外斯分子场理论

外斯分子场理论
（1）分子场假设：铁磁物质内部在居里温度以下存在一个很强的分子磁场，数值上可达10的9次方A/m。

正是在这一分子场的作用下，使铁磁物质得以克服热扰动的不利影响将磁矩整齐排列起来，从而造成自发磁化。

（2）磁畴假设：大块铁磁性物质内部，存在许多小区域，在每一个这样的小区域内，原子磁矩受到分子场的作用都是平行取向的，而不同磁畴中的原子磁矩取向却不同。

具有这样特点的小区域称为磁畴。

根据这一假设，铁磁性物质在没有受到外磁场作用时的总磁矩应为各磁畴磁矩的矢量和，由于铁磁物质包含着大量的磁畴，而各个磁畴的磁矩取向又不一样，结果总磁矩为零，于是就很好地解释了铁磁性物质在退磁状态下不显示磁性的问题。

外斯根据上述两个基本假设，同时利用朗之万的顺磁性理论，并假定分子场正比于自发磁化强度Ms，成功地解释了铁磁性的部分规律。

但是，有关分子场的本质，一直到1928年海森伯利用量子力学理论才得到正确阐明，它是由电子磁矩之间的静电性交换作用引起的。