SM7015 AC DC PWM 功率开关 说明书
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SM7015
内部功能框图
HVDD
EN
管脚说明
订购信息
极限参数(注1)
若无特殊说明,T A=25°C。
注1:最大输出功率受限于芯片结温,最大极限值是指超出该工作范围,芯片有可能损坏。
在极限参数范围内工作,器件功能正常,但并不完全保证满足个别性能指标。
注2:RθJA在T A=25°C自然对流下根据JEDEC JESD51热测量标准在单层导热试验板上测量。
注3:温度升高最大功耗一定会减小,这也是由T JMAX,RθJA和环境温度T A所决定的。
最大允许功耗为P D = (T JMAX-T A)/ RθJA或是极限范围给出的数值中比较低的那个值。
电气工作参数(注4、5)
若无特殊说明,T A=25°C。
注4:电气工作参数定义了器件在工作范围内并且在保证特定性能指标的测试条件下的直流和交流电参数。
对于未给定上下限值的参数,该规范不予保证其精度,但其典型值合理反映了器件性能。
注5:规格书的最小、最大参数范围由测试保证,典型值由设计、测试或统计分析保证。
注6:过温保护温度为芯片内部设定温度145°C。
功能表述
◆ 电路图说明
上图为典型的BUCK-BOOST 电路,其中C1、C2、L1组成π型滤波,有益于改善EMI 特性,R1电阻为浪涌抑制元件,D1、D2为整流二极管,构成半波整流电路。
输出部分L2为储能电感,D3为HVDD 供电二极管,D4为续流二极管,在芯片关断期间提供输出电流通路:
HVDD 4D _F 3D _F HVDD OUT V V V V V ≈-+=
◆ HVDD 电压
当开关电源启动后,C2电容上的电压会通过芯片内部的高压启动MOS 管向芯片HVDD 电容C3充电,当C3电容电压达到11.5V ,内部高压启动MOS 管关闭,同时PWM 开启,系统开始工作。
当C3电容电压下降到9V 以下,关闭PWM 信号,同时芯片将会产生复位信号,使系统重新启动,即是欠压保护。
控制部分
通过高压MOS 的电流I D 分成两个部分,其中一部分为I S ,这部分电流为芯片采样电流。
I S 与I D 成比例关系:
S ID D I •G =I
通过上图可知:V R I I FB S 23.02)(=∙+,由此可以得到:
FB
S I -2R V 230=I .
以上公式合并,可得到:
).(
FB
ID D I -2R V
230•G =I 从上式可以看出,I FB 电流大,I D 的电流就小;I FB 电流小,I D 的电流就大。
当I FB 的电流大于(0.23V / R2)时,芯片会关闭PWM ,同时芯片会自动进入突发模式。
典型应用方案
SM7015 12V/150mA BUCK-BOOST方案原理图
PCB layout 注意事项
简要说明:
封装焊接制程
明微电子所生产的半导体产品遵循欧洲RoHs标准,封装焊接制程锡炉温度符合J-STD-020标准。
SOP8
明微电子对于产品、文件以及服务保有一切变更、修正、修改、改善和终止的权利。
针对上述的权利,客户在进行产品购买前,建议与明微电子业务代表联系以取得最新的产品信息,所有技术应用需要严格按照最新产品说明书进行设计。
明微电子的产品,除非经过明微合法授权,否则不应使用于医疗或军事行为上,若使用者因此导致任何身体伤害或生命威胁甚至死亡,明微电子将不负任何损害赔偿责任。
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