用车辆的电动或混合动力驱动装置。

这些车辆及所使用的器件，包括功率模块，必须承受很高的电应力和沉重的机械负荷(如撞击或震动)，以及运行过程中温度的频繁变化。

英飞凌科技副总裁兼工业电源部总经理Martin Hierholzer表示：英飞凌最新推出的EconoPACK™ + D，是一个引领潮流的功率模块家族。

这是因为，只有这种采用了适当的电和结构的连接技术的模块封装，才能让新一代芯片充分发挥其潜力。

以可再生能源系统和电动商用车辆为代表的新型应用，提出了越来越高的要求，因此，我们的创新封装概念专门针对系统集成实现了优化，为高效坚固、外形小巧的变频器设计铺平了道路。

这个额定电流为225A至450A、额定电压为1200V和1700V的模块家族，为开发高效的紧凑式变频器创造了条件。

EconoPACKTM + D的螺丝型电源端子可以实现极好的电气连接，PressFIT控制管脚则可实现变频器的无焊连。

英飞凌推出采用超小型SOT23封装的高精度高能效TLE496x霍尔传感器

稳压器也非常适合在汽车环境中工作，能承受电池传感器。全新ＴＬＥ４９６ｘ传感器提供全球最小的霍尔反接情况、＋４３Ｖ负载突降瞬变和双电池跳接起动传感器封装（ＳＯＴ２３）。该产品以英飞凌开发的全新（ｊｕｍｐｓｔａｒｔ）。这种鲁棒性有助于在恶劣环境中实现
集成的、不会过时的解决方案。（来自欧胜微电子）
ＭＣＰ２０５０ＬＩＮ系统基础芯片
ＰＩＣ１６Ｆ１８２９ＬＩＮ系统级封装（ＳｉＰ），扩大了其ＬＩＮ
产品组合。这些器件包括稳压器、窗式看门狗定时
器、电池监视器输出和ＭＣＵ等高集成选项。此外，
调。其同步ｓｕＭｂｕｓ＠和Ｉ２Ｓ接口功能为原始设备
制造商（ＯＥＭ）提供了平台架构灵活性，可支ＳＰ），并确保了同一音频解决方案可以在任何平台上重复使用而无需考虑音频接口；这节省了开发成本和时间，并提供了易于
ＴＬＥ４９６ｘ家族的典型应用为位置感测、无刷电８位和ｌ６位ＰＩＣ￣单片机。增强型ＵＳＡＲＴ外设能
机换相和指数计算。ＴＬＥ４９６ｘ单／双极开关或锁存够方便地连接到ＬＩＮ物理层收发器和ＳＢＣ。无论是器可用于电动车窗、天窗、后备箱锁、雨刷器、安全ＳｉＰ还是独立解决方案，Ｍｉｃｒｏｃｈｉｐ的ＸＬＰＭＣＵ低至
０．３５ｍ工艺技术为基础。凭借这种全新技术，英飞可靠通信，高集成度在节省空间的同时也降低了成凌现在可使霍尔传感器在超小封装内具备不同的磁本和复杂性。开关阈值。这不仅可实现极低的电流消耗（不到

7247594_德能新品上市加速创富

太阳能·空气能10大新品，引爆会议现场热泵作为新能源产业代表，自2003年开始在中国市场上发展十年，2005年之前在技术上处于研发摸索阶段，走了很多弯路。

2005年后，国内企业的很多技术开始成熟，随着家电、空调等行业龙头企业的加入，行业进入了高速发展的轨道。

从2011年开始，热泵技术突破了只做热水这种定位，开发出了很多新应用、新技术。

可以说随着热泵技术的逐渐突破，热泵将与工业、农业、商业、家用联系得越来越紧密。

在国家高度重视节能减排的今天，热泵行业必然在未来大有所为。

德能公司的技术研发主管在会上向来宾做主题演讲，从系统技术集成到精益生产，描绘了德能在2013年技术和产品的详细规划，着重介绍了本次经销德能新品上市加速创富“领先技术领军行业”，2013德能空气能新产品发布会暨热泵创富峰会于3月28日在广州市永成酒店举行。

中国热泵产业联盟秘书长宋忠奎、副秘书长申隽，香港著名影星曾志伟以及全国近四百位德能一级经销商代表共同出席会议。

会议通过创富峰会、新品发布、工程技术交流、市场营销交流、工厂参观等内容，帮助经销商朋友少走弯路、树立信心，夯实德能在空气能热泵领域的领军地位。

广州德能热源设备有限公司（以下简称德能）总经理张载澎对德能同仁在2012年取得的各项成绩给予了充分肯定，接着又将2013年德能的8大发展规划与经销商朋友进行分享；最后，张总设立了2.5亿元的销售目标，勉励在座经销商朋友共同朝着目标努力奋进、携手共赢。

中国热泵产业联盟领导、番禺区政府领导、曾志伟等共同见证德能新产品发布66特别报道Sp e c i a l R e p o r t太阳能·空气能商大会重点推介的10款新型空气源热泵产品。

“2013年，是热泵行业发展极为关键的一年，也是进入行业洗牌、优胜劣汰极富挑战的一年，我们一定要更加努力通过不断的技术创新，改进、优化产品，做好全方位的技术服务，扩大热泵应用领域，使得热泵行业从热水器品类里全行业年产值不足50亿的局面中突围，达到1万亿级市场规模！”张载澎总经理在2013年度德能空气能新品发布会暨热泵创富会上说。

完整word版,IGBT驱动模块的选择

基于2SC0108T的即插即用型IGBT驱动器摘要：针对IGBT 驱动电路复杂且保护功能不尽完善的问题，设计了一个基于2SC0108T的即插即用型IGBT驱动器，以及相应的前级驱动电路、后级功率驱动电路和故障报警电路。

该驱动器具有直接模式和半桥模式、驱动信号硬件互锁、硬件死区时间可调节、IGBT过流及短路保护、驱动电源过欠压监控和易于安装的特点。

结合英飞凌EconoDUAL3封装IGBT模块，完成了即插即用型IGBT驱动器的硬件设计及调试，有效减小了双绞线传输方式寄生电容及寄生电感的影响。

IGBT具有耐压高、电流大、开关速度高和低饱和压降等优良特点，在牵引电传动、电能传输与变换、有源滤波等电力电子领域得到了广泛的应用。

IGBT模块的保护主要由IGBT驱动器来完成。

驱动器是功率主电路与控制电路之间的接口，在充分发挥IGBT的性能、提高系统可靠性等方面发挥着重要作用。

高性能的驱动器可使IGBT工作在比较理想的开关状态，如开关延时小、开关损耗低等。

本文提出的驱动器设计采用瑞士CONCEPT公司最新推出的2SC0108T 模块作为核心部件，设计了前级驱动电路、硬件死区电路、后级功率驱动电路、故障信号调理电路，试验结果证明该驱动器具有良好的驱动及保护能力。

1 2SC0108T简介2SC0108T是一款高集成度低成本的超小型SCALE-2双通道驱动器。

接口兼容3.3 V～15 V逻辑电平信号，栅极驱动电压为+15 V/-8 V，驱动电流为8 A，单通道输出功率为1 W，可以驱动600 A/1 200 V或 450 A/1 700 V的常规IGBT模块或并联IGBT模块，支持3级或多级拓扑。

具有短路保护、过流保护和电源电压监控等功能。

延迟时间为80 ns±4 ns，抖动时间为± 2ns。

为了使2SC0108T在主回路中的性能达到最优，必须设计相应的外围硬件电路，如驱动信号调理电路、IGBT功率驱动电路和故障信号调理电路，并集成到IGBT驱动器中。

赢创获德国政府颁发2009国际能效奖第三名

ｅｔｅ。７ — Ｈ齿轮泵最大压差达到ｘｒｘ０５Ｖ２０ａ，且因宽齿设计，特定容积提升０ｂｒ了２％５。新系￣ｅｔｅ轮泵的其他型Ｕｘｒｘ齿
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代挤出泵的开发过程中，
的开发的 “ 力模拟程序 ”可以优化流供三个动
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马格通过与客户密切合作，研发了应用
于关键工艺的新型的齿轮泵。新一代
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赢创获德国政府颁发２０国际能效奖第三名０９
ＥｏｉａｅｈｒａｅｌｈｎｅｎｔｎＩｎｒｙＥｆｉｎｙＡｗａｄ０９ｖｎｋＴｋｓＴｉＰｌｃｎｔｅＩｔｒａｉａｅｇｆｃｅｃｄｏＥｉｒｓ２０
其在整个集团范围内对能源利用所做出
的，赢创就是有力的证明。”
围内进行了推广施行。Ｉ＿窆
（赢创】
马格不断创新的齿轮泵和换网机
ＷｈｅｕｐａｄｓｅｎｃａｇｏｓａｔｎｖｔｄｂａｅＩｍｎｃｒｅｈｎｅｒｎｔｎｌｌｏａｅｙＭａｇｐｃｙｎ

英飞凌各代IGBT模块技术详解

英飞凌各代IGBT模块技术详解IGBT 是绝缘门极双极型晶体管（Isolated Gate Bipolar Transistor）的英文缩写。

它是八十年代末，九十年代初迅速发展起来的新型复合器件。

由于它将 MOSFET 和 GTR 的优点集于一身，既有输入阻抗高，速度快，热稳定性好，电压驱动（MOSFET 的优点，克服 GTR 缺点）；又具有通态压降低，可以向高电压、大电流方向发展（GTR 的优点，克服 MOSFET 的缺点）等综合优点，因此 IGBT 发展很快，在开关频率大于 1KHz，功率大于 5KW 的应用场合具有优势。

随着以 MOSFET、IGBT 为代表的电压控制型器件的出现，电力电子技术便从低频迅速迈入了高频电力电子阶段，并使电力电子技术发展得更加丰富，同时为高效节能、省材、新能源、自动化及智能化提供了新的机遇。

英飞凌／EUPEC IGBT 芯片发展经历了三代，下面将具体介绍。

一、IGBT1－平面栅穿通（PT）型 IGBT （1988 1995）西门子第一代 IGBT 芯片也是采用平面栅、PT 型 IGBT 工艺，这是最初的 IGBT 概念原型产品。

生产时间是 1990 年－ 1995 年。

西门子第一代 IGBT 以后缀为“DN1” 来区分。

如 BSM150GB120DN1。

图 1.1 PT-IGBT 结构图PT 型 IGBT 是在厚度约为 300－500μm 的硅衬底上外延生长有源层，在外延层上制作IGBT 元胞。

PT-IGBT 具有类 GTR 特性，在向 1200V 以上高压方向发展时，遇到了高阻、厚外延难度大、成本高、可靠性较低的障碍。

因此，PT-IGBT 适合生产低压器件，600V 系列 IGBT 有优势。

二、IGBT2－第二代平面栅 NPT-IGBT西门子公司经过了潜心研究，于 1989 年在 IEEE 功率电子专家会议（PESC）上率先提出了 NPT－IGBT 概念。

由于随着 IGBT 耐压的提高，如电压VCE≥1200V，要求 IGBT 承受耐压的基区厚度dB>100μm，在硅衬底上外延生长高阻厚外延的做法，不仅成本高，而且外延层的掺杂浓度和外延层的均匀性都难以保证。

英飞凌 FS75R12N2T7_B15 EconoPACK 2 模块数据表

EconoPACK ™2 模块采用第七代沟槽栅/场终止IGBT7和第七代发射极控制二极管带有温度检测NTC 特性•电气特性-V CES = 1200 V-I C nom = 75 A / I CRM = 150 A -沟槽栅IGBT7-低 V CEsat-过载操作达175°C•机械特性-高功率循环和温度循环能力-集成NTC 温度传感器-铜基板-低热阻的三氧化二铝 Al 2O 3 衬底-焊接技术-标准封装可选应用•辅助逆变器•电机传动•伺服驱动器产品认证•根据 IEC 60747、60749 和 60068 标准的相关测试，符合工业应用的要求。

描述FS75R12N2T7_B15EconoPACK ™2 模块内容描述 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1可选应用 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1产品认证 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1内容 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2 1封装 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3 2IGBT, 逆变器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3 3二极管,逆变器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5 4负温度系数热敏电阻 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6 5特征参数图表 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .7 6电路拓扑图 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12 7封装尺寸 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .13 8模块标签代码 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14修订历史 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15免责声明 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .161封装表 1绝缘参数特征参数代号标注或测试条件数值单位绝缘测试电压V ISOL RMS, f = 50 Hz, t = 1 min 2.5kV 模块基板材料Cu内部绝缘基本绝缘 (class 1, IEC 61140)Al2O3爬电距离d Creep端子至散热器10.0mm 电气间隙d Clear端子至散热器7.5mm 相对电痕指数CTI>200相对温度指数 (电)RTI封装140°C 表 2特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值杂散电感,模块L sCE17nH 模块引线电阻,端子-芯片R CC'+EE'T C=25°C, 每个开关 3.3mΩ储存温度T stg-40125°C 模块安装的安装扭距M根据相应的应用手册进行安装M5, 螺丝36Nm 重量G180g 注:The current under continuous operation is limited to 50A rms per connector pin.2IGBT, 逆变器表 3最大标定值特征参数代号标注或测试条件数值单位集电极－发射极电压V CES T vj = 25 °C1200V 连续集电极直流电流I CDC T vj max = 175 °C T C = 100 °C75A 集电极重复峰值电流I CRM t P = 1 ms150A 栅极－发射极峰值电压V GES±20V表 4特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值集电极－发射极饱和电压V CE sat I C = 75 A, V GE = 15 V T vj = 25 °C 1.55 1.80VT vj = 125 °C 1.69T vj = 175 °C 1.77栅极阈值电压V GEth I C = 1.28 mA, V CE = V GE, T vj = 25 °C 5.15 5.80 6.45V 栅极电荷Q G V GE = ±15 V, V CE = 600 V 1.25µC 内部栅极电阻R Gint T vj = 25 °C2Ω输入电容C ies f = 100 kHz, T vj = 25 °C, V CE = 25 V, V GE = 0 V15.1nF 反向传输电容C res f = 100 kHz, T vj = 25 °C, V CE = 25 V, V GE = 0 V0.053nF 集电极-发射极截止电流I CES V CE = 1200 V, V GE = 0 V T vj = 25 °C0.014mA 栅极-发射极漏电流I GES V CE = 0 V, V GE = 20 V, T vj = 25 °C100nA开通延迟时间(感性负载)t don I C = 75 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Gon = 5.6 ΩT vj = 25 °C0.164µs T vj = 125 °C0.178T vj = 175 °C0.185上升时间(感性负载)t r I C = 75 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Gon = 5.6 ΩT vj = 25 °C0.048µs T vj = 125 °C0.053T vj = 175 °C0.057关断延迟时间(感性负载)t doff I C = 75 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Goff = 5.6 ΩT vj = 25 °C0.300µs T vj = 125 °C0.380T vj = 175 °C0.420下降时间(感性负载)t f I C = 75 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Goff = 5.6 ΩT vj = 25 °C0.120µs T vj = 125 °C0.200T vj = 175 °C0.270开通损耗能量 (每脉冲)E on I C = 75 A, V CE = 600 V,Lσ = 35 nH, V GE = ±15 V,R Gon = 5.6 Ω, di/dt =1200 A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C7.96mJ T vj = 125 °C10.8T vj = 175 °C12.3关断损耗能量 (每脉冲）E off I C = 75 A, V CE = 600 V,Lσ = 35 nH, V GE = ±15 V,R Goff = 5.6 Ω, dv/dt =3200 V/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 5.02mJ T vj = 125 °C7.68T vj = 175 °C9.46(待续)表 4(续) 特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值短路数据I SC V GE≤ 15 V, V CC = 800 V,V CEmax=V CES-L sCE*di/dt t P≤ 8 µs,T vj=150 °C260At P≤ 7 µs,T vj=175 °C250结－外壳热阻R thJC每个 IGBT0.475K/W 外壳－散热器热阻R thCH每个 IGBT, λgrease= 1 W/(m*K)0.141K/W 允许开关的温度范围T vj op-40175°C注:T vj op > 150°C is allowed for operation at overload conditions. For detailed specifications, please refer to AN2018-14.3二极管,逆变器表 5最大标定值特征参数代号标注或测试条件数值单位反向重复峰值电压V RRM T vj = 25 °C1200V 连续正向直流电流I F75A 正向重复峰值电流I FRM t P = 1 ms150A I2t-值I2t t P = 10 ms, V R = 0 V T vj = 125 °C1150A²sT vj = 175 °C740表 6特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值正向电压V F I F = 75 A, V GE = 0 V T vj = 25 °C 1.72 2.10VT vj = 125 °C 1.59T vj = 175 °C 1.52反向恢复峰值电流I RM V R = 600 V, I F = 75 A,V GE = -15 V, -di F/dt =1200 A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C43A T vj = 125 °C56T vj = 175 °C65(待续)表 6(续) 特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值恢复电荷Q r V R = 600 V, I F = 75 A,V GE = -15 V, -di F/dt =1200 A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 4.94µC T vj = 125 °C10.2T vj = 175 °C13.7反向恢复损耗（每脉冲）E rec V R = 600 V, I F = 75 A,V GE = -15 V, -di F/dt =1200 A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 1.45mJ T vj = 125 °C 3.32T vj = 175 °C 4.62结－外壳热阻R thJC每个二极管0.708K/W 外壳－散热器热阻R thCH每个二极管, λgrease= 1 W/(m*K)0.153K/W 允许开关的温度范围T vj op-40175°C注:T vj op > 150°C is allowed for operation at overload conditions. For detailed specifications, please refer to AN2018-14.4负温度系数热敏电阻表 7特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值额定电阻值R25T NTC = 25 °C5kΩR100偏差ΔR/R T NTC = 100 °C, R100 = 493 Ω-55%耗散功率P25T NTC = 25 °C20mW B-值B25/50R2 = R25 exp[B25/50(1/T2-1/(298,15 K))]3375K B-值B25/80R2 = R25 exp[B25/80(1/T2-1/(298,15 K))]3411K B-值B25/100R2 = R25 exp[B25/100(1/T2-1/(298,15 K))]3433K 注:根据应用手册标定4 负温度系数热敏电阻6电路拓扑图图 17封装尺寸图 28 模块标签代码8模块标签代码图 3修订历史修订历史修订版本发布日期变更说明1.002021-12-16Final datasheet商标所有参照产品或服务名称和商标均为其各自所有者的财产。

英飞凌-IGBT模块在焊机应用中的选型

输出功率结温（Tj）
芯片-外壳温差∆Tjc
外壳-散热器热阻 Rthch
散热器(-环境) 热阻Rthha
基板
散热器
壳温（Tc）
外壳-散热器温差∆Tch
散热器温度（Th）
散热器-环境温差 ∆Tha
10.02.2010
Copyright © Infineon Technologies 2010. All rights reserved.
Q1
Q3
Q1 t
Q4
Q2
I1
I2
ip
Q4 t
vAB
Vin
0
t
Vin
损耗特点：
vrect 0
Vin/K
t0 t1 t2 t3 t4 t5
t6 t7 t8 t9 t10 t11
IGBT:导通时间长，导通损耗大，开关损耗小；
FWD:续流时间长，导通损耗大；
最佳IGBT芯片：T4芯片
t
t12 t13
10.02.2010
环境温度（Ta）
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IGBT模块热计算
IGBT模块各个部分的温差∆T取决于 1）损耗（芯片技术、运行条件、驱动条件）； 2）热阻（模块规格、尺寸）模块芯片的结温是各部分的温差和环境温度之和： Tj = ∆Tjc + ∆Tch + ∆Tha + Ta 如果假设壳温Tc恒定，则Tj = ∆Tjc + Tc；如果假设散热器温度Th恒定，则Tj = ∆Tjh + Th。 IGBT的平均结温取决于平均损耗、Rthjc和壳温Tc。在实际运行时，IGBT的结温是波动的，其波动幅度取决于瞬态损耗和 Zthjc，而Zthjc又和运行条件（如变频器输出频率）有关。 IGBT的峰值结温为平均结温+波动幅值。

IGBT器件结构

电气键合工艺
外部电气连接技术
1. 烧结效应 2. 螺丝连接 3. 焊接连接 4. 插件连接 5. 压接技术 6. 弹簧连接
连接较好
连接较差
PCB和IGBT模块的焊接
IGBT Modules– Technologies, Driver and Application
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1. 烧结效应 2. 螺丝连接 3. 焊接连接 4. 插件连接 5. 压接技术 6. 弹簧连接
IGBT Modules– Technologies, Driver and Application
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电气键合工艺
外部电气连接技术
烧结效应现象:电击穿绝缘
1. 烧结效应 2. 螺丝连接
对象:可分离的电气连接-螺丝和弹簧
3. 焊接连接
机理: 贵金属( Au/Pd )产生5纳米的氧化层
普通金属(Cu,Ni,Sn)产生几十纳米的氧化层
11
内部电气连接技术
1. 芯片焊接 2. 系统焊接 3. 超声焊接技术 4. 锡焊 5. 超声焊接 6. 低温连接 7. 扩散焊接
电气键合工艺
系统焊接
IGBT Modules– Technologies, Driver and Application
12
内部电气连接技术
1. 芯片焊接 2. 系统焊接 3. 超声焊接技术
IGBT Modules– Technologies, Driver and Application
8
IGBT模块的材料
塑模材料、环氧树脂和硅胶
1700V/400A
目前：逐步用软铸造树脂/绝缘化合物，比如硅胶代替环氧树脂
IGBT Modules– Technologies, Driver and Application

新能源汽车核心部件--电控IGBT模块入门详解,从小白到精通

根据乘联会数据，2022年6月新能源车国内零售渗透率27.4%，并且2022年6月29日欧盟对外宣布，欧盟27个成员国已经初步达成一致，欧洲将于2035年禁售燃油车。

市场越来越景气，同时国内近期新发布的新能源车型也百花齐放。

不论是普通消费者、新能源汽车产业相关从业者，还是一二级市场投资人，也逐渐深入关注研究新能源车的一些核心部件，尤其是功率器件IGBT模块，今天小编就用问答的形式给大家展开讲讲，希望能够用比较通俗的解释帮助到大家。

电驱系统和IGBT模块的作用要弄明白IGBT模块，就要先了解新能源汽车的电驱系统，先用一句话概括电驱系统如何工作：在驾驶新能源汽车时，电机控制器把动力电池放出的直流电（DC）变为交流电（AC）（这个过程即逆变），让驱动电机工作，电机将电能转换成机械能，再通过传动系统（主要是减速器）让汽车的轮子跑起来。

反过来，把车轮的机械能转换存储到电池的过程就是动能回收。

1、什么是“三电系统”和“电驱系统”？三电系统，即动力电池（简称电池）、驱动电机（简称电机）、电机控制器（简称电控），也被人们成为三大件，加起来约占新能源车总成本的70%以上，是决定整车运动性能核心的组件。

电驱系统，我们一般简单把电机、电控、减速器，合称为电驱系统。

但严格定义上讲，根据进精电动招股说明书，电驱动系统包括三大总成：驱动电机总成（将动力电池的电能转化为旋转的机械能，是输出动力的来源）、控制器总成（基于功率半导体的硬件及软件设计，对驱动电机的工作状态进行实时控制，并持续丰富其他控制功能）、传动总成（通过齿轮组降低输出转速提高输出扭矩，以保证电驱动系统持续运行在高效区间）。

图：电驱系统示意图图片来源：进精电动招股说明书2、什么是“多合一电驱系统”？一开始电机、电控、减速器都是各自独立的零部件，但随着技术的进步，我们把这三个部分集合在一起做成一个部件，就变成了“三合一电驱”。

集成的目的主要是节省空间、降低重量、提升性能、降低成本。

英飞凌IGBT 技术和产品概述及其应用领域

英飞凌IGBT 技术和产品概述及其应用领域IGBT芯片技术及其发展：功率半导体在整个电能供应链中扮演重要角色。

如何提高功率密度是功率器件发展的主题：芯片技术和功率密度：芯片技术的发展趋势——以600/650V 为例600V IGBT 新的里程碑——HighSpeed3：器件型号芯片技术Ic [A]@100°C 大小[mm2]SPW47N60C3 CoolmosTM C3 30 69.3 IKW30T60 TRENCHSTOPTM 30 15.2 IGW40N60H3 High Speed 3 40 19.3HighSpeed3 特性芯片面积只有CoolMOS的28%功率密度高芯片和模块成本低在高温在拖尾电流也很小关断特性接近于CoolMOS，Eoff是IGBT3的40%,是CoolMOS的120%平滑的开关波形，振荡很有限TRENCHSTOP™5 - 25°C Trade-off 曲线Vce(sat) 对Eoff：与英飞凌的Best-in-class Highspeed3 比, TRENCHSTOPTM5 : >60% 低的开关损耗10% 低的导通损耗TRENCHSTOP™5开关特性–接近MOSFET的开关特性，消除拖尾电流。

TRENCHSTOP™5 –应用目标，填补IGBT与MOSFET之间的中到高频开关应用650V TRENCHSTOP™5，产品家族。

F5：超高性能版本需要超低寄生电感设计开关频率：~120kHzH5：逆导型IGBT用于软开关，如准谐振感应加热R5：逆导型IGBT用于软开关，如准谐振感应加热L5：低饱和压降目标：Vcesat =1V @ Inom, 25°C600V/650V 芯片技术的发展：发展背景：•600V 主要应用220V 马达驱动,电源，以小功率为主。

•电动汽车，太阳能等新兴应用功率大，追求高效率，对芯片技术有新的要求IGBT2---IGBT3di/dt 降低25%.过电压减小25%更短的拖尾电流关断损耗在同一水平短路时间6us600V---650Vdi/dt 进一步降低关断损耗增加短路时间10us耐压增加50V电压余量增加180V芯片技术的发展趋势——IGBT4 回顾：芯片技术的发展趋势——IGBT4 回顾：IGBT4 P4 的软特性：2400A-模块的关断特性at Tvj=25°C , Ic= 0,5 Inom (Rg=0,3Ohm,没有有源嵌位) IGBT 3 E3 在测试条件下, 300V 直流电压下就开始振荡。

电动汽车功率模块

电动汽车功率模块全文共四篇示例，供读者参考第一篇示例：电动汽车功率模块是电动汽车中至关重要的部件，它负责将电池提供的直流电转换成交流电，以驱动电机转动，并控制电机的转速和扭矩输出。

功率模块的设计和制造质量直接影响了电动汽车整体性能和效率，因此在电动汽车行业中扮演着至关重要的角色。

电动汽车功率模块主要由功率半导体器件、散热系统、控制电路和保护电路四部分组成。

功率半导体器件是功率模块最为核心的部分。

通常采用的器件有晶闸管、IGBT和MOSFET等。

这些器件的选择需要考虑其承受电压、电流和功率的能力，以及稳定性和散热性能。

功率半导体器件的性能直接影响功率模块的效率和稳定性。

散热系统是功率模块的另一个关键部分。

由于功率半导体器件工作时会产生大量热量，如果不能及时有效地散热，会导致器件温度升高，甚至烧毁。

功率模块必须配备高效的散热系统，确保器件工作在安全温度范围内。

通常采用铝合金散热片和风扇散热的方式，同时还需设计合理的散热通道和散热结构，以保证散热效果最大化。

控制电路是功率模块用来控制电机转速和输出扭矩的核心部分。

通过对功率半导体器件的开关控制，可以调节电流大小和频率，实现对电机的精确控制。

控制电路通常采用数字信号处理器（DSP）或者嵌入式微控制器（MCU）来实现，通过编程算法和控制逻辑来实现电机的各种控制模式，如定速控制、恒流控制、矢量控制等。

保护电路是功率模块的安全保障部分。

它主要用来监测功率模块和电机的工作状态，并在出现异常情况时及时做出反应，保护电路和电机不受损坏。

保护电路通常包括过压保护、欠压保护、过流保护、过温保护等功能。

当电机或功率模块出现异常状态时，保护电路会自动断开电路，防止进一步损坏器件，并发出警报信号提醒用户或系统进行维修。

电动汽车功率模块在电动汽车中的地位是至关重要的。

它直接影响了电动汽车的性能、效率和安全性，是电动汽车动力系统中不可或缺的核心部件。

随着电动汽车行业的发展，功率模块的设计和制造技术也在不断进步，将会为电动汽车的性能提升和市场推广起到重要作用。

EconoPACKTM4坚固、可靠的下一代功率模块

EconoPACKTM4坚固、可靠的下一代功率模块
Wilhelm Rusche
【期刊名称】《变频器世界》
【年(卷),期】2009(000)007
【摘要】可靠性与能效是当今逆变器设计考虑的两个主要因素。

英飞凌全新的EconoPACKTM4将坚固的模块设计与全新高能效IGBT4和EmitterControlled4
二极管技术融合在一起。

【总页数】3页(P101-102,81)
【作者】Wilhelm Rusche
【作者单位】英飞凌科技股份公司
【正文语种】中文
【中图分类】TN492
【相关文献】
1.用于下一代功率模块中的新一代硅片设计 [J], Katsumi Satoh;Tetsuo Takahashi;Hidenofi Fujii;Manabu Yoshino
2.下一代功率模块用新型1．7kVCSTBT TM（Ⅲ） [J], Kenji Suzuki;Tetsuo Takahashi;Ryoichi Fujii;Koichi Tsurusako;Yoshifumi Tomomatsu;王成杰（译）;王传敏（译）
3.未来汽车——开发下一代功率模块的动力 [J], John;Mookken
4.飞兆半导体下一代单芯片功率模块系列满足2013ErPLot6待机功率法规要求 [J],
5.飞兆半导体下一代单芯片功率模块系列满足2013 ErP Lot 6待机功率法规要求[J],
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