中电48所扩散工艺操作规程
48所PECVD操作规程
PECVD（48所）操作规程1.打开各路气体阀门。
包括氮气，CDA以及反应特气。
注意：打开反应特气（硅烷、氨气）时候须小心。
2.打开冷却水管的开关。
先打开出水管，后打开进水管。
即先打开上面4条水管，后打开下面4条水管。
切记顺序不能反，并且注意真空泵组以及设备有无水报警，检查水压。
3.打开电源总开关（在扩散车间），PECVD三相电源指示灯亮。
4.按下控制柜电源“上电”按纽，开启电脑。
5.手动设置工艺温度，然后按下加热“上电”开关，开始加热。
6.戴上工艺要求的手套开始将准备好的硅片放在石墨舟上，然后调整，使片子紧贴石墨舟。
7.待温度升至工艺要求的温度后，把石墨舟放在悬臂杆上.8.进入“PECVD设备计算机工艺自动控制系统V3.0”程序，在“手动”模式下，将悬臂杆降至“下位”归零，然后上升至“上位”单击“工艺编辑”，然后在“工艺编辑”窗口中选择工艺程序文件，将工艺程序各步参数下载到工艺运行缓冲区中。
9.在主窗口中单击“系统图”图标，进入“系统图”窗口。
单击“系统图”窗口工具栏中的“启动”图标，计算机会给出一些提示，逐条检查每一条提示，然后“确定”，即开始工艺运行。
10. 单击“系统图”窗口工具栏中的“自循环”图标。
保证工艺运行到最后一步时间耗尽时，会自动跳转到第1步继续执行，而不会中止工艺运行。
11. 在悬臂杆将石墨舟推入石英管的过程中，密切注意悬臂杆与石墨舟是否会撞到石英管。
并从炉尾处的小窗口观察，高频电源电极和石墨舟电极是否接触良好；悬臂杆后退时候，从炉口观察，是否会把石墨舟带出。
12. 工艺运行中…….，操作员工可准备其它石墨舟的上片工作。
13. 工艺运行至“取片”步，悬臂杆将石墨舟退出来以后，整个工艺运行完毕，计算机会给出一个提示。
将其它上好片子的石墨舟放在悬臂杆上后，单击“确定”即进入下一个工艺循环。
14. 生产结束后，在“手动”模式下关掉炉门，关闭罗茨泵。
按下加热“关”，退出PECVD设备计算机工艺自动控制系统V3.0，关闭电脑，但是不要断掉控制柜的电源。
扩散标准作业
扩散基本作业
将扩散碎片、返工片放入指定场所，碎片 要按大于1/2和小于1/2分开放，填写好工 序流程卡和生产记录，要注明时间和操作 者，时间一定要准确，以便于以后查询， 将扩散后的硅片放入刻蚀传递窗口，关上 传递窗(扩散后的硅片要禁止堆积过高) 。
测方块电阻作业
将扩散好的硅片从桨上取下放在卸片台 上冷却，待硅片充分冷却后，用石英吸 笔在石英舟上等距离的抽取5片扩散面朝 炉内的硅片。将取出的硅片拿到四探针 测试仪处，打开四探针测试仪的电源 （初次测量时需预热十五分钟）正常生 产时可待机。
扩散基本作业
用带有舟叉套管的舟叉取一石英舟到装 片台上准备插片。在插片前要先检查一 下石英舟是否完好，如有裂痕要及时作 醒目标识并隔离。扩散装片采用双片单 面扩散，即在同一槽内同时插入二片硅 片，边装片边检查硅片绒面状况，有绒 面问题的要及时挑出。
扩散基本作业
将插好硅片的石英舟放至指定地点，等 待空闲的石英管，待桨完全退到外面后， 把装满硅片的舟放到碳化硅浆上，同时放 上石英档板，选择好工艺号，要选择符合 当前所做的硅片的工艺，按确定按钮，开 始运行工艺。
石英管的拆卸
先确认工艺不在运行，确认并关闭所有气 体（O2、小N2、大N2），将源瓶的阀门 旋紧，将碳化硅桨退出冷却，关闭加热电 源，待冷却至100度以下，将石英管、碳 化硅桨、石英门等按顺序卸下，将石英管 放入指定大纸箱，清洗之前要先确认管、 桨、石英门等，是否有裂纹、破损，两人 一人一头将装有石英管的纸箱抬到石英管 清洗机旁，将石英管轻轻放下。
扩散标准作业
扩散间工艺流程 扩散炉开关机作业 扩散基本作业 测方块电阻作业 扩散间换源作业 石英管清洗作业
扩散工艺流程
TCA清洗 → 饱和 → 装片 → 送 片 → 回温 → 扩散 → 关源、退舟 → 方块电阻测量→ 卸片
扩散工艺
扩散工艺培训一、扩散目的在P型衬底上扩散N型杂质形成PN结。
达到合适的掺杂浓度ρ/方块电阻R□。
即获得适合太阳能电池PN结需要的结深和扩散层方块电阻。
R□的定义：一个均匀导体的立方体电阻 ,长L，宽W，厚dR= ρ L / d W =(ρ/d) (L/W)此薄层的电阻与（L / W）成正比，比例系数为（ρ /d）。
这个比例系数叫做方块电阻，用R□表示：R□ = ρ / dR = R□（L / W）L= W时R= R□，这时R□表示一个正方形薄层的电阻，与正方形边长大小无关。
单位Ω/□，方块电阻也称为薄层电阻Rs在太阳电池扩散工艺中，扩散层薄层电阻是反映扩散层质量是否符合设计要求的重要工艺指标之一。
制造一个PN结并不是把两块不同类型（P型和N型）的半导体接触在一起就能形成的。
必须使一块完整的半导体晶体的一部分是P型区域，另一部分是N型区域。
也就是晶体内部形成P型和N型半导体接触。
目前绝大部分的电池片的基本成分是硅，在拉棒铸锭时均匀的掺入了B(硼)，B原子最外层有三个电子，掺B的硅含有大量空穴，所以太阳能电池基片中的多数载流子是空穴，少数载流子是电子，是P型半导体.在扩散时扩入大量的P(磷)，P原子最外层有五个电子，掺入大量P的基片由P型半导体变为N型导电体，多数载流子为电子,少数载流子为空穴。
在P型区域和N型区域的交接区域，多数载流子相互吸引，漂移中和，最终在交接区域形成一个空间电荷区，内建电场区。
在内建电场区电场方向是由N区指向P区。
当入射光照射到电池片时，能量大于硅禁带宽度的光子穿过减反射膜进入硅中，在N区、耗尽区、P区激发出光生电子空穴对。
光生电子空穴对在耗尽区中产生后，立即被内建电场分离，光生电子被进入N区，光生空穴则被推进P区。
光生电子空穴对在N区产生以后,光生空穴便向PN结边界扩散，一旦到达PN结边界，便立即受到内建电场作用，被电场力牵引做漂移运动,越过耗尽区进入P区，光生电子(多子)则被留在N区。
CETC48扩散工序作业指导书
流至刻蚀：
1. 填写流程卡和汇总表，进行相关登记。 2. 打开通往刻蚀的传递窗，将盛满硅片的花篮以及流程卡放 于传递窗中，等待刻蚀。 版本 日期 A/0 2013-3-19 A/1 2015-10-24 更改内容 增加自动上下料设备
第 7 页 共 8 页
版本
日期
更改内容 制订 签名 日期 审核 批准
1、 头发不得外露； 2、 戴活性炭口罩； 3、 衣领需粘紧； 4、 衣 服 拉 链 拉 到 最上端； 5、 佩戴工作手套； 6、穿专用无尘鞋。
1、 风 淋门 为单向 门 不得同时打开， 风 淋时将门关紧； 2、 进 扩散 车间必 须 风淋 15 秒，严禁 擅自修改时间； 3、工作鞋必须踏在粘 尘垫上粘尘。粘尘 垫须及时更换。
炉口位置
3. 注意舟的放置方向
窄边
第 4 页 共 8 页
CETC48 扩散工序作业指导书
工位名称
工艺运 行
文件编号 版本/版次 型号
DT/TEC W-003 12 A/1 CETC48 扩散炉
运行工艺
工时（秒）
N/A
运行工艺：
是 运行
1. 2. 3.
将石英舟全部放满就可以进行工艺（选择运行工艺文件） ； 系统界面：按“是”进入下一步骤； 在点击运行按钮，即可进入自动工艺；
工装穿戴：
1. 穿好无尘服、无尘鞋，一次性橡胶手套。 2. 禁止不配戴手套或配戴脏污手套接触硅片表面、石英制 品、镊子、承载盒及真空垫板。严禁使用脏污的石英制品、 镊子、承载盒及真空垫板接触硅片。
风淋要求：
风淋要求 1. 进入扩散间必须按照规定吹风淋，严禁不吹风淋直接进入 扩散间。 2. 每天上班前应对车间进行清扫，包括地面、风淋室、传递 窗、插片台、暗房、卸片台等。其中石英吸笔及钢化玻璃 台面要用酒精擦洗。
扩散工艺操作规程a
1、目的确保作业人员正确进行扩散操作，确保扩散工序产品的质量以及数据记录的准确性。
2、适用范围适用于扩散流程工序的48所扩散炉，温度25±2℃，湿度50%±10%。
3、职责由工艺部门负责制定，生产部门配合实施。
4、作业程序4.1 每天来后检查源瓶的液位、温度、是否正常以及尾气软管是否有液滴凝结并及时处理。
4.2 插片前每批抽测3片测试电阻率，操作方法见四探针操作指导书。
4.3 插片。
操作见插片操作指导书。
4.4 用舟叉将插好片子的石英舟直接放到碳化硅桨上，放置平稳。
4.5 运行工艺，操作见48所扩散工艺指导书。
（设定为小氮流量500-3000sccm ；氧气流量100-5000sccm；大氮流量1000-50000sccm；温度范围600-1050℃）进行扩散，注意炉门挡板是否到位。
4.6 扩散完成后退舟，停留5分钟，用舟叉将石英舟直接移到卸片洁净操作台面上抽风冷却。
4.7 每舟用真空吸笔等距取7片扩散后的硅片进行测试方块电阻。
操作方法见四探针操作指导书。
4.8 每个硅片盒200片，扩散面交替叠放在硅片盒中，硅片不允许放置在除洁净台的其他位置。
注意轻拿轻放，避免摩擦,严禁不戴手套或带脏手套接触硅片正反面。
4.9 将承载盒放入刻蚀用传递窗内，严禁同时打开传递窗。
同时注意在制品数量，扩散工序在制品数量上限为3000片。
4.10 装片和卸片工作台面及周围地面清洁，洁净台及扩散炉工作台每天用无尘布蘸酒精擦洗两遍。
4.11每个月拉一次恒温以保证温度的稳定性。
5、检验要求及判定5.1.方块电阻中心方块电阻：单晶125：（40～50Ω）中心方块电阻：单晶156：（40～55Ω）中心方块电阻：多晶156：（40～55Ω）同一炉扩散方块电阻不均匀度≤10%同一硅片扩散方块电阻不均匀度≤7%5.2.检验方法：四探针测试仪测试硅片方块电阻，要求用五点法测试，即测试中心及周围四点方块电阻。
方块电阻不合格则进行返工，返工处理见返工规范。
四十八所扩散作业指导书现场版本_图文.
规范四十八所扩散炉常规维护项目的操作二、适用范围适用于佳诚太阳能有限公司电池车间扩散一到四线工序三、规范性引用文件四十八所扩散炉操作说明书四、职责设备人员:1、检查温控仪表及热电偶是否正常2、检查触摸屏是否偏移,矫正3、检查电气线路按钮开关及指示灯是否正常4、检查插片房风机是否正常5、检查变压器及炉体接线端子是否老化、发黑等现象6、保养完后,确认每台炉管加热、流量正常工艺人员:1、负责协助生产拆装废液瓶夹子2、检查有毒气体管道密封性和老化程度,是否需要更换生产员工:1、检查传动是否平滑,有无震动和异响,加润滑油2、清理净化滤网,必要时更换3、清理废气室及废气管滴下的偏磷酸4、检查恒温水槽不锈钢源瓶座是否有积水,清理5、检查恒温水槽液位是否过低;控温等是否正常6、检查气路是否有漏气现象,更换卡套和四通阀7、检查废液瓶内废液,是否需要清理五、设备主要技术参数 :六、设备介绍与操作1.1总体结构总体结构分为四大部分,见平面安装图 1,从右到左为:控制部分、推舟净化部分、电阻加热炉部分、气源部分。
图 1 软着陆扩散炉平面安装图1.2分部件结构1.2.1工控机控制框图见图 2。
图 2在控制柜的底层, 安装有四管控制系统的推舟控制装置、保护电路、电路转接控制板及各层的开关、保险等 , 前盖板上装有三相电源指示灯及照明、净化、抽风开关等。
该柜内有 220V 的交流电,也有 15V 、 5V 直流电和控制信号线,检修时请注意区分及安全,谨防接错和短路。
1.2.2推舟净化部分推舟净化柜的顶部装有照明灯;正面是悬臂桨推拉舟机构,推舟水平运动采用步进电机 +减速机 +同步带 +同步带轮的传动机构,推动悬臂桨水平移动;推舟垂直运动采用步进电机 +减速机 +升降机的驱动机构,推动推舟底板整体上下移动。
导轨的两端和上下运动的两端都装有限位开关和极限保护开关。
靠近炉口的净化柜顶部设有漏斗状的抽气罩,与外接抽风系统连接后,用来排掉出舟时散发的大量高温有毒气体。
扩散操作规程
十三.自动运行屏
所有信息项正确无误填写完毕后点击确定按钮可进入以 下工艺运行窗口；点击取消按钮回到手动操作屏如果工 艺曲线没有可运行参数程序将自动回到手动操作屏
程序进入工艺运行后将在每步开始时刷新温度设置、阀 门动作、气体流量、舟动作
a 在运行窗口左上侧是本步工艺信息： 03号01步：表明当前运行03号工艺当前运行步号为01步； 本步倒计时00：05：15：表明本步还有0小时5分15秒将
结束；
总倒计时03：42：15：表明本工艺正常运行还有3小时42 分15秒的工艺时间；
十三.自动运行屏
已运行总时间00：01：45：表明工艺从启动到今已运行 0小时1分45秒；
本步设定时间00：07：00：表明本步设定有0小时7分钟0 秒的时间长度；
结束步07：表明本工艺共有7步； 目标温度850/850/850：表明本步左中右温区的目标温度
也自动显示报警窗口只需单击报警窗口按钮就可 解除该报警状态
七.工艺编辑
七.工艺编辑
点击手动操作屏左侧的数据编辑按钮 程序进入集成工 艺编辑屏据体操作如下：
打开工艺：从手动操作界面进入编辑界面后若想打开其 它已经编辑的工艺只需在打开工艺号下拉框中选择所需 工艺号即可打开其它工艺时当前编辑的工艺不保存
2.2 登录 在登录界面中有0-9及A-Z字符键允许作为密码字符箭头
为退格键ENTER为回车键本监控程序的初始密码为 AAAAA如果要修改密码则先输入原来的密码再在相应 的输入框中输入新的密码然后按确定按钮即可输入请牢 记修改后的密码以避免无法进入程序进行工作
本窗口为登录窗
二. 温度设置
在手动操作屏的中上部有三个模拟温度控制器的图形根据 温度控制器图形上的RKC、REX-F400、RKC字符可以知 道分别对应本层扩散/氧化炉的三个控制温度的温控仪温 控仪的型号分别为CD401F400温度控制器图形中三个绿色 的850分别表示左、中、右三个温区的控温热偶的测量值 三个红色的850分别表示左、中、右三个温区的温度控制 器的温度设定值通过这三个温度控制器的复杂控制能实现 恒温区所要求的控制精度在手动操作屏中三点的SV值可 以单独设置主要为提供维护与测试所用在下面将提到的自 动运行屏中SV值由自动程序自动设置不能够手动修改
扩散炉维修手册(M5111-4W、UM系列高温扩散、氧化系统).
中国电子科技集团公司第四十八研究所M5111-4W/UM系列高温扩散/氧化系统维修手册中国电子科技集团公司第四十八研究所2007年6月中国电子科技集团公司第四十八研究所目录1．设备型号涵义 (1)1.1型号的组成 (1)1.2各代号涵义 (1)2．电气图纸的代号规定 (2)2.1电气制图代号定义 (2)2.2元器件编号规定······················2.3电气接线编号规定····················2.4电气转接端口定义····················2.5计算机转接端口定义···················3．故障判别与维修······················3.1温度控制系统·······················3.1.1温控仪上显示oooo····················3.1.2炉子不能升温······················3.1.3面板上的超温指示灯亮··················3.1.4炉温失控························3.1.5面板上的短路指示灯亮··················3.2自动推拉舟系统······················3.2.1不能自动进出舟·····················3.2.2不能自动停舟······················3.3气体流量控制系统····················3.3.1气动阀不能受控打开···················3.3.2触摸屏上无气体流量显示·················3.3.3气体流量总是显示最大值·················3.3.4气体流量显示值波动大··················3.4 H/O合成氧化系统····················3.4.1火不能点燃·······················3.4.2系统误报警·······················I （3）（3）（3）（7）（11）（11）（11）（11）（12）（12）（13）（13）（13）（14）（14）（14）（14）（15）（15）（16）（16）（16）中国电子科技集团公司第四十八研究所1．设备型号涵义1.1 型号的组成按照部颁标准，我所高温扩散/氧化系统的型号由如下代号组成：M 5 1 11 — 4 W / UM型 48所）类别代号（表面处理和薄膜淀积设备）1.2 各代号涵义1300℃3〞硅片工艺4〞硅片工艺6〞硅片工艺8〞硅片工艺1中国电子科技集团公司第四十八研究所2．电气图纸的代号规定2.1电气制图代号定义按照国家电气制图标准，我所常用电气图纸器件代号如下：代号ABCEFGHJKLMNPQRSTUVWXYZ 代号意义计算机及板卡、步进电机驱动器、印制电路板、带触发电路的可控硅模块、氢气报警器、湿度计、冷阱、触摸显示器薄膜规、热电偶、接近开关、光电开关电容加热器、扩散泵、照明灯熔断器开关电源、直流电源指示灯、报警器温控仪固态继电器、交流接触器、交流继电器、直流继电器、延时继电器三相总进线，分为：L1、L2、L3 真空泵、轴流风机、净化风机零线质量流量控制器、水压开关、水流开关、电接点压力表、真空计、记录仪、电流表、电压表、检测器件断路器、空气开关电阻、电位器、热敏电阻、压敏电阻按钮开关、旋钮开关、急停开关、行程开关、液位开关、接近开关变压器、调压器、电压互感器、电流互感器旋转编码器、变频器、整流器晶体管、晶闸管、可控硅模块、发光二极管、规管、光敏管导线、电缆接线排、端子排、连接片（XB）、电缆封端、接线板、普通插头座、航空插头座（头可采用XP、座可采用XS）电磁阀、电磁离合器、气动阀滤波器2中国电子科技集团公司第四十八研究所2.2元器件编号规定* * * * *如电控柜中下层第5号插头座编号为：X1205 ；净化台照明开关的编号为：S20052.3电气接线编号规定* * * **连接线序号，零线号从001～099 ；其他线号从101～999 。
四十八所扩散炉教程
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2.方块电阻的异常.
方块电阻的异常在扩散间异常中是占很大比例,方块电阻的异常的种类、可
能的原因及解决措施如下: (1)整舟方块电阻高 可能的原因：1.大氮保护开着。2.四探针测试仪没有调整好（如电流）或 故障3. 源量过少.4.扩散温度低. 解决方法：1.关闭大氮保护.2.按要求调整或让相关人员维修3. 让员工经常 检查源瓶，按要求更换源瓶.4.调整扩散温度. (2)整舟方块电阻低 可能的原因：1.换源后没有及时降低温度.2. .四探针测试仪没有调整好.3. 工艺运行完该出舟时，因其他原因没有退舟，导致扩散后的片子长时间处 在高温的管子里.4.恒温箱缺水或各种故障导致的温度升高.5. 误用方块电阻 低的工艺号.6.二次扩散.7.扩散温度高. 解决方法：1. 换源后按要求调整温度.2. 按要求调整并定时确认.3.员工应 经常关注各个扩散管的运行状态，及时发现问题.4.添水或通知设备维修.5. 让员工按流程卡上标注的工艺运行.6. 属于员工误操作.返工.7.调整扩散温 度.
按照每立方米（或每升）空气中，大于等于0.5μm的尘粒数量来划分
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人员方面 1.扩散间员工出扩散间必须穿鞋套.其他岗位、部门员工
进入扩散间必须按要求穿洁净服、戴鞋套 2.进入扩散间时要风淋30s 3.严禁同时打开传递窗及风淋门;传递窗的两边不能同时 打开 4.员工工作服穿着整洁,头发严禁露在衣服外面 5.清洗间小车禁止推入扩散间使用 6.袖子不能高挽
可能的原因：1.进舟时间设定短.2.限位开关故障.3. 丝杠故障. 处理措施： 1.设定合适的进舟时间.2.3.通知设备人 员维修.
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6.有关三氯氧磷方面的异常：
(1).有三氯氧磷的气味.(冒烟)
可能的原因：1.炉门密封不严. 2.气路部分连接不紧密.3.抽风小. 4.当有扩散管运行 到通扩散小氮时，其他管出舟，造成抽风相对小.5.石英炉门有缺口.6.源瓶的阀门装反 并且没有检查出来.导致三氯氧磷以液态进入石英管内. 处理措施： 1.通知设备人员调整.2.安装源瓶及四通等气路时要确保连接紧密.3.通知设 施人员处理.4.合理安排进出舟时间.5.通知设备人员更换后运行清洗工艺.6.换源时按要 求认真操作.
扩散炉维修手册
M5111-4W/UM系列高温扩散/氧化系统维修手册中国电子科技集团公司第四十八研究所2007年2月目录1．设备型号涵义 (1)1.1型号的组成 (1)1.2各代号涵义 (1)2．电气图纸的代号规定 (2)2.1电气制图代号定义 (2)2.2元器件编号规定 (3)2.3电气接线编号规定 (3)2.4电气转接端口定义 (3)2.5计算机转接端口定义 (7)3．故障判别与维修 (11)3.1温度控制系统 (11)3.1.1温控仪上显示oooo (11)3.1.2炉子不能升温 (11)3.1.3面板上的超温指示灯亮 (12)3.1.4炉温失控 (12)3.1.5面板上的短路指示灯亮 (13)3.2自动推拉舟系统 (13)3.2.1不能自动进出舟 (13)3.2.2不能自动停舟 (14)3.3气体流量控制系统 (14)3.3.1气动阀不能受控打开 (14)3.3.2触摸屏上无气体流量显示 (14)3.3.3气体流量总是显示最大值 (15)3.3.4气体流量显示值波动大 (15)3.4 H/O合成氧化系统 (16)3.4.1火不能点燃 (16)3.4.2系统误报警 (16)1．设备型号涵义1.1 型号的组成按照部颁标准，我所高温扩散/氧化系统的型号由如下代号组成：M 5 1 11 — 4 W / UM型所企业代号（中国电子科技集团公司第48所）特点代号设计顺序号主参数（1100℃）品种代号（扩散设备）形式代号（掺杂设备）类别代号（表面处理和薄膜淀积设备）1.2 各代号涵义M 薄膜淀积设备5 掺杂设备1 扩散掺杂设备13 主参数，最高使用温度1300℃1 炉膛有效内径φ150mm，适用于3〞硅片工艺2 炉膛有效内径φ180mm，适用于4〞硅片工艺3 炉膛有效内径φ250mm，适用于6〞硅片工艺4 炉膛有效内径φ300mm，适用于8〞硅片工艺W 微控H 悬臂舟A 内燃式B 外燃式S 双温区2．电气图纸的代号规定2.1电气制图代号定义按照国家电气制图标准，我所常用电气图纸器件代号如下：2.2元器件编号规定* * * * *0—公共器件，1—下层，2—中下层，3—中上层，4—上层 1—电控柜，2—净化台，3—炉体柜，4—气源柜如电控柜中下层第5号插头座编号为：X1205 ；净化台照明开关的编号为：S20052.3电气接线编号规定* * * * *001～099 ；其他线号从101～999 。
48所扩散炉及刻蚀机参数
M5111-4WL/UM型高温扩散/氧化系统主要技术指标及使用条件设备主要由电控柜1个、净化操作台1个、加热炉柜1个及气源柜1个四部分组成。
1.主要技术指标1.1 炉膛有效内径φ350mm（适应石英管内径φ320mm）；1.2 温度控制范围：400~1100℃；1.3恒温区长度及精度：≤±1℃/1080mm （801～1100℃）≤±1.5℃/1080mm （400～800℃）；1.4 单点温度稳定性：≤±1℃ /4h （880℃时）；1.5 温度斜变能力:最大升温速率: 15℃/min最大降温速率: 5℃/ min ；1.6具有自动斜率升降温及恒温功能；1.7内置Profile TC 实时显示工艺过程恒温区内前、中、后三点的实际温度；1.8尾气收集方式：尾部集中收集，定向排放；1.9 具有超温、断偶、短路、断气等报警和保护功能；1.10 净化工作台净化级别：1000级（环境10000级）；1.11 送片方式：采用SiC悬臂桨自动送片机构，速度20～500mm/min.连续可调；定位精度:≤±2mm，SiC桨最大载片承重 14Kg；1.12 工艺过程由工控计算机全自动控制，直接在触摸屏上操作；1.13 可存储100条工艺曲线、每条曲线不少于30个拐点；1.14 设备总功率: ≤150KVA（3管）；1.15 炉管温控系统采用五段控温。
2.使用环境要求：2.1电力供应：三相五线供电， 380VAC、50Hz,电压波动不大于±10%，频率波动不大于±1%，谐波误差小于5%2.2气源供应：供应气压0.4～0.8Mpa,压缩空气：压力0.4～0.6Mpa,用于气动阀门的的开启，设备预留3/8”接口。
2.3水源供应：去离子冷却水或软化水，水温：18℃～25℃，水压0.1～0.2Mpa ，设备预留4分内丝接口。
2.4 排废：气源柜、炉体柜、废气室及净化操作台顶部均要求有密封负压，抽气管与设备相连，总抽气流量≥6000L/；另尾气排放管道单独设立管径φ60mm，排气口压力不小于-450Pa.2.5 使用环境：环境要求优于10000级，5～40℃，相对湿度小于60%。
扩散工序指导书
保密级别C文件种类作业指导书文件编号LW－PT3－013－A0编制部门工艺技术部编制审核批准管理100M W扩散工艺作业指导书1 目的为了使扩散车间各工序操作标准化，明确规定了超净车间各岗位的工艺操作权限。
2 适用100MW电池生产线扩散工序。
3 定义无4 职责和权限4.1 生产员工：若无工艺工程师许可严禁擅自对任何工艺参数进行修改与调整。
4.2 操作员4.2.1 在工艺工程师授权的情况下才能对工艺参数进行调整。
在未经工艺工程师授权时不得更改、调节、删除任何设备的工艺参数。
4.2.2 协助班组长对自己所操作机器的工艺参数进行监控，当发现工艺参数发生变化时应及时通知班组长，由班组长通知工艺工程师，或者主操作直接通知工艺工程师。
4.3 班组长4.3.1 班组长应该严格要求本组员工按工艺要求进行生产，对其操作进行监督，杜绝违反工艺规定现象出现。
4.3.2 当工艺工程师不在现场，且扩散后硅片的方块电阻出现异常的时对扩散炉的源流量在一定范围内（每班每台扩散炉调节范围不得超过±30ml/min）进行微调。
当对源流量进行微调无效时，班组长应该通知工艺工程师进行调整。
4.3.3 当硅片出现异常，班组长应立即通知工艺人员。
班组长在未得到工艺工程师的授权时，不得对扩散炉的工艺参数以及清洗机的清洗工艺进行任何调整。
4.3.4 班组长应该配合工艺人员严格按照实验要求完成各项实验。
4.3.5 协助工艺人员对超净间的各种工艺进行监控，监督工艺质量，当发现工艺被修改时应及时通知工艺人员，由工艺人员进行确认处理。
4.3.6 实验单由班组长负责，监督本组员工如实、认真填写。
4.4 工艺工程师：4.4.1 保持超净车间的工艺稳定，保证超净车间生产的连续，当工艺出现重大波动且影响到生产质量时，应该及时采取相应的解决措施。
4.4.1.1 工艺工程师应该指导生产人员进行生产，保证生产的顺利进行；4.4.1.2 当工艺工程师对工艺进行优化时，应事先与主管工程师讨论确认方案的可行性，然后请求生产部协助，按计划进行实验；4.4.1.3 工艺人员的实验在没有成熟时不得进行大批量生产。
48所扩散炉快修手册
气路图序号故障现象故障分析处理方法位置常开电磁阀手动阀扩散小N 2（V 4）Ｐ压力传感器 PFA 气动阀大N 2（V 1）POCl 3清洗小N 2（V 2）单向阀 PFA 气动阀O 2（V 3） 电磁阀三氯乙烷金属气动阀 流量计N 2 (3.4)O 2 压缩空气热电偶开路换热电偶炉体柜热电偶与补偿线接触不良检查并重接转接点炉体柜,计算机控制柜补偿线与温控仪接触不良计算机控制柜2温控仪与显示器上不一致RS232/485转换器故障更换转换器计算机控制柜温控仪上显示00001温控仪热电偶炉体加热按钮未开按下加热“开”计算机控制柜功率部件上保险烧坏换保险丝(125A)炉体柜温控仪无控制输出检查温控仪计算机控制柜保险丝加热开可控硅开路换可控硅炉体柜炉体加热丝断换炉体炉体柜触发器上保险烧坏换保险 (0.25A)炉体柜炉子不升温3保险管可控硅散热片可控硅触发器无+15V电源炉体柜,计算机控制柜可控硅短路换可控硅(300A/900V)炉体柜可控硅散热片+15V GND热电偶或补偿线短路炉体柜,计算机控制柜热电偶或补偿线极性接反改正接法炉体柜,计算机控制柜温控仪参数设置错误重新设置参数计算机控制柜炉温失控4热电偶热电偶开路接好热电偶炉体柜可控硅烧坏短路换可控硅炉体柜系统显示超温报警并自动切断加热电流热电偶温度保护值低于使用温度值重设保护值,增大Al1值计算机控制柜可控硅触发器故障检修或更换触发器板炉体柜5系统显示超温报警并自动切断加热电流触发板热电偶短路检查热电偶炉体柜补偿导线短路检查补偿导线炉体柜,计算机控制柜炉内各温区温差较大用热电偶矫正控温热电偶检测值，修改温控仪Pb值炉体柜，计算机控制柜PID参数不匹配调整温控仪PID参数计算机控制柜面板上的“急停”按钮处按下位置松开“急停”按钮计算机控制柜极限开关起作用手动反转丝杆净化推舟柜限位开关未复位或损坏检查限位开关净化推舟柜保险丝烧断换保险(1A)计算机控制柜限位开关离活动金属触块太远调整限位开关位置净化推舟柜6 7 8系统显示短路报警并自动切断加热电流不能自动进出舟温度波动频繁急停按钮限位开关损坏换限位开关净化推舟柜限位开关连接线故障检查连线及转接插头净化推舟柜,计算机控制柜限位开关上无+5V电源查计算机的电源输出计算机控制柜减压阀、手动阀未打开打开相应阀门气源柜没有±15V电源合上气源柜电源开关电磁阀未打开打开相应的电磁阀固态继电器未动作检查固态继电器载板计算机控制柜采用气动阀时，压缩空气压力太小检查压缩空气减压阀气源柜转接线及转接插头故障 检查各转接线及插头气源柜不能自动停舟9固态继电器质量流量控制器故障更换流量控制器气源柜计算机故障检查812PG、726板卡计算机控制柜气路无流量显示10726板卡槽812PG 卡槽气体流量计水位过低加水气源柜循环水泵不运行清洗水泵或更换水泵轴承气源柜恒温水箱超温11。
扩散炉(48所)简介-alan
一、扩散工艺原理 二、四探针原理 三、扩散装置示意图 四、P2O5，Cl2Leabharlann 性质 五、高温氧化/扩散系统的设备简介
扩散的工艺原理
∗ 制造PN结原理：实质上就是想办法使受主杂质(P型)， 在半导体晶体内的一个区域中占优势，而使施主杂 质(N型)在半导体内的另外一个区域中占优势，这样 就在一块完整的半导体晶体中实现了P型和N型半导 体的接触，而此时半导体晶体内部就形成PN结。 ∗ 利用磷原子(N型) 向晶硅片(P型)内部扩散的方法， 改变晶硅片表面层的导电类型，从而形成PN结。这 就是用POCl3液态源扩散法制造P-N结的基本原理。
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高温氧化/扩散系统的设备简介 高温氧化 扩散系统的设备简介
• 气源气路
O2 MFC
小N2 MFC
大N2 MFC
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高温氧化/扩散系统的设备简介 高温氧化 扩散系统的设备简介
• 闭管的炉体尾部气路
尾气液收集瓶 尾气排放管道
气源进气口
炉体尾气管
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高温氧化/扩散系统的设备简介 高温氧化 扩散系统的设备简介
• 控制部分： 控制部分：
位于控制柜的计算机控制系统分布在各个层面，而每个层面的控制系统都是相 对的独立部分，每层控制对应层的推舟、炉温及气路部分，是扩散/氧化系统的控 制中心。 在每层相应的前面板上， 左侧分布15寸触摸屏，右侧 分布状态指示灯、报警器、 急停开关和控制开关。
Cl2
①颜色\气味\状态：通常情况下为有刺激性气味 黄绿色的气体。 ②密度：比空气密度大，标况时 是ρ=M/V(m)=(71g/mol)/(22.4L/mol)=3.17g/L 。 ③易 液化。熔沸点较低，在101kPa下，熔点-107.1°C， 沸点-34.6°C，降温加压可将氯气液化为液氯，液 氯即Cl2，其与氯气物理性质不同，但化学性质基 本相同。 ④溶解性：可溶于水，且易溶于有机溶 剂，难溶于饱和食盐水。1体积水在常温下可溶解2 体积氯气，形成氯水，密度为3.170g/L。
扩散CT工艺规程
文件名称扩散CT工艺规程生效日期2011-01-06 页码第1页共10页..1、目的：建立正确操作扩散CT扩散炉的工艺的标准，以保证扩散的质量及保护机器和人身平安。
2、范围：本指导书适用于扩散CT扩散炉工艺规程。
3、工艺人员职责3.1 负责扩散工序生产工艺运行的正常性、稳定性。
3.2负责部门内工艺运行原始资料的累积，保管，随时检查工艺运行状态，并记录异常，积极处理工艺异常。
3.3负责应对CT扩散炉设备常见、突出、重大的工艺异常，制定落实整改措施、预防措施、应急方案。
4、工艺生产4.1检查“Slider〞是否在上料位置，假设不在，手动状态下移到上料处：“Manual/Slider/toport〞〔图1〕。
把插好硅片的舟放到“slider〞上。
尽量使舟在“slider〞中间位置〔图2〕图1 图24.2在“Setup〞界面选择“Boat〞项〔图3〕，选择一个舟号，进展工艺信息编辑。
4.3选择确定后，进入“boat activation〞界面〔图4〕，点选“Set boat active for handling〞、“Set boat to ‘Ready for processing’和‘Boat will be removed for unload’〞复选框,再点击“Next〞按钮。
文件名称扩散CT工艺规程生效日期2011-01-06 页码第2页共10页..图3 图44.4进入“Handling information〞界面〔图5〕，把舟上的编号输入到“Boat ID〞一栏，同时选择Load position为“Slider〞，再点击“Next〞按钮。
4.5进入“Process tube selection〞界面〔图6〕，选择需运行工艺的管号，在正常情况下1-4管全部选中，再点击“Next〞按钮图5 图64.6进入“Boat information〞界面〔图7〕，在Actual boat location位置选择“Slider〞，在Boat state位置选择“Wait for tube〞，再点击“Next〞按钮。
扩散工艺规范
扩散工艺规范篇一：扩散设备工艺处理规范(学习)1．目的规范扩散工艺人员处理问题的标准和方法，确保工艺控制的统一管理。
2．适用范围适用于扩散工艺人员。
3．职责本工艺规范由电池事业部工艺人员制定修改并执行。
4. 方块电阻监控4.1单晶及多晶方块电阻—-返工控制范围定义此控制范围仅作为产品是否返工的标准。
4.2单晶及多晶方块电阻—-工艺控制范围定义工艺人员以此控制范围为依据，对各生产线方块电阻进行调控。
5.扩散工序各种返工处理要求5.1扩散方块电阻偏大、偏小、片内不均匀的返工工艺人员应对方块电阻偏大、偏小、片内不均匀的炉管进行原因分析，问题处理以后,应第一时间通知扩散当班工序长，恢复相应炉管的使用。
5.1.1单晶方块电阻偏大、偏小、片内不均匀（1）单晶方块电阻的单片平均值＞48Ω/sq或者单点＞50Ω/sq），将偏大的硅片挑出，经二次清洗后，再按照返工工艺程序进行加扩。
对于片内偏差＞10Ω/sq的，工艺人员应结合制绒工序对重量的要求，考虑是否返工，返工步骤：扩散后硅片经二次清洗后，在按照正常工艺从一次清洗开始。
（2）单晶方块电阻的单片平均值＜42Ω/sq或者单点＜40Ω/sq），工艺人员确认以后，将材料放行，按照正常工艺生产。
如果方块电阻明显偏小（单片平均值＜35Ω/sq），工艺人员应结合制绒工序对重量的要求，考虑是否返工。
返工步骤：扩散后硅片经二次清洗后，在按照正常工艺从一次清洗开始。
5.1.2多晶方块电阻偏大、偏小、片内不均匀（1）多晶方块电阻的单片平均值＞57Ω/sq或者单点＞60Ω/sq），将偏大的硅片，再按照返工工艺程序进行加扩。
倘若存在以下状况，硅片应从一次清洗开始返工：（a）生产未按照文件操作，已经卸片（b）硅片受到其它污染（c）片内偏差＞12Ω/sq 。
（2）多晶方块电阻的单片平均值＜51Ω/sq或者单点＜48Ω/sq），返工步骤：扩散后硅片应从一次清洗开始返工。
5.2扩散返工工艺规定5.2.1此返工工艺仅限扩散方块电阻偏大的内部返工处理。
扩散操作工作业指导书
一、目的建立正确操作扩散设备的规范，以保证扩散的质量及保护机器和人身安全。
二、范围适用于电池生产线扩散工段，从扩散作业准备至结束所有生产操作步骤和要求。
三、职责3.1工艺技术人员3.1.1负责扩散设备工序生产工艺运行的正常性、稳定性。
3.1.2负责部门内工艺运行原始资料的累积、保管，随时检查工艺运行状态，并记录异常，积极处理工艺异常。
3.1.3负责应对扩散设备常见、突出、重大的工艺异常，制定落实整改措施、预防措施、应急方案。
3.2设备技术人员3.2.1负责扩散设备开关机、故障分析、设备维护及检修。
3.2.2如有工艺需求，积极配合工艺人员调整设备硬件设置。
3.2.3 负责部门内设备运行原始资料的累积，保管，随时检查设备运行状态，并记录异常，积极跟踪异常情况，处理设备故障.3.3生产人员3.3.1负责依照作业指导书要求，按标准进行生产作业，掌握正确的操作方法，确保操作安全、人身安全。
3.3.2细心总结操作经验，发现新问题或改善建议，及时向工艺技术员汇报。
3.3.3配合、协助设备的日常维护工作。
四、扩散工艺操作标准流程4.1 操作前准备工作4.1.1 正确穿戴方法及要求：4.1.2、扩散前工具的准备工具要求：舟叉、石英舟、石英吸笔 卸片盒（见下图）正确穿戴好洁净服、帽子、鞋子、汗布手套、乳胶手套4.2 操作要求及步骤（若插卸片方式更改，再做修改）4.2.1取片从传递窗中取硅片到扩散工作台。
（注意：传递窗两边的门不能同时打开，每次只允许取一盒，不能叠放）。
4.2.2插片 4.2.2.1 硅片插入石英舟保持倾斜状，从炉尾到炉口，与石英舟的倾斜方向相同。
4.2.2.2 插片前，注意区分扩散炉是左手设备，还是右手设备。
4.2.2.3 取2盒硅片放到扩散工作台上，右边的那一盒翻转1800。
4.2.2.4 单面扩散，一个插槽插2片硅片。
依次从左边、右边的硅片盒中取硅片，相应地插入一个插槽的左边和右边，必须确保没有滚轮痕迹的那一面作为扩散面。
48所扩散炉及刻蚀机参数
48所扩散炉及刻蚀机参数M5111-4WL/UM型高温扩散/氧化系统主要技术指标及使用条件设备主要由电控柜1个、净化操作台1个、加热炉柜1个及气源柜1个四部分组成。
1.主要技术指标1.1 炉膛有效内径φ350mm（适应石英管内径φ320mm）；1.2 温度控制范围：400~1100℃；1.3恒温区长度及精度：≤±1℃/1080mm （801～1100℃）≤±1.5℃/1080mm （400～800℃）；1.4 单点温度稳定性：≤±1℃ /4h （880℃时）；1.5 温度斜变能力:最大升温速率: 15℃/min最大降温速率: 5℃/ min ；1.6具有自动斜率升降温及恒温功能；1.7内置Profile TC 实时显示工艺过程恒温区内前、中、后三点的实际温度；1.8尾气收集方式：尾部集中收集，定向排放；1.9 具有超温、断偶、短路、断气等报警和保护功能；1.10 净化工作台净化级别：1000级（环境10000级）；1.11 送片方式：采用SiC悬臂桨自动送片机构，速度20～500mm/min.连续可调；定位精度:≤±2mm，SiC桨最大载片承重 14Kg；1.12 工艺过程由工控计算机全自动控制，直接在触摸屏上操作；1.13 可存储100条工艺曲线、每条曲线不少于30个拐点；1.14 设备总功率: ≤150KVA（3管）；1.15 炉管温控系统采用五段控温。
2.使用环境要求：2.1电力供应：三相五线供电，380VAC、50Hz,电压波动不大于±10%，频率波动不大于±1%，谐波误差小于5%2.2气源供应：供应气压0.4～0.8Mpa,压缩空气：压力0.4～0.6Mpa,用于气动阀门的的开启，设备预留3/8”接口。
2.3水源供应：去离子冷却水或软化水，水温：18℃～25℃，水压0.1～0.2Mpa ，设备预留4分内丝接口。
2.4 排废：气源柜、炉体柜、废气室及净化操作台顶部均要求有密封负压，抽气管与设备相连，总抽气流量≥6000L/；另尾气排放管道单独设立管径φ60mm，排气口压力不小于-450Pa.2.5 使用环境：环境要求优于10000级，5～40℃，相对湿度小于60%。