最新最全pnp三极管

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作在放大区时才用直流偏置电路,工作在开关状态时为了能可靠的工作在饱和与截止状态,不需要直流偏置电路.

另外纠正一下,三极管工作在放大区时发射结正偏,集电结反偏,

工作在饱和区时发射结与集电结都正偏,

工作在截止区时发射结反偏即可,

你说的电路中,单片机的IO口上接一个电阻与三极管基极连接,发射

极接地,集电极接负载与正电源相连.这个电阻主要是防止单片机的

输出电压过高而造成三极管基极电流过大而损坏三极管与单片机电

路,当单片机输出低电平时,三极管可靠截止,即工作在载止区,当单片

机输出高电平时,通过基极电阻的限流,三极管的基极电压将达到0.7V以上,它的CE间电压将在0.3V左右,所以两个结都正偏,三极管工作在饱和区. .

补充,你是说单片机的I/O端口接5.1K电阻接PNP三极管基极,发射极接正电源,集电极接一发光二极光并串联一个二极管接地。当单片机输出高电平时,基极电压为高电平,三极管载止,相当于三极管发射结截止,三极管载止,UCE=UCC。当单片机输入低电平时,发射结正偏,三极管导通,此时UCE=0.3V,集电极电位纸比电源电压低0.3V,而基极电位比电源电压低0.7V,所以两个结均正偏,三极管工作在饱和状态。

场效应管和三极管的功能、作用一样,可以用于放大、振荡、开关电路。

N沟道场效应管和NPN三极管类似,工作条件是在

栅极加正向极性控制电压,在漏极加正极性电源电

压,改变栅极电压就可以改变漏极与源极之间的电

流大小。

P沟道场效应管和PNP三极管类似,工作条件是在栅极加负极性控制电压,在漏极加负向极性电源电压,改变栅极电压就可以改变漏极与源极之间的电流大小。

目前应用比较广泛的是N沟道场效应管,就像三极管NPN型应用比较多一样。

1.PNP三极管导通条件是当给它通电时(通电如何通你知道么,就是E加电源电压,如5V,C极过一限流电阻接地),那么如果你给控制端即B极一个低电平,此时就可以导通,导通电压(即CE间电压)至少小于0.2V,如果此时你B极是个高电平,那你再测你的CE间电压,可能就是有比较大的压降,比如5V,那自然就不算通了。简单点理解吧,一个开关闭合以后,它两端触点即使过再大电流压降也会很小,而一个开关,它两端压降自然就为加于它两端的电压,自然就不算通了

2 截止就是BE反偏,即E>B

3 饱和线路就是CE

放大:b极提供信号(输入)c提供能量e输出常用在模电

还有一个重要的特点:Ubc在线性电路中通常为0.7v 这个性质可以稳压稳流等

饱和:利用它的开关特性常用在数字电路

晶体三极管按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管,两者除了电源极性不同外,其工作原理都是相同的,下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。

对于NPN管,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。

当b点电位高于e点电位零点几伏时,发射结处于正偏状态,而C点电位高于b点电位几伏时,集电结处于反偏状态,集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。在制造三极管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做得很薄,而且,要严格控制杂质含量,这样,一旦接通电源后,由于发射结正偏,发射区的多数载流子(电子)极基区的多数载流子(空穴)很容易地越过发射结互相向对方扩散,但因前者的浓度基大于后者,所以通过发射结的电流基本上是电子流,这股电子流称为发射极电流Ie。

由于基区很薄,加上集电结的反偏,注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic,只剩下很少(1-10%)的电子在基区的空穴进行复合,被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给,从而形成了基极电流Ibo.根据电流连续性原理得:

Ie=Ib+Ic

这就是说,在基极补充一个很小的Ib,就可以在集电极上得到一个较大的Ic,这就是所谓电流放大作用,Ic与Ib是维持一定的比例关系,即:

β1=Ic/Ib

式中:β1--称为直流放大倍数,

集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为:

β= △Ic/△Ib

式中β--称为交流电流放大倍数,由于低频时β1和β的数值相差不大,所以有时为了方便起见,对两者不作严格区分,β值约为几十至一百多。

三极管是一种电流放大器件,但在实

际使用中常常利用三极管的电流放大

作用,通过电阻转变为电压放大作用。

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