tanner L-edit 软件基本操作知识

四、使用L_edit绘制pmos版图
（2）绘制 N Well 图层 （接前一张）： 选 取 Layers 面板下拉 列表中的 N Well 选 项，使工具被选取， 再从 Drawing 工具 栏中选择工具，在 Cell0 编辑窗口画出 占据横向 24 格纵向 15 格的方形 N Well， 如右图 ：
三、使用L_edit绘制版图
（15）改错、移动对 象：点中多边形， 选择菜单栏中的 “画”，然后“移 动至..”，如右图 设置x为1.000，即 右移一格即可或者 选中多边形后，按 住鼠标中间键不放 向右移动一格也可。 再做DRC检查则无 错误。
四、使用L_edit绘制pmos版图
（1）选取图层：在画面左边有一个 Layers 面板，其中有一个下拉列表， 可选取要绘制的图层，例如，Poly, 则 Layers 面板会选取代表 Poly图层的红 色。在 L-Edit 中的 Poly图层 代表制作 集成电路中多晶硅(Poly Silicon)所需要 的掩膜图样。 本范例绘制 PMOS 布局 图会用到的图层包括(N Well 图层)、 (Active 图层)、(N Select 图层)、(P Select 图层)、(Poly 图层)、(Metal1 图 层)、(Metal 2 图层)、(Active Contact图 层)、(Via 图层)，其各自的绘制
三、使用L_edit绘制版图
（13）修改对象：此 已经无错误
三、使用L_edit绘制版图
（14）绘制多边型： 在长方形 Poly旁间 隔 1 个格点处，选 择 Drawing 工具栏 中的多边形工具， 可利用鼠标左键拖 曳并点出多边型的 端点，单击结束， 如右图
三、使用L_edit绘制版图
（14）设计规则检查 DRC报错，查看 DRC设置，发现两 个相邻poly之间距 离最小为2个 lambda
三、使用L_edit绘制版图
（8）选择绘图形状： 绘制布局图，除了 选择要绘制的图层 外，还要在 Drawing 工具栏中 选择绘图方式，如 右图所示：
三、使用L_edit绘制版图
（9）选择绘图形状：绘制布局图， 除了选择要绘制的图层外，还 要在 Drawing 工具栏中选择绘 图方式，如图 10.9 所示，例 如，选择工具，按鼠标左键拖 曳可画方形。如要绘制一个方 形的 Poly 图层，横向占据1个 格点(1um), 纵方向占据 10 个 格点(10um)，结果如图，注意 左下角有状态栏，标明绘制的 形状、图层、宽度(W)、高度 (H)、面积(A)与周长(P)。按住 “Home”键可以全屏显示
四、使用L_edit绘制pmos版图
（7）标尺工具的使 用：点击90°标 尺，数一下格子， 则很容易得出边 长
四、使用L_edit绘制pmos版图
（8）绘制 Poly图层：接下 来绘制 Poly图层，Poly图 层在流程上的意义是定 义成长多晶硅(Poly Silicon)，需要设计掩膜 以限定多晶硅区域。同 样，绘制 Poly图层必须 先了解是使用哪种流程 的设计规则，Poly的最小 宽度有两个 Lambda 的要 求。这里画出横向 2 格， 纵向 7 格
（6）编辑组件L-Edit 编辑方式是以 组件(Cell)为单位而不是以文件 (File)为单位的，每一个文件可有 多个 Cell, 而每一个 Cell 可表示 一种电路布局图或说明， 每次打 开新文件时也自动打开一个 Cell 并将之命名为 Ce110其中，编辑 画面中的十字为坐标原点。
三、使用L_edit绘制版图
（12）修改对象：可选择编辑 ---编辑物项命令，在 Show box 表框中选择 bottom left corner and dimensions选项， 如图 所示，再将 Width 微 调框改为2.000，单击“确 定”按钮，即可修改完成。 也可以利用 Alt 键加鼠标拖 曳的方式来修改对象大小。 修改宽度为两个格点后， 再进行设计规则检查，这 时已无错误
在金属层制作之前组件会被沉积上一层绝缘层氧化层为了让金属能接触至扩散区源极与极汲必须在此绝缘层上蚀刻出一个接触孔此接触孔是为了能使金属层能与扩散区接触metal1与扩散区之间的接触孔以activecontact层表示查阅设计规则发现其宽度限定为两个lambda的大小这里绘画为横向两格纵向两格四使用ledit绘制pmos版图11设计规则每步之后必须要做drc按照提示操作修四使用ledit绘制pmos版图12绘制metal1图层
四、使用L_edit绘制pmos版图
（4）绘制Active 图层：： 设计了 N Well 的布局区域之后， 接着 设计有源区(Active)图层图样， Active 图层在流程上的意义是 定义 PMOS 或 NMOS 的范围， Active 以外的地方是厚氧化层 区(或称为场氧化层)，故需要 设计掩膜以限定 Active 的区域， 但要注意 PMOS 的 Active 图层 要绘制在 N Well 图层之内。注 意知 Active 的最小宽度有 3 个 Lambda 的要求。这里大小为 横向10格纵向5格
一、Tanner软件简介：
Tanner Pro 是一套集成电路设计软件，包括 SEdit, T-Spice, W-Edit, L-Edit与 LVS, 各软件的主要 功能整理如表 1.1 所示。
Tanner软件简介
Tanner Pro的设计流程可 以用右图 1.1 来表示。
三、Tanner软件的安装
三、使用L_edit绘制版图
（5）取代设定：选择 “文件”--“替换设 置”，从Browse选 择“D:\Program Files\Tanner EDA\LEdit and LVS\SPR\Lights\Lay out\lights.tdb”，主要 是采用其内的DRC 信息、layers信息。
三、使用L_edit绘制版图
四、使用L_edit绘制pmos版图
（3）截面观察：：L-Edit 有一个 观察截面的功能，可观察利用 该布局图设计出的组件的制作 流程与结果。选择 工具---截面 命令(或单击按钮)，利用“pick” 选择需要的截面，点击OK即可 以了，注意process define file选 择D:\Program Files\Tanner EDA\L-Edit and LVS\SPR\Lights\Layout\lights.xst
三、使用L_edit绘制版图
（13）修改对象：可选择编辑 ---编辑物项命令，在 Show box 表框中选择 bottom left corner and dimensions选项， 如图 所示，再将 Width 微 调框改为2.，单击“确定” 按钮，即可修改完成。也 可以利用 Alt 键加鼠标拖曳 的方式来修改对象大小。 修改为宽度为两个格点后， 再进行设计规则检查，这 时已无错误
• 详细安装过程可以参看我编写的Tanner13.0安装 流程（13.0版图在windows7里面可以安装，下面 表格为Tanner对电脑的要求）
Hale Waihona Puke 三、使用L_edit绘制版图
（1）打开 L-Edit 程序：在“开始”菜单“程序”里可以 找到，也可以在桌面创建快捷方式。 （2）出现界面如下
（3）L-Edit 会自动将工作文件命名为 Layoutl.sdb 并显示 在窗口的标题栏上，如上图所示 （4）文件---保存，保存在自己所选目录下，注意不含中文， 这里选择E:\L_edit，并命名为EX1。
四、使用L_edit绘制pmos版图
（9）设计规则检查： 有两个相同错误， 错误，Poly图层 必须延伸出Active 区域有最小两个 Lambda，而这里 只有一个，因此 增长为2个即可
四、使用L_edit绘制pmos版图
（10）绘制 Active Contact 图层:：PMOS 的源区、基区各要接上电极，才能 在其上加入偏压。各组件之间的信 号传递，也需要靠金属线连接，在 最底层的金属线是以 Metal1 图层 表示。在金属层制作之前，组件会 被沉积上一层绝缘层(氧化层)，为 了让金属能接触至扩散区(源极与极 汲)，必须在此绝缘层上蚀刻出一个 接触孔，此接触孔是为了能使金属 层能与扩散区接触，Metal1 与扩散 区之间的接触孔以 Active Contact 图 层表示，查阅设计规则，发现其宽 度限定为两个 Lambda 的大小，这 里绘画为 横向两格、 纵向两格
四、使用L_edit绘制pmos版图
（5）设计规则检查，报错为“Not Selected Active”，查看设计规 则，Active 图层必须要与 P Select 图层或 N Select 重叠，而 不能单独存在，否则设计规则 检查会有错误。 （6）绘制 P Select 图层，注意 Active 的边界要与 P Select 的 边界至少要有两个 Lambda 的 距离，这是环绕(Surround)规则。 这里画横向 18 格， 纵向 9 格。 要注意的是 Active 与 P Select 交集处被定义为 pdiff层，pdiff 与 N Well 也有一个环绕规则，， pdiff的边界与 N Well 的边界至 少要距离 5 个 Lambda。
四、使用L_edit绘制pmos版图
（12）重新命名：： 将 Cell0 的名称重 新命名， 可选择 单元—重命名 命 令， 打开 Rename Cell0 对话框，将 cell 名称改成 pmos，就此， pmos绘制完毕
四、使用L_edit绘制pmos版图
（13）nmos绘制与pmos相似，只是不需要绘制N well。其中， Active宽为 14 个格点， 高为 5 个格 点； Poly宽为 2 个格点， 高为 9 个格点； N Select宽为 18 个格点，高为 9个格点；两个 Active Contact 宽皆为2个格点，高皆为 2 个格点；两个 Metal1 宽皆为 4 个格点，高皆为 4 个格点。
（7）环境设定：绘制布局图， 必须要有确实的大小，因此 绘图前先要确认或设定坐标 与实际长度的关系。选择 “设置”命令，打开 “设计” 对话框，在其中的 Technology 选项卡中出现使 用技术的名称、单位与设定， 本范例中的技术单位 Technology units 为以 Lambda 为单位， 而Lambda单位与内 部单位Internal Unit的关系可 在Technology setup选项组中 进行设定，我们设定一个 Lambda 为1000个 Internal Unit， 也设定一个 Lambda 等于一个 Micron。
四、使用L_edit绘制pmos版图
（2）绘制 N Well 图层：：L-Edit 编辑环境 是预设在 P 型基板上，故读者不需要定 义出 P型基板范围，而在 P型基板上制作 PMOS 的第一步，流程上要先做出 N Well 区，即需要设计掩膜以限定 N Well 的区域。绘制 N Well 布局图必须先了解 是使用哪种流程的设计规则，本范例是 使用MOSIS/ORBIT 2.0U SCNA Design Rules观看 N Well绘制要遵守的设计规则。 可选择工具---DRC Setup 命令， 打开 Setup Design Rules对话框(或单击按钮)， 再从其中的 Rules list列表框选择 1.1 Well Minimum Width 选项， 可知 N Well 的最 小宽度有 10 个 Lambda 的要求
四、使用L_edit绘制pmos版图
（11）设计规则 （每步之后必须 要做DRC），按 照提示操作、修 改
四、使用L_edit绘制pmos版图
（12）绘制 Metal1 图层： NMOS 的源极与汲极都要接 上电极，才能在其上加入偏 压，各组件之间的信号传递 也需要靠金属线连接，在最 底层的金属线以 Metal1 图 层表示。Metal1 有最小宽度 的限制，其宽度限定最小为 3 个 Lambda，在 Cell0编辑 窗口的 Active Contact周围 画出占据横向 4格、纵向 4 格的方形左右两个扩散区各 画一个 Metal1 区块
三、使用L_edit绘制版图
（10）设计规则检查： 由于绘制的图样是要 制作集成电路的掩膜 图样，必须配合设计 规则绘制图层，才能 确保制程时的效率。 选择 工具---DRC 命令， 打开 Design Rule Check 对话框，如右图 所示，报错“最小宽 度少于两个Lambda”
三、使用L_edit绘制版图
（11）检查错误：打开 “设置”--DRC设置， 则可以观看详细的设 计规则，， 从Rules list列表框中选择3.1 Poly Minimum Width 选项中可以观看该条 设计规则设定poly最小 宽度为2个lambda，依 此修改poly宽度为2个 lambda，那么如何修 改呢？
三、使用L_edit绘制版图