13年6月杭州电子科技大学模拟电子技术复习卷

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模拟电子技术习题及答案

模拟电子技术习题及答案

模拟电子技术

第1章半导体二极管及其基本应用

1.1 填空题

1.半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。

2.本征半导体中,若掺入微量的五价元素,则形成 N 型半导体,其多数载流子是电子;若掺入微量的三价元素,则形成 P 型半导体,其多数载流子是空穴。

3.PN结在正偏时导通反偏时截止,这种特性称为单向导电性。

4.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将增大,正向压降将减小。

5.整流电路是利用二极管的单向导电性,将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。

6.发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。

7.光电二极管能将光信号转变为电信号,它工作时需加反向偏置电压。

8.测得某二极管的正向电流为1 mA,正向压降为0.65 V,该二极管的直流电阻等于 650 Ω,交流电阻等于 26 Ω。

1.2 单选题

1.杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( C )。

A.温度 B.掺杂工艺 C.掺杂浓度 D.晶格缺陷

2.PN结形成后,空间电荷区由( D )构成。

A.价电子 B.自由电子 C.空穴 D.杂质离子

3.硅二极管的反向电流很小,其大小随反向电压的增大而( B )。

A.减小 B.基本不变 C.增大

4.流过二极管的正向电流增大,其直流电阻将( C )。

A.增大 B.基本不变 C.减小

5.变容二极管在电路中主要用作( D )。、

A.整流 B.稳压 C.发光 D.可变电容器

1.3 是非题

1.在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。( √ )

2.因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( × )

(完整版)模电期末试题及答案-模拟电子技术

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《模拟电子技术基础》试卷及参考答案

1、在本征半导体中加入元素可形成N型半导体,加入元素可形成P型半导体。

A. 五价

B. 四价

C. 三价

2、稳压管的稳压区是其工作在。

A. 正向导通

B.反向截止

C.反向击穿

3、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为。

A. 前者反偏、后者也反偏

B. 前者正偏、后者反偏

C. 前者正偏、后者也正偏

4、(2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将。

A. 增大

B. 不变

C. 减小

5、U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有。

A. 结型管

B. 增强型MOS管

C. 耗尽型MOS管

6、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。

A.电阻阻值有误差

B.晶体管参数的分散性

C.晶体管参数受温度影响

D.电源电压不稳定

7、选用差分放大电路的原因是。

A.克服温漂

B.提高输入电阻

C.稳定放大倍数

8、差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的,共模信号是两个输入端信号的。

A.差

B.和

C.平均值

9、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻R e,将使电路的。

A.差模放大倍数数值增大

B.抑制共模信号能力增强

C.差模输入电阻增大

10、在输入量不变的情况下,若引入反馈后,则说明引入的反馈是负反馈。 A.输入电阻增大 B.输出量增大

C.净输入量增大 D.净输入量减小

11、交流负反馈是指。

A.阻容耦合放大电路中所引入的负反馈

B.只有放大交流信号时才有的负反馈

C.在交流通路中的负反馈

模拟电子技术考试复习题及答案(共6套)

模拟电子技术考试复习题及答案(共6套)

《模拟电子技术》复习试题一

一、填空(每空1分,共20分)

1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正偏、集电结反偏。

2. 放大器级间耦合方式有三种:直接耦合;阻容耦合;变压器耦合;在集成电路中通常采用直接耦合。

3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。

4. 乙类推挽放大器的主要失真是交越失真,要消除此失真,应改用甲乙类推挽放大器。

5. 图1所示两级放大电路,图中级间采用阻容耦合方式,

T接成共基

1

组态,

T接成共集组态,1R和2R的作用是为T1管提供基极偏

2

置。

6. 在阻容耦合放大器中,若要降低下限频率,应将耦合电容的值增大。

7. 共射-共基组合电路中,由于共射电路的上限频率小于共基电路的上限频率,故此组合电路的上限频率主要取决于共射电路。

8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ,相应的振幅条件是1)(=ωj T ,相位条件是()πωϕ±=T 。

二、简答(共3小题,每小题5分,共15分)

1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示

(1)判断它们各是NPN 管还是PNP 管,在图中标出e ,b ,c 极; 答:见图中标识(判断NPN 管还是PNP 管各1分,标出e ,b ,c 极

1分, 共3分)

(2)估算(b)图晶体管的β和α值。

601.06===

B C I I β, 985.01≈+=β

βα (各1分,共2分)

2.电路如图3所示,试回答下列问题

(1)要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻,应接入何种负反馈?

R应如何接入?(在图中连接)

f

模拟电子技术复习试题和答案

模拟电子技术复习试题和答案

一、填空题:(要求)

1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。制造这些器材的主要材料是半导体,例如和等。

半导体中中存在两种载流子:和。纯净的半导体称为,它的导电能力很差。掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。杂质半导体分为两种:型半导体——多数载流子是;

型半导体——多数载流子是。当把P型半导体和N型半导体结合在一起时,在两者的交界处形成一个结,这是制造半导体器件的基础。

2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区:区、区和区。为了对输入信号进行线形放大,避免产生严重的非线形性失真,应使三极管工作在区内。当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真,当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。

3、半导体二极管就是利用一个加上外壳,引出两个电极而制成的。它的主要特点是具有性,在电路中可以起整流和检波等作用。半导体二极管工作在区时,即使流过管子的电流变化很大,管子两端的电压变化也很小,利用这种特性可以做成。

4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流,是一种控制器件。场效应管分为型和型两大类。

5、多极放大电路常用的耦合方式有三种:耦合、耦合和耦合。

6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体,加入价元素可形成P型半导体。

7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。

8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。正反馈使放大倍数;负反馈使放大倍数;但其他各项性能可以获得改善。直流负反馈的作用是,交流负反馈能够。

9、电压负反馈使输出保持稳定,因而了放大电路的输出电阻;而电流负反馈使输出

《模拟电子技术》复习题10套及答案

《模拟电子技术》复习题10套及答案

.

《模拟电子技术》复习题一

一、填空题

1、在N型半导体中,多数载流子是;在P型半导体中,多数载流子是。

2、场效应管从结构上分为结型和两大类,它属于控制性器件。

3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与负载之间接入(共射、共集、共基)组态放大电路。

4、在多级放大器中,中间某一级的电阻是上一级的负载。

5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入____________。

6、根据下图中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。

7、正弦波振荡电路通常由,,和

四部分组成。

二、选择题

1、利用二极管的()组成整流电路。

A 正向特性

B 单向导电性C反向击穿特性

2、P型半导体是在本征半导体中加入()后形成的杂质半导体。

A空穴B三价元素硼C五价元素锑

3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为( )场效应管。

A P沟道增强型MOS型

B P沟道耗尽型MOS型

C N沟道增强型MOS型

D N沟道耗尽型MOS型

E N沟道结型

F P沟道结型

.

图2-10 4、有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V 1=-4V,V 2=-1.2V,V 3=-1.4V,试判别管子的三个管脚分别是( )。

A 1:e、2:b、3:c

B 1:c、2:e 、3:b

C 1:c、2:b、3:e

D 其它情况 5、集成运放中间级的作用是( )。 A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件,判断图2-6所示振荡电路中( )发生振荡。 A 可能 B 不能

模拟电子技术综合复习题(有答案)

模拟电子技术综合复习题(有答案)

1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N型半导体。

A.二

B.三

C.四

D.五

2、在N型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素,变成为P型半导体。

A.二

B.三

C.四

D.五

3、在本征半导体中,自由电子浓度 B空穴浓度。

A.大于

B.等于

C.小于

4、在P型半导体中,自由电子浓度 C 空穴浓度。

A.大于

B.等于

C.小于

5、本征半导体温度升高以后自由电子数和空穴数都增多,且数目相同

6、空间电荷区是由 C 构成的。

A.电子

B.空穴

C.离子

D.分子

7、PN结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

变宽 D. 无法确定

反向击穿

、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

B. 前者正偏、后者反偏

11、当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 A 。

A. 增大

B. 不变

C. 减小

D. 都有可能

12、工作在放大区的某三极管,如果当I B从12μA增大到22μA时,I C 从1mA变为2mA,那么它的β约为 C 。

A. 83

B. 91

C. 100

D. 10

13、当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时,它的低频跨导

g m将 A 。

A.增大

B.不变

C.减小

D. 都有可能

14、晶体管是 A 器件。

A.电流控制电流

15、实践中,判别晶体管是否饱和,最简单的方法是测量U CE。

16、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所示,试判断管子的类型和材料。图1为 D ;图2为 A 。[基极电位总是处于中间]

A.NPN硅管

B.PNP硅管

C.NPN锗管

D.PNP锗管

17、增强型PMOS管工作在放大状态时,其栅源电压 B ,耗尽型PMOS 管工作在放大状态时,其栅源电压 D 。

《模拟电子技术》期末考试复习题(含答案)

《模拟电子技术》期末考试复习题(含答案)

《模拟电子技术》期末考试复习题

班级:学号:姓名:成绩:

一、填空题

1.硅二极管导通时的正向管压降约为____ V,锗二极管导通时的管压降约为____ V。二极管的两端加正向电压时,有一段死区电压,锗管约为____V,硅管约为____V。

0.70.30.20.5

2.半导体具有____特性、____特性和____的特性。

掺杂热敏光敏

3.电路中流过二极管的正向电流过大,二极管将会____;如果施加在二极管两端的反向电压过高,二极管将会____。

烧坏(开路)击穿(短路)

4.使用二极管时,应考虑的主要参数是________和________。

最大整流电流(额定电流)最高反向工作电压(耐压)

5.理想二极管的特点是正向导通时管压降为____,反向截止时反向电流为____。

0V0A

6.用万用表测量二极管的正反向电阻时,若正、反向电阻均接近于零,则表明该二极管已____;若正、反向电阻均接近于无穷大,则表明二极管已____。

击穿烧坏

7.在晶体管中,I E与I B、I C的关系为_________。

I E=I B+I C

8.示波器是电子技术中常用的测量仪器,用于观察被测信号的____及测量被测信号的_________、_________和_________。

波形频率大小相位

9.硅晶体管发射结的死区电压约为_____V,锗晶体管发射结的死区电压约为____V。晶体管处在正常放大状态时,硅管发射结的导通电压约为_____V,锗管发射结的导通电压约为____V。

0.50.20.70.3

10.某晶体管的U CE不变,基极电流I B =30μA时,集电极电流I C =1. 2mA,则发射极电流I E =____ mA,若基极电流I B增大到50μA时,I C增大到2mA,则发射极电流I E =_____mA,晶体管的电流放大系数β=_____。

模拟电子技术试题库及答案

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试题1

一、填空题

(每空1分,共20分)

1、如果按结构分类,二极管可分为( )、( )。

2、BJT工作在截止区时,其发射结处于偏置,集电结处于( )

3、电压射极输出器的输出电阻( )R0的值越好。

4、为消除乙类功放的交越失真,给BJT发射结加一定的偏压,使Q点上移,摆脱( ) 电压的影响。这时,电路工作在( )。

5、互补对称功放采用类型的两个BJT组成推挽输出器,在输入交流信号作用下,两管( ) 工作,为使输出电压波形对称,要求两管的性能( ) 。

6、双端输出差动放大器在电路完全对称时,其共模增益为( ),共模抑制比为( )。

7、运算放大器的输出电阻越小,它带负载的能力( ),如果是恒压源,带负载的能力( )。

8、深度负反馈是指( ),负反馈深度等于( )。

9、正弦波振荡器主要由( )、( )电路三部分组成。

二、判断题

(每小题1分,共10分)

1、PN结中的空间电荷区是由带电的正负离子形成的,因

而它的电阻率很高。( )

2、集电结处于正偏的BJT,它一定工作在饱和区。( )

3、BJT的.值越大,放大能力越强,但在选用BJT时,并不是值越大越好。( )

4、集电极电阻RC的作用是将集电极电流的变化转换成电压的变化,实现电压放大。因此,RC的值越大,输出电压越高。( )

5、只要将晶体管的静态工作点设置在BJT特性曲线的线性放大区,则不论输入什么信号,都不会产生非线性失真。( )

6、分压偏置电路的发射极电阻Re越大,工作点稳定性越好。但Re过大,会使BJT的VCE减小,影响放大器的正常工作。( )

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

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《模拟电子技术》模拟试题一

一、填空题:(每空1分共40分)

1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)

导电性。

2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温

度)有关,而与外加电压(无关)。

3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其

反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开;

4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。

6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集)

放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳

定交流输出电流采用(串联)负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路

的放大倍数AF=(1/ F )。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(),

()称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号,

而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互

补功率放大器。

13、OCL电路是()电源互补功率放大电路;

OTL电路是()电源互补功率放大电路。

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻()

等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。

模拟电子技术期末试卷及答案5套

模拟电子技术期末试卷及答案5套

学院 202 -202 学年第 学期

《模拟电子技术》试卷(A 卷 专业 级)

考试方式: 闭卷 本试卷考试分数占学生总评成绩的 60 %

(本题共5小题,每小题4分,共 20 分)一、填空题 1.多级放大电路常见的三种耦合方式中,若要求各级静态工作点互不影响,可选用 耦合方式;若要求能放大变化缓慢的信号或直流信号,可选用

合方式;若要求能实现阻抗变换,使负载与输出级阻抗相匹配,可选用 耦合方式。

2. 某放大电路中,晶体管三个电极的电流测出分别为:I 1=1.2mA 、I 2=0.03mA 、I

1=1.23mA 。由此可知:电极1是 极,电极2是 极,电极3是

极。若已知I 1电流方向流入晶体管,则I 2电流方向与I 1电流方向 、I 3电流方向与I

1电流方向 。

3. 硅二极管导通压降的典型值是 V 、锗二极管导通压降的典型值是 V ;NPN 型管的集电极电流和基极电流 晶体管;PNP 型管的集电极电流和基极电流 晶体管。

4. 线性失真和非线性失真都使得放大电路的输出波形不再与输入波形相同,其中饱和失真和截止失真属于 失真;幅频失真和相频失真属于 失真。

5. 若反馈量使放大电路的净输入量减小,称为 反馈;若反馈量使放大电路的净输入量增大,称为 反馈。放大电路通常采取 反馈。

6. 小功率直流稳压电源系统中滤波环节最常采用的元件是 元件;串联型直流稳压电路的调整管正常工作在 状态;开关型直流稳压电路的调整管正常工作在 状态。

(本题共10小题,每小题1分,共10分)二、 判断正、误题 1. 因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。 ( ) 2. PN 结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。

模拟电子技术综合复习题(有答案)

模拟电子技术综合复习题(有答案)

《模拟电子技术》复习题综合(第1、2章)

一、 选择题

1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N 型半导体。

A.二

B.三

C.四

D.五

2、在N 型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素,变成为P 型半导体。

A.二

B.三

C.四

D.五

3、在本征半导体中,自由电子浓度 B 空穴浓度。

A.大于

B.等于

C.小于

4、在P 型半导体中,自由电子浓度 C 空穴浓度。

A.大于

B.等于

C.小于

5、本征半导体温度升高以后, C 。

A.自由电子增多,空穴数基本不变

B.空穴数增多,自由电子数基本不变

C.自由电子数和空穴数都增多,且数目相同

D.自由电子数和空穴数都不变

6、空间电荷区是由 C 构成的。

A.电子

B.空穴

C.离子

D.分子

7、PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A. 变窄

B. 基本不变

C. 变宽

D. 无法确定 8、设二极管的端电压为U ,则二极管的电流方程是 C 。

U

T U U I e C. )

1e (S -T U U I D. I S 。

C.反向击穿

、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏

C. 前者正偏、后者也正偏

D. 前者反偏、后者正偏

11、当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 A 。

A. 增大

B. 不变

C. 减小

D. 都有可能

12、工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12μA 增大到22μA 时,I C 从1mA 变为2mA ,那么它的β约为 C 。

A. 83

B. 91

C. 100

D. 10

13、当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将 A 。 A.增大 B.不变 C.减小 D. 都有可能 14、晶体管是 A 器件。

模拟电子技术期末考试卷及答案

模拟电子技术期末考试卷及答案

模拟电子技术期末考试卷及答案

一、填空题(20 分)

1、二极管最主要的特性是。

2、当三极管处于放大状态时其放射结、集电结的偏置方式为

、。

3、多级放大电路中,常见的级间的耦合方式有、、。

4、负反馈放大电路中的四种组态为、、、。

5、正弦波振荡电路的振荡条件为、。

二、选择题(20分)

1、P型半导体中的多数载流子是,N型半导体中的多数载流子是。A、电子 B、空穴 C、正离子

2、杂质半导体中少数载流子的浓度本征半导体载流子的浓度。A、大于 B、小于 C、等于

3、温度升高,二极管在正向电流不变的情况下的正向电

压,反向电流。

A 、增大

B 、减小

C 、不变 4、如图所示复合管,已知V 1的1

= 30,V 2的2

50,则复合后的约为( )。

A .1500 B.80 C.50

5、RC 串并联网络在f=f0=1/2 RC 时呈 。 A 、感性 B 、阻性 C 、容性

三、判断题(10分)(对的打“√”,错的打“×”) 1、本征半导体温度升高后,两种载流子浓度还是相等。( ) 2、参数理想对称的双端输入双端输出差分放大电路只能放大差模信号,不能放大共模信号。( )

3、放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。( )

4、负反馈越深,电路的性能越稳定。( )

5、集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。( ) 四、简答题:( 25分)

1.写出下图所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压UD =0.7V 。

V 2

V 1

2、判断下图所示电路中是否引入了反馈,如果有反馈试判断反馈类型?

¥+

-+R S

u o

(a)

R L

2013年杭州电子科技大学 期末考试 人工智能复习题_答案改

2013年杭州电子科技大学 期末考试  人工智能复习题_答案改

解释下列概念的主要含义:(每题5分,共30分)

1、状态空间法:从某个初始状态开始,每次加一个操作符,递增地建立起操作符的实

验序列,直至达到目标状态止。

2、原子谓词公式:用P(x1,x2,…,xn)表示一个n元谓词公式其中P为n元谓词,x1,x2,…

xn为客体变量或变元。

3、合一:寻找项对变量的置换,以使两表达式一致。

4、框架:通常由描述事物的各个方面的槽组成,每个槽可以拥有若干个侧面,而每个

侧面又可以拥有若干个值。

5、消解反演:把要解决的问题作为一个要证明的命题,其目标公式被否定并化成子句

形,然后添加到命题公式集中去,把消解反演系统应用于联合集,并推导出一个空子句(NIL),产生一个矛盾,这说明目标公式的否定式不成立,即有目标公式成立,定理得证,问题得到解决。

6、问题归约法:问题归约法从目标(要解决的问题)出发,逆向推理,通过一系列变换

把初始问题变换为子问题集合和子子问题集合,直至最后归约为一个平凡的本原问题集合。这些本原问题的解可以直接得到从而解决了初始问题,用与或图来有效地说明问题归约法的求解途径。问题归约法能够比状态空间法更有效地表示问题。状态空间法是问题归约法的一种特例。在问题归约法的与或图中,包含有与节点和或节点,而在状态空间法中只含有或节点。

7、置换:就是在表达式中用置换项置换变量。

8、语义网络:是知识的一种图解表示,它由节点和弧线或链线组成。节点用于表示实

体、概念和情况等,弧线用于表示节点间的关系。

9、消解:对谓词演算公式进行分解和化简,消去一些符号,以求得导出子句,又称归结。

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2.《数字逻辑设计及应用》

∙出版社:清华大学出版社

∙作者:姜书艳林水生等

∙原价:29.00

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[全套资料构成]

序列一:数字逻辑设计(科大内部资料)全程导学

资料简介:本资料作为指定教材同步辅导,由电子科大数字逻辑课程组编写。内容包括各章知识要点、典型例题解析、同步练习题及解答,建议作为第一阶段基础复习使用。

序列二:数字逻辑设计及应用本科教学课件

内容简介:本科课件是科大教研中心授课的重点教案,里面包含了本科教学的内容及要求;本科教学的重点难点以及解决办法;本科教学的重点作业习题。第一轮复习参考本科课堂讲义,就相当于与本校学生一样听了该校老师讲授的课程,众所周知,考研专业课之所以对本校学生有很大优势,其中最重要方面考研专业课的出题的重点难点和本科要求差不多。所以本科讲义对外校考研把握科大最新出题动向和最新大纲要求具有重要参考价值。所以第一轮复习我们建议看教材的同时结合本科讲义,当然也要认真做本科教学老师布置的作业。这样专业课基础知识更牢,对后继阶段复习帮助很大。建议第一阶段基础复习使用。

序列三:数字设计原理与实践第四版(习题答案+复习总结)

内容简介:关于本科教学老师布置的作业一定要认真完成,这些作业题体现了这门课程的重点难点疑点,这些题目都很典型,和代表性,对巩固教材知识和提高自己解题能力都很有帮助,这些题目有时也会出现在真题的原题中。建议第一阶段基础复习使用。

电科大-模拟电子技术试题3及答案

电科大-模拟电子技术试题3及答案

电子科技大学网络教育

一、选择题(每小题2,共10分)

1.BJT 依靠()控制漏极电流íc 的器件。

A 电压

B 电流

C 电阻

D 电场

2.电流求和负反馈使输人电阻()。

A 增加

B 不变

C 减少

D 不清楚

3.NPN 管放大偏值电路中,若V C 增加,则I B ()。

A 略有增加

B 略有减小

C 几乎不变

D 不定

4.集成运放采用有源负载的目的是()。

A 提高电压增益

B 减少温度漂移

C 稳定工作点

D 提高电流强度

5.若发现电路出现饱和失真,则为消除失真,可将()。

A.R c 增大

B.R c 减小

C.V C C 减小D V C C 增大

二、判断题(每题2分,共20分)

1、反向电流是由少数载流子形成,其大小与温度有关,而与外加电压无关。()

2、三极管是电压控制元件,场效应管是电流控制元件。()

3、晶体三极管具有放大作用时,发射结反偏,集电结正偏。()

4、三极管放大电路共有三种组态共射极、共集电极、共基集放大电路。()

5、为了稳定三极管放大电路和静态工作点,采用直流负反馈,为了减小输出电阻采用电压负反馈。()

6、差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。()

7、共模信号是大小相等,极性不同的两个信号。()

8、只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。()

9、用低频信号去改变高频信号的频率称为调频,低频信号称为调制信号,高频信号称高频载波。()

10、晶体管电流放大系数是频率的函数,随着频率的升高而升高。共基极电路比共射极电路高频特性好。()

三、填空题(每空2分,共20分)

1.差动放大器两个输入端的增益电压分别是1mV 和-1mV,则输入的共模电压是mV 。2.反馈方程式AB A

模拟电子技术期末考试复习资料

模拟电子技术期末考试复习资料

《模拟电子技术》课程综合复习资料

一、判断题

1.P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。

答案:错

2.阻容耦合放大电路只能放大交流信号,不能放大直流信号。

答案:对

3.同相求和电路跟同相比例电路一样,各输入信号的电流几乎等于零。答案:错

4.差动放大电路可以放大共模信号,抑制差模信号。

答案:错

5.共集电极放大电路放大动态信号时输入信号与输出信号相位相反。答案:错

一、单选题

1.测得某电路板上晶体三极管3个电极对地的直流电位分别为U

E =3V,U

B

=3.7V,U

C

=3.3V,则

该管工作在()。

A.放大区

B.饱和区

C.截止区

D.击穿区

答案:B

2.放大器的增益是随着输入信号频率的改变而改变的,当输入信号的频率为

H

f时,放大器增益的幅值将()。

A.降为1

B.降为中频时的1/2倍

C.降为中频时的1/

D.降为中频时的倍

答案:C

3.三级放大电路中Av1=Av2=10dB,Av3=15dB,则总的电压增益为()dB。

A.35

C.45

D.60

答案:A

4.某三极管各个电极的对地电位如图所示,可判断其工作状态是()。

A.放大

B.饱和

C.截止

D.已损坏

答案:D

5.二极管电路如图所示,判断图中二极管是导通还是截止后,可确定电路的输出电压Vo为()。(设二极管的导通压降为0.7V)

A.-5V

B.-4.3V

C.-5.7V

D.-10V

答案:C

6.测得图示放大电路中晶体管各电极的直流电位如图所示,由此可知该管为()。

A.Ge,PNP管

B.Ge,NPN管

C.Si,PNP管

D.Si,NPN管

答案:B

7.在单级放大电路中,若输入电压为正弦波形,用示波器观察vo和vi的波形,当放大电路为共集电极放大电路时,则vo和vi的相位()。

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50Ω Rs
30 kΩ Rb1
Cb1
·
3μ0 F
Vs
10kΩ Rb2
·
·
2 kΩ Rc Cb2
·
30μF T
。Vcc
12V
·
RL Vo 8 kΩ
2 kΩ
Re 5μ0 F
Ce
··
基 本 放 大 电 路 如 图 ( 8) 所 示 。 设 所 有 电 容 对 交 流 均 视 为 短 路 , VBE=0.7V, β =80。 试 : ⑴ 估 算 电 路 的 静 态 工 作 点 ;⑵ 画 出 小 信 号 等 效 电 路 ;⑶ 求 电 路 的 输 入 电 阻 Ri 和 输 出 电 阻 Ro ; ⑷ 求 电 路 的 电 压 放 大 倍 数 Av 和 源 电 压 放 大 倍 数 Avs 。
+VCC
Rc1
Rc 2
+ vo -
T1
T2
vi1
v i2
Io
2 mA
-VEE
3、集成运放线性应用
理 想 运 放 组 成 电 路 如 所 示 , 求Vo与Vi1和Vi2的关系式。
理 想 运 放 组 成 电 路 如 图 所 示 , 1)说明A1 、A2组成何种运算电路;2)求Vo与Vi1和Vi2的关系式。
第7章
负反馈放大电路
反馈的类型 反馈四种基本组态的判别,正负反馈的判别 负反馈对放大器性能的影响 深度负反馈放大电路的分析计算 作业:P216~P217:7.4(b)(f),7.15,7.16
第8章
波形产生电路
正弦波振荡电路的振荡条件(幅值平衡条件,相位平衡条件) RC 文氏桥正弦波振荡电路(组成、工作原理、选频、稳幅措施) 电压比较器(电压传输特性及三要素、输入输出波形) 作业:P242~P244:8.9,8.12(a),8.16
电 路 如 所 示 , 晶 体 管 的 β = 80, rb e=1k Ω , RL= 3kΩ 。( 1) 求 出 Q点,( 2) 求 出 Av , Ri和
Ro。
2、差分放大电路
差分放大电路如图所示。设两管的特性相同,已知VCC=VEE=6V, Rc1=Rc2=5.1kΩ,VBE=0.6V,β=100,
第3章
晶体三极管及其基本放大电路
晶体管有三个极、三个区、两个 PN 结 电流分配及放大条件,电压及电流关系 晶体管的共射输入及输出特性曲线 晶体管的三个工作区域:放大,饱合,截止,工作状态判别 放大电路的分析方法: 静态分析:直流通路,求 Q 点
动态分析:交流通路,微变等效电路,求 Au, Ri, Ro, Aus 。
考试题型及例题 一、 填空题(每题 2 分,共 20 分) 二、 简答题(5 题共 30 分) 1、二极管判别
试判断图中的二极管是导通还是截止,并求电压VAo。设二极管是理想的。
+ 8V V1 -
5V
D1
D2
+ V2 -
10V
+ R
Vo + V3 --
电路如图所示,已知ui=5sinωt (V),二极管导通电压UD=0.7V。试画出ui与uO的波形,并标出幅值。 2、电流源电路 镜 像 电 流 源 电 路 如 图 所 示 ,已 知 所 有 晶 体 管 的 特 性 均 相 同 ,β=100,UBE均 为 0.7 V。试 求 IC1为 多 少 。
R3
-
R1
Vi1
A1 +
Vo1
A2
Vo
Vi2 R 2
+
R4
4、场效应管放大电路
场效应管工作于放大状态,设跨导为gm,rds忽略不计,电容对交流视做短路。写出该电路的电压放大倍 数AV,输入电阻Ri和输出电阻Ro的表达式。
RG1
C1 + +
vi RG2 _
T
RG3 RS
+VCC
C2 +
+ RL vo
Rb1 C1 Rs
+ vs-
Rc1 T1 Rf
Re1
VCC
Re 2
T2 C2
+
Rc2 RL vo
-
图所示电路中,1)判别级间反馈类型,并在图中标出瞬时极性;2)设该反馈电路满足深度负反馈条件,
求其闭环电压增益 Avf 。
如图所示反馈放大电路。1)指明级间反馈元件;2)判别级间反馈类型,并在图中标出瞬时极性;2)
杭州电子科技大学信息工程学院学生期末考试复习内容
第1章
运算放大器及线性应用
放大电路的方框图及其主要性能指标:放大倍数,输入电阻和输出电阻 集成运放组成及特点 理想集成运算放大器参数 理想运放工作在线性区的特点 理想运放工作在非线性区的特点 基本运算电路:同相比例,反相比例,加法,减法 作业:P19:1.9(d)1.10
第2章
半导体二极管及直流稳压电源
掺杂半导体多子少子 PN 结的形成及特性 二极管的伏安特性曲线 晶体二极管模型及电路分析方法:(理想,恒压降,折线)导通截止判别,画输出波形 直流电源的组成:单相半波和桥式整波,电容滤波,稳压二极管或三端稳压 作业:P53~P55:2.3(c)(d),2.10,2.11,2.14
若电路满足深度负反馈的条件,求电路的闭环电压增益 Avf 。
Vcc
Rc
Vi R4
+ A
-
Vo R2
R1
R3
如图所示电路,设集成运放均为理想运放,已知稳压管VZ = 5V ,VD(on) = 0.7V ,VREF = 3V :
1)说明 A1 和 A2 分别组成何种功能电路?
2)画出 A2 的传输特性曲线( vo ~ vo1 ); 3)当 vi = 5sin ωt(V ) 时,画出 vi (t) 、 vo1(t) 和 vo (t) 的波形(要求坐标对齐)。
静态工作点稳定的共射极典型电路的分析。 共集电极电路特点 P83~P84:例 3.4.1 和例 3.4.2 作业:P97~P98:3.17,3.18
第4章
场效应管及其基本放大电路
FET 管分类 BJT 和 FET 比较 场效应管放大电路的分析(共源、共漏) 作业:P122~P124:4.7,4.14
可选用热敏电阻,若 R1 为热敏电阻,则其温度系数应为正还是负?
三、 分析计算题(50 分) 1、三极管放大电路分析
基 本 放 大 电 路 如 图 所 示 。设 所 有 电 容 对 交 流 均 视 为 短 路 ,VBE=0.7V,β =80。试 :⑴ 估 算 电 路 的 静 态 工 作 点 ;⑵ 画 出 小 信 号 等 效 电 路 ;⑶ 求 电 路 的 输 入 电 阻 Ri和 输 出 电 阻 Ro; ⑷ 求 电 路 的 电 压 放 大 倍 数 Av和 源 电 压 放 大 倍 数 Avs。
第5章
多级放大电路与集成运算放大单元电路
第6章
多级放大电路的耦合方式 多级放大电路的输入电阻、输出电阻和电压增益
集成运放电路四个组成部分的作用 电流源的作用 镜像电流源电路和比例电流源电路分析 差分放大电路的作用 共模信号和差模信号 射极耦合差分式放大电路(静态分析、差模动态分析、共模动态分析) 功率放大电路工作方式及分类 互补对称功率放大电路的特点及失真 作业:P164~P165:5.5,5.6,5.11,5.14
-
C1 +
vi
-
VDD
Rd
Rg1
+ C2
T
+
Rg3
vo
Rg2
R
C3
-
场效应管工作于放大状态,rds忽略不计,电容对交流视做短路。写出该电路的电压放大倍数AV,输入电 阻Ri和输出电阻Ro的表达式.设跨导为gm 如图所示电路,Rg1=60KΩ, Rg2=40KΩ, Rg3=100KΩ,Rd=15KΩ,VDD=5V,VT=1V,Kn=0.2mA/V2。计算:IDQ 和VDSQ,判断场效应管工作状态。
REE=5.1kΩ,rce可忽略,试计算:(1) 电路静态工作点(IBQ、ICQ、VCEQ);(2) 差模电压放大倍数
Avd1=Vo/Vi;(3) 差模输入电阻Rid与输出电阻Rod。
RC1 10k Ω
+
_ Vo
RC2 10k Ω
+Vcc
(10V)
+
T1
T2பைடு நூலகம்
Vi _
Re 9.3k Ω
-VEE
(-10V)
4、电压比较器
图为一单门限放大器,试求其门限电压VT,画出电压传输特性。其中R1=50kΩ,R2=200kΩ, Rp=10 k
Ω,VREF =4V。
RP
+
-
vo
vI R1
VREF
R2
vi
R1
vREF R2
-
A1
+
vo
R3 ±Vz
一电压比较器如图所示。设运放是理想的,R1=20 kΩ,R2=40kΩ,R3=4kΩ,VREF=-2V,Vz=4V,试求门限 电压值VT,画出比较器的传输特性Vo=f(Vi)。
iD/mA
0
4 VGS/v
某场效应管的转移特性如图(其中iD的方向是它的实际方向),试判断该场效应管的管型(增强或耗尽型); 沟道(N或P沟道),求出夹断电压VP或开启电压VT,并画出该管的符号。
5、反馈类型判别及近似计算
所示电路中,哪些元件构成了反馈通路?判断反馈类型。如果从反馈效果考虑,对信号源及信号源内阻 Rs有何要求?在满足深度负反馈时,估算Avf=vo/vi
差分放大电路如图所示。设两管的特性相同,β=100,VBE = 0.7V ,求:(1)差模输入信号 vid 和共模输
入信号 vic 的表达式;(2)静态时 I Re 的值;(3)差模电压放大倍数 A vd
=
vod vid
;(2)求差模输入电阻 Rid
和差模输出电阻 Rod 。
差分放大电路如图所示。已知VCC=VEE=5V, Rc1=Rc2=5.6kΩ,VBE=0.6V,β=100,试计算: ⑴ 电路静态工作点(IBQ、ICQ、VCEQ);⑵ 差模电压放大倍数Avd=vo/vi;⑶ 差模输入电阻Rid与输出电阻 Rod。
vi
A1
+
20kΩ
vo1
-
2kΩ
A2
+
vo
30kΩ VREF
5kΩ
±VZ
5、正弦振荡电路
电 路 如 图 所 示 。( 1 ) 为 使 电 路 产 生 正 弦 波 振 荡 , 标 出 集 成 运 放 的 “ + ” 和 “ - ”;( 2 )
振 荡 频 率 。为满足起振条件,R1、R f 的取值大小应有何关系?振荡频率 f0 为多少?为实现自动稳幅,
Io
IREF 3.3kΩ
T1
T2
1kΩ
4kΩ
−8V
某 电 流 源 电 路 如 图 所 示 , 设 晶 体 管 T1 、 T2 特 性 相 同 , 导 通 电 压 VBE(on) = 0.7V , β = 100 ,
试 求 输 出 电 流 Io 的 值 。
3、BJT 工作状态
在图所示电路中,已知β=40,VBE(on)=0.7V,ICBO≈0,试指出电路工作模式(放大、饱和或截止)。
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