电子电路基础--NPN和PNP三极管的区别
PNP与NPN两种三极管使用方法
PNP与NPN两种三极管使用方法PNP（正-负-正）与NPN（负-正-负）是两种常见的三极管类型。
它们在电路中的使用方法有所区别，以下是关于这两种三极管的详细说明。
PNP三极管是一种双极性晶体管，由两个P型半导体材料夹着一个N 型半导体材料构成。
NPN三极管则是由两个N型半导体材料夹着一个P型半导体材料构成。
1.工作原理：在PNP三极管中，基极与发射极之间的电流方向是由基极到发射极，而NPN三极管中，电流方向是由基极流向发射极。
2.构成方式：PNP三极管由一个N型材料包围着两个P型材料形成，而NPN三极管则是由两个N型材料夹着一个P型材料形成。
3.极性：PNP三极管的极性是正负正，而NPN三极管的极性是负正负。
4.流程图表示：在电路图中，PNP三极管的符号是一个向内的三角形，而NPN三极管的符号是一个向外的三角形。
5.管脚标记：PNP三极管的管脚分别标记为：发射极（E）、基极（B）和集电极（C）。
NPN三极管的管脚也是类似的，分别标记为：发射极（E）、基极（B）和集电极（C）。
下面是PNP和NPN三极管在电路中的应用方法：PNP三极管的应用：1.开关应用：PNP三极管可以用作开关，当输入信号为高电平时，基极-发射极间会有电流，此时电流无法通过集电极-发射极间，所以负载被断开。
当输入信号为低电平时，基极-发射极间无电流，电流可以通过集电极-发射极间，负载闭合。
PNP三极管的开关应用主要用于高电平控制的逻辑开关电路。
2.放大应用：PNP三极管可以用作放大器，将弱电流放大为强电流。
在放大电路中，输入信号被加载在基极-发射极间，当输入信号为低电平时，基极-发射极间无电流，输出电流小；当输入信号为高电平时，基极-发射极间有电流，输出电流增大。
因此，PNP三极管广泛用于音频放大、功率放大等电子设备中。
NPN三极管的应用：1.开关应用：NPN三极管也可以用作开关。
当输入信号为低电平时，基极-发射极间会有电流，此时电流无法通过集电极-发射极间，负载被断开。
NPN型三极管和PNP型的区别
1.PNP型晶体管PNP晶体管是另一种类型晶体管。
它的工作原理和NPN晶体管相似，只是在基区运动并放大信号的多数载流子是空穴而不是电子。
PNP晶体管的发射结要正偏，基区的电压要比发射区的电压要高,而集电极要是多数载流子空穴通过，集电区的电压要比基区的要低。
这一点和NPN晶体管的极间电位正好相反。
在双极模拟集成电路中要应用NPN-PNP互补设计以及某些偏置电路极性的要求，需要引入PNP结构的晶体管。
如横向PNP管广泛应用于有源负载、电平位移等电路中。
它的制作可与普通的NPN管同时进行，不需附加工序。
在横向PNP管中，发射区注入的少子（空穴）在基区中流动的方向与衬底平行，故称为横向PNP 管。
纵向PNP管其结构以P型衬底作集电区，集电极从浓硼隔离槽引出。
N型外延层作基区，用硼扩散作发射区。
由于其集电极与衬底相通，在电路中总是接在最低电位处，这使它的使用场合受到了限制，在运放中通常只能作为输出级或输出缓冲级使用。
2.Plug and Play在PnP技术出现之前，中断和I/O端口的分配是由人手工进行的，您想要这块声卡占用中断5，就找一个小跳线在卡上标着中断5的针脚上一插。
这样的操作需要用户了解中断和I/O端口的知识，并且能够自己分配中断地址而不发生冲突，对普通用户提出这样的要求是不切实际的。
PnP技术就是用来解决这个问题的，PnP技术将自动找到一个不冲突的中断和I/O地址分配给外部设备，而完全不需要人工干预。
但是如果您读懂了上面关于中断冲突的那一部分，您就应该了解，在中断资源非常紧张的今天，即使是PnP技术，也不一定能找到一个合适的中断分配给您刚刚插入的设备，所以尽量释放那些没有必要的中断，对PnP正常工作也是很有帮助的。
有些PnP冲突来源于主板的设计。
许多主板上有一个AGP插槽、五个PCI插槽和两个ISA插槽，而其中的AGP插槽一般是和一个PCI插槽共用一个中断的，也就是这两个槽的中断可以是合理的任何值，但必须是相同的，当您在AGP槽上插了显示卡，如果您还在同中断的PCI槽上插了一块声卡的话，就一定会产生中断冲突。
怎样区别PNP和NPN三极管
怎样区别PNP和NPN三极管一、晶体管基础双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管PN 结。
正向偏置的EB 结有空穴从发射极注入基区，其中大部分空穴能够到达集电结的边界，并在反向偏置的CB 结势垒电场的作用下到达集电区，形成集电极电流I C。
在共发射极晶体管电路中, 发射结在基极电路中正向偏置, 其电压降很小。
绝大部分的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。
由于V BE很小，所以基极电流约为I B= 5V/50 k Ω= 0.1mA 。
如果晶体管的共发射极电流放大系数β= I C / I B=100, 集电极电流I C= β*I B=10mA。
在500Ω的集电极负载电阻上有电压降V RC=10mA*500Ω=5V，而晶体管集电极和发射极之间的压降为V CE=5V，如果在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流i b，在集电极电路中将出现一个相应的交变电流i c，有c/i b=β，实现了双极晶体管的电流放大作用。
金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应，在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。
当栅G电压V G增大时，p 型半导体表面的多数载流子棗空穴逐渐减少、耗尽，而电子逐渐积累到反型。
当表面达到反型时，电子积累层将在n+ 源区S 和n+ 漏区 D 之间形成导电沟道。
当V DS≠0 时，源漏电极之间有较大的电流I DS流过。
使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压V T。
当V GS>V T并取不同数值时，反型层的导电能力将改变，在相同的V DS下也将产生不同的I DS , 实现栅源电压V GS对源漏电流I DS的控制。
二、晶体管的命名方法晶体管：最常用的有三极管和二极管两种。
三极管以符号BG（旧）或（T）表示，二极管以D表示。
按制作材料分，晶体管可分为锗管和硅管两种。
按极性分，三极管有PNP和NPN两种，而二极管有P型和N型之分。
多数国产管用xxx表示，其中每一位都有特定含义：如3 A X 31，第一位3代表三极管，2代表二极管。
npn和pnp的辨别方法
npn和pnp的辨别方法【原创版3篇】目录（篇1）1.引言2.NPN和PNP的原理介绍3.NPN和PNP的区别4.NPN和PNP的应用场景5.结论正文（篇1）一、引言在电子电路中，NPN和PNP是两种重要的晶体管。
本篇文章将介绍这两种晶体管的基本原理、区别和应用场景。
二、NPN和PNP的原理介绍PN（Negative Pump）和PNP（Positive Pump）分别代表了两种不同的电流流动方向。
NPN（Negative Pump）型晶体管在基极和发射极之间有电流流动，而PNP（Positive Pump）型晶体管在基极和发射极之间有电流流动。
三、NPN和PNP的区别1.电流方向：NPN型晶体管在基极和发射极之间有电流流动，而PNP 型晶体管在基极和发射极之间有电流流动。
2.符号：NPN型晶体管的符号是在发射极和集电极之间加上一层半导体材料，而PNP型晶体管的符号是在发射极和集电极之间加上一层半导体材料。
3.电压：NPN型晶体管的电压是从基极到发射极，而PNP型晶体管的电压是从基极到发射极。
4.电流控制：NPN型晶体管需要较大的基极电流才能产生较大的集电极电流，而PNP型晶体管需要较小的基极电流就能产生较大的集电极电流。
5.输入阻抗：NPN型晶体管的输入阻抗较低，而PNP型晶体管的输入阻抗较高。
6.输出功率：NPN型晶体管的输出功率较大，而PNP型晶体管的输出功率较小。
7.耗散功率：NPN型晶体管的耗散功率较大，而PNP型晶体管的耗散功率较小。
8.工作温度：NPN型晶体管的工作温度较高，而PNP型晶体管的工作温度较低。
四、NPN和PNP的应用场景1.NPN型晶体管通常用于控制大电流，适用于需要较大输出功率的应用。
例如，用于驱动电机、加热器等大功率设备。
2.PNP型晶体管通常用于控制小电流，适用于需要较小输出功率的应用。
例如，用于控制LED灯、音频放大器等小功率设备。
3.NPN型晶体管在数字电路中应用广泛，常用于实现逻辑门电路。
NPN与PNP的区别及工作原理
NPN和PNP作为开关管的设计技巧以及全系列三极管参数1.1 NPN与PNP的区别NPN和PNP主要是电流方向和电压正负不同。
NPN是用B—E的电流（IB）控制C—E的电流（IC），E极电位最低，且正常放大时通常C极电位最高，即VC>VB>VE。
PNP是用E—B的电流（IB）控制E—C的电流（IC），E极电位最高，且正常放大时通常C极电位最低，即VC<VB<VE。
1.2 NPN和PNP作为开关的使用三极管做开关时，工作在截至和饱和两个状态。
一般是通过控制三极管的基极电压Ub来控制三极管的导通与断开。
NPN型 PNP型图1 NPN与PNP如上图1所示，对于NPN来说，使Ube<Uon，三极管断开，Ube>Uon，三极管导通，其中一般Ue接地，则只需控制Ub,使Ub>Uon即可使之导通。
对于PNP来说，使Ueb<Uon，三极管断开，Ueb>Uon，三极管导通，其中一般Uc 接地，所以要使三极管导通既要控制Ue又要控制Ub使Ueb>Uon才行。
所以一般是Ue为某个固定电压值，只通过控制Ub来就可以控制三极管的导通与断开。
对比NPN与PNP可知：NPN做开关时，适合放在电路的接地端使用，如图2里面Q6； PNP做开关时，适合放在电路的电源端使用，如图3。
我们一般使用芯片I/O口来控制LED灯，I/O口的逻辑电平一般为高电平3 V左右，低电平为0.3V左右。
因此可以直接控制NPN管开关，如图2里面的Q6；一般不直接控制PNP管，如图3。
我们前控板设计LED的控制电路采用如下图2的NPN三极管对地较为合适，并且双色灯最好是使用共阳双色灯。
以双色灯的控制为例，如下图2所示图2 双色灯的控制图2中Q6,Q4是放在发光二极管的接地端只需要Ub>0.7V即可导通。
图3 电源的控制图3中Q35就放在电源端，E为固定12V,只需控制B极来导通三极管。
以下是普遍用法：NPN基极高电压，集电极与发射极短路.低电压，集电极与发射极开路.也就是不工作。
三极管来源,及NPN与PNP区别
一、回顾历史1.电子管在晶体管出现之前，有一种作用和晶体管类似的器件，叫做电子管。
1904年，世界上第一只电子二极管在英国物理学家的手下诞生了。
电子管，是一种最早期的电信号放大器件。
一种被封闭在玻璃容器（一般为玻璃管）中的阴极电子发射部分、控制栅极、加速栅极、阳极（屏极）引线被焊在管基上，利用电场对真空中的控制栅极注入电子调制信号，并在阳极获得对信号放大或反馈振荡后的不同参数信号数据。
电子管用于早期的电视机、收音机扩音机等电子产品，近年来逐渐被半导体材料制作的放大器和集成电路取代，但目前在一些高保真的音响器材中，仍然使用低噪声、稳定系数高的电子管作为音频功率放大器件。
电子管优缺点：缺点：体积大、功耗大、发热厉害、寿命短、电源利用效率低、结构脆弱而且需要高压电源等缺点。
优点：负载能力强、线性性能优于晶体管、工作频率高，高频大功率领域优于晶体管。
电子的体积很大（相对晶体管），当年（1946年）世界第一台计算机，使用1.8W个电子管搭建而成，占地150平方米，重达30吨，耗电功率约150千瓦。
2.晶体管由于电子管存在许多缺点，人类就发明了比电子管更先进的晶体管。
晶体管是一种固体半导体器件，包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等。
具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。
1947年12月16日贝尔实验室制造出第一个晶体管。
第一枚晶体管模型：晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。
与普通机械开关不同，晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。
3.三极管三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，属于晶体管中的一种。
三极管是一种控制电流的半导体器件。
其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
三极管npn和pnp
三极管npn和pnp三极管（Transistor）是一种最基本的电子元件，它具有可以放大和开关电流的功能，广泛应用于电子电路中。
三极管可以分为NPN型和PNP型两种。
下面分别介绍NPN型和PNP型三极管的结构、工作原理以及应用。
一、NPN型三极管：NPN型三极管由两个N型半导体和一个P型半导体构成。
其中，N型半导体作为发射极（Emitter），由外界加上正电压。
P型半导体作为基极（Base），控制发射极和集电极（Collector）之间的电流。
另一个N型半导体则构成集电极。
具体来说，当基极与发射极之间的电压大于0.6V时，发射极和集电极之间就会形成一个导通路径，电流可以从发射极流向集电极。
NPN型三极管的工作原理是基于PN结的正向和反向偏置。
当发射极和集电极之间的电压大于0.6V时，PN结就会变为正向偏置，导致大量的电子从N型发射极注入到P型基极，形成发射极电流（Ie）。
同时，这些注入的电子会继续向集电极流动，形成集电极电流（Ic）。
在NPN型三极管中，Ic是由Ie 放大而来的，即放大系数β=Ic/Ie。
NPN型三极管具有放大作用，广泛应用于放大电路。
由于其有一个控制极（基极），可以通过控制电流的大小来控制输出电流，被称为"控制电流小，输出电流大"的电流放大器。
NPN 型三极管还常用于逻辑门电路、计时电路、振荡器电路等。
二、PNP型三极管：PNP型三极管由两个P型半导体和一个N型半导体构成。
其中，P型半导体作为发射极，由外界连结上负电源。
N型半导体作为基极，控制发射极和集电极之间的电流。
另一个P型半导体则构成集电极。
PNP型三极管的工作原理和NPN型三极管相似，区别在于PN结的正向和反向偏置。
当基极与发射极之间的电压小于-0.6V时，PN结就会变为正向偏置，使得发射极电流从发射极流入基极。
同时，由于P型基极中有空穴，这些空穴会向集电极流动，形成集电极电流（Ic）。
在PNP型三极管中，Ic是由发射极电流减少而来的，即放大系数β=Ic/Ie。
三极管npn和pnp
三极管npn和pnp三极管是一种常用的电子器件，用于放大电信号、开关电路和稳压电源等电路应用中。
它有两种类型，即NPN型和PNP型。
本文将分别对NPN型和PNP型三极管进行详细介绍。
1. NPN型三极管NPN型三极管是最常见的一种三极管，由三层半导体材料构成，分别是P型的基区、N型的发射区和再接P型的集电区。
它的工作原理主要是通过控制基极电流来控制集电极电流的大小。
NPN型三极管的特点如下：（1）基区和发射区之间是个正向偏压，集电区和基区之间是个反向偏压，即EB极是正向偏置，BC极是反向偏置；（2）当基极电流IB大于零时，会有较大的集电极电流IC流过；（3）当基极电流为零时，集电极电流也会为零；（4）当基极和发射极之间的电压较小时，三极管工作在放大区；（5）当基极和发射极之间的电压较大时，三极管工作在饱和区。
NPN型三极管在电路中的应用非常广泛，主要包括：（1）放大电路：通过控制基极电流，NPN型三极管可以放大输入信号，从而实现信号放大功能；（2）开关电路：当基极电流为零时，可以将三极管视为关断状态，当基极电流大于零时，可以将三极管视为导通状态，实现电路的开关功能；（3）稳压电源：结合电阻和二极管等元件，可以构成稳压电路，实现对电源电压的稳定输出。
2. PNP型三极管PNP型三极管与NPN型三极管的结构基本相同，但极性相反。
它由P型的基区、N型的发射区和再接P型的集电区组成。
PNP型三极管的工作原理与NPN型三极管相反。
PNP型三极管的特点如下：（1）基区和发射区之间是个反向偏压，集电区和基区之间是个正向偏压，即EB极是反向偏置，BC极是正向偏置；（2）当基极电流IB小于零时，会有较大的集电极电流IC流过；（3）当基极电流为零时，集电极电流也会为零；（4）当基极和发射极之间的电压较小时，三极管工作在放大区；（5）当基极和发射极之间的电压较大时，三极管工作在饱和区。
PNP型三极管在电路中的应用与NPN型三极管类似，它也可以用于放大电路、开关电路和稳压电源等应用中。
NPN与PNP的区别
一.PNP与NPN 晶体管的检测方法NPN和PNP主要就是电流方向和电压正负不同，说得“专业”一点，就是“极性”问题。
方法一：鉴别基极B将数字万用表拨至二极管档，红表笔固定任接某个引脚，用黑表笔依次接触另外两个引脚，如果两次显示值均小于1V或都显示溢出符号“1”，则红表笔所接的引脚就是基极B。
如果在两次测试中，一次显示值小于1V，另一次显示溢出符号“1”，表明红表笔接的引脚不是基极B，此时应改换其他引脚重新测量，直到找出基极B为止。
区分NPN管与PNP管使用数字万用表的二极管档。
按上述操作确认基极B之后，将红表笔接基极B，用黑表笔先后接触其他两个引脚。
如果都显示0.500～0.800V，则被测管属于NPN型；若两次都显示溢出符号“1”，则表明被测管属于PNP管。
方法二：判定基极。
用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。
当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。
这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。
黑表笔分别接在其他两极时，测得的阻值都较小，则可判定被测管子为PNP型三极管；如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN型管如9013，9014,9018。
小注：使用数字万用表的二极管档测量二极管的正向压降，这时读数的单位是mV。
例如，用该档检测2AP3型二极管的正向压降，显示为“352”，即表示352mV或0.352V（此管为锗管）。
用该档检测IN4007型二极管时，正向显示为“509”，即表示正向压降为509mV或0.509V （此管为硅管）。
数字万用表的二极管档,还可以用来检测电路是否短路。
二、常见三极管之——9013 、 90129013三极管9013是一种NPN型硅小功率的三极管它是非常常见的晶体三极管，在收音机以及各种放大电路中经常看到它，应用范围很广，它是NPN型小功率三极管。
PNP和NPN的区别
PNP和NPN的区别一．开关三极管的工作原理：截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，即为三极管的截止状态饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并且当基极的电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不再怎么变化，此时三极管失去电流放大作用，集电极和发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态，即为三极管的导通状态。
开关三极管正是基于三极管的开关特性来工作的。
PNP型三极管：由2块P型半导体中间夹着1块N型半导体所组成的三极管,称为PNP 型三极管。
也可以描述成,电流从发射极E流入的三极管. PNP型三极管发射极电位最高,集电极电位最低,UBE<0.NPN型三极管：由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成的三极管,称为NPN型三极管. 也可以描述成,电流从发射极E流出的三极管.两者的区别：NPN和PNP主要就是电流方向和电压正负不同，说得“专业”一点，就是“极性”问题。
NPN 是用B→E 的电流（IB）控制C→E 的电流（IC），E极电位最低，且正常放大时通常C极电位最高，即VC > VB > VE。
PNP 是用E→B 的电流（IB）控制E→C 的电流（IC），E极电位最高，且正常放大时通常C极电位最低，即VC < VB < VE。
PNP与NPN型传感器其实就是利用三极管的饱和和截止，输出两种状态，属于开关型传感器。
但输出信号是截然相反的，即高电平和低电平。
NPN输出是低电平0，PNP输出的是高电平1。
接近开关：接近开关有两线制和三线制之区别，三线制接近开关又分为NPN型和PNP型，它们的接线是不同的。
请见下图所示：三线制简单的讲就是信号输出分PNP型（24V输出）和NPN型（0V输出）。
npn与pnp型的区别文案
npn与pnp型的区别文案NPN型晶体管和PNP型晶体管是两种常见的双极型晶体管，它们在结构和工作原理上有一些区别。
下面我将从多个角度来全面介绍它们的区别。
1. 构造：NPN型晶体管由两个n型半导体材料夹着一个p型半导体材料构成，而PNP型晶体管则是由两个p型半导体材料夹着一个n型半导体材料构成。
这种差异导致了它们的电流流动方向相反。
2. 极性：NPN型晶体管中，发射极和基极之间是正向偏置的，而基极和集电极之间是反向偏置的。
而PNP型晶体管中，发射极和基极之间是反向偏置的，而基极和集电极之间是正向偏置的。
这也是它们电流流动方向相反的原因。
3. 电流流动方向：在NPN型晶体管中，电流从发射极流入基极，再从基极流入集电极。
而在PNP型晶体管中，电流从发射极流出，经过基极，最后流入集电极。
因此，NPN型晶体管是一个NPN结构的三极管，而PNP 型晶体管是一个PNP结构的三极管。
4. 工作原理：在NPN型晶体管中，当基极电流大于发射极电流时，会导致集电极电流的放大。
而在PNP型晶体管中，当基极电流小于发射极电流时，也会导致集电极电流的放大。
因此，它们的工作原理是基于不同的电流控制机制。
5. 应用：NPN型晶体管和PNP型晶体管都被广泛应用于电子电路中。
NPN 型晶体管常用于放大电路、开关电路和数字逻辑电路等。
而PNP型晶体管常用于电源电路、开关电路和电流源电路等。
它们在不同的应用场景中具有不同的特点和优势。
综上所述，NPN型晶体管和PNP型晶体管在结构、极性、电流流动方向、工作原理和应用等方面存在明显的区别。
这些区别使它们适用于不同的电路设计和应用需求。
如何区分三极管PNP与NPN
根据三极管的外形来判断1.一般说来,PNP型三极管的外壳比NPN型高得多.另外,NPN型三极管外壳上有一个突出标志,根据这些不同就可以把它们区分开来.2.用万用电表的欧姆挡来判断根据等效电路的不同,就可以用万用表的欧姆挡来区分它们.方法如下:将万用电表拨至适当的欧姆挡(实际上,在测量的过程中,要根据需要适当调节欧姆挡的挡级):（1）将电表的红表笔接三极管的某一管脚,黑表笔先后分别接另外两个管脚,可测得两个阻值.（2）若这两个值都很小(即阻值小于几百欧),则说明这个三极管是PNP型的三极管,与红表笔相接触的那个管脚是它的基极b.对它的进一步判断是:将红、黑表笔对调一下，即将黑表笔接触基极b，红表笔先后接另外两个管脚，重复测量一次，若测得的两个阻值均很大，则说明此三极管就是PNP型的三极管，且红、黑表笔对调后，与黑表笔相接触的那个管脚就是它的基极b,这就是证明原来判断是正确的。
（3）否则，重复步骤（1），直到测得的两个阻值都很小或者测试三次以上为止。
（4）若以红表笔为基准，把三极管的三个管脚都试了一遍，但它们都不满足步骤（2）的条件，则说明这个三极管是NPN型的三极管，对它的进一步判断步骤如下：把红、黑表笔位置对调一下，即以黑表笔为基准，红表笔分别接另外两个管脚。
若某一次测得的这两个阻值都很小（即阻值小于几百欧姆），则说明这个三极管是NPN型的三极管，与黑表笔相接触的那个管脚是它的基极b。
由以上可知，用万用电表测阻值法不仅可以区分PNP和NPN型三极管，而且还可以把三极管的基极b判断出来。
NPN型三极管NPN型三极管由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成的三极管,称为NPN型三极管.也可以描述成,电流从发射极E流出的三极管.三极管按结构分,可分为型三极管和PNP型三极管.右图起开关管作用的型三极管.工作原理三极管除了有对电流放大作用外,还有开关作用(即通、断作用),当基极加上正偏压时,NPN型三极管即导通处于饱和状态及灯会亮,反之,三极管就不导通,灯不亮。
NPN与PNP的区别及工作原理知识讲解
N P N与P N P的区别及工作原理NPN和PNP作为开关管的设计技巧以及全系列三极管参数1.1 NPN与PNP的区别NPN和PNP主要是电流方向和电压正负不同。
NPN是用B—E的电流（IB）控制C—E的电流（IC），E极电位最低，且正常放大时通常C极电位最高，即VC>VB>VE。
PNP是用E—B的电流（IB）控制E—C的电流（IC），E极电位最高，且正常放大时通常C极电位最低，即VC<VB<VE。
1.2 NPN和PNP作为开关的使用三极管做开关时，工作在截至和饱和两个状态。
一般是通过控制三极管的基极电压Ub来控制三极管的导通与断开。
NPN型 PNP型图1 NPN与PNP如上图1所示，对于NPN来说，使Ube<Uon，三极管断开，Ube>Uon，三极管导通，其中一般Ue接地，则只需控制Ub,使Ub>Uon即可使之导通。
对于PNP来说，使Ueb<Uon，三极管断开，Ueb>Uon，三极管导通，其中一般Uc 接地，所以要使三极管导通既要控制Ue又要控制Ub使Ueb>Uon才行。
所以一般是Ue为某个固定电压值，只通过控制Ub来就可以控制三极管的导通与断开。
对比NPN与PNP可知：NPN做开关时，适合放在电路的接地端使用，如图2里面Q6； PNP做开关时，适合放在电路的电源端使用，如图3。
我们一般使用芯片I/O口来控制LED灯，I/O口的逻辑电平一般为高电平3 V 左右，低电平为0.3V左右。
因此可以直接控制NPN管开关，如图2里面的Q6；一般不直接控制PNP管，如图3。
我们前控板设计LED的控制电路采用如下图2的NPN三极管对地较为合适，并且双色灯最好是使用共阳双色灯。
以双色灯的控制为例，如下图2所示图2 双色灯的控制图2中Q6,Q4是放在发光二极管的接地端只需要Ub>0.7V即可导通。
图3 电源的控制图3中Q35就放在电源端，E为固定12V,只需控制B极来导通三极管。
NPN与PNP区别
NPN与PNP区别NPN和PNP是晶体三极管的两种主要类型，它们在电路功能、工作原理、物理结构和特性等方面存在显著的差异。
一、电路功能NPN和PNP晶体三极管在电路中的功能基本相同，它们都是作为放大器或开关器件使用。
然而，在电路符号和实际应用上存在一些差异。
在电路符号中，NPN和PNP晶体三极管的主要区别在于它们的极性。
NPN晶体三极管的发射极（Emitter）和基极（Base）是负极，集电极（Collector）是正极；而PNP晶体三极管的发射极（Emitter）和基极（Base）是正极，集电极（Collector）是负极。
这决定了它们在实际电路中的连接方式和作用。
二、工作原理NPN和PNP晶体三极管的工作原理都基于半导体材料中的载流子运动。
然而，它们在载流子的运动方向和输入信号的影响上有所不同。
在NPN晶体三极管中，当基极输入信号增加时，载流子（主要是电子）从发射极注入到基极中。
这些载流子在基极中移动并被集电极收集，形成集电极电流。
这个过程实现了电流的放大和电压的放大。
在PNP晶体三极管中，当基极输入信号增加时，载流子（主要是空穴）从发射极注入到基极中。
这些载流子在基极中移动并被集电极收集，形成集电极电流。
与NPN晶体三极管相反，PNP晶体三极管的集电极电流方向与发射极电流方向相同。
这个过程同样实现了电流的放大和电压的放大。
三、物理结构和特性NPN和PNP晶体三极管的物理结构和特性也存在差异。
在制造过程中，NPN晶体三极管通常使用磷（P）型半导体材料，而PNP晶体三极管则使用硼（B）型半导体材料。
这两种材料类型的导电性能不同，导致NPN 和PNP晶体三极管的特性有所不同。
在特性曲线方面，NPN和PNP晶体三极管的输出特性和输入特性曲线有明显的不同。
对于相同的基极输入信号，NPN晶体三极管的输出电流和电压增益通常比PNP晶体三极管要大。
此外，它们的频率响应和噪声性能也有所不同。
在实际应用中，根据不同的需求和电路设计要求，可以选择合适的晶体三极管类型以满足电路的性能要求。
三极管的应用电路 NPN和PNP型三极管的区别
三极管的应用电路NPN和PNP型三极管的区别了解三极管的使用方法、PNP和NPN区分及S8050和S8550 ，主要分为以下几个方面：一、三极管介绍二、三极管结构(以NPN管为例)三、三极管的（工作原理）四、NPN和PNP型三极管区别五、S8050和S8550六、三极管应用电路一、三极管介绍三极管，全称应为（半导体）三极管，也称双极型（晶体管）、晶体三极管，是一种（电流）控制电流的半导体器件，其作用是把微弱（信号）放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
常见的三极管为9012、S8550、9013、S8050。
（单片机）应用电路中三极管主要的作用就是开关作用。
其中9012与8550为PNP型三极管，可以通用。
其中9013与8050为NPN型三极管，可以通用。
三极管结构有NPN和PNP两种，因为（电子）比空穴有更高的迁移率，所以NPN比PNP型三极管获得更广泛的应用。
每个公司生产的三极管脚位不一定一致，但是封装类型一般一样，常见的封装三极管有TO-92封装和SOT-23封装，如下图。
图1 三极管封装二、三极管结构(以NPN型为例)三极管的基本结构是由两个背靠背的PN结构成(如下图所示)。
基极和发射极之间的PN结称为发射结，基极和集电极之间的PN结称为集电结。
在三极管器件的设计中，通常会在发射区进行N型高掺杂，以便在发射结正偏时从发射区注入基区的电子在基区形成相当高的电子浓度梯度。
基区设计的很薄且浓度很低，这样注入到基区的电子只有很少一部分与多子空穴复合形成基极电流。
与基区电子复合的源源不断的空穴需要基极提供电流来维持。
在设计中对集电区则进行较低的P型掺杂且面积很大，以便基区高浓度的电子扩散进去集电区形成集电极电流。
三、三极管工作原理三极管有三个工作区域，分别为截止区(cut-offregion) 、放大区(acitveregion) 、饱和区(satura（ti）onregion) 。
下面我们结合下图对各个区域的工作状态进行分析。
三极管pnp和npn的区别
三极管pnp和npn的区别
主要区别是电流流向和电压不同：
PNP管子是发射极流入后从基极和集电极流出，NPN管子是基极和集电极流入从发射极流出。
PNP管子工作在放大区时电压是，Ue>Ub>Uc，NPN管子工作在放大区时电压时Uc>Ub>Ue
PNP管子：
发射极电流 = 集电极电流 + 基极电流
NPN管子：
集电极电流= 发射极电流+ 基极电流从结构上来说，NPN三极管的中间是P区（空穴导电区），两端是N区（自由电子导电区），而PNP三极管正相反。
从使用上来说，NPN三极管工作时是集电极接高电压，发射极接低电压，基极输入电压升高时趋向导通，基极输入电压降低时趋向截止；而PNP三极管工作时则是集电极接低电压，发射极接高电压，基极输入电压升高时趋向截止，基极输入电压降低时趋向导通。
下面分别介绍PNP型和NPN型的三极管。
先说PNP型的三极管，常用的型号有9012，8550等等。
如何使用呢，如下图：
FM是一个蜂鸣器，8550是一个PNP型的三极管，C端接地，B 端由单片机控制，E端通过FM接VCC。
根据箭头的方向，E端高电压的时候，当B端也是高电压，那么E和C之间是断开的，当B端是低
电压，那么E和C直接导通，实现开关的作用。
简单的技巧：三极管上箭头所在方向的二极管，只要二极管正向导通，那么三极管上下就能导通。
NPN的三极管也是同样的道理，这里不做过多解释。
这里可以看到，三极管用作开关管的时候非常简单，根本不会涉及到任何所谓的公式、放大倍数计算等等。
怎么判断pnp还是npn型
当许多人使用PNP和NPN时，他们认为这是同一类型。
实际上，PNP和NPN之间有很多区别，那么PNP和NPN之间有什么区别？接下来就跟小编一起来学习一下吧。
1、定义不同NPN型三极管由三个半导体组成，包括两个N型和一个P型半导体，中间是P型半导体，两侧是两个N型半导体。
NPN型三极管是电子电路中最重要的器件，其主要功能是电流放大和开关功能。
PNP型三极管是由两个P型半导体之间夹着1个N型半导体构成的三极管，因此被称为PNP型三极管。
也可以将其描述为电流从发射极E流出的三极管。
2、PN结元件方向不同两个PN结的方向不同，PNP为公共阴极，即两个PN结的N结连接为基极。
NPN相反，NPN的两个P结分别是集电极和发射极。
电路图标记为带有向内箭头的三极管。
3、结构不同PNP型三极管是由两个P型半导体之间夹着N型半导体构成的晶体管，被称为PNP 型PNP型三极管。
NPN型三极管是由两个N型半导体以及夹在它们之间的P型半导体组成，并且被称为NPN型三极管。
4、流方向NPN使用B-E电流（IB）控制C-E电流（IC）。
正常放大时，E极电位最低，C极电位通常最高，即VC > VB > VE。
PNP使用E-B电流（IB）来控制E-C电流（IC）。
在正常放大期间，E极电位最高，而C极电位通常最低，即VC < VB < VE。
5、电压区别NPN基极电压高，集电极与发射极短路。
低压，集电极和发射极开路。
那是行不通的。
PNP基极电压很高。
集电极对发射极开放，也就是说，它不起作用。
如果将基极施加到低电位，则集电极和发射极会短路。
（1）PNP管是发射极，从基极和集电极流出，而NPN管是基极和集电极，并从发射极流出。
（2）PNP管在放大区工作时的电压为Ue > Ub > Uc，NPN管在放大区工作时的电压Uc > Ub > Ue。
（3）PNP为共阴极，即以两个PN结的N结为基极，其余两个P结分别为集电极和发射极。
PNP和NPN的区别-pnp与npn
PNP和NPN的区别-pnp与npn PNP 和 NPN 的区别 pnp 与 npn在电子电路中，PNP 和 NPN 是两种常见的晶体管类型，它们在电路中的作用和特性有着显著的差异。
理解它们之间的区别对于电子爱好者和专业电子工程师来说都至关重要。
首先，从结构上看，PNP 晶体管由两块 P 型半导体夹着一块 N 型半导体组成，而 NPN 晶体管则是由两块 N 型半导体夹着一块 P 型半导体构成。
这一结构上的差异直接导致了它们在电流和电压特性方面的不同。
在电流流动方面，PNP 晶体管的电流是从发射极（E）流入，经过基极（B），然后从集电极（C）流出；而 NPN 晶体管的电流则是从发射极流出，经过基极，流入集电极。
这意味着在实际应用中，它们连接电源和负载的方式会有所不同。
PNP 晶体管通常在低电平有效的电路中使用。
比如说，当基极接收到一个低电平信号时，晶体管导通，电流得以通过。
而 NPN 晶体管则更多地用于高电平有效的电路，当基极接收到高电平信号时，晶体管导通。
从工作原理上来说，PNP 晶体管的导通需要基极相对于发射极处于低电位，这样才能吸引空穴从发射极流向基极，从而实现导通。
而对于 NPN 晶体管，导通的条件是基极相对于发射极处于高电位，以吸引电子从发射极流向基极。
在放大作用方面，PNP 和 NPN 晶体管都能够对电流进行放大。
然而，由于它们的电流方向不同，所以在具体的放大电路设计中，需要根据输入和输出信号的要求来选择合适的类型。
在实际的电路设计中，PNP 和 NPN 晶体管的选择往往取决于多种因素。
例如，如果电源的极性是固定的，那么就需要根据电源的情况来选择合适的晶体管类型，以确保电路能够正常工作。
再来看它们的开关特性。
在数字电路中，晶体管常常被用作开关。
PNP 晶体管在基极接收到低电平信号时导通，相当于开关闭合；而在基极接收到高电平信号时截止，相当于开关断开。
NPN 晶体管则相反，基极接收到高电平信号时导通，接收到低电平信号时截止。
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而且纯粹从BJT本身角度，而不考虑输入信号从哪里来，共射组态和共基组态其实很相似，反正都是控制VBE，只不过一个“固定” VE，改变VB，一个固定VB，改变VE。
对于共射组态，没有“固定参考点”了，可以理解为利用VBE随IC或IE变化较小的特性，使得不论输出电流IE怎么变化（当然也有个限度），VE基本上始终跟随VB变化（VE=VB-VBE），VB升高，VE也升高，VB降低，VE也降低，这就是电压跟随器的名称的由来。
PNP电路跟NPN是对பைடு நூலகம்的，例如：
对于共射组态，可以粗略理解为把VE当作“固定”参考点，通过控制VB来控制VEB（VEB=VE-VB），从而控制IB，并进一步控制IC（从C极流向电位更低的地方，你也可以把C极看作朝下的出水管）。
对于共基组态，可以理解为把VB当作固定参考点，通过控制VE来控制VEB（VEB=VE-VB），从而控制IB，并进一步控制IC。
……
上面所有的VE的“固定”二字都加了引号。因为E点有时是串联负反馈的引入点，这时VE也是变化的，但这个变化是反馈信号，即由VB变化这个因造成的果。
原文地址：/news.asp?NewsId=355�
总之 VB 一般都是在中间，VC 和 VE 在两边，这跟通常的 BJT 符号中的位置是一致的，你可以利用这个帮助你的形象思维和记忆。而且BJT的各极之间虽然不是纯电阻，但电压方向和电流方向同样是一致的，不会出现电流从低电位处流行高电位的情况。
今流行的电路图画法，通常习惯“阳上阴下”，也就是“正电源在上负电源在下”。那NPN电路中，E 最终都是接到地板（直接或间接），C 最终都是接到天花板（直接或间接）。PNP电路则相反，C 最终都是接到地板（直接或间接），E 最终都是接到天花板（直接或间接）。这也是为了满足上面的VC 和 VE的关系。一般的电路中，有了NPN的，你就可以按“上下对称交换”的方法得到 PNP 的版本。无论何时，只要满足上面的6个“极性”关系（4个电流方向和2个电压不等式），BJT电路就可能正常工作。当然，要保证正常工作，还必须保证这些电压、电流满足一些进一步的定量条件，即所谓“工作点”条件。
NPN和PNP主要就是电流方向和电压正负不同，说得“专业”一点，就是“极性”问题。
NPN 是用 B→E 的电流（IB）控制 C→E 的电流（IC），E极电位最低，且正常放大时通常C极电位最高，即 VC > VB > VE
PNP 是用 E→B 的电流（IB）控制 E→C 的电流（IC），E极电位最高，且正常放大时通常C极电位最低，即 VC < VB < VE
对于NPN电路：
对于共射组态，可以粗略理解为把VE当作“固定”参考点，通过控制VB来控制VBE（VBE=VB-VE），从而控制IB，并进一步控制IC（从电位更高的地方流进C极，你也可以把C极看作朝上的进水的漏斗）。
对于共基组态，可以理解为把VB当作固定参考点，通过控制VE来控制VBE（VBE=VB-VE），从而控制IB，并进一步控制IC。