模拟电子技术期末总复习
模拟电子技术期末复习试题及答案
《模拟电子技术》期末复习试题及参考答案一、填空题（每空1分，共32分）1、自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。
2、PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（），反偏时（）。
3、扩展运动形成的电流是（）电流，漂移运动形成的电流是（）。
4、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成开断。
5、场效应管的漏极电流I D=( ),所以它是（）控制文件。
6、当温度升高时三极管的集电极电流IC（），电流放大系数β（）。
7、为了提高三极管放大电路的输入电阻，采用（）负反馈。
为了稳定输出电流，采用（）负反馈。
8、负反馈使放大电路增益（），但（）增益稳定性。
9、（）称为负反馈深度，其中F=( ),称为（）。
10、差模信号是大小（），极性（），差分电路不抑制（）漂移。
11、甲乙类互补功率放大器，可以消除（）类互补功率（）失真。
12、用低频信号去改变高频信号的（）称为调幅，高频信号称为（）信号。
13、当频率升高时，晶体管电流放大系数（）共基极电路比共射极电路的高频特性（），fδ=（）fβ14、振荡电路的平衡条件是（），正反馈才能保证振荡电路的（）。
15半波整流电路电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（）。
二、选择题（每空2分，共30分）1、三端集成稳压器CW7906的输出电压是（）A -6VB -9vC -12v2、测得某电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）型。
A (E、B、C) B(B、C、E) C(B、E、C) D(PNP) E(NPN)3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。
共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。
A 饱和B 截止C交越D频率4、差分放大电路是为了（）而设置的。
A稳定Au B放大信号 C抑制零点漂移5、K MCR是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（）能力。
《模拟电子技术》复习题题库10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是自由电子；在P型半导体中，多数载流子是空穴。
2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类，它属于电压控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入共射（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的输出电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入_____负反馈_______。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（b）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（ c ）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( e)场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ b ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况5、集成运放中间级的作用是（ c ）。
A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ a ）的值。
A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
《模拟电子技术》期末考试复习题(含答案)
《模拟电子技术》期末考试复习题班级：学号：姓名：成绩：一、填空题1．硅二极管导通时的正向管压降约为____ V，锗二极管导通时的管压降约为____ V。
二极管的两端加正向电压时，有一段死区电压，锗管约为____V，硅管约为____V。
0.70.30.20.52．半导体具有____特性、____特性和____的特性。
掺杂热敏光敏3．电路中流过二极管的正向电流过大，二极管将会____；如果施加在二极管两端的反向电压过高，二极管将会____。
烧坏（开路）击穿（短路）4．使用二极管时，应考虑的主要参数是________和________。
最大整流电流（额定电流）最高反向工作电压（耐压）5．理想二极管的特点是正向导通时管压降为____，反向截止时反向电流为____。
0V0A6．用万用表测量二极管的正反向电阻时，若正、反向电阻均接近于零，则表明该二极管已____；若正、反向电阻均接近于无穷大，则表明二极管已____。
击穿烧坏7．在晶体管中，I E与I B、I C的关系为_________。
I E=I B+I C8．示波器是电子技术中常用的测量仪器，用于观察被测信号的____及测量被测信号的_________、_________和_________。
波形频率大小相位9．硅晶体管发射结的死区电压约为_____V，锗晶体管发射结的死区电压约为____V。
晶体管处在正常放大状态时，硅管发射结的导通电压约为_____V，锗管发射结的导通电压约为____V。
0.50.20.70.310．某晶体管的U CE不变，基极电流I B =30μA时，集电极电流I C =1. 2mA，则发射极电流I E =____ mA，若基极电流I B增大到50μA时，I C增大到2mA，则发射极电流I E =_____mA，晶体管的电流放大系数β=_____。
1.23mA2.05mA4011．用万用表测量晶体管时，应将万用表置于_____挡，并进行_____。
(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。
模拟电子技术期末复习总结
故VT1工作在放大区。欲使VT2也工作在放大区，需
U CQ V C 2 C ICR Q 4 2 U BQ 4 2 V
R4
VCCUBQ18k
ICQ2
h
R4max8k 10
s
解： 1 Rs//Rb1rbb //rbe Cbe 0.14u5s 2 Rc1//Rb2rbb //rbe Cbe 0.97us
Rc
(1)Re
Rc
Au
Rb rbe Rbrbe(1)Re rbe (1)Re
（反相,大） （同相，1） （同相,大）
Ri
Rb rbe
(中)
R brb e(1 )R e
Re
rbe 1
（最大）
（最小）
Ro
RC
(大 )
Re
//
Rb rb 1
e
（最小）
RC (大 )
h
8
1.放大电路如图所示。设VT1、VT2特性相同，且UBE＝0.7V， 电源电压VCC＝12V，电阻R1＝34k，R2＝10k，R5＝20k， R6＝10k，现要求静态工作电流ICQ2＝1mA，且VT1、VT2均 应工作在放大区。 1)电阻R3应选多大？ 2)电阻R4的阻值有无限制？若有，其极限值为多大？
2ro
ro rbe 20
输出方式
Rid R ic Ro
双出
单出
2 rbe
12[rbe(1)2ro]
2 Rc
Rc h
双出
单出
2 rbe
12[rbe(1)2ro]
2 Rc
R c 21
FET差分式放大电路
比例电流源
h
22
FET几种方式指标比较（AVD）
双入（单入）双出 双入（单入）单出
模拟电子技术期末总复习
MOS电路的根本单元电路
1MOS管简化的交流小信号模型
G + Ugs
－
Id D
gmU gs
+ rds UdS
－
S
2MOS管三种组态放大器的特性比较
电路组态
共源（CS） 共漏(CD)
共栅(CG)
性能特点
电压增益AU
Uo Ui
gmRL' 1 gmRs
(RL' RD //rds // RL)
半导体器件根底
2.3 PN结反向击穿特性 〔1〕电击穿〔可逆〕 雪崩击穿－发生在掺杂浓度较低、反压较高
〔>6V〕的PN结中。 齐纳击穿－发生在掺杂浓度较高、反压不太高
〔<6V〕的PN结中。 〔2〕热击穿〔不可逆，会造成永久损坏〕
半导体器件根底
2.4 PN结电容 势垒电容CT: 扩散电容CD:
• PN结总电容Cj=CT+CD • PN结正偏时，以扩散电容为主； • PN结反偏时，以势垒电容为主。
高频段AU下降的原因：管子结电容及分布电容分流作用的影响。 •频率失真
包括幅度频率失真和相位频率失真，属线性失真
双极型电路的根本单元电路
、CB、CC三种组态放大电路的分析
〔1〕CE放大电路
电压增益：
AU U R R RRR U o i i L' ( L' C/ / L) ( 需 看 射 极 是 否 有 偏 置 电 阻 及 旁 路 电 容 ）
体管。 据交流等效电路求：AU、AI、Ri(Ri’)、
RO(Ro’)、fL、fH
双极型电路的根本单元电路
3晶体管模型 〔1〕h模型〔属低、中频模型〕 h参数等效电路
Ib +
模拟电子技术基础-总复习最终版
其中 RP R1 // R2 // R3 // R4
另外，uN
R R Rf
uo，uN
uP
ui1 R1 ui2i1 R2 ui3i2R3
P+ + u
o
R4 i4
uo
RP 1
Rf R
ui1 R1
ui 2 R2
ui3 R3
i3
4、 电路如图所示，各引入那种组态的负反馈？设集成运放 输出电压的最大幅值为±14V，填表。
11
14
5、求解图示电路的运算关系式。
同相求和电路 电压串联负反馈
6、求解图示电路的运算关系式。
R2
R1 ui R3
_
R4
+A1+ uo1
R5
_ +A2+
uo
7、求解图示电路的运算关系式。
电压并联负反馈。 电压放大倍数为：-R2/R1。
（3）交流负反馈是指 。 A．阻容耦合放大电路中所引入的负反馈 B．只有放大交流信号时才有的负反馈 C．在交流通路中存在的负反馈
解：（1）D （2）B （3）C
4、选择合适答案填入空内。
A．电压 B．电流 C．串联 D．并联
（1）为了稳定放大电路的输出电压，应引入 负反馈；
（2）为了稳定放大电路的输出电流，应引入 负反馈；
解：将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路，图略。 各电路的交流通路如解图P2.2所示。
5.在图示电路中，已知晶体管β，rbe，RB，RC=RL，VCC。
（1）估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
（2）当考虑信号源内阻为RS时，Aus的数值。
6. 电路如图所示，晶体管的＝100，=100Ω。
模拟电子技术复习试题及答案解析
一、填空题：（要求）1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。
制造这些器材的主要材料是半导体，例如和等。
半导体中中存在两种载流子：和。
纯净的半导体称为，它的导电能力很差。
掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。
杂质半导体分为两种：型半导体——多数载流子是；型半导体——多数载流子是。
当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个结，这是制造半导体器件的基础。
2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：区、区和区。
为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在区。
当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。
3、半导体二极管就是利用一个加上外壳，引出两个电极而制成的。
它的主要特点是具有性，在电路中可以起整流和检波等作用。
半导体二极管工作在区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成。
4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流，是一种控制器件。
场效应管分为型和型两大类。
5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：耦合、耦合和耦合。
6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体，加入价元素可形成P型半导体。
7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。
8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。
正反馈使放大倍数；负反馈使放大倍数；但其他各项性能可以获得改善。
直流负反馈的作用是，交流负反馈能够。
9、电压负反馈使输出保持稳定，因而了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出保持稳定，因而了输出电阻。
串联负反馈了放大电路的输入电阻；并联负反馈则了输入电阻。
在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：式、式、式和式。
10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带通滤波器；将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带阻滤波器。
模拟电子技术基础期末复习总结
第一章本征半导体：完全纯净、结构完整的半导体晶体称为本征半导体。
其特点：在外部能量激励下产生本征激发，成对产生电子和空穴；电子和空穴均为载流子，空穴是一种带正电的粒子；温度越高，电子和空穴对的数目越多。
两种掺杂半导体：N型半导体：电子是多子，空穴是少子；还有不能自由移动的正离子。
P型半导体：空穴是多子，电子是少子；还有不能自由移动的负离子。
二极管PN结及其单向导电性（正反接法，特点）二极管的伏安特性（画伏安特性曲线）二极管主要参数稳压管三极管类型：NPN型、PNP型；硅管、锗管。
三种工作状态：（特例NPN型）放大状态：发射结正向偏置，集电结反向偏置；（U BE>0,U BC<0,）饱和状态：发射结和集电结均正向偏置；（U BE>0,U BC>0,）截止状态：发射和集电结均反向偏置；(U BE<0,U BC<0),三个工作区：放大区：晶体管于放大状态，i c= i b有放大作用；饱和区：晶体管工作于饱和状态，i c主要受的影响u ce，无放大作用；截止区：晶体管工作于截止状态，i c≈0,无放大作用。
基本放大电路的组成原则：直流偏置：发射结正向偏置，集电极反向偏置；信号的输入和输出：信号源及负载接入放大电路时，就不影响晶体管原有的直流偏置，仍应保持发射结正偏，集电结反偏。
要求隔“直”，又能使信号顺利通过。
放大电路的主要性能指标有：电压放大倍数AU、输入电阻Ri，输出电阻Ro，频带宽度fbw，全谐波失真度D及动态范围Uop-p等。
三种基本分析方法：估算法：也称近似计算法，用于静态工作点的计算。
分析过程为：画直流通路，由直流通路列出输入回路的直流负载方程，并设UBEQ值（硅管（NPN）为0.6V或0.7V，锗管（PNP）为0.2V，0.3V），代入方程，求出静态工作点。
图解法：微变等效电路法：半导体三极管的偏置与电流分配： 1、 当晶体管工作在放大区时：电极电位的特点：NPN 型的(U C >U B >U E );PNP 型的U C <U B <U E 。
模拟电子技术基础期末复习总结
模拟电子技术基础期末复习总结内部编号：（YUUT-TBBY-MMUT-URRUY-UOOY-DBUYI-0128）本征半导体：完全纯净、结构完整的半导体晶体称为本征半导体。
其特点：在外部能量激励下产生本征激发，成对产生电子和空穴；电子和空穴均为载流子，空穴是一种带正电的粒子；温度越高，电子和空穴对的数目越多。
两种掺杂半导体：N型半导体：电子是多子，空穴是少子；还有不能自由移动的正离子。
P型半导体：空穴是多子，电子是少子；还有不能自由移动的负离子。
二极管PN结及其单向导电性（正反接法，特点）二极管的伏安特性（画伏安特性曲线）二极管主要参数稳压管三极管类型：NPN型、PNP型；硅管、锗管。
三种工作状态：（特例NPN型）放大状态：发射结正向偏置，集电结反向偏置；（UBE >0,UBC<0,）饱和状态：发射结和集电结均正向偏置；（UBE >0,UBC>0,）截止状态：发射和集电结均反向偏置；(UBE <0,UBC<0),三个工作区：放大区：晶体管于放大状态，ic = ib有放大作用；饱和区：晶体管工作于饱和状态，ic 主要受的影响uce，无放大作用；截止区：晶体管工作于截止状态，ic≈0,无放大作用。
基本放大电路的组成原则：直流偏置：发射结正向偏置，集电极反向偏置；信号的输入和输出：信号源及负载接入放大电路时，就不影响晶体管原有的直流偏置，仍应保持发射结正偏，集电结反偏。
要求隔“直”，又能使信号顺利通过。
放大电路的主要性能指标有：电压放大倍数AU、输入电阻Ri，输出电阻Ro，频带宽度fbw，全谐波失真度D及动态范围Uop-p等。
三种基本组态的判别三种基本分析方法：估算法：也称近似计算法，用于静态工作点的计算。
分析过程为：画直流通路，由直流通路列出输入回路的直流负载方程，并设UBEQ值（硅管（NPN）为或，锗管（PNP）为，），代入方程，求出静态工作点。
图解法：微变等效电路法：半导体三极管的偏置与电流分配：1、当晶体管工作在放大区时：电极电位的特点：NPN型的(UC >UB>UE);PNP型的UC<UB<UE。
模拟电子技术基础期末复习
一、填空1. 二极管最主要的特性是（），反映正向特性的的两个主要参数是（）。
2. 三极管工作在三个区域的条件是：放大区（），饱和区（）截止区（）。
３. 场效应管从结构上分成（）和（）两大类型，它属于（）控制型器件。
４. 集成运算放大器是一种采用（）耦合方式的放大电路，最常见的问题是（）。
５. 差动放大电路的基本功能是对差模信号的（）作用和对共模信号的（）作用。
６. 小功率直流稳压电源由变压器、（）、（）、（）四部分组成。
7. 用一只万用表不同的欧姆档测得某个二极管的电阻分别为250Ω和1.8KΩ，产生这种现象的原因是。
8. 测得某NPN管的VBE=0.7V,VCE=0.2V,由此可判断它工作在区。
9. 放大电路的互补输出的采用共集形式是为了使。
10. 在放大电路中为了稳定静态工作点，应引入反馈，稳定放大倍数，应引入反馈，改输入和输出电阻，应引入反馈，展宽频带应引入反馈。
11. 为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用滤波。
12. 比例运算电路中集成运放反相输入端为虚地，而比例运算电路中集成运放两个输入端的电位等于输入电压。
13. 功率放大电路与电压放大电路的区别是。
14. 在直流稳压电路中，变压的目的是，整流的目的是，滤波的目的是，稳压的目的是。
15. 试决定下列情况应选用的滤波器类型。
当有用信号频率低于500Hz时，宜选用；当希望抑制50Hz交流电源干扰时，宜选用；当希望抑制1KHz以下的信号时，宜选用。
16. 对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路，若希望电压放大，可选用组态，若希望带负载能力强，应选用组态，若希望从信号源索取电流小，应选用组态，若希望高频性能好，应选用组态。
17. 电流源电路在集成运放中，常作为电路和电路；前者的作用是，后者的作用是。
18. 差分放大电路有种输入输出连接方式，其差模电压增益与方式有关，与方式无关。
19. 已知放大电路输入信号电压为1mV，输出电压为1V，加入负反馈后，为达到同样输出时需要的输入信号为10mV，该电路的反馈深度为，反馈系数为。
模拟电子技术期末考试复习资料
《模拟电子技术》课程综合复习资料一、判断题1.P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。
答案：错2.阻容耦合放大电路只能放大交流信号，不能放大直流信号。
答案：对3.同相求和电路跟同相比例电路一样，各输入信号的电流几乎等于零。
答案：错4.差动放大电路可以放大共模信号，抑制差模信号。
答案：错5.共集电极放大电路放大动态信号时输入信号与输出信号相位相反。
答案：错一、单选题1．测得某电路板上晶体三极管3个电极对地的直流电位分别为UE =3V，UB=3.7V，UC=3.3V，则该管工作在（）。
A．放大区B．饱和区C．截止区D．击穿区答案：B2.放大器的增益是随着输入信号频率的改变而改变的，当输入信号的频率为Hf时，放大器增益的幅值将（）。
A．降为1B．降为中频时的1/2倍C．降为中频时的1/D．降为中频时的倍答案：C3.三级放大电路中Av1=Av2=10dB，Av3=15dB，则总的电压增益为（）dB。
A．35C．45D．60答案：A4.某三极管各个电极的对地电位如图所示，可判断其工作状态是（）。
A．放大B．饱和C．截止D．已损坏答案：D5.二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电压Vo为（）。
（设二极管的导通压降为0.7V）A．-5VB．-4.3VC．-5.7VD．-10V答案：C6.测得图示放大电路中晶体管各电极的直流电位如图所示，由此可知该管为（）。
A．Ge，PNP管B．Ge，NPN管C．Si，PNP管D．Si，NPN管答案：B7.在单级放大电路中，若输入电压为正弦波形，用示波器观察vo和vi的波形，当放大电路为共集电极放大电路时，则vo和vi的相位（）。
A．同相B．反相C．相差90D．不定答案：A8.在单级放大电路中，若输入电压为正弦波形，用示波器观察vo和vi的波形，当放大电路为共发射放大电路时，则vo和vi的相位（）。
A．同相B．反相C．相差90D．不定答案：B9.理想运放的开环差模增益AOd为（）。
模拟电子技术总复习
vi>VT+时，vo=VOL，vo在VT-处由VOL翻转为VOH。
第8章 直流稳压电源
考核知识点： 直流稳压电源组成；整流、滤波和稳压的概
念；桥式整流电容滤波电路结构及其分析 计算；串联稳压电路组成及输出电压的调 节范围计算；集成稳压器的使用。
串联负反馈 —— 增大输入电阻 并联负反馈 —— 减小输入电阻 电压负反馈 —— 减小输出电阻，稳定输出电压 电流负反馈 —— 增大输出电阻，稳定输出电流
特别注意表4.2.1的内容 负反馈对放大电路性能的改善，是以牺牲增
益为代价的，且仅对环内的性能产生影响。
end
4.3.1 放大电路引入负反馈的一般原则
由此可以得出结论：PN结具有单 向导电性。
判断二极管工作状态的方法：断开 二极管，利用戴维宁定理求出其阳 极至阴极间的电压，若该电压大于 正向导通电压，则导通；反之，则 截止。
晶体管的三个工作状态 1.放大状态： 特点：iC=βiB，即iC受iB控制，与v CE无关，呈近似恒流源性质。 外部条件：发射结正偏，集电结反偏。
N型半导体或 P型半导体整体呈中性。 杂质半导体的导电性能主要取决于多数载流子浓度， 多数载流子浓度取决于掺杂浓度，其值较大且稳定； 少数载流子浓度与本征激发有关，对温度敏感。
end
PN结加正向电压时，呈现低电阻， 具有较大的正向扩散电流，称为正向 导通。
PN结加反向电压时，呈现高电阻， 具有很小的反向漂移电流，称为反向 截止。
晶体管进入 iB/? A 截止区工作，
原因iB：/?静A 态工作点太低造；成截止失真。
波形：输出电压正半波平顶适（当对增N加PN基）；
模拟电子技术期末复习资料共41页文档
60、生活的道路一旦选定，就要勇敢地 走到底 ，决不 回头。 ——左
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29、在一切能够接受法律支配的人类 的状态 中，哪 里没有 法律， 那里就 没有自 由。— —洛克
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30、风俗可以造就法律，也可以是现在、过 去和未 来文化 生活的 源泉。 ——库 法耶夫 57、生命不可能有两次，但许多人连一 次也不 善于度 过。— —吕凯 特 58、问渠哪得清如许，为有源头活水来 。—— 朱熹 59、我的努力求学没有得到别的好处， 只不过 是愈来 愈发觉 自己的 无知。 ——笛 卡儿
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26、我们像鹰一样，生来就是自由的 ，但是 为了生 存，我 们不得 不为自 己编织 一个笼 子，然 后把自 己关在 里面。 ——博 莱索
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27、法律如果不讲道理，即使延续时 间再长 ，也还 是没有 制约力 的。— —爱·科 克
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28、好法律是由坏风俗创造出来的。 ——马 克罗维 乌斯
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绪论
一、电子电路中的信号：模拟信号和数字信号 二、放大电路性能指标： 1、电压放大倍数Au
电压增益=20lg|Au| (dB)
2、输入电阻ri
3、输出电阻ro
4、通频带 5、失真： 失真
幅度失真: 线性失真 相位失真: 非线性失真：
1
3 二极管及其电路
一、半导体与本征半导体：
半导体的性质：负温度系数、光敏特性、掺杂特性
惯性核 价电子
+ 4 + 4
+ 4 + 4 + 4
+ 4 + 4 + 4
2
半导体的共价键结构：
+ 4
本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。
载流子 自由电子
空穴
本征激发 复合
动态平衡
本征半导体中电流由两部分组成：
1. 自由电子移动产生的电流。 2. 空穴移动产生的电流。
3
二、 杂质半导体
N 型半导体（电子导电型半导体） ：掺5价元素使用自由
工作过程:
2、载流子在基区的扩散与复合 3、集电区收集载流子
电流关系式:
IE= IEN+ IEP 且有IEN>>IEP IEN=ICN+ IBN 且有IEN>> IBN ，ICN>>IBN IC=ICN+ ICBO IB=IEP+ IBN－ICBO
IE=IEP+IEN=IEP+ICN+IBN
=(ICN+ICBO)+(IBN+IEP－ICBO) IE =IC+IB
1)
IR= -IS
ID
反向击穿(电击穿) 雪崩击穿和齐纳击穿
击穿 稳压二极管利用击穿特性 特性
VBR
正向 特性 VD 死区电压 硅 管 0.6V, 锗管0.2V
反向 特性
4、 PN结的电容效应：
势垒电容CB （PN结反偏） 和扩散电容CD （PN结正偏）
6
5、半导体二极管： 二极管的电路符号：
动态平衡
内电场
漂移
PN结
空间电荷区、耗尽层、阻挡层、势垒区、 PN结
2、PN 结的最主要的特性——单向导电性：
PN 结加正向电压导通，PN 结加反向电压截止
5
3、PN结的伏安特性：
正向特性 反向特性 击穿特性
导通压降: 硅 管 0.6~0.7V, 锗 管0.2~0.3V
VD VT
I D I S (e
（2）反向击穿电压：射-基反向极击穿电压U(BR)EBO
集-基反向极击穿电压U(BR)CBO 集-射反向击穿电压U(BR)CEO
（3） 集电极最大允许功耗PCM
4、频率参数：
15
（四） 温度对BJT参数及性能的影响
UBE ↘
↑
T↑
ICEO ↑ U（BR）CBO ↑ U（BR）CEO ↑
16
二、放大电路的组成及分析计算
（一） 常用放大电路：
共射放大器、共集放大器、共基放大器 直流通道：——提供放大的条件（静态）。 交流通道：——进行交流信号的放大（动态）。
放大器的性能指标：
电压放大倍数、输入电阻ri 、输出电阻ro 、通频带
P
N
分为：点接触型、面接触型、平面型。
主要参数:最大整流电流 IFM 、反向峰值电压URM 、反 向直流电流 IR 等 特殊二极管：稳压二极管、变容二极管、肖特基二极管、 光电二极管、发光二极管、激光二极管等 特别是稳压二极管，利用其反向击穿效应
7
四、 二极管的基本电路及其分 I EN I E
I C = βI B + I CEO I E = I C + I B = (1 + β ) I B + I CEO I C = αI E ≈ I E
11
I CN I C I CBO I C I BN I B I CBO I B
（二） BJT的V-I特性曲线
IC(mA )
此区域满足 IC=IB称为 100 A 线性区（放 大区）。
80A
60A
40A : I =0， 此区域中 B IC=ICEO，UBE< 死 20A 区电压，称为截 IB=0 止区。 3
1
6
9
12 UCE(V)
13
输出特性三个区域的特点:
(1) 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 即： IC=IB , 且 IC = IB (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即：VCEUBE ， IB>IC，
1、输入特性：
UCE=0V UCE =0.5V
IB(A)
80
60 40
死区电压， 硅管0.5V， 锗管0.2V。
UCE 1V
工作压降： 硅管 UBE0.6~0.7V,锗管 UBE0.2~0.3V。
20 0.4 0.8 UBE(V)
12
2、输出特性 此区域中 UCEUBE4 , 集电结正 偏， 3 IB>IC， UCE0.3 V称为饱 2 和区。
硅管：VCE0.3V 锗管： VCE0.1V
(3) 截止区： VBE< 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO 0
14
（三） BJT的主要参数
1. 电流放大系数：α、β 2、极间反向电流：
（1）集-基极反向饱和电流ICBO
3、极限参数：
（2） 集-射极反向饱和电流ICEO
（1）集电极最大电流ICM
R iD D
+
iD VDD /R
ID Q
VDD
vD -
2、简化模型分析法：
VD
VDD vD
简化模型：理想二极管模型、恒压降模型、 折线模型、小信号模型 应用简化模型分析：
8
4 双极型三极管及放大电路基础
一、 BJT的结构、原理与特性
（一） BJT的结构与工作原理: 两种类型：NPN型和PNP型。
NPN型
c N P N
集电极
集电极
c PNP型 P N P e
b
集电结
基极
c
b
b
B
基 极
发射结
c
e
e
发射极
发射极
e
9
三个极（集电极c、基极b、发射极e）、三个区、两个PN结。
内部结构： 发射区：掺杂浓度较高 基区：较薄，掺杂浓度低 集电区：面积较大 为使发射区发射电子，集电区收集电子，必须具备 的外部条件是： a.发射结加正向电压(正向偏置): NPN管：Vbe>0； PNP管：Vbe<0 b.集电结加反向电压(反向偏置): NPN管：Vbc<0；PNP管：Vbc<0 1、发射区向基区扩散其多数载流子
电子浓度大大增加的杂质。 施主原子（离子） 多数载流子（多子）：自由电子， 少数载流子（少子）：空穴。
P 型半导体（空穴导电型半导体） ：掺3价元素使用空穴
浓度大大增加的杂质。 受主原子（离子） 多子：空穴，少子：自由电子。
4
三、 PN结与半导体二极管
1、 PN结的形成过程：
接触 扩散 形成空间电荷区