模拟电子技术总结复习资料
模拟电子技术基础-知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7.PN结*PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
*PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8.PN结的伏安特性二.半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴(反偏)，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2)等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴(反偏)，二极管截止(开路)。
三.*三种模型四.五.六.七.微变等效电路法八. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模电总结复习资料_模拟电子技术基础(第五版)
绪论一.符号约定•大写字母、大写下标表示直流量。
如：V CE、I C等。
•小写字母、大写下标表示总量〔含交、直流〕。
如：v CE、i B等。
•小写字母、小写下标表示纯交流量。
如：v ce、i b等。
•上方有圆点的大写字母、小写下标表示相量。
如：等。
二．信号〔1〕模型的转换〔2〕分类〔3〕频谱二.放大电路〔1〕模型〔2〕增益如何确定电路的输出电阻r o？三．频率响应以及带宽第一章半导体二极管一.半导体的根底知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯洁的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
表达的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素〔多子是空穴，少子是电子〕。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素〔多子是电子，少子是空穴〕。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的上下:假设 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);假设 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
模拟电子技术复习资料
《模拟电子技术》复习资料一.选择题1.1在单级共射极放大电路中，输入电压信号和输出电压信号的相位是 B 。
A.同相B.反相C.相差90º1.2在单相桥式整流（有滤波时）电路中，输出电压的平均值U O与变压器副边电压有效值U2应满足 D 关系。
A.U0=0.45U2B.U0=1.4U2C.U0=0.9U2D.U0=1.2U21.3半导体的特性不包括 D 。
A.热敏性B.光敏性C.掺杂性D.遗传性1.4在分压式偏置放大电路中，除去旁路电容C E，下列说法正确的是 D 。
A.输入电阻减小B.静态工作点改变C. 电压放大倍数增大D.输出电阻不变1.5晶体三极管内部结构可以分为三个区，以下那个区不属于三极管的结构 B 。
A.发射区B.截止区C.基区D.集电区1.6集成运放制造工艺使得同类半导体晶体管的 C 。
A.指标参数准确B.参数不受温度影响C．参数一致性好1.7工作在放大状态的NPN三极管，其发射结电压U BE和集电结电压U BC应为 A 。
A. U BE>0，U BC<0B. U BE>0，U BC>0C. U BE<0，U BC<0D. U BE<0，U BC>01.8在如图所示的稳压电路中，稳压管D1与D2相同，其稳压值U Z=5.3V、正向压降0.7V，输出电压U0为 A 。
A. 1.4VB. 4.6VC. 5.3VD. 6V1.9在PN结中由于浓度的差异，空穴和电子都要从浓度高的地方向浓度低的地方运动，这就是 A 。
A.扩散运动B.漂移运动C.有序运动D.同步运动1.10在如图所示的稳压电路中，稳压管D1与D2相同，其稳压值U Z=5.3V、正向压降0.7V，输出电压U0为 C 。
A. 1.4VB. 4.6VC. 0.7VD. 6V1.11半导体中少数载流子在内电场作用下有规则的运动称为 B 。
A.扩散运动B.漂移运动C.有序运动D.同步运动1.12二极管的用途不包括 D 。
模拟电子技术复习资料
模拟电子技术复习资料模拟电子技术复习资料模拟电子技术是电子工程中的重要一环，它涉及到电子电路的设计、分析和优化。
在现代科技发展迅速的时代，模拟电子技术的应用范围越来越广泛。
为了更好地掌握这门学科，以下是一些模拟电子技术复习资料，希望对大家的学习有所帮助。
一、基础知识回顾1. 电路基本元件：电阻、电容、电感。
了解它们的特性和在电路中的应用。
2. 电路定律：欧姆定律、基尔霍夫定律、电流和电压的分布规律。
3. 放大器基础：了解放大器的基本概念和分类，如共射放大器、共集放大器、共基放大器等。
4. 信号处理：了解滤波器的原理和分类，如低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器等。
二、放大器设计与分析1. 放大器的基本特性：增益、带宽、输入输出阻抗等。
掌握放大器的参数计算方法。
2. 放大器的稳定性分析：了解稳定性的概念和判据，如极点、零点的分布，掌握稳定性分析的方法。
3. 反馈放大器：了解反馈放大器的原理和分类，如电压串联反馈、电流串联反馈等。
4. 差分放大器：了解差分放大器的原理和应用，如差分放大器的共模抑制比、共模反馈等。
三、运算放大器及其应用1. 运算放大器的基本特性：了解运算放大器的输入输出特性，如输入阻抗、输出阻抗、放大倍数等。
2. 运算放大器的反馈电路：了解反馈电路的原理和分类，如电压反馈、电流反馈、电阻反馈等。
3. 运算放大器的应用：了解运算放大器在各种电路中的应用，如比较器、积分器、微分器等。
四、振荡器与频率特性1. 振荡器的原理：了解振荡器的基本原理和分类，如正弦波振荡器、方波振荡器、脉冲振荡器等。
2. 振荡器的稳定性：了解振荡器的稳定性条件和稳定性分析方法，如震荡幅度、相位噪声等。
3. 频率特性分析：了解频率响应的概念和分析方法，如Bode图、相频特性等。
五、模拟滤波器设计1. 模拟滤波器的分类：了解模拟滤波器的基本分类，如低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器等。
2. 滤波器的设计方法：了解滤波器的设计方法和参数计算，如阻抗匹配、频率响应等。
模拟电子技术基础知识点总结材料
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模拟电子技术基础-总复习最终版
其中 RP R1 // R2 // R3 // R4
另外，uN
R R Rf
uo，uN
uP
ui1 R1 ui2i1 R2 ui3i2R3
P+ + u
o
R4 i4
uo
RP 1
Rf R
ui1 R1
ui 2 R2
ui3 R3
i3
4、 电路如图所示，各引入那种组态的负反馈？设集成运放 输出电压的最大幅值为±14V，填表。
11
14
5、求解图示电路的运算关系式。
同相求和电路 电压串联负反馈
6、求解图示电路的运算关系式。
R2
R1 ui R3
_
R4
+A1+ uo1
R5
_ +A2+
uo
7、求解图示电路的运算关系式。
电压并联负反馈。 电压放大倍数为：-R2/R1。
（3）交流负反馈是指 。 A．阻容耦合放大电路中所引入的负反馈 B．只有放大交流信号时才有的负反馈 C．在交流通路中存在的负反馈
解：（1）D （2）B （3）C
4、选择合适答案填入空内。
A．电压 B．电流 C．串联 D．并联
（1）为了稳定放大电路的输出电压，应引入 负反馈；
（2）为了稳定放大电路的输出电流，应引入 负反馈；
解：将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路，图略。 各电路的交流通路如解图P2.2所示。
5.在图示电路中，已知晶体管β，rbe，RB，RC=RL，VCC。
（1）估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
（2）当考虑信号源内阻为RS时，Aus的数值。
6. 电路如图所示，晶体管的＝100，=100Ω。
模拟电子技术复习资料
1- 1填空题1. _________________________________________ 信号是消息的载体，从广义上讲，它包含___________________________________ ，_____ ，____ 。
2. _____________________________ 电信号是指随时间而变化的。
3. _______________________________ 模拟信号的幅度（或数值）具有____ 性，数字信号的幅度（或数值）具有_____ 性。
4. _______________________________ 模拟电子技术是主要研究处理的电子技术。
5. _____________________ 模拟电子系统主要是、、和四部分组成。
简答题1. 何为有源元件？何为无源元件？2. 电子系统设计时应做到哪几点？3. 画图说明电子系统的设计流程？2- 1填空题1. N 型半导体是本征半导体中掺入__ ；P型半导体是在本征半导体中掺入__ 。
2. PN 结的导电特性是_____ 。
3. 二极管在外加直流电压时，理想二极管的正向导通阻抗为__；反向截止时的阻抗为____________________________________________________________________4. PN 结的结电容包括__ 电容和 _ 电容。
5. 当温度升高时，二极管的反向饱和电流会。
6. PN 结加正向电压时，耗尽层变，加反偏电压时，耗尽层变。
7. PN 结加正向电压时，主要由_ 运动形成正向导通电流，加反偏电压时，主要由运动形成反向电流。
8. 稳压二极管工作在稳压区时，其PN 结工作在状态。
判断题1. 本征半导体是指杂志密度非常小的晶体半导体。
（）2. 本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。
（）3. P型半导体空穴是多子，所以P型半导体带正电；N 型半导体电子是多子，所以N 型半导体带负电。
模电知识点复习总结
模电知识点复习总结模拟电子技术（模电）是电子工程中的重要基础学科之一，主要研究电路中的电压、电流以及能量的传输和转换。
下面是我对模电知识点的复习总结：一.基础知识1.电路基本定律：欧姆定律、基尔霍夫定律、电压分压定律、电流分流定律、功率定律。
2.信号描述与频域分析：时间域与频域的关系。
傅里叶级数和傅里叶变换的基本概念和应用。
3.理想放大器：增益、输入/输出电阻、输入/输出阻抗的概念和计算方法。
4.放大器基本电路：共射、共集、共基放大器的特点、电路结构和工作原理。
二.放大器设计1.放大器的参数：增益、输入/输出电阻、输入/输出阻抗。
2.放大器的稳定性：稳态稳定性和瞬态稳定性。
3.放大器的频率响应：截止频率、增益带宽积、输入/输出阻抗对频率的影响。
4.放大器的非线性失真：交趾略失真、交调失真、互调失真等。
5.放大电路的优化设计：负反馈、输入/输出阻抗匹配、增益平衡等。
三.运算放大器1.运算放大器的基本性质：增益、输入阻抗、输出阻抗、共模抑制比。
2.电压放大器：非反转放大器、反转放大器、仪表放大器、差分放大器。
3.运算放大器的应用电路：比较器、积分器、微分器、换相器、限幅器等。
4.运算放大器的非线性失真：输入失真、输出失真、交调失真等。
四.双向可调电源1.双向可调电源的基本原理：输入电压、输出电压和控制信号之间的关系。
2.双向可调电源的电路结构：移相电路、比较器、反相放大器、输出级等。
3.双向可调电源的控制方式：串行控制和并行控制。
五.滤波器设计1.常见滤波器类型：低通、高通、带通和带阻滤波器。
2.滤波器的频率响应特性：通频带、截止频率、衰减量。
3.滤波器的传输函数：频率选择特性、阶数选择。
4.滤波器的实现方法：RC、RL、LC和电子管等。
六.可控器件1.二极管：理想二极管模型、二极管的非理想特性、二极管的应用。
2.可控硅：双向可控硅、单向可控硅、可控硅的触发电路和应用。
3.功率晶体管：NPN、PNP型功率晶体管的特性参数、功率放大电路设计。
模拟电子技术基础知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
*三种模型微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模拟电子技术总结复习资料
模拟电子技术复习资料一、前言模拟电子技术是电子工程师必备的技术之一，本文将模拟电子技术的相关知识点，以供复习之用。
二、基础知识1. 模拟电子技术的定义模拟电子技术是指以连续的时间和数值作为处理信号的基本方法，将原始信号转换为模拟电压或电流信号，经过放大、滤波、调制等技术处理后再转换为输出信号的一种电子技术。
2. 信号处理的分类信号处理可以分为模拟信号处理和数字信号处理两种方式。
其中，模拟信号处理是连续的，输出结果也是连续的；数字信号处理是离散的，输出结果也是离散的。
3. 电路元件常见的电路元件有电阻、电容、电感和二极管等。
在实际电路中，这些元件通常是串接或并联连接。
4. 电路分析电路分析主要包括基础电路分析、状态变量法和矩阵方法三种。
其中，基础电路分析可以用于简单电路的分析，状态变量法可用于复杂电路的分析，矩阵方法则适用于大型电路分析。
三、基本电路1. 电压分压器电压分压器是一种简单的电路，在电路中由两个电阻相连，起到将输入电压分压的作用。
分压器的输出电压等于输入电压乘以电路中两个电阻的比值，即：V_out = V_in * R2 / (R1 + R2)2. 电路共模抑制电路共模抑制是一种在电路中削弱两个信号（通常是两个交流信号）之间共同模式分量的方法。
在电路中添加一对差模信号，可以使一部分共模干扰信号被消除。
3. 交流放大器交流放大器是一种电路，用于放大输入信号的交流部分。
通常会使用共射极放大器来放大信号。
4. 滤波器滤波器是一种电路，主要功能是去除输入信号中不需要的频率或波形分量。
滤波器通常被划分为低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器等不同类型。
四、放大器1. 放大器的分类放大器通常被分为共射极放大器、共集极放大器和共基极放大器等三种。
其中，共射极放大器最常用。
2. 放大器的增益与带宽放大器的增益和带宽是两个相互制约的指标。
在设计放大器时，需要综合考虑这两个指标来确定放大器的工作范围。
模拟电子技术基础知识点总结.
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一。
半导体的基础知识1.半导体——-导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2。
特性—-—光敏、热敏和掺杂特性。
３.本征半导体————纯净的具有单晶体结构的半导体。
4。
两种载流子-—--带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体——-—在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
＊P型半导体：在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子)。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）.6.杂质半导体的特性*载流子的浓度—-—多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关.*体电阻——-通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型—-—通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7.ＰN结*ＰN结的接触电位差——－硅材料约为0。
6~0。
8V，锗材料约为0。
2～０.３V．*PN结的单向导电性－--正偏导通，反偏截止.8。
PN结的伏安特性二。
半导体二极管＊单向导电性—－－-—－正向导通,反向截止。
*二极管伏安特性－——-同ＰＮ结。
＊正向导通压降——--——硅管0．６~0.7V,锗管0.2~0.3V。
＊死区电压--—-—－硅管0。
5V,锗管0。
1V。
3.分析方法--—－—-将二极管断开，分析二极管两端电位的高低：若V阳>V阴(正偏),二极管导通（短路);若V阳＜V阴（反偏)，二极管截止(开路)。
1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2）等效电路法➢直流等效电路法＊总的解题手段-———将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若Ｖ阳〉Ｖ阴( 正偏），二极管导通(短路);若Ｖ阳<V阴( 反偏），二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性—--正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模电总结复习-模拟电子技术基础
模电复习资料第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为~，锗材料约为~。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管~，锗管~。
*死区电压------硅管，锗管。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模拟电子技术基础知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
*三种模型微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
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半导体二极管及其应用电路一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
7. PN结* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
* PN结的导通电压---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
三极管及其基本放大电路一. 三极管的结构、类型及特点1.类型---分为NPN和PNP两种。
2.特点---基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。
二. 三极管的工作原理1. 三极管的三种基本组态2. 三极管内各极电流的分配* 共发射极电流放大系数(表明三极管是电流控制器件式子称为穿透电流。
3. 共射电路的特性曲线*输入特性曲线---同二极管。
* 输出特性曲线(饱和管压降，用U CES表示放大区---发射结正偏，集电结反偏。
截止区---发射结反偏，集电结反偏。
饱和区---发射结和集电结均正偏。
4. 温度影响温度升高，输入特性曲线向左移动。
温度升高I CBO、I CEO、I C以及β均增加。
三. 低频小信号等效模型（简化）r be---输出端交流短路时的输入电阻，β---输出端交流短路时的正向电流传输比，常用β表示；四. 基本放大电路组成及其原则1. VT、V CC、R b、R c 、C1、C2的作用。
2.组成原则----能放大、不失真、能传输。
五. 放大电路的图解分析法1. 直流通路与静态分析*概念---直流电流通的回路。
*画法---电容视为开路。
*作用---确定静态工作点*直流负载线---由V CC=I C R C+U CE确定的直线。
*电路参数对静态工作点的影响1）改变R b：Q点将沿直流负载线上下移动。
2）改变R c：Q点在I BQ所在的那条输出特性曲线上移动。
3）改变V CC：直流负载线平移，Q点发生移动。
2. 交流通路与动态分析*概念---交流电流流通的回路*画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。
*作用---分析信号被放大的过程。
*交流负载线--- 连接Q点和V CC’点V CC’= U CEQ+I CQ R L’的直线。
3. 静态工作点与非线性失真（1）截止失真*产生原因---Q点设置过低*失真现象---NPN管削顶，PNP管削底。
*消除方法---减小R b，提高Q。
（2）饱和失真*产生原因---Q点设置过高*失真现象---NPN管削底，PNP管削顶。
*消除方法---增大R b、减小R c、增大V CC 。
4. 放大器的动态范围（1）U opp---是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。
（2）范围*当（U CEQ－U CES）＞（V CC’－U CEQ）时，受截止失真限制，U OPP=2U OMAX=2I CQ R L’。
*当（U CEQ－U CES）＜（V CC’ －U CEQ）时，受饱和失真限制，U OPP=2U OMAX=2 （U CEQ－U CES）。
*当（U CEQ－U CES）＝（V CC’ －U CEQ），放大器将有最大的不失真输出电压。
六. 放大电路的等效电路法1.静态分析（1）静态工作点的近似估算（2）Q点在放大区的条件欲使Q点不进入饱和区，应满足R B＞βRc。
放大电路的动态分析2.* 放大倍数* 输入电阻* 输出电阻七.分压式稳定工作点共射放大电路的等效电路法1．静态分析2．动态分析*电压放大倍数在R e两端并一电解电容C e后输入电阻在R e两端并一电解电容C e后* 输出电阻八. 共集电极基本放大电路1．静态分析2．动态分析* 电压放大倍数* 输入电阻* 输出电阻3. 电路特点* 电压放大倍数为正，且略小于1，称为射极跟随器，简称射随器。
* 输入电阻高，输出电阻低。
场效应管及其基本放大电路一. 结型场效应管（JFET ）1.结构示意图和电路符号2. 输出特性曲线（可变电阻区、放大区、截止区、击穿区）转移特性曲线U P ----- 截止电压二. 绝缘栅型场效应管（MOSFET）分为增强型（EMOS）和耗尽型（DMOS）两种。
结构示意图和电路符号2. 特性曲线*N-EMOS的输出特性曲线* N-EMOS的转移特性曲线式中，I DO是U GS=2U T时所对应的i D值。
* N-DMOS的输出特性曲线注意：u GS可正、可零、可负。
转移特性曲线上i D=0处的值是夹断电压U P，此曲线表示式与结型场效应管一致。
三. 场效应管的主要参数1.漏极饱和电流I DSS2.夹断电压U p3.开启电压U T4.直流输入电阻R GS5.低频跨导g m (表明场效应管是电压控制器件)四. 场效应管的小信号等效模型E-MOS 的跨导g m ---五. 共源极基本放大电路1.自偏压式偏置放大电路* 静态分析动态分析若带有C s，则2.分压式偏置放大电路* 静态分析* 动态分析若源极带有C s，则六.共漏极基本放大电路* 静态分析或* 动态分析多级放大电路一.级间耦合方式1. 阻容耦合----各级静态工作点彼此独立；能有效地传输交流信号；体积小，成本低。
但不便于集成，低频特性差。
2. 变压器耦合---各级静态工作点彼此独立，可以实现阻抗变换。
体积大，成本高，无法采用集成工艺；不利于传输低频和高频信号。
3. 直接耦合----低频特性好，便于集成。
各级静态工作点不独立，互相有影响。
存在“零点漂移”现象。
*零点漂移----当温度变化或电源电压改变时，静态工作点也随之变化，致使u o偏离初始值“零点”而作随机变动。
二. 单级放大电路的频率响应1．中频段(f L≤f≤f H)波特图---幅频曲线是20lg A usm=常数，相频曲线是φ=-1800。
2．低频段(f ≤f L)‘3．高频段(f ≥f H)4．完整的基本共射放大电路的频率特性三. 分压式稳定工作点电路的频率响应1．下限频率的估算2．上限频率的估算四. 多级放大电路的频率响应1. 频响表达式2. 波特图功率放大电路一. 功率放大电路的三种工作状态1.甲类工作状态导通角为360o，I CQ大，管耗大，效率低。
2.乙类工作状态I CQ≈0，导通角为180o，效率高，失真大。
3.甲乙类工作状态导通角为180o~360o，效率较高，失真较大。
二. 乙类功放电路的指标估算1. 工作状态➢任意状态：U om≈U im➢极限状态：U om=V CC-U CES➢理想状态：U om≈V CC2. 输出功率3. 直流电源提供的平均功率4. 管耗P c1m=0.2P om5.效率理想时为78.5%三. 甲乙类互补对称功率放大电路1.问题的提出在两管交替时出现波形失真——交越失真(本质上是截止失真)。
2. 解决办法➢甲乙类双电源互补对称功率放大器OCL----利用二极管、三极管和电阻上的压降产生偏置电压。
动态指标按乙类状态估算。
➢甲乙类单电源互补对称功率放大器OTL----电容C2上静态电压为V CC/2，并且取代了OCL功放中的负电源-V CC。
动态指标按乙类状态估算，只是用V CC/2代替。
四. 复合管的组成及特点1.前一个管子c-e极跨接在后一个管子的b-c极间。
2.类型取决于第一只管子的类型。
3.β=β1·β 2集成运算放大电路一. 集成运放电路的基本组成1.输入级----采用差放电路，以减小零漂。
2.中间级----多采用共射(或共源)放大电路，以提高放大倍数。
3.输出级----多采用互补对称电路以提高带负载能力。
4.偏置电路----多采用电流源电路，为各级提供合适的静态电流。
二. 长尾差放电路的原理与特点1. 抑制零点漂移的过程----当T↑→ i C1、i C2↑→ i E1、i E2 ↑→ u E↑→ u BE1、u BE2↓→ i B1、i B2↓→ i C1、i C2↓。
R e对温度漂移及各种共模信号有强烈的抑制作用，被称为“共模反馈电阻”。
2静态分析1) 计算差放电路I C设U B≈0，则U E=－0.7V，得2) 计算差放电路U CE•双端输出时••单端输出时(设VT1集电极接R L)对于VT1：对于VT2：3. 动态分析1）差模电压放大倍数•双端输出••单端输出时从VT1单端输出：从VT2单端输出：2）差模输入电阻3）差模输出电阻•双端输出：•单端输出:三. 集成运放的电压传输特性当u I在+U im与-U im之间，运放工作在线性区域：四.理想集成运放的参数及分析方法1. 理想集成运放的参数特征* 开环电压放大倍数A od→∞；* 差模输入电阻R id→∞；* 输出电阻R o→0；* 共模抑制比K CMR→∞；2. 理想集成运放的分析方法1) 运放工作在线性区:* 电路特征——引入负反馈* 电路特点——“虚短”和“虚断”:“虚短” ---“虚断” ---2) 运放工作在非线性区* 电路特征——开环或引入正反馈* 电路特点——输出电压的两种饱和状态:当u+>u-时，u o=+U om当u+<u-时，u o=-U om两输入端的输入电流为零:i+=i-=0放大电路中的反馈一.反馈概念的建立＊开环放大倍数－－－Ａ＊闭环放大倍数－－－Ａｆ＊反馈深度－－－１＋ＡＦ＊环路增益－－－ＡＦ：1．当ＡＦ＞０时，Ａｆ下降，这种反馈称为负反馈。