最新半导体器件基础测试题
第1章测试题第1章半导体基础
第1章半导体基础 测试题 班级 学号 姓名第一题 单项选择题（每题2分）1．要形成N 型半导体，可以在本征半导体中加入（ ）。
（A ）电子 （B ）空穴 （C ）三价硼元素 （D ）五价磷元素2．场效应管是（ ）控制器件。
（A ）电流 （B ）电压 （C ）电磁 （D ）电场3．要形成P 型半导体，可以在本征半导体中加入（ ）。
（A ）电子 （B ）空穴 （C ）五价磷元素 （D ）三价硼元素4．某三极管的I E =1mA ，I B =20μA ，则I C =（ ）。
（A ）0.98 mA （B ）1.02 mA （C ）0.8 mA （D ）1.2 mA5．在杂质半导体中，少数载流子浓度主要取决于（ ）。
（A ）掺杂工艺 （B ）杂质浓度 （C ）温度 （D ）晶体缺陷6．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ ）。
（A ）杂质浓度 （B ）温度 （C ）掺杂工艺 （D ）电压7．二极管的电流方程是（ ）。
（A ）u S e I （B ）T U u S e I / （C ）)1(/-T U u S e I （D ）)1(/T U u S e I -8．半导体中的载流子为（ ）。
（A ）电子 （B ）空穴 （C ）正离子 （D ）电子和空穴9．PN 结外加正向电压时，其空间电荷区将（ ）。
（A ）变窄 （B ）基本不变 （C ）变宽 （D ）视掺杂浓度而定10．当绝对温度零度时，本征半导体的导电能力（ ）。
（A ）相同金属 （B ）相同绝缘体 （C ）相同室温下的半导体 （D ）视制作材料而定11．稳压管构成的稳压电路，其接法是（ ）。
（A ）稳压二极管与负载电阻串联 （B ）稳压二极管与负载电阻并联。
（C ）限流电阻与稳压二极管串联后，负载电阻再与稳压二极管并联 （D ）以上都可以12．与双极型晶体管相比，场效应管不具有的特点是（ ）。
（A ）放大作用大 （B ）输入阻抗高 （C ）抗辐射能力强 （D ）功耗小13．下列对场效应管的描述中，不正确的是（ ）。
半导体基础知识单选题100道及答案解析
半导体基础知识单选题100道及答案解析1. 半导体材料的导电能力介于（）之间。
A. 导体和绝缘体B. 金属和非金属C. 正电荷和负电荷D. 电子和空穴答案：A解析：半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。
2. 常见的半导体材料有（）。
A. 硅、锗B. 铜、铝C. 铁、镍D. 金、银答案：A解析：硅和锗是常见的半导体材料。
3. 在纯净的半导体中掺入微量的杂质，其导电能力（）。
A. 不变B. 减弱C. 增强D. 不确定答案：C解析：掺入杂质会增加载流子浓度，从而增强导电能力。
4. 半导体中的载流子包括（）。
A. 电子B. 空穴C. 电子和空穴D. 质子和中子答案：C解析：半导体中的载流子有电子和空穴。
5. P 型半导体中的多数载流子是（）。
A. 电子B. 空穴C. 正离子D. 负离子答案：B解析：P 型半导体中多数载流子是空穴。
6. N 型半导体中的多数载流子是（）。
A. 电子B. 空穴C. 正离子D. 负离子答案：A解析：N 型半导体中多数载流子是电子。
7. 当半导体两端加上电压时，会形成（）。
A. 电流B. 电阻C. 电容D. 电感答案：A解析：电压作用下，半导体中有电流通过。
8. 半导体的电阻率随温度升高而（）。
A. 增大B. 减小C. 不变D. 先增大后减小答案：B解析：温度升高，载流子浓度增加，电阻率减小。
9. 二极管的主要特性是（）。
A. 单向导电性B. 放大作用C. 滤波作用D. 储能作用答案：A解析：二极管具有单向导电性。
10. 三极管的三个电极分别是（）。
A. 基极、发射极、集电极B. 正极、负极、地极C. 源极、漏极、栅极D. 阳极、阴极、控制极答案：A解析：三极管的三个电极是基极、发射极、集电极。
11. 场效应管是（）控制器件。
A. 电流B. 电压C. 电阻D. 电容答案：B解析：场效应管是电压控制型器件。
12. 集成电路的基本制造工艺是（）。
A. 光刻B. 蚀刻C. 扩散D. 以上都是答案：D解析：光刻、蚀刻、扩散都是集成电路制造的基本工艺。
半导体器件试题
第八章 半导体器件 一、单项选择题1、当 温 度 升 高 时，半 导 体 的 导 电 能 力 将（ ）。
(a) 增 强 (b) 减 弱 (c) 不 变2、电 路 如 图 所 示， 输 入信 号u i = 6sin ωt V 时， 二 极 管D 承 受 的 最 高 反 向 电 压 为（ ）。
(a) 3 V (b) 6 V (c) 9 V5k Ωu O3、整 流 电 路 如 图 所 示，已 知输 出电 压 平 均 值 U O 是18 V ， 则 变 压 器 副 边 电 压 有 效 值 U 2 是（ ）。
(a) 40 V(b) 20 V (c) 15 V(d) 12.7 Vu O+-4、在电 感 电 容 滤 波 电 路 中，欲使滤波 效 果 好， 则 要 求（ ）。
(a) 电 感 大 (b) 电 感 小 (c) 电 感 为 任 意 值5、已 知 某 晶 体 管 的 I CEO 为 200μA ， 当 基 极 电 流 为 20μA 时， 集 电 极 电 流 为1mA ，则 该 管 的 I CBO 约 等 于 （ ）。
(a) 8 mA (b) 10 mA (c) 5μA (d) 20μA 6、二 极 管 接 在 电 路 中， 若 测 得 a 、b 两 端 电 位 如 图 所 示，则 二 极 管 工 作 状 态 为（ ）。
(a) 导 通 (b) 截 止 (c) 击 穿-6.3V D7、整 流 电 路 如 图 所 示，输 出电 流 平 均 值I O mA =50，则 流 过 二 极 管的 电 流 平 均 值I D 是（ ）。
(a)I D =50 mA(b)I D =25 mA(c)I D=12.5 mA~u O8、整 流 滤 波 电 路 如 图 所 示， 二 极 管 的 导 通 角 （ ）。
(a) 等 于180︒(b) 小 于 180︒(c) 大 于 180︒～Du O+-9、电 路 如 图 1 所 示， 二 极 管 D 为 理 想 元 件，U u =3V,i =6sin ωt V ， 则 输 出 电 压 u O 的 波 形 为 图2 中（ ）。
半导体器件基础测试题
半导体器件基础测试题第一章半导体器件基础测试题（高三）姓名班次分数一、选择题1、N型半导体是在本征半导体中加入下列物质而形成的。
A、电子；B、空穴；C、三价元素；D、五价元素。
2、在掺杂后的半导体中，其导电能力的大小的说法正确的是。
A、掺杂的工艺；B、杂质的浓度：C、温度；D、晶体的缺陷。
3、晶体三极管用于放大的条件，下列说法正确的是。
A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；4、晶体三极管的截止条件，下列说法正确的是。
A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；5、晶体三极管的饱和条件，下列说法正确的是。
A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；6、理想二极管组成的电路如下图所示，其AB两端的电压是。
A、—12V；B、—6V；C、+6V；D、+12V。
7、要使普通二极管导通，下列说法正确的是。
A、运用它的反向特性；B、锗管使用在反向击穿区；C、硅管使用反向区域，而锗管使用正向区域；D、都使用正向区域。
8、对于用万用表测量二极管时，下列做法正确的是。
A、用万用表的R×100或R×1000的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；B、用万用表的R×10K的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；C、用万用表的R×100或R×1000的欧姆，红棒接正极，黑棒接负极，指针偏转；D、用万用表的R×10，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；9、电路如下图所示，则A、B两点的电压正确的是。
A、U A=3.5V，U B=3.5V，D截止；B、U A=3.5V，U B=1.0V，D截止；C、U A=1.0V，U B=3.5V，D导通；D、U A=1.0V，U B=1.0V，D截止。
半导体器件行业标准与规范考核试卷
B.表面贴装技术会增加电路的体积
C.表面贴装技术会影响器件的电性能
D.表面贴装技术主要用于焊接插件式元器件
17.以下哪种材料常用于制作半导体器件的绝缘层？（）
A.硅
B.硅氧化物
C.铝
D.砷化镓
18.关于半导体器件的制造过程，以下哪个环节主要用于去除表面的杂质？（")
A.双极型晶体管
B.场效应晶体管
C.二极管
D.晶闸管
12.在半导体器件的制造过程中，以下哪种工艺主要用于制作PN结？（）
A.离子注入
B.化学气相沉积
C.光刻
D.蚀刻
13.以下哪个单位用于表示半导体器件的功率密度？（）
A. W
B. mW
C. W/cm²
D. W/mm²
14.关于半导体器件的可靠性测试，以下哪个说法是错误的？（）
C.行业标准与国家、国际标准无关
D.行业标准是为了确保半导体器件的质量和兼容性
二、多选题（本题共20小题，每小题1.5分，共30分，在每小题给出的四个选项中，至少有一项是符合题目要求的）
1.半导体器件的主要特性包括以下哪些？（）
A.体积小
B.耐高压
C.寿命长
D.效率高
2.以下哪些是典型的硅基半导体器件？（）
A. N阱CMOS
B. P阱CMOS
C.双极型晶体管
D. NMOS
7.以下哪种材料主要用于制作光电器件？（）
A.硅
B.砷化镓
C.硅锗
D.铝
8.关于半导体器件的封装，以下哪个说法是正确的？（）
A.封装主要起到保护内部电路的作用
B.封装会影响器件的电性能
C.封装材料必须是导体
半导体基础知识习题
半导体基础知识习题一、填空题1．半导体是一种导电能力介于________与__________之间的物质，最常用的半导体材料有__________和___________。
2．N型半导体中多数载流子是_________，P型半导体中多数载流子是_________。
3．PN结的正向接法为：P区接电源______极，N区接电源______极。
4．PN结具有____________性能，即加正向电压时，PN结_______；加反向电压时，PN结_________。
二、判断题( )1．半导体的导电能力随外界温度、光照或掺入杂质不同而显著变化。
( )2．P型半导体中多数载流子是空穴且带正电。
( )3．在半导体内部，只有电子能传导电流。
三、选择题1．半导体内的载流子是（）。
A．空穴B．自由电子C．自由电子与空穴2.半导体少数载流子产生的原因是（）。
A．外电场B．掺杂C．热激发3．PN结最大的特点具有（）。
A．不导电性 B．单向导电性 C．双向导电性4．煤气报警器中使用的半导体器件是利用了半导体的（）。
A．光敏特性B．气敏特性C．热敏特性5．当温度升高时，半导体电阻将（）。
A．增大B．减少C．不变四、问答题1．半导体材料有那些特性？2．Ｐ型半导体与Ｎ型半导体中的多数载流子各是什么？参考答案半导体基础知识一、填空题1．导体，绝缘体，硅，锗2．电子，空穴3．正，负4．单向导电，导通，截止二、判断题1．（√）2．（√）3．（×）三、选择题1．(C) 2．(B) 3．（B） 4．（B ） 5．(B)四、问答题1．答：半导体物质的重要特性是：（1）导电能力介于导体和绝缘体之间；（2）在温度低到绝对零度且没有外界的能量激发时，相当于绝缘体。
（3）掺杂性和热激发性。
2．答：P型半导体中多数载流子为空穴。
N型半导体中多数载流子为自由电子。
3．答：当P型半导体和N型半导体结合在一起时，在其交界面两侧，由于电子和空穴的浓度相差悬殊，所以在N区中的多数载流子电子向P区扩散；同时，P区的多数载流子也要向N区扩散，当电子和空穴相遇时，将发生复合而消失，于是，在交界面两侧形成一个由不能移动的正负离子所组成的空间电荷区，也就是PN结。
半导体器件的功率集成电路考核试卷
A. 智能化 B. 集成度的提高 C. 材料创新 D. 超越摩尔定律的技术发展
三、填空题（本题共10小题，每小题2分，共20分，请将正确答案填到题目空白处）
1. 在半导体材料中，导电性主要由______和______两种载流子决定。
2. 功率集成电路中，MOSFET的开关速度主要受到______和______的影响。
13. 在半导体器件中，以下哪种结构可以有效降低开关速度？（ ）
A. 隧道二极管 B. 耿氏二极管 C. PIN二极管 D. 齐纳二极管
14. 以下哪个参数与功率集成电路的热稳定性直接相关？（ ）
A. 结温 B. 电流 C. 频率 D. 电压
15. 在功率器件的驱动电路中，以下哪个功能是必须的？（ ）
1. 电子 空穴
2. 栅极电容 开关时间
3. 电压 电流
4. 材料热导率 封装形式
5. 效率 可靠性
6. 曝光 显影
7. 优化布局 使用散热器
8. 屏蔽 电路布局
9. 降压 升压
10. 宽禁带材料 高集成度
四、判断题
1. √
2. ×
3. √
4. ×
5. ×
6. √
7. ×
8. ×
9. ×
10. ×
五、主观题（参考）
10. 在半导体器件的制造过程中，以下哪些步骤涉及到光刻技术？（ ）
A. 光刻胶涂抹 B. 曝光 C. 显影 D. 热处理
11. 以下哪些因素会影响功率集成电路的效率和可靠性？（ ）
A. 电压波动 B. 温度变化 C. 杂波干扰 D. 元器件老化
12. 在设计功率器件的驱动电路时，以下哪些功能是常见的？（ ）
半导体物理基础与器件原理考核试卷
4. 二极管的主要参数包括正向电压和________。
答案：
5. 晶体管的工作状态包括________、饱和和截止。
答案：
6. 场效应晶体管（FET）的输入阻抗比双极型晶体管（BJT）的输入阻抗________。
答案：
7. LED的发光颜色取决于其材料的________。
答案：
8. 太阳能电池的转换效率受到________、材料类型和环境温度等因素的影响。
3. BJT基于电子和空穴的复合与扩散，FET基于电场控制载流子流动。BJT适用于模拟放大，FET适用于数字开关和模拟放大，FET输入阻抗高，开关速度快。
4. 太阳能电池通过光生伏特效应将光能转换为电能。效率受材料类型、表面纹理、环境温度影响。提高效率可通过优化材料、设计表面纹理、使用太阳能跟踪系统等。
11. BD
12. ABCD
13. ABC
14. ABC
15. ABCD
16. ABCD
17. ABC
18. ABCD
19. ABC
20. ABCD
三、填空题
1. 本征
2. 掺杂浓度、温度
3. 反向；正向
4. 反向饱和电流
5. 放大
6. 高
7. 禁带宽度
8. 材料类型、结构设计
9. 光刻胶
10. 与
A. FET有一个栅极，BJT没有
B. BJT有一个基极，FET没有
C. FET的源极和漏极可以互换，BJT不行
D. BJT使用PN结，FET使用金属-半导体结
13. 在MOSFET中，当栅极电压低于阈值电压时，器件处于（ ）状态。
A. 导通
B. 截止
C. 饱和
D. 反向导通
半导体集成电路练习题
半导体集成电路练习题一、基础知识类1. 填空题1.1 半导体材料主要包括________、________和________。
1.2 PN结的正向特性是指________，反向特性是指________。
1.3 MOS晶体管的三个工作区分别是________、________和________。
2. 判断题2.1 半导体集成电路的导电性能介于导体和绝缘体之间。
（）2.2 N型半导体中的自由电子浓度高于P型半导体。
（）2.3 CMOS电路具有静态功耗低的特点。
（）二、数字电路类1. 选择题1.1 TTL与非门电路中，当输入端全部为高电平时，输出为（）。
A. 高电平B. 低电平C. 不确定D. 无法判断A. 与门B. 或门C. 非门D. 异或门A. PMOS管导通时，NMOS管截止B. PMOS管截止时，NMOS管导通C. PMOS管和NMOS管同时导通D. PMOS管和NMOS管同时截止2. 填空题2.1 数字电路中的逻辑门主要有________、________、________和________等。
2.2 半加器是由________和________组成的。
2.3 全加器的三个输入端分别是________、________和________。
三、模拟电路类1. 选择题A. 非反相比例运算放大器B. 反相比例运算放大器C. 电压跟随器D. 差分放大器1.2 在运算放大器电路中，虚短是指________。
（）A. 输入端短路B. 输出端短路C. 输入端与地之间短路D. 输入端与输出端之间短路A. 低通滤波器允许低频信号通过，抑制高频信号B. 高通滤波器允许低频信号通过，抑制高频信号C. 带通滤波器允许一定频率范围的信号通过D. 带阻滤波器允许一定频率范围的信号通过2. 填空题2.1 模拟信号的特点是________、________和________。
2.2 运算放大器的主要参数有________、________和________。
半导体的基础知识试题
第一章半导体的基础知识一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为、和三大类。
2、电子技术的核心是半导体，它的三个特性是：、、3、半导体中存在着两种载流子，其中带正电的载流子叫做，带负电的载流子叫做；N型半导体中多数载流子是，P型半导体中的多数载流子是。
4、PN结具有性能，即：加电压时PN结导通，加电压时PN结截止。
5、二极管的主要特性是具有。
二极管外加正向电压超过死区电压以后，正向电流会，这时二极管处于状态。
6、晶体二极管的伏安特性可简单理解为正向，反向的特性。
导通后，硅管的管压降约为，锗管约为。
7、整流电路将交流电变为直流电，滤波电路将直流电变为的直流电。
8、整流电路按整流相数，可分为与两种；按被整流后输出电压（或电流）的波形分，又可分为与两种。
9、把脉动直流电变成比较平滑直流电的过程称为。
10、电容滤波电路中的电容具有对交流电的阻抗，对直流电的阻抗的特性，整流后的脉动直流电中的交流分量由电容，只剩下直流分量加到负载的两端。
二、选择题1、稳压管（）A、是二极管B、不是二极管C、是特殊二极管2、稳压管电路如图1—1所示，稳压管的稳压值为（）A、6.3VB、0.7VC、7VD、14V3、稳压管稳压电路如图1—2所示，其中U Z1=7V、U Z2=3V，该电路输出电压为（）A、0.7VB、1.4VC、3VD、7V4、NPN型和PNP型晶体管的区别是（）A、由两种不同材料硅和锗制成的B、掺入杂质元素不同C、P区和N区的位置不同5、三极管的I CEO大，说明其（）A、工作电流大B、击穿电压高C、寿命长D、热稳定性差6、用直流电压表测得放大电路中某晶体管电极1、2、3的电位各为V1=2V，V2=6V，V3=2.7V,m则（）A、1为e 2为b 3为cB、1为e 2为c 3为bC、1为b 2为e 3为cD、1为b 2为c 3为e7、晶体管共发射极输出特性常用一族曲线表示，其中每一条曲线对应一个特定的（ ）A 、i cB 、U CEC 、I bD 、i E8、P 型半导体中空穴多于自由电子，则P 型半导体呈现的电性为（ ）。
半导体面试题目(3篇)
第1篇一、基础知识部分1. 请简述半导体材料的基本概念及其分类。
2. 解释什么是本征半导体、n型半导体和p型半导体，并说明它们之间的区别。
3. 什么是掺杂？为什么掺杂对于半导体的应用至关重要？4. 什么是载流子？请分别说明电子和空穴载流子的性质。
5. 什么是能带？简述价带、导带和禁带的概念。
6. 什么是能级？请解释能级与能带之间的关系。
7. 什么是施主和受主？它们在半导体中的作用是什么？8. 请解释半导体中的电导率是如何受到温度影响的。
9. 什么是霍尔效应？它在半导体中的应用有哪些？10. 什么是PN结？简述PN结的形成过程、特性和应用。
二、器件原理部分1. 请简述晶体管的工作原理，包括NPN和PNP晶体管。
2. 什么是场效应晶体管（FET）？请解释其工作原理和特性。
3. 什么是MOSFET？请说明其结构、工作原理和优缺点。
4. 什么是二极管？请解释二极管的基本特性和应用。
5. 什么是三极管？请说明三极管的基本特性和应用。
6. 什么是整流器？请列举几种常见的整流器类型及其工作原理。
7. 什么是稳压器？请说明稳压器的工作原理和应用。
8. 什么是放大器？请解释放大器的基本特性和应用。
9. 什么是滤波器？请列举几种常见的滤波器类型及其工作原理。
10. 什么是振荡器？请解释振荡器的基本特性和应用。
三、电路设计部分1. 请简述半导体电路设计的基本流程。
2. 什么是模拟电路和数字电路？请分别说明它们的特点。
3. 什么是电路仿真？请列举几种常见的电路仿真软件。
4. 什么是版图设计？请说明版图设计的基本流程和注意事项。
5. 什么是集成电路封装？请列举几种常见的集成电路封装类型。
6. 什么是测试与验证？请说明测试与验证在半导体电路设计中的重要性。
7. 什么是电路优化？请列举几种常见的电路优化方法。
8. 什么是电源设计？请说明电源设计的基本原则和注意事项。
9. 什么是信号完整性？请解释信号完整性对电路设计的影响。
10. 什么是电磁兼容性？请说明电磁兼容性在电路设计中的重要性。
半导体器件的测试方法与设备考核试卷
C.高压击穿测试
D.电容测试
17.在半导体器件的动态测试中，以下哪些参数是需要关注的？（）
A.响应时间
B.稳态误差
C.阶跃响应
D.幅度响应
18.以下哪些测试设备可以用于测试半导体器件的高频特性？（）
A.网络分析仪
B.频谱分析仪
C.信号发生器
D.数字万用表
19.在半导体器件的可靠性和寿命测试中，以下哪些因素是重要的？（）
10.在半导体器件的寿命测试中，以下哪个参数不是考虑的主要因素？（）
A.电流
B.电压
C.频率
D.温度
11.用于测试半导体器件结电容的设备是：（)
A.电桥
B.频率分析仪
C.高阻表
D.逻辑分析仪
12.测试场效应晶体管的漏极电流时，以下哪种条件是不正确的？（）
A.栅源电压固定
B.漏源电压固定
C.栅极开路
D.漏极开路
A.恒温法
B.变温法
C.阶梯升温法
D.快速冷却法
19.下列哪种测试方法不适用于评估半导体器件的绝缘特性？（)
A.高压击穿测试
B.绝缘电阻测试
C.介质损耗角正切测试
D.电流放大系数测试
20.在半导体器件的噪声测试中，以下哪项不是表征噪声的主要参数？（）
A.噪声功率谱密度
B.噪声等效功率
C.噪声温度
D.噪声频率
9.在测试半导体器件的频率特性时，增益带宽积是一个关键的参数。（√）
10.热敏电阻的阻值随温度的升高而减小。（×）
五、主观题（本题共4小题，每题5分，共20分）
1.请简述半导体器件测试中，为什么要对测试设备进行校准，以及校准的主要目的是什么。
半导体器件制造过程中的性能测试考核试卷
10. PN结的正向特性是指当加正向电压时，_______迅速增加。
四、判断题（本题共10小题，每题1分，共10分，正确的请在答题括号中画√，错误的画×）
1.在半导体器件中，N型半导体的导电性比P型半导体好。（）
2.栅极长度越短，MOSFET的开关速度越快。（）
答案：
三、填空题（本题共10小题，每小题2分，共20分，请将正确答案填到题目空白处）
1.半导体器件制造中，常用的清洗液有去离子水、_______和溶剂等。
2.在MOSFET中，_______是指从源极到漏极的电流达到最大时的栅极电压。
3.金属-氧化物-半导体(MOS)结构中，金属通常指的是_______。
A.温度B.杂质浓度C.结面积D.加载电流
6.半导体器件中的载流子包括以下哪些？（）
A.自由电子B.空穴C.离子D.负电子
7.以下哪些方法可以用来改善半导体器件的热稳定性？（）
A.减小器件尺寸B.使用高热导率材料C.增加氧化层厚度D.降低工作温度
8.在半导体器件制造中，以下哪些工艺用于形成金属互联？（）
A.光刻B.化学气相沉积C.电镀D.磨片
9.以下哪些测试可以用来评估二极管的反向特性？（）
A. IV曲线测试B. CV曲线测试C.耐压测试D.反向恢复时间测试
10.以下哪些材料常用于制造集成电路的绝缘层？（）
A.硅氧化物B.硅化物C.氮化物D.多晶硅
11.以下哪些因素会影响场效应晶体管的开关速度？（）
4.半导体器件的亚阈值摆幅是指在_______条件下，栅极电压变化引起漏极电流变化的斜率。
5.用来测试半导体器件热稳定性的常见方法是_______。
最新第1章 半导体器件习题及答案
第1章 半导体器件一、是非题 (注:请在每小题后[ ]内用"√"表示对,用"×"表示错) 1、P 型半导体可通过在本半导体中掺入五价磷元素而获得。
（ ） 2、N 型半导体可以通过在本征半导体中掺入三价元素而得到。
（ ） 3、在N 型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以发型为P 型半导体。
（ ） 4、P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ ）5、N 型半导体的多数载流子是电子，所以它带负电。
（ ）6、半导体中的价电子易于脱离原子核的束缚而在晶格中运动。
（ ）7、半导体中的空穴的移动是借助于邻近价电子与空穴复合而移动的。
（ ）8、施主杂质成为离子后是正离子。
（ ）9、受主杂质成为离子后是负离子。
（ ）10、PN 结中的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。
（ ） 11、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。
（ ）12、由于PN 结交界面两边存在电位差，所以，当把PN 结两端短路时就有电流流过。
（ ） 13、PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）14、二极管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外，还可以描述二极管的反向击穿特性。
（ ） 15、通常的BJT 管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。
（ ） 16、有人测得某晶体管的U BE =0.7V ，I B =20μA ，因此推算出r be =U BE /I B =0.7V/20μA=35kΩ。
（ ） 17、有人测得晶体管在U BE =0.6V ，I B =5μA ，因此认为在此工作点上的r be 大约为26mV/I B =5.2kΩ。
（ ）18、有人测得当U BE =0.6V ，I B =10μA 。
考虑到当U BE =0V 时I B =0因此推算得到0.6060()100BE be B U r k I ∆-===Ω∆- （ ）二、选择题(注:在每小题的备选答案中选择适合的答案编号填入该题空白处,多选或不选按选错论) . 1、在绝对零度（0K ）时，本征半导体中_________ 载流子。
半导体培训测试
半导体培训测试（100分）1、姓名【填空题】________________________2、工号【填空题】________________________一、单选题3、1、自然界的物质、材料按导电能力大小可分哪些种类。
【单选题】（3分）A.A、导体B.B、半导体C.C、绝缘体D.D、以上三项都是正确答案: D4、2、选出下列属于半导体材料的选项。
【单选题】（3分）A.A、硅B.B、锗C.C、砷化镓D.D、以上三项都是正确答案: D5、3、当前半导体行业研究的热门话题low-K材料是什么？【单选题】（3分）A.A、低介电常数材料B.B、所有半导体材料C.C、光刻胶材料D.D、以上三项都是正确答案: A6、4、低介电常数材料或称low-K材料的介电常数通常是多少以下？【单选题】（3分）A.A、介电常数k≤2.8B.B、介电常数k≤3.9C.C、介电常数k≤1D.D、以上三项都是正确答案: D7、5、晶圆的的8、12英寸是是什么参数指标？【单选题】（3分）A.A、重量B.B、材料系数C.C、晶圆直径D.D、晶圆厚度正确答案: C8、6、硅晶圆材料主要来源什么物资的提炼？【单选题】（3分）A.A、沙子B.B、植物C.C、石油D.D、海水正确答案: A9、7、晶体管实质上有哪几部分由组成？【单选题】（3分）A.A、漏极（Drain）B.B、源极（Source）C.C、栅极（Gate）D.D、以上三项都是正确答案: D10、8、晶圆制造工艺中、芯片电路内纳米架构是晶体管越小越好，栅极的最小宽度就是工艺制程中的X 纳米，那么以下哪些选项是我们加工所谓的LOW-K材料？【单选题】（3分）A.A、45nm-32nmB.B、28nm-14nm，C.C、10nm-7nmD.D、以上三项都是正确答案: D11、9、选出硅片从原材料到成型的加工工序。
【单选题】（3分）A.A、冶金熔融B.B、拉直长晶C.C、晶棒切片D.D、以上三项都是正确答案: D12、10、烧蚀激光切割机的加激光属于什么光？【单选题】（3分）A.A、日光B.B、紫外光C.C、红外光D.D、黄光正确答案: B二、多选题13、11、半导体工厂的生产环境要求包括以下哪些？【多选题】（5分）A.A、恒温B.B、恒湿C.C、ESD 防护D.D、防火正确答案: ABC14、12、下列不属于IC封装生产工序的是。
(完整版)常用半导体元件习题及答案
第5章常用半导体元件习题5.1晶体二极管一、填空题：1．半导体材料的导电能力介于和之间，二极管是将封装起来，并分别引出和两个极。
2．二极管按半导体材料可分为和，按内部结构可分为＿和，按用途分类有、、四种。
3．二极管有、、、四种状态，PN 结具有性，即。
4．用万用表（R×1K档）测量二极管正向电阻时，指针偏转角度，测量反向电阻时，指针偏转角度。
5．使用二极管时，主要考虑的参数为和二极管的反向击穿是指。
6．二极管按PN结的结构特点可分为是型和型。
7．硅二极管的正向压降约为 V，锗二极管的正向压降约为 V；硅二极管的死区电压约为 V，锗二极管的死区电压约为 V。
8．当加到二极管上反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象称为现象。
9．利用万用表测量二极管PN结的电阻值，可以大致判别二极管的、和PN结的材料。
二、选择题：1. 硅管和锗管正常工作时，两端的电压几乎恒定，分别分为( )。
A.0.2-0.3V 0.6-0.7VB. 0.2-0.7V0.3-0.6VC.0.6-0.7V 0.2-0.3VD. 0.1-0.2V0.6-0.7V的大小为( )。
2.判断右面两图中，UABA. 0.6V 0.3VB. 0.3V 0.6VC. 0.3V 0.3VD. 0.6V 0.6V3.用万用表检测小功率二极管的好坏时，应将万用表欧姆档拨到（）Ω档。
A.1×10B. 1×1000C. 1×102或1×103D. 1×1054. 如果二极管的正反向电阻都很大，说明 ( ) 。
A. 内部短路B. 内部断路C. 正常D. 无法确定5. 当硅二极管加0.3V正向电压时，该二极管相当于( ) 。
A. 很小电阻B. 很大电阻C.短路D. 开路6．二极管的正极电位是-20V，负极电位是-10V，则该二极管处于（）。
A．反偏 B．正偏 C．不变D. 断路7．当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）A．增大 B．减小 C．不变D. 不确定8．PN结的P区接电源负极，N区接电源正极，称为（）偏置接法。
半导体器件考试试卷(电工电子技术大学专业试卷)
半导体器件考试试卷一、填空题1、半导体之所以得到广泛的应用，是因为它具有_________性、_________性、_________性。
2、在半导体中，同时存在着_________导电和_________导电，这是半导体导电方式的主要特点。
3、P 型半导体中多数载流子是__ _____ ,少数载流子是__ _____ ；N 型半导体中多数载流子是__ _____, 少数载流子是__ _____ 。
4、半导体中的多数载流子主要是__ _____形成的，少数载流子一定是__ _____形成的。
5、PN 结的__ _____区接高电位，而__ _____区接低电位，称为PN 结正向偏置，则PN 结__ _____。
6、硅二极管的死区电压约为__ _____伏，正向导通电压约为__ _____伏；锗二极管死区电压约为__ _____伏，正向导通电压约为__ _____伏。
．7、二极管的正向电流是由__ _____载流子的__ _____运动形成的；而反向电流则是由__ _____ 载流子的__ _____运动形成的。
8、稳压管工作在特性曲线的__ _____区，其在电路中的接法为：稳压管的阴极应接电源的__ _____极。
9、整流作用是利用二极管的__ _____特性工作的，稳压管是利用二极管__ _____特性工作的 。
10、在模拟电路中，三极管通常工作在__ _____状态。
在数字电路中，三极管通常工作在__ _____状态和__ _____状态，其作用相当于__ _____。
11、三极管的输出特性分为三个工作区，分别是__ _____、__ _____、__ _____。
12、晶体管工作受温度影响是由于温度变化__ _____浓度变化所致 。
二、 单项选择题1、在电路中测出三极管三个电极对地电位如图2-1所示，则该三极管处于( )状态。
A ．截止状态B ．放大状态C ．饱和状态2、在图2-2所示电路中，设稳压管1Z D 的稳压值为7伏，稳压管2Z D 的稳压值为6伏，两管的正向导通电压均为0.6伏，在i U =20V 时，输出电压O U 的值为 ( )。
半导体与电子学测试题
半导体与电子学测试题
题目一：半导体基础知识
1. 什么是半导体？它与导体和绝缘体有何不同？
2. 简述半导体材料的能带结构和载流子类型。
3. 什么是PN结？它的特性是什么？如何改变PN结的导电性？
4. 请解释PN结的正向偏置和反向偏置的区别。
5. 什么是半导体的掺杂？N型和P型半导体的掺杂元素是什么？
题目二：半导体器件
1. 请简述二极管的结构和工作原理。
2. 解释什么是整流器和稳压二极管。
3. 请说明MOSFET和BJT的主要区别，并分别描述它们的结构和工作原理。
4. 什么是集成电路？请描述它的主要类型和制作工艺。
5. 简要介绍一下光电子器件和传感器的应用领域。
题目三：数字电子学
1. 什么是布尔代数？简述布尔代数的基本运算和定理。
2. 解释逻辑门的功能和布尔代数与逻辑门的关系。
3. 简要介绍一下与门、或门、非门和异或门。
4. 请解释触发器的功能和工作原理，并描述RS触发器和D触发器的特点与应用。
5. 简述计数器和移位寄存器的作用，并解释它们的工作原理。
以上为半导体与电子学测试题，要求您针对每个问题给出详细的回答。
文章不需要额外的标题或小节，仅需按照题目给出的顺序进行回答即可。
请注意语句通顺，表达准确，格式整洁美观。
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第一章半导体器件基础测试题（高三）姓名班次分数一、选择题1、N 型半导体是在本征半导体中加入下列 ___________ 物质而形成的。
A 、电子；B 、空穴；C 、三价元素；D 、五价元素。
2、在掺杂后的半导体中，其导电能力的大小的说法正确的是A 、掺杂的工艺；B 、杂质的浓度:C 、温度；D 、晶体的缺陷。
3、晶体三极管用于放大的条件，下列说法正确的是 _______________ 。
A 、发射结正偏、集电结反偏； B 、发射结正偏、集电结正偏; C 、发射结反偏、集电结正偏；D 、发射结反偏、集电结反偏;4、晶体三极管的截止条件，下列说法正确的是 _____________________ 。
A 、发射结正偏、集电结反偏； B 、发射结正偏、集电结正偏; C 、发射结反偏、集电结正偏；D 、发射结反偏、集电结反偏;5、晶体三极管的饱和条件，下列说法正确的是 A 、发射结正偏、集电结反偏； C 、发射结反偏、集电结正偏；6、理想二极管组成的电路如下图所示，其 A 、一 12V ； B 、一 6V ； C 、+6V ；D 、+12V 。
7、要使普通二极管导通，下列说法正确的是 __________________ 。
A 、运用它的反向特性；B 、锗管使用在反向击穿区；C 、硅管使用反向区域，而锗管使用正向区域；D 、都使用正向区域。
8、对于用万用表测量二极管时，下列做法正确的是 _______________________ A 、 用万用表的R X 100或R X 1000的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转; B 、 用万用表的R X 10K 的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；C 、 用万用表的R X 100或R X 1000的欧姆，红棒接正极，黑棒接负极，指针偏转;D 、用万用表的R X 10，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转;9、电路如下图所示，则 A 、B 两点的电压正确的是 ________________B 、发射结正偏、集电结正偏; D 、发射结反偏、集电结反偏;AB 两端的电压是 _____________A、U A=3.5V , U B=3.5V , D 截止;n-JkB、U A=3.5V, U B=1.0V , D 截止；C、U A=1.0V, U B=3. 5V , D 导通;D、U A=1.0V , U B=1. 0V, D 截止。
10、稳压二极管在电路中的接法，正确的说法是_________________________ 。
A、稳压管是正向并接在电路中，即稳压管正极接电路中电源的正极，负极接电源的负极；B、稳压管是反向并接在电路中，即稳压管正极接电路中电源的负极，负极接电源的正极；C、稳压管是正向串接在电路中，即稳压管正极串接电路中电源的高电位，负极接电源的低电位。
D、稳压管是反向串接在电路中，即稳压管正极串接电路中电源的低电位，负极接电源的高电位。
11、电路如下图所示，当电路输入端的电压发生变化时，会引起输出电压的变化，则下列四种变化中正确的是________________________A、U— U4T |W— |R—U R—UH；B、U U O I W J T I R U R U O J;C、U ff U O J T I W J T I R ff U R ff U O J；D、U ff U O J T I W J T I R J T U R J T U O J。
12、对于三极管放大作用来说，下列说法中最确切的是________________________A、三极管具有电压放大作用；B、三极管具有功率放大作用；C、三极管具有电流放大作用；D、三极管具有能量放大作用。
13、对于二极管来说，下列说法中错误的是A、二极管具有单向导电性；C、二极管具有箝位功能；14、对于三极管的输入特性，下列说法正确的是A、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与B、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与C、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与D、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与15、下图中两只二极管的导通状态是__________A、D1、D2 导通；B、D1、D2截止; B、二极管同样具有放大作用;D、二极管具有开关等功能。
Ube之间的关系；Uce之间的关系；Ic之间的关系；Ie之间的关系；3VC 、D 1导通、D 2截止； D 、D 1截止、D 2导通。
16、下图中二极管为理想二极管，则输出电压是 A 、U AO =15V ; B 、U AO =12V ; C 、U AO = -15V ;D 、U AO = -12 V 。
17、下图中二极管为理想二极管，则输出电压是 A 、U AO =15V ； B 、U AO =12V ； C 、U AO = -12V ；D 、U AO = 0V 。
，23、对于3AG11C 三极管的型号，下列说法正确的是 A 、锗管PNP 型高频小功率晶体管； B 、锗管PNP 型低频大功率晶体管； C 、硅管NPN 型高频小功率晶体管；D 、硅管NPN 型低频大功率晶体管;EH18、 下图中二极管为理想二极管，则输出电压是A 、U AO =6V ;B 、U AO = £V ;C 、U AO = -12V ;D 、U AO =12V 。
19、 金属导体的电阻率随温度升高而 ______ ,半导体的导电能力随温度的升高而 ______C 、升高/降低；D 、降低/升高20、下列是 PN 结两端的电位值，使 PN 结导通的是 _______________________ A 、 P 端接+5V , N 端通过一电阻接+7V ; B 、 N 端接+2V , P 端通过一电阻接+7V ; C 、 P 端接一3V , N 端通过一电阻接+7V ; D 、P 端接+1V , N 端通过一电阻接+6V 。
21、电路如图所示，R=1K Q ,设二管导通时的管压降为 0.5V ，则电压表的读数是 ______A 、0.5V ; C 、3V ;22、如图所示, B 、15V ; D 、以上答案都不对。
£6V设输入信号U i 为正弦波，幅值为1V ,二极管导通时正向电压降— 0.6V , 关于输出信号U 0波形的说法，正确的是 _________________ A 、 输出电压值的范围介于 B 、 输出电压值的范围介于 C 、 输出电压值的范围介于 -0.6V — +0.6V 之间; -0V — +0.6V 之间； -0.6V — 0V 之间；D 、输出电压值的范围介于 0V — 1V 之间。
-----Ik -4——fl24、对于3DD80C 三极管的型号，下列说法正确的是 ________________ 。
A 、锗管PNP 型高频小功率晶体管；B 、锗管PNP 型低频大功率晶体管；C 、硅管NPN 型高频小功率晶体管；D 、硅管NPN 型低频大功率晶体管;25、对于3DG12C 三极管的型号，下列说法正确的是 ____________________ 。
A 、锗管PNP 型高频小功率晶体管；B 、锗管PNP 型低频大功率晶体管;C 、硅管NPN 型高频小功率晶体管；D 、硅管NPN 型低频大功率晶体管26、对于3AD30B 三极管的型号，下列说法正确的是 _____________________ 。
A 、锗管PNP 型高频小功率晶体管； B 、锗管PNP 型低频大功率晶体管; C 、硅管NPN 型高频小功率晶体管；D 、硅管NPN 型低频大功率晶体管27、场效应管属于 ____________ 控制型器件，晶体三极管则属于 A 、电压/电流；B 、电流/电压；C 、电压/电压;28、电路其如图所示， D 为理想二极管，则 u o 为。
A 、3V ；B 、6V ；C 、-3V ；D 、-6V 。
29、电路如下图所示，已知 Rb=10K Q, Rc=1K Q, Ec=10V ,晶体管的 3 =50 Ube=0.7V ，当 Ui=OV 时， 三极管处于 ______________________________ 。
A 、截止状态；B 、放大状态；C 、饱和状态；D 、击穿状态。
、判断下列说法是否正确，用“ V ”和“ X ”表示判断结果填入空内。
(1 )在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为 (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
()(3) PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
()(4 )处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
()(5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其 R GS大的特点。
()(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。
()_________ 控制器件。
D 、电流/电流P 型半导体。
()三、写出下图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压~~——?D 2 V*R\\ 认斗四、已知稳压管的稳压值 U z = 6V ，稳定电流的最小值 I zmin = 5mA 。
求下图所示电路中U °i和U O2各为多少伏。
2-<?+%(a)4-五、作图分析题1、电路如图所示，已知U i = 10sin® t（v），试画出U i与U O的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
o--------------- ---------d2、电路如图（a）所示，其输入电压U II和U i2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D =0.7V。
试画出输出电压U O的波形，并标出幅值。
6U何。