高介电常数陶瓷
高介微波介质陶瓷材料
高介微波介质陶瓷材料高介微波介质陶瓷材料是一种特殊的材料,具有高介电常数和低介质损耗的特点。
它在微波领域有着广泛的应用,如通信设备、雷达系统、无线电频率调谐器等。
本文将介绍高介微波介质陶瓷材料的特点、制备方法以及应用领域。
高介微波介质陶瓷材料具有高介电常数的特点,这意味着它在微波频率下具有较高的介电响应。
这使得它可以在微波电路中作为介质材料来调整电路的性能。
此外,高介电常数的材料还可以增加微波电路的电场集中效应,提高微波能量的传输效率。
除了高介电常数,高介微波介质陶瓷材料还具有低介质损耗的特点。
介质损耗是指材料在电场或磁场作用下,因材料内部能量的耗散而导致的能量损失。
高介质损耗会使微波电路的效能下降,而高介微波介质陶瓷材料的低介质损耗能够降低电路中的能量损失,提高电路的工作效率。
高介微波介质陶瓷材料的制备方法多样。
其中一种常见的方法是采用固相反应法。
首先,选取合适的原料,通常是氧化物或碳酸盐等化合物。
然后,将原料混合均匀,并进行烧结。
在烧结过程中,原料中的化合物会发生反应,形成陶瓷材料的晶体结构。
通过调整原料的配比和烧结温度,可以获得具有高介电常数和低介质损耗的高介微波介质陶瓷材料。
高介微波介质陶瓷材料在通信设备领域有着广泛的应用。
在无线通信系统中,高介微波介质陶瓷材料可以作为天线的介质,提高天线的性能。
此外,它还可以作为滤波器、耦合器和隔离器等微波电路的基础材料,用于调整电路的频率响应和增强微波信号的传输效果。
雷达系统是另一个应用高介微波介质陶瓷材料的领域。
在雷达系统中,高介微波介质陶瓷材料可以作为天线的支持材料,提高天线的稳定性和性能。
此外,它还可以用于制作雷达天线的匹配器和耦合器,提高雷达系统的工作效率和灵敏度。
此外,高介微波介质陶瓷材料还可以应用于无线电频率调谐器。
在无线电频率调谐器中,高介微波介质陶瓷材料可以作为可调谐电容器的介质,用于调整电路的频率响应和改变电路的电容值。
这使得无线电频率调谐器可以在不同频率范围内实现高效的信号调谐。
高介电常数(HLK)(CLASS 2系列))
HLK TYPE - 高介電常數品(CLASS 2系列)1.適用範圍本規格書適用於電子設備使用的具高介電常數(2類介質)固定瓷介電容.2.適用標準 IEC384-9:1998 GB/T5698-19963.使用溫度範圍 -25~+85℃4.品名構成說明例:HLK 1H B 102 K A 2 B W① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ⑨①電容器種類別:2類高介電常數品②額定電壓③溫度特性④公稱靜電容量⑤靜電容量公差⑥引腳形狀⑦引腳間距⑧包裝方式⑨特記代碼4.1電容器種類類別HLK 4.2額定電壓代碼1H DC 50/63V 2A DC 100V 2EDC 250V 2HDC 500VNO :WM-S05-04B00額定電壓2類高介電常數品表示說明4.3溫度特性代碼B E F4.4公稱靜電容量公稱靜電容量採用三位元數表示法.前面2位數位為有效數值,第三位數位表示0的個數例:4.5靜電容量公差代碼K M Z4.6引腳形狀4.6.1直腳長導線型(引腳代碼:A)代碼A1A2A3A4A5F(mm) 2.557.51012.5L(mm)d(mm)e(mm)Page:24.0 max220010000±10%20 min NO :WM-S05-04B00溫度特性溫度範圍Y5P Y5V±20%0.6容量變化率±10%102靜電容量( p F )100+30%~80%Y5U +20%~-55%1000-25~85℃-20%~+80%代碼101222103許容差4.6.2直腳短導線型(引腳代碼:B)代碼B1B2B3B4B5F(mm) 2.557.51012.5L(mm)d(mm)e(mm)4.6.3內彎短導線型(引腳代碼:C)C2C3C4C557.51012.5556.56.54.6.4內彎長導線型(引腳代碼:D)D2D3D4D557.51012.5556.56.5Page:3L(mm)代碼F(mm)A(mm)L(mm)d(mm)代碼20 min 0.60.6NO :WM-S05-04B00A(mm)F(mm)d(mm)5+2/-1.5或依顧客要求0.64.0 Max5+2/-1.5或依顧客要求4.6.5外彎短導線型(引腳代碼:E)E2E3E4E557.51012.555 6.56.54.6.6外彎長導線型(引腳代碼:F)F2F3F4F557.51012.555 6.56.54.6.7側彎長導線型(引腳代碼:G)G2G3G4G557.51012.5Page:40.6NO :WM-S05-04B005+2/-1.5或依顧客要求0.6代碼F(mm)A(mm)L(mm)d(mm)代碼F(mm)20 minA(mm) 4.0 maxL(mm)A(mm)代碼F(mm)L(mm)d(mm)d(mm)0.620 min4.6.8側彎短導線型(引腳代碼:H)H2H3H4H557.51012.54.6.9雙彎短導線型(引腳代碼:M)M2M3M4M557.51012.52.6 2.6 3.3 3.31.25 1.25 1.65 1.651.651.651.951.954.7引腳間距:4.8包裝方式:4.9Page:5d(mm)包裝方式單品散裝7.5±1.5引腳間距(mm)5.0±1.57.5±1.5NO :WM-S05-04B00代碼F(mm)L(mm)5+2/-1.5或依顧客要求2.5±1.5d(mm)A(mm)代碼F(mm)H(mm)P1(mm)P2(mm)L(mm)A(mm)代碼231代碼B A R4.0 max0.60.6D <8:6.0±1.5D >8:7.0±1.55+2/-1.5或依顧客要求4折疊編帶卷軸編帶圓板型陶瓷電容5.標誌5.1温度特性:B(Y5P)5.2温度特性:E(Y5U)5.3温度特性:F(Y5V)Page:62.許容差3.額定電壓5.商標5001.公稱容量4.溫度特性額定電壓(mm)標誌圖例(F 特性)501.公稱容量2.額定電壓3.商標501.公稱容量2.額定電壓3.商標5001.公稱容量2.許容差3.額定電壓4.溫度特性5.商標50額定電壓(V)標誌圖例(E 特性)NO :WM-S05-04B00500V1.公稱容量2.許容差3.額定電壓4.溫度特性額定電壓()1.公稱容量2.額定電壓3.商標標誌圖例(B 特性)5.商標6.特性參數*直脚长,短导线型:d=0.45mm,F=2.5或5.0mm散装品Page:7*直脚长,短导线型:d=0.45mm,F=2.5或5.0mm散装品*直脚长,短导线型:d=0.45mm,F=2.5或5.0mm散装品圓板型陶瓷電容7.規格及測試方法7.1測試標準條件:a.溫度:15~35℃ b.濕度:45~75% c.大氣壓:860~1060千帕(如有爭議時或顧客要求時,採用:a.溫度20±2℃ b.濕度:60~70% 大氣壓:860~1060千帕)7.2規格NO 1-25~+85℃1.外觀無可見損傷2.尺寸符合規格要求3 1.記號清晰可見B,E 特性:2.5% max 在溫度20±2℃,F 特性:5.0% max C ≤0.02uF,10000M Ω MinC >0.02uF,7500M Ω Min(1)B 特性:±10%依規定階段溫度測試(以步驟3為基準)E 特性:+20%~-55%步驟12345F 特性:+30%~-80%溫度℃20±2-25±320±285±220±2外觀無破缺,開裂等異常B,E 特性:2.5% maxF 特性:5.0% max 损耗系數(D.F 值)Page:10端子與外裝間靜電容量導線不斷裂,電容器不破損.導線不斷裂,電容器不破損.負荷時間1.0Kg10±1秒振動頻率時間從10Hz 到55Hz 再回到10Hz60秒全振幅1.5mm 在X,Y,Z3個方向各2小時10耐振性符合規定許容差以內靜電容量项目規格损耗系數(D.F 值)524使用溫度範圍外觀及尺寸1.符合規定許容差以內記號8溫度特性如圖(2)在溫度20±2℃,以頻率1±0.2KHz,電壓1V ±0.1rms 測定.施加2.5倍額定電壓測定1~5秒,其充放電流限制50mA 以下.以2.5额定電壓測定7無跳火,擊穿異常現象.9引腳強度抗拉強度彎曲強度NO :WM-S05-04B00(2)將電容器本體旋轉到90度位置後釋放到180度相反位置並回到原點.負荷0.5Kg.測試方法目視檢查外觀.尺寸使用遊標卡尺測量.目視檢查.1~5秒.其充放電流限制50mA 以下.以頻率1±0.2KHz,電壓1V ±0.1rms 測定.6絕緣電阻(IR)以DC500±50V 測定60±5秒之後值.如圖(1)使用金屬小球法,無跳火,擊穿異常現象.耐電壓端子間NO 外觀無破缺,開裂等異常B 特性:±5%E 特性:±10%F 特性:±20%外觀無破缺,開裂等異常B,E 特性:5.0% max 溫度F 特性:7.5% max 濕度IR 1000M Ω Min 時間B 特性:±10%E 特性:±20%F 特性:±30%外觀無破缺,開裂等異常B,E 特性:5.0% max 溫度F 特性:7.5% max 濕度IR 500M Ω Min 時間B 特性:±10%電壓E 特性:±20%F 特性:±30%外觀無破缺,開裂等異常B,E 特性:4.0% max 溫度F 特性:7.5% max濕度IR 2000M Ω Min時間B 特性:±10%電壓E 特性:±20%F 特性:±30%NO :WM-S05-04B0040±2℃使用助焊劑焊接時間在常溫常濕下放置1~2小時後再測試.額定電壓在常溫常濕下放置1~2小時後再測試.1.5倍額定電壓项目規格測試方法焊錫耐熱性(3)耐電壓260±5℃3.5±0.5秒如圖(3)焊錫後在常溫常濕中放置24±2小時引腳上須有圓周75%以上面積被新焊錫覆蓋12焊錫溫度2.5倍額定電壓,1~5秒無跳火,擊穿異常現象.靜電容量變化率350±10℃在常溫常濕下放置1~2小時後再測試.500+24,-0小時40±2℃90~95%RH 235±5℃2±0.5秒焊錫溫度焊接時間10±1秒13耐濕性损耗系數(D.F 值)靜電容量變化率14耐濕負荷90~95%RH 500+24,-0小時损耗系數(D.F 值)靜電容量變化率11引腳焊錫性充放電流限制在50mA 以下.15耐久性實驗125±2℃90~95%RH 1000+48,-0小時损耗系數(D.F 值)靜電容量變化率NO 外觀外觀無可見損傷B 特性:±10%E 特性:±20%溫度循环F 特性:±30%步驟B,E 特性:5.0% max1F 特性:7.5% max2IR 500M Ω34注:1.常溫常濕:温度15~35℃,湿度:45~75%RH,大气压:86~106千帕Page:12NO :WM-S05-04B00電容器作5次溫度循环.30分鐘+105+3/-020项目溫度(℃)30分鐘時間溫度循环-25+0/-3規格測試方法靜電容量變化在常溫常濕下放置1~2小時後再測試.常溫常濕3分鐘损耗系數(D.F 值)耐電壓2.5倍額定電壓,1~5秒無跳火,擊穿異常現象.3分鐘常溫常濕NO:WM-S05-04B00 8.特性曲線圖8.1容量溫度特性Page:139.包裝及數量:編帶品9.1直腳型:A2Page:14製品偏移紙帶寬度孔洞位置△S W W 2 3.0 max △h 22.0 maxe 4.0 max△h 1T 參見NO.6W 011.5 min t 10.6±0.3t 2 2.0 max ΦD 0 4.0±0.2Φd 0.6±0.05H 20.0±1.5H146 max D 參見N0.69.0±10±2.018.0,+1.0~-0.59.0±0.5W 1P 012.7±0.3P 2 6.35±1.3膠帶寬度粘膠帶位置誤差塗裝腳長製品傾斜導線直徑紙帶,膠帶厚度紙帶,膠帶,導線厚度製品厚度NO :WM-S05-04B00導線固定長度製品低部到驅動穴中心從紙幣中心至本體高度F 5.0±P 1 3.85±0.7P 12.7記號尺寸(mm)项目製品間距驅動孔間距導線間距製品直徑驅動穴位置偏移驅動穴直徑0.80.2Page:15記號尺寸(mm)项目製品間距驅動穴間距導線間距製品直徑驅動穴位置偏移驅動穴直徑NO :WM-S05-04B00導線固定長度折彎處到驅動穴中心從紙幣中心至本體高度F 5.0±P 1 3.85±0.7P 12.7±1導線直徑紙帶,膠帶厚度紙帶,膠帶,導線厚度製品厚度膠帶寬度粘膠帶位置誤差塗裝腳長製品傾斜P 012.7±0.3P 2 6.35±1.3D 參見NO.69.0±1.00±2.018.0,+1~-0.59.0±0.5H 016,+1.5~-0.5H146 max ΦD 0 4.0±0.2Φd 0.6±0.05t 10.6±0.3t 2 2.0 max T 參見NO.6W 011.5 min W 2 3.0 max △h 22.0 maxe 4.0 max △h 1製品偏移紙帶寬度孔洞位置△S W W 10.80.2Page:16製品偏移紙帶寬度孔洞位置△S W W 2 3.0 max △h 22.0 maxA 4.0 max △h 1T 參見NO.6W 011.5 min t 10.6±0.3t 2 2.0 max ΦD 0 4.0±0.2Φd 0.6±0.05H 016,+1.5~-0.5H146 max D 參見NO.69.0±10±2.018.0,+1~-0.59.0±0.5W 1P 012.7±0.3P 2 6.35±1.3膠帶寬度粘膠帶位置誤差折彎高度製品傾斜導線直徑紙帶,膠帶厚度紙帶,膠帶,導線厚度製品厚度NO :WM-S05-04B00導線固定長度從紙幣中心至折彎處從紙幣中心至本體高度F 5.0±P 1 3.85±0.7P 12.7±1記號尺寸(mm)專案製品間距驅動穴間距導線間距製品直徑驅動穴位置偏移驅動穴直徑0.80.29.4卷軸編帶包裝9.5折疊編帶包裝9.6包裝數量(Pitch:12.7mm)製品直徑4.5~8.0mm : 1500pcs/盒製品直徑9.0mm 以上 : 1000pcs/盒Page:17NO:WM-S05-04B0010.包裝及數量:散裝品10.1製品直徑4.5~8.0mm :1000pcs/袋10.2製品直徑9mm 以上 :500pcs/袋11.標簽範例例:品名數量12.修定事項說明1.如有相關材料,製品及製造工廠變更,我們將及時通知您.2.請在標準使用條件下使用.如有超出使用條件造成損壞,我司不承擔責任.3.如有不詳及建議之處,請及時與我們聯絡,我們將提供解答說明.Page:18NO :WM-S05-04B00管理代碼商標批號規格。
MLCC老化特性
片式多层陶瓷电容器(MLCC)老化特性高介电常数型陶瓷电容器 (标准的主要材料为BaTiO3,温度特性为X5R,X7R,Y5V等) 的电容量随时间而减小。
这一特性称之为电容老化。
电容老化是具有自发性极化现象的铁电陶瓷独有的现象。
当陶瓷电容器加热到居里点以上的温度时 (在该温度晶体结构发生改变,自发性极化消失 (大约为150°C) ),并使之处于无载荷状态,直到它冷却到居里点以下,随着时间的流逝,逆转自发性极化变得越来越困难,结果,所测的电容值会随着时间而减小。
上述现象不仅在三星的产品中,在所有高介电常数 (BaTiO3) 的一般性陶瓷电容器都可以观察到。
附录是一些有关电容老化的公用标准 (陶瓷电容器:IEC60384-22附录B等)。
当电容值由于老化而不断减小的电容器重新加热到居里点以上温度并让其冷却时,电容值会得到恢复。
这种现象称之为去老化现象,发生去老化后,正常的老化过程重新开始。
质陶瓷的自发极化与铁电现象BaTiO3质陶瓷的自发极化与铁电现象如图1所示,BaTiO3质陶瓷具有钙钛矿晶体结构。
在居里点 (约130°C) 温度以上呈立方体,且钡 (Ba) 的位置位于最高点,氧 (O)位于晶面的中心,钛 (Ti) 位于晶体的中心。
图1: BaTiO3质陶瓷的晶体结构当在居里点以下正常温度范围内,一条晶轴 (C轴) 伸长约1%而其他晶轴缩短,晶体变成四方晶格 (如下页图2所示)。
在这种情况下,Ti4+离子将占据附近O2-的位置而后者从晶体中心沿晶轴伸展的方向偏移0.12Å。
这种偏移导致正、负电荷的生点发生偏差,造成极化现象。
极化现象是由于晶体结构的不对称造成的,在不施加外电场或压力的情况下,这种极化现象从一开始就存在。
这种类型的极化称为自发性极化现象。
图2: 温度变化时的晶体结构和相关介电常数的变化 (纯BaTiO3)BaTiO3质陶瓷自发极化的方向 (Ti4+离子的位置) 在施加外部电场的情况下可以轻易逆转。
介电陶瓷材料
介电陶瓷材料介电陶瓷是一种具有良好绝缘性能和介电性能的陶瓷材料。
它们通常由氧化物或非氧化物化合物组成,具有高介电常数和低损耗角正切值,因此在电子器件和电力设备中得到广泛应用。
一、介电陶瓷的基本特性介电陶瓷材料具有以下基本特性:1. 高介电常数:介电陶瓷的介电常数一般在几十至上百之间,远高于常见的金属和塑料材料。
这使得介电陶瓷在电子器件中可以实现高电容和高电压的存储和传输。
2. 低损耗角正切值:损耗角正切值是介电材料的一个重要指标,它反映了材料在电场中的能量损耗情况。
介电陶瓷具有低损耗角正切值,能够有效减小能量损耗,提高电子器件的工作效率。
3. 良好的绝缘性能:介电陶瓷具有良好的绝缘性能,能够有效阻止电流的漏流和泄漏,确保电子器件的正常工作和安全运行。
4. 耐高温性能:介电陶瓷具有较高的熔点和热稳定性,可以在高温环境下工作,不易变形和损坏。
这使得介电陶瓷在高温电子器件和电力设备中得到广泛应用。
二、介电陶瓷的应用领域介电陶瓷材料由于其独特的电学性能和物理性能,广泛应用于以下领域:1. 电子器件:介电陶瓷常用于制造电容器、压电陶瓷、电感器等电子器件。
其中,电容器是介电陶瓷的主要应用领域之一,它能够储存和释放电荷,广泛应用于电路中的滤波、耦合和存储等功能。
2. 电力设备:介电陶瓷常用于制造高压绝缘子、电力电容器、避雷器等电力设备。
在电力系统中,高压绝缘子起到支撑和绝缘的作用,能够有效隔离电力设备与地面之间的电压,确保电力设备的安全运行。
3. 传感器:介电陶瓷具有压电效应,可以将机械能转换为电能或将电能转换为机械能。
因此,介电陶瓷常用于制造压力传感器、加速度传感器、声波传感器等。
这些传感器在工业自动化、航空航天和医疗器械等领域有着广泛的应用。
4. 生物医学:介电陶瓷具有良好的生物相容性和生物附着性,能够与生物组织良好地结合。
因此,介电陶瓷常用于制造人工骨骼、人工牙齿和人工关节等医疗器械,可以帮助人们修复和替代受损的组织和器官。
高介电常数电介质ppt课件.ppt
TO 巨介电常数及压敏特性的解释机理 IBLC阻挡层模型
非铁电体
无相变(目前未发现)
极化主要是空点电荷极化
TO 陶瓷的介电性能
2001年,Ramirez 和 Subramanian 等人发现 具有类钙钛矿结构的 CaCu3Ti4O12(CCTO) 具有优异的介电性能
介电常数高,可达105以上 介电常数在100K~600K范围
几乎不随温度而变化 工艺简单,空气中一次烧成 无相变发生
TO 陶瓷的压敏特性
非线性系数a是表征压敏电阻 器压敏性能好坏的重要参数。
2004年S.Chung等人发现 CCTO陶瓷样品在 5~100mA 的 范围内测得的非线性系数a高达 912。
2005年V.P.B.Marques 等人 也报到了CCTO具有优良的压敏 电阻特征。
I KV
lg(I 2 I1 )
表层陶瓷电容器 晶界层陶瓷电容器
二、电介质的介电常数
平行板电容器示意图
无介质
有介质
C0
Q0 V
C Q0 Q' V
r
C C0
C
A d
0
r
介电常数:表征电介质极化能力的参数
理想电容器加上交变电压
V V0it
回路电流: I = iωC0V
实际情况:
物理意义: 相对介电常数(实部和虚部)随所加电场的频率而变化。
➢ 偶极子转向极化和空间电荷极化,在电场作用下 则要经过相当长的时间(10-10秒或更长)才能达 到其稳态,所以这类极化称为有惯性极化或驰豫 极化;这种极化损耗能量;
三、铁电体BaTiO3的极化机理
• 一般铁电体的晶体结构和成键特点和 电子分布
• BaTiO3 的电子构型 • BaTiO3极化特性的解释 • 对居里点的解释 • 电滞出现的条件 • 外来离子的影响
高介电常数绝缘材料
高介电常数绝缘材料
高介电常数是绝缘材料的一项重要性质,它反映了材料在电场作用下的响应能力。
介电常数越高,表示材料对电场的响应越强,具有更好的绝缘性能。
以下是一些常见的高介电常数绝缘材料:
1.氧化铝(Alumina):氧化铝是一种陶瓷材料,具有高介电常数和优异的绝缘性能。
它常用于电子器件和高温绝缘材料。
2.聚四氟乙烯(PTFE,特氟龙):特氟龙是一种高性能塑料,具有很高的介电常数,同时也具有出色的化学稳定性和耐高温性能。
常用于电缆绝缘、电子元件等领域。
3.聚乙烯(Polyethylene):高密度聚乙烯(HDPE)和超高分子量聚乙烯(UHMWPE)等聚乙烯类材料具有较高的介电常数,被广泛用于电缆、电线绝缘等应用。
4.聚酰亚胺(Polyimide):聚酰亚胺是一种高温高性能塑料,具有优异的电气性能和耐高温性能。
常用于航空航天、电子器件等领域。
5.硅橡胶(Silicone Rubber):硅橡胶具有良好的绝缘性能、耐热性和耐候性,常用于电力设备的绝缘件、电子密封等方面。
6.陶瓷材料:一些陶瓷材料,如钛酸锶钡陶瓷(BST)、钛酸钡陶瓷等,在一定频率范围内表现出较高的介电常数,常用于电容器等电子元器件。
7.玻璃:某些玻璃材料也具有相对较高的介电常数,适用于一些电子设备中的绝缘部件。
这些高介电常数的绝缘材料在电子、电力、通信等领域扮演着重要的角色,确保设备在电场作用下有良好的绝缘性能。
介电常数30的微波介质陶瓷材料
介电常数30的微波介质陶瓷材料
介电常数(也称为相对介电常数或介电相对常数)描述了一个材料在电场中相对于真空的电容性质。
微波介质陶瓷材料具有较高的介电常数(通常在数十到数百之间),这使它们能够有效地存储微波能量。
根据您提供的信息,介电常数为30的微波介质陶瓷材料是一
种具有非常高介电常数的材料。
这意味着它在电场中的电容性能非常强,能够有效地储存和操控微波能量。
这使得它在微波通信、雷达技术、无线电频率加热和微波感应等应用中非常有用。
通常,微波介质陶瓷材料由导电和绝缘材料的混合物组成,以确保在储存和传输微波能量的同时,避免能量损耗和电流泄漏。
高介电常数的微波介质陶瓷材料通常用于制造天线、滤波器、耦合器、变压器和介质介导线等微波器件。
需要注意的是,微波介质陶瓷材料的介电常数可能会因其成分、结构和制备方法而有所不同。
因此,在具体应用中选择合适的微波介质陶瓷材料时,需要综合考虑其介电常数、损耗因子、温度稳定性和机械性能等因素。
介电陶瓷材料
介电陶瓷材料介电陶瓷材料是一种具有特殊电介质性能的陶瓷材料,广泛应用于电子器件、通信设备、储能装置等领域。
本文将从介电陶瓷材料的定义、特性、分类、应用等方面进行介绍。
一、定义介电陶瓷材料是一种具有高介电常数和低损耗因子的陶瓷材料。
它具有良好的绝缘性能和高温稳定性,能够在高频率和高电场强度下保持较低的电导率和磁导率。
介电陶瓷材料通常由金属氧化物或非氧化物组成,如二氧化锆、二氧化钛、铝酸锶等。
二、特性1. 高介电常数:介电陶瓷材料的介电常数通常在几十到上千之间,使其能够在电场中存储大量电荷,具有较高的电容性。
2. 低损耗因子:介电陶瓷材料的损耗因子通常在10^-3以下,表明其在电场中能够保持较低的能量损耗。
3. 良好的绝缘性能:介电陶瓷材料具有较高的绝缘电阻和击穿电压,能够有效隔离电场和防止电流泄漏。
4. 高温稳定性:介电陶瓷材料能够在高温环境下保持稳定的电性能,不易发生热膨胀和热应力破裂。
5. 耐腐蚀性:介电陶瓷材料能够耐受酸、碱等化学物质的腐蚀,能够在恶劣环境下长时间稳定工作。
三、分类介电陶瓷材料可以根据其组成和性能特点进行分类。
常见的分类方法包括根据材料成分、介电常数、温度系数等。
根据材料成分,介电陶瓷材料可以分为无机陶瓷和有机陶瓷。
无机陶瓷主要由金属氧化物、非氧化物等无机物质组成,具有优异的电性能和机械性能。
有机陶瓷则以有机高分子材料为基础,具有较低的介电常数和温度系数,适用于高频率和高速传输的电子器件。
根据介电常数,介电陶瓷材料可以分为高介电常数陶瓷和低介电常数陶瓷。
高介电常数陶瓷适用于电容器、滤波器等需要储存大量电荷的应用。
低介电常数陶瓷则适用于微波电路、天线基座等需要减少信号传输损耗的应用。
根据温度系数,介电陶瓷材料可以分为负温度系数陶瓷和零温度系数陶瓷。
负温度系数陶瓷的介电常数随温度升高而降低,适用于温度补偿电路、温度传感器等需要稳定工作的应用。
零温度系数陶瓷的介电常数在一定温度范围内基本保持不变,适用于高精度电容器、电路补偿等应用。
《先进陶瓷材料及进展》第七章高介电容器瓷
《先进陶瓷材料及进展》第七章高介电容器瓷1.引言在电子器件中,高介电材料广泛用于制造电容器,以提供高性能和稳定性。
高介电容器瓷是一种特殊材料,具有优异的介电性能和机械强度,被广泛应用于电器、电力系统、通信和电子领域。
本章将介绍高介电容器瓷的基本性质、制备方法以及应用领域的进展。
2.高介电容器瓷的基本性质高介电容器瓷具有以下基本性质:(1)高介电常数:高介电容器瓷的介电常数通常在几十到数百之间,比一般材料的介电常数要高。
(2)优异的绝缘性能:高介电容器瓷具有良好的绝缘性能,可以在高温、高频等恶劣环境下工作。
(3)低介质损耗:高介电容器瓷的介质损耗很低,能够提供良好的电容稳定性和能量储存能力。
(4)高机械强度:高介电容器瓷通常具有较高的机械强度和硬度,能够保证器件的稳定性和可靠性。
3.高介电容器瓷的制备方法高介电容器瓷的制备方法主要有以下几种:(1)干法制备:干法制备是指通过固相反应或化学合成的方法制备高介电容器瓷。
常见的干法制备方法有烧结法、沉淀法、固相合成法等。
(2)湿法制备:湿法制备是指通过溶胶-凝胶法、水热法等在溶液中制备高介电容器瓷。
湿法制备方法具有制备工艺简单、成本低等优点。
(3)薄膜制备:通过溅射、化学气相沉积等方法制备高介电容器瓷的薄膜,常用于微电子器件中。
4.高介电容器瓷的应用领域高介电容器瓷被广泛应用于以下领域:(1)电力系统:高介电容器瓷用于制造高压电容器,用于电力系统中的电容器分合闸装置、断路器、避雷器等。
(2)电子器件:高介电容器瓷用于制造电子器件中的电容器,并在电子电路中起到储能、隔离、滤波等作用。
(3)通信领域:高介电容器瓷在通信设备中用于制造射频滤波器、耦合器、天线等,以提供高频信号的传输和处理。
(4)新能源器件:高介电容器瓷用于制造储能装置中的电容器,如超级电容器、太阳能电池和燃料电池。
5.高介电容器瓷的进展当前(1)新材料的研发:研究人员不断开发新材料,以提高高介电容器瓷的性能和工作温度范围。
一种高介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法
一种高介电常数微波介质陶瓷材料及其制备
方法
高介电常数微波介质陶瓷材料在无线通信、雷达技术等领域具有广泛的应用前景。
本文将介绍一种制备这种材料的方法。
首先,该方法使用的原料主要包括陶瓷粉体和添加剂。
陶瓷粉体通常是使用一
种或多种金属氧化物制备而成,并具有高介电常数特性。
添加剂则是用于调节材料的物理和化学性质,提高材料的稳定性和加工性能。
制备方法的第一步是将陶瓷粉体和添加剂按照一定的配比混合均匀。
混合时可
以使用机械搅拌或者球磨的方法,以确保粉体和添加剂的颗粒均匀分散。
接下来,将混合均匀的粉体压制成坯体。
常用的压制方法包括干式压制和浸渍法。
干式压制是将混合物放入压模中,通过加压形成坯体;而浸渍法则是先制备一定尺寸的基体,然后将混合物溶解在适当的溶剂中,浸渍基体,再通过干燥和烧结形成坯体。
在得到坯体后,需要进行烧结处理。
烧结是指将坯体置于高温下,使其颗粒间
发生结合,形成致密的陶瓷材料。
烧结温度和时间需要根据具体的陶瓷材料和添加剂来确定,通常在1200°C-1600°C的范围内进行。
最后,进行表面处理和性能测试。
通过对材料表面进行磨削、抛光等处理,可
以得到光滑的表面。
然后进行介电常数、热膨胀系数和热导率等性能的测试,确保材料达到设计要求。
综上所述,通过适当的原料选择和制备工艺优化,可以制备出具有高介电常数
的微波介质陶瓷材料。
这种材料在无线通信和雷达技术等领域的应用前景非常广阔,有望为相关行业带来更加可靠和高效的解决方案。
99%陶瓷介电常数
99%陶瓷介电常数
99%陶瓷的介电常数可能因制造工艺、掺杂量和其他因素而有所不同。
介电常数是衡量介质在电场作用下电容与真空电容之比的物理量,是表征电介质材料性能的物理量之一。
一般来说,纯度越高的氧化铝陶瓷基板,其介电常数越高。
例如,纯度为99.6%的氧化铝陶瓷片的介电常数为9.9@1MHz,而纯度为96%的氧化铝陶瓷基片的介电常数为9.6@1MHz。
但请注意,这些数值可能会因制造商、批次或特定的测试条件而有所不同。
如果您需要更具体的数值,建议直接参考相关产品说明书或联系制造商。
除了陶瓷电容器还有哪种介电常数高?电容器的介电常数
除了陶瓷电容器还有哪种介电常数高?电容器的介电常数电容器是一种可以灌装电荷的容器,它与我们常常看到的电阻、电感一样都是常见的三种元件之一,因此它在电路中的作用是特别重要的,比如我们家里的家电产品电风扇、洗衣机、电冰箱等都需要电容器来启动;在电子产品中更是用到各种各样的电容,比如电解电容器、涤纶电容器、云母电容器、瓷片电容器等等;在我们的电力部门也经常会用到电容器进行功率因数的补偿,便于提升用电效率,以上电容都是我们特地制作的,其实在我们电路中还有一些“隐形” 的电容,比如两根电线之间会存在电容;晶体管各个电极之间会存在电容;甚至在印制电路板这间也会存在电容,这些所存在的电容我们称为分布式电容。
电容器的介电常数我们从电容的结构来看,电容容量的大小受三个方面的影响,一个是电容器的极板面积S、一个是电容器极板间的距离d、另一个就是电容器两个极板之间所填充的绝缘物质,这种填充的绝缘物质要与真空这种绝缘介质相比较,我们知道真空中绝缘介质是固定不变的,大约是ε0= 8. 86 × 10-12 F/ m(法每米),比较的结果会得出一个每种绝缘物质的相对介电常数εr,那么电容器定义式中C=εS/d,这个ε是真空介电常数ε0与不同绝缘物质的相对介电常数εr相乘得到的,也就是ε=ε0εr。
因此我们要讲电容的介电常数,经常说的是每种绝缘物质的相对介电常数εr。
在电容器制作好之后,要想提升电容器的容量,经常会在电容的绝缘介质上想方法,最常见的几种电介质有有机电介质、无机电介质、电解液电介质、气体电介质以及纸电介质等几种。
在平常使用的电容中,电介质比较高的除了陶瓷电容器的电介常数在5.8这样一个高数值外,比它还高的有云母电容器,它的电介质可高达6至7.5之间,另外还有玻璃这种绝缘电介质,可高达5.5至8之间。
介电常数的意义我们知道这个叫介电常数的ε,在制作电容时盼望它的数值大些好,这样可以减小电容器的体积,增大电容器的容量值,这是我们盼望看到的一面。
《高介电容器瓷》课件
表面粗化
通过物理或化学方法对陶 瓷表面进行粗化处理,以 提高金属层的附着力。
金属化层
在陶瓷表面制备金属化层 ,如银、铜等,以提高电 容器的导电性能和降低接 触电阻。
保护层
在金属化层上制备保护层 ,如玻璃釉、聚合物等, 以增强电容器的耐腐蚀性 和机械强度。
产品的检测与质量控制
01
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外观检测
介质损耗
高介电容器瓷的介质损耗是衡量其性能的重要参数,应尽量降低介质损耗以减 小能量损失。通过优化陶瓷配方和制备工艺,可以降低介质损耗,提高能量储 存和传输效率。
频率响应
高介电容器瓷在不同频率下的介电常数和介质损耗特性需满足不同应用需求。 优化陶瓷的频率响应特性,可以提高其在高频电路中的使用效果。
电场强度与耐电压性能
发展趋势
随着电子设备市场的持续增长,高介 电容器瓷的市场规模也将不断扩大。
未来高介电容器瓷将朝着高性能、小 型化、智能化和环保化的方向发展, 市场需求将更加多元化和个性化。
竞争格局
国内企业通过技术进步和产品创新, 有望在国内外市场占据更多份额,提 高竞争力。
05
高介电容器瓷的案例分析
典型案例介绍
案例的启示与建议
启示
高介电容器瓷的研究与应用对于电子科 技的发展具有重要意义,需要不断探索 新型材料和制备技术,提高材料的性能 和稳定性。
VS
建议
加强高介电容器瓷的基础研究,拓展其在 新能源、智能制造等领域的应用,促进相 关产业的发展。同时,加强产学研合作, 2
高介电容器瓷的制造工艺
原料的选择与制备
原料纯度
选择高纯度、低杂质含量的原料,以确保陶瓷的 高介电常数和低介质损耗。
高介高稳定性的Y5P陶瓷电容器
高介高稳定性的Y5P陶瓷电容器高介高稳定性的Y5P陶瓷电容器随着电子技术的快速发展,电容器作为一种重要的电子元器件,其性能要求也日益提高。
Y5P陶瓷电容器作为其中的一种,因其高介电常数和高稳定性而备受关注。
Y5P陶瓷电容器主要由陶瓷介质和电极组成。
陶瓷介质是该电容器的核心部件,其具有高介电常数的特点,使得其存储电荷的能力非常出色。
同时,Y5P陶瓷电容器还具有较低的介电损耗,能够在高频率下保持相对较好的电容性能。
高稳定性是Y5P陶瓷电容器的另一个突出特点。
在电容器的使用过程中,经常会受到温度、湿度等外界环境因素的影响,而Y5P陶瓷电容器能够很好地抵抗这类影响,保持其良好的电容性能。
这主要得益于Y5P陶瓷电容器自身的材料特性以及其生产工艺。
陶瓷介质的选择和制备工艺的优化,使得Y5P陶瓷电容器在各种极端环境下都能保持高稳定性,确保电容器的可靠性和长寿命。
Y5P陶瓷电容器在应用中有着广泛的用途。
由于其高介电常数,它能够存储更多的电荷,并且能够承受更高的电压。
这使得Y5P陶瓷电容器在电力系统、电子设备、通信设备等领域有着重要的应用。
在电力系统中,Y5P陶瓷电容器能够作为电源电压滤波、电机起动电容器等方面使用,有效提高系统的工作效率和稳定性。
在电子设备和通信设备中,Y5P陶瓷电容器能够作为耦合电容、终端滤波电容等使用,提供稳定的电源和信号传输保障。
然而,Y5P陶瓷电容器也存在一些局限性。
首先,Y5P陶瓷电容器在高频率下会有一定的介质损耗,这会导致其在高频电路中的应用受到限制。
其次,虽然Y5P陶瓷电容器具有高稳定性,但在极端温度环境下,如高温或低温下,其性能可能会有所下降。
因此,在特殊应用环境中需要谨慎选择和使用。
针对Y5P陶瓷电容器的上述局限性,科研人员正在持续努力进行改进和优化。
提高材料的制备工艺、优化电容器的结构设计等是当前的主要研究方向。
通过引入新的材料和陶瓷合金技术,可以进一步提高Y5P陶瓷电容器的性能,拓宽其应用领域。
beo陶瓷介电常数
beo陶瓷介电常数介电常数是描述材料在电场作用下的电介质性能的物理量。
BEo陶瓷是一种具有优异介电性能的陶瓷材料,具有高介电常数,广泛应用于电子器件和电气设备中。
BEo陶瓷的介电常数通常指的是其相对介电常数,表示材料在电场中相对于真空的介电性能。
相对介电常数大于1的材料具有较高的介电常数,能够有效地储存和传导电荷。
BEo陶瓷的相对介电常数通常在1000以上,这使得它成为电子器件中理想的电介质材料。
高介电常数使BEo陶瓷具有以下几个重要的应用特点:1. 电容器应用:BEo陶瓷的高介电常数使其成为电容器的理想电介质材料。
电容器是电子电路中常用的元件,用于储存电荷和调节电路的电容。
BEo陶瓷电容器可以在小尺寸的情况下实现较大的电容值,广泛应用于电子产品中,如电视机、手机和电脑等。
2. 电子滤波器应用:BEo陶瓷的高介电常数使其在电子滤波器中具有重要的应用。
电子滤波器用于滤除电路中的杂波和干扰信号,使得信号能够更加纯净地传输。
BEo陶瓷电子滤波器可以实现高精度的频率选择,广泛应用于通信设备和无线电系统中。
3. 高频电路应用:BEo陶瓷的高介电常数使其在高频电路中具有重要的应用。
高频电路主要用于射频通信和雷达系统中,要求材料具有低损耗和高电介质常数。
BEo陶瓷具有低损耗的特点,可以在高频电路中实现高效的能量传输和信号放大。
4. 传感器应用:BEo陶瓷的高介电常数使其在传感器中具有重要的应用。
传感器是用于检测和测量物理量的装置,要求材料具有高灵敏度和稳定性。
BEo陶瓷传感器可以实现高精度的物理量测量,广泛应用于温度、压力和湿度等传感器中。
总结起来,BEo陶瓷具有高介电常数的优势,使其在电子器件和电气设备中得到广泛的应用。
其在电容器、电子滤波器、高频电路和传感器等领域发挥着重要的作用。
随着电子技术的不断发展,BEo陶瓷的应用前景将更加广阔。
陶瓷的介电常数和温度的关系
陶瓷的介电常数和温度的关系陶瓷是一种具有多种性质的材料,其中包括高的介电常数。
介电常数是一种描述材料对电场响应的物理量,反映了介质对电场线的影响程度。
陶瓷的介电常数和温度密切相关,随着温度的升高,陶瓷的介电常数通常会减小。
陶瓷的介电常数与温度的关系受到许多因素的影响,例如陶瓷中的化学元素、晶体结构、晶格畸变、电子偏转和束缚能等。
其中最影响介电常数的因素是晶体结构和晶格畸变。
陶瓷材料中的晶体结构取决于其成分和烧结工艺。
不同的晶体结构具有不同的介电常数。
例如,氧化铝(Al2O3)具有半导体晶体结构,介电常数在常温下为9左右。
二氧化钛(TiO2)具有配位数为六的四面体晶体结构,介电常数在常温下可以高达100左右。
在常温下,氧化锆(ZrO2)存在两种晶体结构,四方晶格(介电常数为25-30)和单斜晶格(介电常数为45-50)。
晶格畸变也是影响介电常数的因素之一。
晶格畸变是指由于缺陷、应力或杂质等因素而导致晶体结构的变形或畸变。
这种畸变通常会导致介电常数的变化。
例如,氧化铝晶体中的缺陷和畸变可以导致介电常数的增加。
除了晶体结构和晶格畸变外,温度还可以影响陶瓷的介电常数。
一般来说,随着温度的升高,陶瓷的介电常数会减小,这种趋势可以用玻尔兹曼方程来描述。
这是因为温度升高会使晶格振动加剧,导致电子受到更多的碰撞和旋转,并减弱了电子的束缚能力,降低了介电常数。
此外,温度还可以影响陶瓷的电导率,这也会影响其介电常数。
总的来说,陶瓷的介电常数和温度的关系是一个复杂的问题,受到多种因素的影响。
了解这些因素和它们的相互关系可以帮助我们更好地理解陶瓷材料的特性和应用。
高频瓷介电容
高频瓷介电容高频瓷介电容是一种电容器,其介质为高介电常数的陶瓷材料,如钛酸钡(BaTiO3)等。
这种电容器的特点是具有较高的绝缘电阻、较小的体积和较高的稳定性。
首先,高频瓷介电容的介质是陶瓷材料,这种材料具有较高的介电常数,可以存储更多的电荷。
因此,高频瓷介电容的容量较大,可以做到较高的电容值。
同时,由于陶瓷材料的绝缘性能较好,高频瓷介电容的绝缘电阻也较高,能够保证电容器在高频电路中的稳定运行。
其次,高频瓷介电容的结构简单,体积较小。
由于其介质是陶瓷材料,不需要像电解电容器那样使用电解质,因此其体积可以做得更小。
同时,由于其结构简单,制造工艺也比较成熟,生产成本较低。
第三,高频瓷介电容的稳定性较好。
由于陶瓷材料的稳定性较好,不易受温度、湿度等因素的影响,因此高频瓷介电容的容量和绝缘电阻的稳定性也较好。
此外,由于其结构简单、体积较小,在高温、高湿等恶劣环境下也能保持较好的性能。
高频瓷介电容的应用范围很广,主要包括通信、雷达、导航、广播电视、航空航天等领域。
在这些领域中,高频瓷介电容的高频性能和稳定性得到了广泛的应用和认可。
例如,在通信领域中,高频瓷介电容被广泛应用于信号传输和处理电路中;在雷达和导航领域中,高频瓷介电容被用于天线匹配电路和信号处理电路中;在航空航天领域中,由于高频瓷介电容的高温、高湿等恶劣环境适应性较好,也被广泛应用于各种电子设备中。
除了以上优点外,高频瓷介电容也存在一些不足之处。
例如,其机械强度较低,容易受到外力损坏;同时,其容量和绝缘电阻等电气性能参数也会受到温度和湿度的影响。
因此,在使用高频瓷介电容时需要注意其使用环境和条件。
总之,高频瓷介电容作为一种高稳定性的电容器,在许多领域中得到了广泛的应用。
其具有较高的绝缘电阻、较小的体积和较高的稳定性等特点,能够保证电子设备的稳定运行。
未来随着科技的不断进步和应用领域的不断拓展,高频瓷介电容将会得到更加广泛的应用和发展。
99瓷介电常数
瓷介电常数是描述瓷体中电容性质的一个物理量,它是指在电场作用下,瓷体中电极之间储存电荷的能力与空气介质之间储存电荷的能力之比。
在实际应用中,瓷介电常数对于电气设备的设计和性能提升具有重要意义。
根据国际上公认的标准,瓷介电常数的数值范围是从1到1000。
99瓷介电常数是指介电常数数值为99的瓷体。
这种瓷体具有较高的介电常数,意味着它具有较好的电绝缘性能和储存电荷的能力。
它可以用于制造高压绝缘件、电容器和电子元器件等。
例如,99瓷介电常数的瓷体常被用于制造高压陶瓷电容器,用于储存和释放大量电荷。
在实际应用中,除了介电常数外,我们还需要考虑材料的机械强度、导热性能、化学稳定性等因素。
因此,在选择瓷体材料时,我们需要综合考虑多个因素,并根据具体的应用需求进行选择。
同时,根据国家相关法规和标准,我们也需要关注环保性和安全性等方面的要求,遵守政府的法律法规,确保生产和使用过程中安全可靠。
总之,99瓷介电常数是一种具有重要应用价值的瓷体材料,可以在电气设备领域发挥重要作用。
在选择和应用过程中,我们需要综合考虑材料的性能和要求,同时遵守相关法规和标准,确保安全可靠。
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高介电常数陶瓷
高介电常数陶瓷是一种具有较高介电常数的陶瓷材料。
介电常数是材料对电场的响应能力的度量,表示材料在电场作用下的极化程度。
高介电常数的陶瓷材料广泛应用于电子器件、电子通信、储能设备等领域,具有重要的应用价值。
高介电常数陶瓷的高介电常数主要归功于其特殊的晶体结构和成分。
一些常见的高介电常数陶瓷材料包括铁电体、钛酸锶钡(BST)陶瓷、铌酸锂(LiNbO3)陶瓷等。
这些材料具有较高的介电常数,使得它们在电场作用下能够产生较大的极化效应,从而实现对电场的响应和调节。
高介电常数陶瓷在电子器件中的应用非常广泛。
例如,在电容器中,高介电常数陶瓷材料可以作为电介质层,用于储存和释放电荷。
由于其较高的介电常数,可以在有限的体积内实现较大的电荷储存能力,从而提高电容器的性能。
高介电常数陶瓷还可以应用于微波设备中,用于实现信号的调制、滤波和耦合等功能。
除了在电子器件中的应用,高介电常数陶瓷还可以用于电子通信领域。
在无线通信系统中,高介电常数陶瓷材料可以用于天线的调谐和匹配。
通过调节陶瓷材料的介电常数,可以实现天线对特定频率的信号的接收和发送。
高介电常数陶瓷还可以用于超声波传感器中,通过改变材料的介电常数来调节超声波的传播速度和散射特性,从而实现对材料的检测和成像。
高介电常数陶瓷还被广泛应用于储能设备中。
例如,铁电体陶瓷具有较高的介电常数和压电效应,在电场作用下可以发生极化和变形,因此被广泛应用于压电陶瓷储能器件中。
这些储能器件可以将电能转化为机械能,实现能量的存储和释放,具有较高的能量密度和快速响应的特点。
高介电常数陶瓷是一类具有重要应用价值的陶瓷材料。
其高介电常数使其具有优异的电场响应能力,可广泛应用于电子器件、电子通信和储能设备等领域。
高介电常数陶瓷的应用不仅能够提高设备的性能,还能够推动科技的发展和进步。
未来,随着科技的不断发展,高介电常数陶瓷在各个领域的应用将会越来越广泛。