电力电子技术 作业-1

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四川大学《电力电子技术》第一次作业答案

四川大学《电力电子技术》第一次作业答案

一、单项选择题。

本大题共22个小题,每小题 2.5 分,共55.0分。

在每小题给出的选项中,只有一项是符合题目要求的。

1.采用()是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施。

A.直流断路器B.快速熔断器C.过电流继电器2.晶闸管属于()。

A.不可控器件B.全控器件C.半控器件3.单相全控桥式整流电路,带阻感负载(L足够大)时的移相范围是()度。

A.180B.90C.1204.把交流电变成直流电的是()。

A.逆变电路B.整流电路C.斩波电路5.下面哪种功能不属于变流的功能()。

A.有源逆变B.交流调压C.变压器降压D.直流斩波6.三相半波可控整流电路的自然换相点是()。

A.交流相电压的过零点B.本相相电压与相邻相电压正半周的交点处C.比三相不控整流电路的自然换相点超前30度D.比三相不控整流电路的自然换相点滞后60度7.如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V,反向重复峰值电压为825V,则该晶闸管的额定电压应为()。

A.700VB.750VC.800VD.850V8.单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角α的最大移相范围是()。

A.0度-90度B.0度-120度C.0度-150度D.0度-180度9.在单相全控桥整流电路中,两对晶闸管的触发脉冲,应依次相差()度。

A.180度B.60度C.360度D.120度10.可实现有源逆变的电路为()。

A.单相全控桥可控整流电路B.三相半控桥可控整流电路C.单相全控桥接续流二极管电路D.单相半控桥整流电路11.α=()度时,三相全控桥式整流电路带电阻负载电路,输出负载电压波形处于连续和断续的临界状态。

A.0度B.60度C.30度D.120度12.变流装置的功率因数总是()。

A.大于1B.等于1C.小于113.变流器工作在逆变状态时,控制角α必须在()度。

A.0度-90度B.30度-120度C.60度-150度D.90度-150度14.三相全控桥式整流电路带电阻负载,当触发角α=0º时,输出的负载电压平均值为()。

电力电子技术期末考试试题及答案-(1)

电力电子技术期末考试试题及答案-(1)

电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。

2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为__开关损耗__。

3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。

4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。

5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。

6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。

7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。

8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。

9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流I L在数值大小上有I L__大于__IH。

10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。

11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。

12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。

13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。

14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。

15.IGBT 的开启电压UGE(th)随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。

16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。

17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数,在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。

大工14秋《电力电子技术》在线作业1答案

大工14秋《电力电子技术》在线作业1答案

电力电子技术大工14秋《电力电子技术》在线作业1一,单选题1. 全控型器件在较高频率下工作,当器件关断时,因正向电流的迅速降低而由线路电感在器件两端感应出的过电压称为()。

A. 操作过电压B. 雷击过电压C. 换相过电压D. 关断过电压?正确答案:D2. 电力电子器件采用的主要材料是()。

A. 铁B. 钢C. 银D. 硅?正确答案:D3. 使IGBT开通的栅射极间驱动电压一般取()V。

A. (-5)-(-15)B. 10-15C. 15-20D. 20-25?正确答案:C4. ()是将电力MOSFET与晶闸管SCR组合而成的复合型器件。

A. MCTB. SITC. SITHD. IGCT?正确答案:A5. 电力二极管的最高工作结温通常在()℃之间。

A. 0-100B. 50-125C. 100-175D. 125-175?正确答案:D6. 电力场效应晶体管的英文表示为()。

A. GTOB. GTRC. 电力MOSFETD. IGBT?正确答案:C二,多选题1. GTR的主要特性是()。

A. 耐压低B. 耐压高C. 电流大D. 电流小?正确答案:BC2. 下列哪些是对触发脉冲和脉冲触发电路的要求?()A. 触发脉冲有足够的幅值B. 触发脉冲波形有一定的宽度C. 触发脉冲功率足够D. 触发电路有良好的抗干扰性能?正确答案:ABCD3. 下列属于晶闸管的派生器件的是()。

A. 快速晶闸管B. 双向晶闸管C. 逆导晶闸管D. 光控晶闸管?正确答案:ABCD4. 晶闸管门极说法正确的是()。

A. 可以控制其导通B. 可以控制其关断C. 不能控制其导通D. 不能控制其关断?正确答案:AD5. 下列是常用的过电流保护措施的是()。

A. 快速熔断器B. 直流快速断路器C. 过电流继电器D. 以上都不正确?正确答案:ABC6. 下列不是电力电子器件并联均流措施的是()。

A. 尽量采用特性一致的元器件进行并联B. 尽量采用特性不一致的元器件进行并联C. 安装时尽量使各并联器件具有对称的位置D. 安装时不能使各并联器件具有对称的位置?正确答案:BD三,判断题1. 电力MOSFET不具备静态特性A. 错误B. 正确?正确答案:A2. GTO是PNPN四层结构。

大工23春《电力电子技术》在线作业1-答案

大工23春《电力电子技术》在线作业1-答案

大工23春《电力电子技术》在线作业1-00001
试卷总分:100 得分:100
一、单选题 (共 6 道试题,共 30 分)
1.使电力MOSFET导通的栅源驱动电压一般取()V。

[A.]0-5
[B.]5-10
[C.]10-15
[D.]15-20
正确答案:C
2.如果某电力二极管的正向平均电流为100A,那么它允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值为()A。

[A.]50
[B.]100
[C.]70.7
[D.]173.2
正确答案:B
3.使IGBT开通的栅射极间驱动电压一般取()V。

[A.](-5)-(-15)
[B.]10-15
[C.]15-20
[D.]20-25
正确答案:C
4.下列哪项不属于典型全控型器件?()
[A.]电力二极管
[B.]门极可关断晶闸管
[C.]电力晶体管
[D.]电力场效应晶体管
正确答案:A
5.静电感应晶体管的英文缩写是()。

[A.]PIC
[B.]IGCT
[C.]SITH
[D.]SIT
正确答案:D
6.控制极信号能控制器件的导通,但不能控制其关断,器件的关断完全由其承受的电压和电流决定,这样的电力电子器件称为()。

[A.]半控型器件
[B.]全控型器件
[C.]不可控器件。

16秋西南交《电力电子技术基础》在线作业一

16秋西南交《电力电子技术基础》在线作业一
A. 错误
B. 正确
正确答案:
10. 相控交交变频电路的负载只能是阻性负载。
A. 错误
B. 正确
正确答案:
11. 相控交交变频电路换流失败时,会造成交流电源的短路。
A. 错误
B. 正确
正确答案:
12. 三相逆变电路由3个带无功反馈二极管的全控开关构成。
A. 错误
B. 正确
A. 错误
B. 正确
正确答案:
27. 三相半波可控整流电路又称为三相零式可控整流电路。
A. 错误
B. 正确
正确答案:
28. 相控整流电路在控制角较大时,功率因素较高,网侧电流谐波含量较小。
A. 错误
B. 正确
正确答案:
29. 带阻性负载的单相桥式全控整流电路中,触发角为0时,功率因数也为0。
B. 交直变频
C. 交值交变频
D. 直交变频
正确答案:
9. 相控整流电路实现有源逆变的条件有()
A. 负载侧存在直流电势
B. 直流电势的绝对值大于整流输出电压的绝对值
C. 晶闸管触发角大于90度
D. 晶闸管触发角小于90度
正确答案:
10. 晶闸管触发脉冲的参数有()
A. 脉冲幅值
正确答案:
13. 从外形进行区分,螺栓式晶闸管的粗辫子线为门极G。
A. 错误
B. 正确
正确答案:
14. 整流二极管的反向恢复时间很多,小于1微秒。
A. 错误
B. 正确
正确答案:
15. 单相半桥逆变电路需要1个直流电源。
A. 错误
B. 正确

现代电力电子技术第1次作业

现代电力电子技术第1次作业

一、单项选择题(只有一个选项正确,共10道小题)1. 在晶闸管应用电路中,为了防止误触发应将幅值限制在不触发区的信号是( )(A) 干扰信号(B) 触发电压信号(C) 触发电流信号(D) 干扰信号和触发信号正确答案:A解答参考:2. 当晶闸管承受反向阳极电压时,不论门极加何种极性触发电压,管子都将工作在( )(A) 导通状态(B) 关断状态(C) 饱和状态(D) 不定正确答案:B解答参考:3. 晶闸管工作过程中,管子本身产生的管耗等于管子两端电压乘以()(A) 阳极电流(B) 门极电流(C) 阳极电流与门极电流之差(D) 阳极电流与门极电流之和正确答案:A解答参考:4. 单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角α的最大移相范围是( )(A) 90°(B) 120°(C) 150°(D) 180°你选择的答案: D [正确]正确答案:D解答参考:5. 单相全控桥大电感负载电路中,晶闸管可能承受的最大正向电压为( )(A) U2(B) U2(C) 2U2(D) U2你选择的答案: B [正确]正确答案:B解答参考:6. 单相全控桥电阻性负载电路中,晶闸管可能承受的最大正向电压为( )(A) U2(B) 2U2(C) U2(D) U2你选择的答案: C [正确]正确答案:C解答参考:7. 单相半控桥式整流大电感负载电路中,为了避免出现一个晶闸管一直导通,另两个整流二极管交替换相导通的失控现象发生,采取的措施是在负载两端并联一个()(A) 电容(B) 电感(C) 电阻(D) 二极管你选择的答案: D [正确]正确答案:D解答参考:8. 单相全控桥式整流大电感负载电路中,控制角α的移相范围是( )(A) 0°~90°(B) 0°~180°(C) 90°~180°(D) 180°~360°正确答案:A解答参考:9. 单相全控桥反电动势负载电路中,当控制角α大于不导电角δ时,晶闸管的导通角θ=( )(A) π-α(B) π+α(C) π-δ-α(D) π+δ-α正确答案:C解答参考:10. 三相半波可控整流电阻性负载电路的控制角α为何值时,输出电流波形会出现零点。

西南交《现代电力电子技术》在线作业一【满分答案】

西南交《现代电力电子技术》在线作业一【满分答案】

西南交《现代电力电子技术》在线作业一---------------------------单选题1.当晶闸管承受反向阳极电压时,不论门极加何种极性触发电压,管子都将工作在( )A.导通状态B.关断状态C.饱和状态D. 不定正确答案:B2.三相半波可控整流电路的自然换相点是()A.交流相电压的过零点B.本相相电压与相邻电压正半周的交点处C.比三相不控整流电路的自然换相点超前30度D.比三相不控整流电路的自然换相点滞后30度正确答案:B3.对于电力MOSFET,栅极不加电压时,电流()A.一定导通B.可能导通C.不能导通D.不确定正确答案:C4.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为()A.一次击穿B.二次击穿C.临界饱和D.反向截止正确答案:B5.快速熔断器可以用于过电流保护的电力电子器件是()A.功率晶体管B. IGBTC.功率MOSFETD.晶闸管正确答案:D6.单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角的最大移相范围是()A. 90oB. 120oD. 180o正确答案:D7.三相半波带电阻性负载时,α为()度时,可控整流输出的电压波形处于连续和断续的临界状态A. 0B. 60C. 30D. 120正确答案:C8.一般可逆电路中的βmin选()合理A.30o-35oB.10o-25oC.0o-10oD. 0o正确答案:A9.电流型逆变器中间直流环节贮能元件是( )A. 电容B. 电感D.电动机正确答案:B10.采用多重化电压源型逆变器的目的,主要是为( )A.减小输出幅值B.增大输出幅值C.减小输出谐波D.减小输出功率正确答案:C---------------------------多选题1.变频电路可分为()A.交交变频B.交直变频C.交值交变频D.直交变频正确答案:A2.相控整流电路实现有源逆变的条件有()A.负载侧存在直流电势B.直流电势的绝对值大于整流输出电压的绝对值C.晶闸管触发角大于90度D.晶闸管触发角小于90度正确答案:A3.IGBT具有以下哪三种极性?()A. 门极KB. 栅极GC.集电极CD.发射极E正确答案:B4.相控整流电路的负载大致可以分为()A.电阻性负载B.电感性负载C.电容性负载D.反电势负载正确答案:A5.电力变换的类型有()A.交流变直流B.直流变交流C.直流变直流D.交流变交流正确答案:A6.下列元器件中,半控型有()A.普通晶闸管B.整流二极管C.逆导晶闸管D.双向晶闸管正确答案:A7.开关管的驱动电路采用的隔离技术有()A.磁隔离B.电容隔离C.电感隔离D.光耦隔离正确答案:A8.无源逆变电路可以输出()A.三角波B. 斜波C.矩形波D.脉宽调制波正确答案:C9.电压逆变电路的特点()A.直流侧接大电感B.交流侧电流接正弦波C.直流侧电压无脉动D.直流侧电流无脉动正确答案:B10.按照开关控制能力,电力电子器件可分为()A.不可控器件B.半空型器件C.电压控制型器件D.全控型器件正确答案:A---------------------------判断题1.单极性SPWM调制波比双极性SPWM调制波的谐波分量要大些A. 错误B. 正确2.三相半波可控整流电路与三相桥式整流电路相比,要输出相同的Ud,晶闸管承受的正、反向峰值电压较低A. 错误B. 正确正确答案:A3.换相压降消耗有功功率A. 错误B. 正确正确答案:A4.在三相交流调压电路中,至少有一相正向晶闸管与另一相反向晶闸管同时导通A. 错误B. 正确正确答案:B5.变频调速装置属于无源逆变的范畴A. 错误B. 正确6.直流斩波器属于隔离型直直变换器A. 错误B. 正确正确答案:A7.脉宽调制逆变电路存在开关频率高的缺点A. 错误B. 正确正确答案:B8.带阻性负载的单相桥式全控整流电路中,触发角为0时,功率因数也为0A. 错误B. 正确正确答案:A9.恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是减小存储时间。

现代电力电子技术第1次作业

现代电力电子技术第1次作业

现代电力电子技术第1次作业1.电力电子器件一般工作在()。

通断状态(开关状态)(正确答案)放大状态截止状态常开状态2.二极管属于()。

半控型器件全控型器件不可控器件(正确答案)GTR3.按受控方式分,普通晶闸管属于()。

全控型器件半控型器件(正确答案)不可控器件不确定4.交流电变直流电的过程可用文字符号表示为()。

AC-DC(正确答案)AC-ACDC-DCDC-AC5.晶闸管的三个电极分别是()。

阴极、阳极、控制极(正确答案)发射极、集电极、基极阳极、基极、集电极一级、二级、三级6.晶闸管具有3个PN结。

对(正确答案)错7.晶闸管的电极分别为发射极、集电极和控制极。

对错(正确答案)8.晶闸管的三个电极分别用阳极A、阴极K、控制极G表示。

对(正确答案)错9.从公用电网直接得到的是交流电。

对(正确答案)错10.从蓄电池和干电池得到的是直流电。

对(正确答案)错11.整流电路按输出波形分可分为单相整流和三相整流。

对错(正确答案)12.把交流电变为大小可调的直流电叫整流。

对(正确答案)错13.交流调压是把交流变交流,把一种交流电变成输出值适合需要的交流电。

对(正确答案)错14.逆变是把直流电变为交流电。

对(正确答案)错15.触发脉冲丢失会导致逆变失败。

对(正确答案)错16.电力中的电源有()和()两种。

交流(正确答案)直流(正确答案)单相三相17.电力电子器件按受控方式分为()、()和()。

不可控器件(正确答案)半可控器件(正确答案)全控器件(正确答案)电力电子器件18.该图形符号是什么器件的?_________________________________(答案:晶闸管)19.HL指的是现实生活中的什么物件?_________________________________(答案:灯泡)20.观察日常生活中的调光灯会发现,其输入是交流多少的电压?_________________________________(答案:220V)21.工频交流电或直流电变换成频率可调的交流电供给负载是什么电路?_________________________________(答案:变频电路)22.该图形符号是什么器件的?_________________________________(答案:双向晶闸管)23.如图所示的交流调压电路,此交流调压电路中使用的控制元件是什么?_________________________________(答案:单向晶闸管)。

电力电子技术第1-3-章作业

电力电子技术第1-3-章作业

电力电子技术第1-3-章作业1.温度升高时,晶闸管的触发电流、正反向漏电电流、维持电流以及正向转折电压和反向击穿电压的变化应依次为?A 上升、上升、下降、增大、减小B 下降、上升、上升、减小、减小C 上升、下降、上升、减小、增大D 下降、上升、下降、减小、减小正确答案:D单选题2.以下关于晶体管和晶闸管的说法正确的是?A 晶体管可以构成放大器,晶闸管也可以B 晶体管不可以构成放大器,晶闸管可以C 晶体管可以构成放大器,晶闸管不可以D 晶体管和晶闸管都不可以构成放大器正确答案:C3.以下两种晶闸管结构中,哪种散热效果好一点?A 平板型B 螺旋型正确答案:A单选题4.在一个由直流电源、晶闸管、电感、电阻串联组成的电路中,K=50V,R=0.5欧,L=0.5H,晶闸管擎住电流为15mA。

要使晶闸管导通,门极触发电流脉冲宽度至少为?A 50usB 100usC 120usD 150us正确答案:D单选题5.擎住效应出现于以下哪个器件中?A P-MOSFETB IGBTC GTRD GTO正确答案:B单选题6.对于同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL 的关系是?A IH≈(2~4)ILB IL≈(2~4)IHC IH=ILD IL≥IH正确答案:B单选题7.单相正弦交流电源电压有效值为220V,晶闸管与负载电阻串联连接,考虑晶闸管的安全余量,以下哪个选项符合其额定电压?A 100~220VB 310~440VC 700~1000VD 380~620V正确答案:C单选题8.以下有关晶闸管额定电流的定义,正确的是?A 在规定条件下,晶闸管允许通过电流的平均值B 在规定条件下,晶闸管允许连续通过工频正弦半波电流的最大平均值C 在规定条件下,晶闸管允许连续通过工频正弦半波电流的最大有效值D 在规定条件下,晶闸管允许连续通过工频电流的最大有效值正确答案:B单选题9.单相正弦交流电源电压有效值为220V,晶闸管和负载电阻串联连接,晶闸管实际承受的最大正反向电压为?A 310VB 220VC 380VD 440V正确答案:A单选题10.已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流?A 减小至维持电流以下B 减小至擎住电流以下C 减小至门极触发电流以下D 减小至为5A以下正确答案:A单选题11.功率晶体管的安全工作区由以下4条曲线限定:集电极-发射极允许最高击穿电压线,集电极最大允许直流功率线,集电极最大允许电流线和?A 基极最大允许直流功率线B 基极最大允许电压线C 临界饱和线D 二次击穿触发功率线正确答案:D单选题12.在晶闸管应用电路中,为了防止误触发,应使干扰信号的幅值限制在?A 可靠触发区B 不可靠触发区C 安全工作区D 不触发区正确答案:D单选题13.对于移相控制电路,为了限制最小移相控制角和设置移相范围,可在输入控制信号的输入端再叠加一个?A 交流电压B 偏移电压C 同步信号D 触发信号正确答案:B单选题14.同步相控横向控制电路的组成包括同步变压器、同步信号发生器、移相控制电路、环形分配器、译码器,脉冲形成与功放,以及?A 6倍频脉冲信号发生器B 6拍逆变器C 斩波器D 驱动电路正确答案:A单选题15.恒流驱动电路中加速电容C的作用是?A 加快功率晶体管开通B 延缓功率晶体管关断C 加深功率晶体管的饱和深度D 保护器件正确答案:A单选题16.在功率晶体管的恒流驱动电路中,为减小存储时间以加速功率晶体管的关断,经常采用?A di/dt抑制电路B 缓冲电路C 截止反偏驱动电路D 滤波电路正确答案:C单选题17.在三相桥式电路中,变压器二次侧用阻容保护,接成三角形。

电力电子技术试题及答案-(1)

电力电子技术试题及答案-(1)

电力电子技术试题及答案-(1)1、请在空格内标出下面元件的简称:电力晶体管_GTR __________ ;可关断晶闸管_GTO _________ ;功率场效应晶体管_MOSFET ____________ ;绝缘栅双极型晶体管IGBT ____________ ; IGBT是MOSFET ________________ 和GTR ―的复合管。

2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高___________________ 和触发脉冲要与品闸管阳极电压同步。

3、多个晶闸管相弁联时必须考虑—均流的问题,解决的方法是一串专用均流电抗器。

4、在电流型逆变器中,输出电压波形为正弦波波,输出电流波形为方波波。

5、型号为KS100-8的元件表示双向品闸管品闸管、它的额定电压为_800V 伏、额定有效电流为100A 安。

6、180°导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行;而1200导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。

7、当温度降低时,晶闸管的触发电流会—增加、 ________ 、正反向漏电流会 _下降、________ ;当温度升高时,晶闸管的触发电流会—下降、、正反向漏电流会—增加。

8、在有环流逆变系统中,环流指的是只流经两组变流器之间而不流经负载的电流。

环流可在电路中加电抗器来限制。

为了减小环流一般采用控制角5B的工作方式。

9、常用的过电流保护措施有—快速熔断器、—串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。

(写出四种即可)10、逆变器按直流侧提供的电源的性质来分,可分为_电压型一型逆变器和—电流型型逆变器,电压型逆变器直流侧是电压源,通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧用—电容器进行滤波,电压型三相桥式逆变电路的换流是在桥路的本桥元件之间元件之间换流,每只晶闸管导电的角度是—1800度;而电流型逆变器直流侧是电流源,通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧是用电感—滤波,电流型三相桥式逆变电路换流是在异桥元件之间元件之间换流,每只晶闸管导电的角度是_1200_______ 度。

中国石油大学(华东)《电力电子技术》-在线作业(一)

中国石油大学(华东)《电力电子技术》-在线作业(一)

《电力电子技术》在线作业(一)将直流电能转换为交流电能馈送给交流电网的变流器是()。

A:有源逆变器B:A/D变换器C:D/A变换器D:无源逆变器参考选项:A普通晶闸管是一种单向导电器件,它在电压阻断能力方面的特点是()。

A:仅具有正向电压阻断能力B:仅具有反向电压阻断能力C:正、反向电压阻断能力都具备D:接入反并联二极管时,正、反向电压阻断能力才都具备参考选项:C三相全控桥式整流器的换流方式()。

A:器件换流B:负载换流C:电网换流D:强迫换流参考选项:A为了让晶闸管可控整流电感性负载电路正常工作,应在电路中接入()。

A:三极管B:续流二极管C:保险丝D:电力场效应晶体管参考选项:B通常电压型PWM逆变器是通过改变()来改变输出基波电压有效值大小的。

A:直流侧电压UdB:调制比C:载频三角波频率D:正弦调制波频率参考选项:B单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角的最大移相范围是()。

A:0-180B:0-15C:0-120D:0-90参考选项:A三相全控桥式整流电路中同一相上、下两只晶闸管触发脉冲相位差()。

A:60B:90C:120D:180参考选项:D对于可控整流电路,其换流重叠角大小的影响因素,主要包括()。

A:变压器等效漏感LBB:直流侧电流IdC:A、B两个方面都有影响D:Ud代表的平均值电压的增加量参考选项:A三相全控桥式整流电路中,共阳极组的三只晶闸管的触发脉冲相位互差()。

A:60oB:90oC:120oD:150o参考选项:C在大电感负载三相全控桥中,当α=90°时,整流电路的输出是()。

A:UB:0C:1.414U2D:1.732U2参考选项:B按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况可知分类,由电子和空穴两种载流子参与导电的器件称为()。

A:单极型器件B:双极型器件C:复合型器件参考选项:B晶闸管的三个引出电极分别是()。

A:阳极、阴极、门极B:阳极、阴极、栅极C:栅极、漏极、源极D:发射极、基极、集电极参考选项:A。

电力电子技术练习题1

电力电子技术练习题1

电⼒电⼦技术练习题1电⼒电⼦技术习题⼀、可控整流部分1、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V,反向重复峰值电压为825V,则该晶闸管的额定电压应为()。

A、700VB、750VC、800VD、850V2、单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制⾓α的最⼤移相范围是( )A、0o-90°B、0o-120°C、0o-150°D、0o-180°3、三相全控桥式整流电路带电阻负载,当触发⾓α=0o时,输出的负载电压平均值为()。

A、0.45U2B、0.9U2C、1.17U2D、2.34U24、三相全控整流桥电路,如采⽤双窄脉冲触发晶闸管时,下图中哪⼀种双窄脉冲间距相隔⾓度符合要求。

请选择。

5、单相半波可控整流电路,晶闸管两端承受的最⼤电压为()。

A、U2B、2U2C、22UD、6U26、单相桥式整流电路的同⼀桥臂两只晶闸管的触发脉冲应相差度。

A、60°B、180°C、360°D、120°7、在三相半波可控整流电路中,当负载为电感性时,负载电感量越⼤,则()A. 输出电压越⾼B.输出电压越低C.导通⾓越⼩D. 导通⾓越⼤8、在三相半波可控整流电路中,每只晶闸管的最⼤导通⾓为(D)A. 30°B. 60°C. 90°D. 120°9、三相半波可控整流电路由(A)只晶闸管组成。

A、3B、5C、4D、210、三相半波可控整流电路电阻负载的控制⾓α移相范围是(A)。

A、0~90°B、0~100°C、0~120°D、0~150°11、三相半波可控整流电路⼤电感负载⽆续流管,每个晶闸管电流平均值是输出电流平均值的(D)。

A、1/3B、1/2C、1/6D、1/412、三相半控桥式整流电路由(A)晶闸管和三只功率⼆极管组成。

A、四只B、⼀只C、⼆只D、三只13、三相半控桥式整流电路电阻性负载时,控制⾓α的移相范围是(D)。

电力电子作业题一

电力电子作业题一

作业题(一)第一部分:填空题1、电力电子技术分为、两个分支。

2、在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是_ ,属于半控型器件的是,属于全控型器件的是。

3、电力电子器件主要工作于状态,当开关频率较高可能成为器件功率损耗的主要因素。

4、电力电子器件系统一般由、驱动电路和以电力电子器件为核心的组成。

5、电力MOSFET是用来控制漏极电流,因此驱动电路简单。

6、按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质,可以将电力电子器件分为型和型。

7. 按驱动电路信号的性质可以将电力电子器件分为:电流驱动型器件和型器件两类,晶闸管属于其中的型器件。

第二部分:选择题1、下列电力电子器件中,开关频率最高的器件为()A.IGBT B. TR C. GTO D. MOSFET2、通常()是电力电子器件的功率损耗的主要因素。

A. 通态损耗B. 断态损耗C. 开通损耗D. 关断损耗3、普通晶闸管的通态电流(额定电流)是用电流的()来表示的。

A有效值B最大值C平均值4、开关速度最快的器件是()A GTRB GTOC IGBTD 电力MOSFET5、晶闸管两端并联一个RC电路的作用是()。

A、分流B、降压C、过电压保护D、过电流保护6、在电力电子电路中,GTR工作在开关状态,即工作在()状态。

A、截止和饱和B、饱和和放大C、放大和截止D、过渡7、下列电力电子器件中,开关频率最高的器件为()A、IGBTB、TRC、GTOD、MOSFET8、晶闸管导通的条件是( )。

A.阳极加正向电压,门极有正向脉冲B.阳极加正向电压,门极有负向脉冲C.阳极加反向电压,门极有正向脉冲D.阳极加反向电压,门极有负向脉冲9、对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL( A )IH;A.大于 B.小于 C.等于 D.小于等于10、下列属于全控型器件的是( C )A.GTO、GTR、SCRB.电力MOSFET、电力二级管C.IGBT、GOT、GTRD.GTR、SCR第三部分:分析简答题1、维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断?2、如何实现晶闸管的关断?晶闸管处于阻断状态时其两端的电压大小由什么决定?3、晶闸管二端并接阻容吸收电路可起哪些保护作用?4、简述与处理信息的电子器件相比较电力电子器件的特征。

大工13春《电力电子技术》在线作业

大工13春《电力电子技术》在线作业

一、单选题CACBAC1.电容滤波的单相不可控整流电路常用于(小功率单相)交流输入的场合。

2.通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断的电力电子器件被称为(半控型器件)。

3.下列哪个方法不能使晶闸管关断?(给阳极施压)4.正弦电路中,电路的平均功率和下列哪项是同一概念?(有功功率)5.GTR是用(基极)电流来控制集电极电流的。

6.三相半波可控整流电路带电阻负载情况下,用二极管替换晶闸管,那么一个周期中每个二极管各导通(120)度。

二、多选题ABCD、BC、CD、ABD、AD、AD1.电力二极管的主要类型包括(普通二极管、整流二极管、快恢复二极管、肖特基二极管)。

2.下列哪些不能实现有源逆变?(半控桥电路、有续流二极管电路)3.MOSFET按导电沟道可分为哪几项?(P沟道、N沟道)4.换相重叠角γ会受哪些参数变化影响?(Id、Xb、α)5.电阻负载具有哪些特点?(电压与电流成正比、电压与电流波形相同)6.软开关技术有哪些作用?(降低开关损耗、提高效率)三、判断题AAABB、BBB1.电力二极管基本结构以半导体PN结为基础,工作原理不以半导体PN结为基础。

2.普通晶闸管在反向稳态下,不一定是处于阻断状态。

3.变流技术是电力电子技术的基础。

4.带平衡电抗器的双反星形可控整流电路中,平衡电抗器可以使得两组三相半波整流电路同时导电。

5.单相全波可控整流电路中,变压器T带中心抽头。

6.三相桥式全控整流电路大多用于向阻感负载和反电动势阻感负载供电。

7.在电容滤波的三相不可控整流电路中,最常用的是三相桥式结构。

8.对某些器件来讲,驱动电路可以造成器件的发热。

一、单选题BCDABA1.单相电压型二重逆变电路的总输出电压中不含有(3)次谐波。

2.电流型逆变电路是指(直流侧是电流源)的逆变电路。

3.三相三重斩波电路电源公用而负载为三个独立负载时,则为(三相一重)斩波电路。

4.在采用电力MOSFET的电路中,换流方式为(器件换流)。

大工18春《电力电子技术》在线作业1(满分答案)

大工18春《电力电子技术》在线作业1(满分答案)
T: 对
F: 错
正确答案:
(判断题) 3: GTO的导通机理没有正反馈过程。
T: 对
F: 错
正确答案:
(判断题) 4: 电力MOSFET是主要电力电子器件中开关速度最高的。
T: 对
F: 错
正确答案:
(判断题) 5: 电力MOSFET是电流驱动型器件。
T: 对
A: 静态特性 B: 动态特性 Fra bibliotekC: 正向特性
D: 反向特性
正确答案:
(多选题) 3: 对GTR的保护缓冲电路主要有以下哪几种形式?( )
A: RC缓冲电路
B: 充放电型R-C-VD缓冲电路
C: 阻止放电型R-C-VD缓冲电路
D: LR缓冲电路
正确答案:
(多选题) 4: 电力电子装置在发生故障或者在器件导通和关断过程中,可能会发生( )。
A: 交流断路器
B: 直流快速断路器
C: 快速短路器
D: 电子保护电路
正确答案:
(多选题) 1: 下列哪些属于变流技术的主要分类?( )
A: 整流
B: 直流斩波
C: 逆变
D: 交流电力控制、变频、变相
正确答案:
(多选题) 2: 晶闸管的伏安特性曲线包括哪几部分?( )
A: 过电流
B: 过电压
C: 过大的di/dt
D: 过大的du/dt
正确答案:
(多选题) 5: 下列哪些是常用的过电压保护措施?( )
A: 避雷器
B: 变压器静电屏蔽
C: 阻容吸收电路
D: 非线性电阻器件
正确答案:
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电力电子技术作业-1
1.使晶闸管导通及维持晶闸管导通的条件分别是什么?怎样才能使晶闸管由导
通变为关断?
答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。

或:u AK>0且u GK>0。

维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流。

要使晶闸管由导通变为关断,可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下,即降到维持电流以下,便可使导通的晶闸管关断。

2.如何防止电力MOSFET因静电感应引起的损坏?
答:电力MOSFET的栅极绝缘层很薄弱,容易被击穿而损坏。

MOSFET的输入电容是低泄漏电容,当栅极开路时极易受静电干扰而充上超过 20的击穿电压,所以为防止MOSFET因静电感应而引起的损坏,应注意以下几点:
①一般在不用时将其三个电极短接;
②装配时人体、工作台、电烙铁必须接地,测试时所有仪器外壳必须接地;
③电路中,栅、源极间常并联齐纳二极管以防止电压过高
④漏、源极间也要采取缓冲电路等措施吸收过电压。

3.试说明IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET各自的优缺点。

4. 单相半波可控整流电路对电感负载供电,L =20mH ,U 2=100V ,求当α=0︒和60︒时的负载电流I d ,并画出u d 与i d 波形。

解:α=0︒时,在电源电压u 2的正半周期晶闸管导通时,负载电感L 储能,在晶闸管开始导通时刻,负载电流为零。

在电源电压u 2的负半周期,负载电感L 释放能量,晶闸管继续导通。

因此,在电源电压u 2的一个周期里,以下方程均成立:
t U t
i L ωsin 2d d 2d = 考虑到初始条件:当ωt =0时i d =0可解方程得:
)cos 1(22d t L
U i ωω-= ⎰-=πωωωπ202d )(d )cos 1(221t t L
U I =L
U ω22=22.51(A) u d 与i d 的波形如下图:
当α=60°时,在u 2正半周期60︒~180︒期间晶闸管导通使电感L 储能,电感L 储藏的能量在u 2负半周期180︒~300︒期间释放,因此在u 2一个周期中60︒~300︒期间以下微分方程成立:
t U t
i L ωsin 2d d 2d = 考虑初始条件:当ωt =60︒时i d =0可解方程得:
)cos 2
1(22d t L U i ωω-= 其平均值为
)(d )cos 2
1(2213532d t t L U I ωωωπππ-=⎰=L U ω222=11.25(A) 此时u d 与i d 的波形如下图:
5.单相桥式全控整流电路,U2=100V,负载中R=2Ω,L值极大,反电势E=60V,当α=30︒时,要求:
a.作出u d、i d和i2的波形;
b.求整流输出平均电压U d、电流I d,变压器二次侧电流有效值I2;
c.考虑安全裕量,确定晶闸管的额定电压和额定电流。

解:①u d、i d和i2的波形如下图:
②整流输出平均电压U d、电流I d,变压器二次侧电流有效值I2分别为
U d=0.9 U2 cosα=0.9×100×cos30°=77.97(A)
I d=(U d-E)/R=(77.97-60)/2=9(A)
I2=I d=9(A)
③晶闸管承受的最大反向电压为:
2U2=1002=141.4(V)
流过每个晶闸管的电流的有效值为:
I VT=I d ∕2=6.36(A)
故晶闸管的额定电压为:
U N=(2~3)×141.4=283~424(V)
晶闸管的额定电流为:
I N=(1.5~2)×6.36∕1.57=6~8(A)
晶闸管额定电压和电流的具体数值可按晶闸管产品系列参数选取。

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