电学半导体器件基础测试题
半导体器件基础习题答案(完美版)
p n ND N A n / 2 n ND 0 N D n / 2 ni / 2 0.707 1013 / cm 3
2.17 Q: 求在下列条件下，均匀掺杂硅样品中平衡状态的空穴和电子浓度： 1. T 300K , N A N D , N D 1015 / cm3 A: T 300 K , ni 1010 / cm 3
可认为是本征半导体 n p ni 1016 / cm 3
2.21 Q:编写计算机程序, 画出类似图 2.21 的 Ef－Ei 与 NA 或 ND 的变量关系。
（注：本题及以下相关题目的 matlab 程序不是标准答案，仅供参考！ ）
1062109053 杨旭一整理 （仅供参考）
3
gv ( E )[1 f ( E )]
f (E)
1 1 e
( E E F ) / kT
e ( E EF ) / kT , E EF 3kT
gc (E) f (E)
* * mn 2mn ( E Ec ) ( E EF ) / kT e 2 3 * * mn 2mn 2 3
1062109053 杨旭一整理 （仅供参考） 2
半导体器件习题答案
(e) Q: 非简并锗样品，在平衡条件下温度保持在接近室温时，已知： ni 1013 / cm3 , n 2 p, N A 0 求 n 和 ND A: 由非简并，得 n 2 np n 2 / 2 n 2n 1.414 1013 / cm3
(f) 温度趋向于 0 K 时，受主对多数载流子空穴的冻结 (g) 在不同能带上载流子的能量分布 (h) 本征半导体
(i) n 型半导体
(j) p 型半导体
半导体物理与器件考核试卷
B.硅化
C.硼化
D.镍化
17.在半导体工艺中，以下哪些步骤属于前道工艺？（）
A.光刻
B.蚀刻
C.离子注入
D.镀膜
18.以下哪些材料常用于半导体器件的互连？（）
A.铝
B.铜导线
C.镓
D.硅
19.在半导体物理中，以下哪些现象与载流子的复合有关？（）
A.发射
B.复合
C.陷阱
D.所有上述现象
20.以下哪些因素会影响半导体激光器的阈值电流？（）
半导体物理与器件考核试卷
考生姓名：__________答题日期：__________得分：__________判卷人：__________
一、单项选择题（本题共20小题，每小题1分，共20分，在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的）
1.半导体的导电性能介于导体和绝缘体之间，主要因为其（）
C. Nitrogen（氮的）
D. Excess electrons（过剩电子）
5. P-N结在反向偏置时，其内部的电场强度（）
A.减小
B.增大
C.消失
D.不变
6.以下哪个不是太阳能电池的工作原理？（）
A.光电效应
B.热电效应
C.光生伏特效应
D.量子效应
7.在MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）中，MOS电容的C-V特性曲线中，积累区对应于（）
18. A, B
19. D
20. D
三、填空题
1.禁带
2.电子
3.降低
4.金属-氧化物-半导体
5.温度
6.栅氧化层质量
7.紫外光
8.能级
9.玻尔兹曼分布
10.温度
半导体基础知识单选题100道及答案解析
半导体基础知识单选题100道及答案解析1. 半导体材料的导电能力介于（）之间。
A. 导体和绝缘体B. 金属和非金属C. 正电荷和负电荷D. 电子和空穴答案：A解析：半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。
2. 常见的半导体材料有（）。
A. 硅、锗B. 铜、铝C. 铁、镍D. 金、银答案：A解析：硅和锗是常见的半导体材料。
3. 在纯净的半导体中掺入微量的杂质，其导电能力（）。
A. 不变B. 减弱C. 增强D. 不确定答案：C解析：掺入杂质会增加载流子浓度，从而增强导电能力。
4. 半导体中的载流子包括（）。
A. 电子B. 空穴C. 电子和空穴D. 质子和中子答案：C解析：半导体中的载流子有电子和空穴。
5. P 型半导体中的多数载流子是（）。
A. 电子B. 空穴C. 正离子D. 负离子答案：B解析：P 型半导体中多数载流子是空穴。
6. N 型半导体中的多数载流子是（）。
A. 电子B. 空穴C. 正离子D. 负离子答案：A解析：N 型半导体中多数载流子是电子。
7. 当半导体两端加上电压时，会形成（）。
A. 电流B. 电阻C. 电容D. 电感答案：A解析：电压作用下，半导体中有电流通过。
8. 半导体的电阻率随温度升高而（）。
A. 增大B. 减小C. 不变D. 先增大后减小答案：B解析：温度升高，载流子浓度增加，电阻率减小。
9. 二极管的主要特性是（）。
A. 单向导电性B. 放大作用C. 滤波作用D. 储能作用答案：A解析：二极管具有单向导电性。
10. 三极管的三个电极分别是（）。
A. 基极、发射极、集电极B. 正极、负极、地极C. 源极、漏极、栅极D. 阳极、阴极、控制极答案：A解析：三极管的三个电极是基极、发射极、集电极。
11. 场效应管是（）控制器件。
A. 电流B. 电压C. 电阻D. 电容答案：B解析：场效应管是电压控制型器件。
12. 集成电路的基本制造工艺是（）。
A. 光刻B. 蚀刻C. 扩散D. 以上都是答案：D解析：光刻、蚀刻、扩散都是集成电路制造的基本工艺。
半导体器件基础测试题
半导体器件基础测试题第一章半导体器件基础测试题（高三）姓名班次分数一、选择题1、N型半导体是在本征半导体中加入下列物质而形成的。
A、电子；B、空穴；C、三价元素；D、五价元素。
2、在掺杂后的半导体中，其导电能力的大小的说法正确的是。
A、掺杂的工艺；B、杂质的浓度：C、温度；D、晶体的缺陷。
3、晶体三极管用于放大的条件，下列说法正确的是。
A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；4、晶体三极管的截止条件，下列说法正确的是。
A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；5、晶体三极管的饱和条件，下列说法正确的是。
A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；6、理想二极管组成的电路如下图所示，其AB两端的电压是。
A、—12V；B、—6V；C、+6V；D、+12V。
7、要使普通二极管导通，下列说法正确的是。
A、运用它的反向特性；B、锗管使用在反向击穿区；C、硅管使用反向区域，而锗管使用正向区域；D、都使用正向区域。
8、对于用万用表测量二极管时，下列做法正确的是。
A、用万用表的R×100或R×1000的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；B、用万用表的R×10K的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；C、用万用表的R×100或R×1000的欧姆，红棒接正极，黑棒接负极，指针偏转；D、用万用表的R×10，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；9、电路如下图所示，则A、B两点的电压正确的是。
A、U A=3.5V，U B=3.5V，D截止；B、U A=3.5V，U B=1.0V，D截止；C、U A=1.0V，U B=3.5V，D导通；D、U A=1.0V，U B=1.0V，D截止。
半导体基础知识习题
半导体基础知识习题一、填空题1．半导体是一种导电能力介于________与__________之间的物质，最常用的半导体材料有__________和___________。
2．N型半导体中多数载流子是_________，P型半导体中多数载流子是_________。
3．PN结的正向接法为：P区接电源______极，N区接电源______极。
4．PN结具有____________性能，即加正向电压时，PN结_______；加反向电压时，PN结_________。
二、判断题( )1．半导体的导电能力随外界温度、光照或掺入杂质不同而显著变化。
( )2．P型半导体中多数载流子是空穴且带正电。
( )3．在半导体内部，只有电子能传导电流。
三、选择题1．半导体内的载流子是（）。
A．空穴B．自由电子C．自由电子与空穴2.半导体少数载流子产生的原因是（）。
A．外电场B．掺杂C．热激发3．PN结最大的特点具有（）。
A．不导电性 B．单向导电性 C．双向导电性4．煤气报警器中使用的半导体器件是利用了半导体的（）。
A．光敏特性B．气敏特性C．热敏特性5．当温度升高时，半导体电阻将（）。
A．增大B．减少C．不变四、问答题1．半导体材料有那些特性？2．Ｐ型半导体与Ｎ型半导体中的多数载流子各是什么？参考答案半导体基础知识一、填空题1．导体，绝缘体，硅，锗2．电子，空穴3．正，负4．单向导电，导通，截止二、判断题1．（√）2．（√）3．（×）三、选择题1．(C) 2．(B) 3．（B） 4．（B ） 5．(B)四、问答题1．答：半导体物质的重要特性是：（1）导电能力介于导体和绝缘体之间；（2）在温度低到绝对零度且没有外界的能量激发时，相当于绝缘体。
（3）掺杂性和热激发性。
2．答：P型半导体中多数载流子为空穴。
N型半导体中多数载流子为自由电子。
3．答：当P型半导体和N型半导体结合在一起时，在其交界面两侧，由于电子和空穴的浓度相差悬殊，所以在N区中的多数载流子电子向P区扩散；同时，P区的多数载流子也要向N区扩散，当电子和空穴相遇时，将发生复合而消失，于是，在交界面两侧形成一个由不能移动的正负离子所组成的空间电荷区，也就是PN结。
模电第1章 半导体器件练习(有答案)教学文案
模电第1章半导体器件练习2016(有答案)二极管和三极管练习题1、N型半导体中的多数载流子是( A )，而P型半导体中的多数载流子是( B )。
A.自由电子B.空穴C.正离子D. 负离子2、要得到P型半导体，可在本征半导体硅或锗中掺入少量的( A )，要得到N 型半导体，则需要掺入少量的( C )。
A.三价元素B.四价元素C.五价元素D.六价元素3、杂质半导体中多数载流子浓度( B )。
A.只与温度有关B.取决于掺杂浓度，几乎与温度无关C.与温度无关D.与掺杂浓度和温度都无关4、PN结正偏是指( B )。
A.N区电位高于P区B.P区电位高于N区C.与外加电压无关D.P区和N区电位相等5、在常温下，硅二极管的开启电压约为( C )V。
A.0.1B.0.7C.0.5D.0.26、当温度升高时，二极管伏安特性曲线的正向部分( C )，反向特性曲线( B )。
A.上移B.下移C.左移D.右移7、理想二极管模型相当于( A )。
A.一个理想开关B.一个恒压源C.一个动态电阻D.一条斜线8、理想二极管构成的电路如图所示，则（ C ）。
A．V截止U0＝－10VB．V截止U0＝－3VC．V导通U0＝－10VD．V导通U0＝－6V9、由理想二极管构成的电路如图所示，电压U AB=( B )。
A. -3VB. -12VC. 0VD. - 15V10、理想二极管构成的电路如图，则( D )。
A.V截止U0=-4VB.V导通U0=+4VC.V截止U0=+8VD.V导通U0=+12V11、图示电路中，D1、D2为理想二极管，则ao两端的电压为（C）。
A．－3VB．0VC．1VD．4V12、图示电路，二极管VD1，VD2为理想元件，则U AB 为（ C ）伏。
A．－12VB．15VC．0VD．3V13、如图所示电路中的二极管性能均为理想，电路中的电压U AB=（C）。
A.-12VB.-3VC.-15VD.3V14、二极管电路如图所示。
半导体物理基础与器件原理考核试卷
4. 二极管的主要参数包括正向电压和________。
答案：
5. 晶体管的工作状态包括________、饱和和截止。
答案：
6. 场效应晶体管（FET）的输入阻抗比双极型晶体管（BJT）的输入阻抗________。
答案：
7. LED的发光颜色取决于其材料的________。
答案：
8. 太阳能电池的转换效率受到________、材料类型和环境温度等因素的影响。
3. BJT基于电子和空穴的复合与扩散，FET基于电场控制载流子流动。BJT适用于模拟放大，FET适用于数字开关和模拟放大，FET输入阻抗高，开关速度快。
4. 太阳能电池通过光生伏特效应将光能转换为电能。效率受材料类型、表面纹理、环境温度影响。提高效率可通过优化材料、设计表面纹理、使用太阳能跟踪系统等。
11. BD
12. ABCD
13. ABC
14. ABC
15. ABCD
16. ABCD
17. ABC
18. ABCD
19. ABC
20. ABCD
三、填空题
1. 本征
2. 掺杂浓度、温度
3. 反向；正向
4. 反向饱和电流
5. 放大
6. 高
7. 禁带宽度
8. 材料类型、结构设计
9. 光刻胶
10. 与
A. FET有一个栅极，BJT没有
B. BJT有一个基极，FET没有
C. FET的源极和漏极可以互换，BJT不行
D. BJT使用PN结，FET使用金属-半导体结
13. 在MOSFET中，当栅极电压低于阈值电压时，器件处于（ ）状态。
A. 导通
B. 截止
C. 饱和
D. 反向导通
半导体集成电路练习题
半导体集成电路练习题一、基础知识类1. 填空题1.1 半导体材料主要包括________、________和________。
1.2 PN结的正向特性是指________，反向特性是指________。
1.3 MOS晶体管的三个工作区分别是________、________和________。
2. 判断题2.1 半导体集成电路的导电性能介于导体和绝缘体之间。
（）2.2 N型半导体中的自由电子浓度高于P型半导体。
（）2.3 CMOS电路具有静态功耗低的特点。
（）二、数字电路类1. 选择题1.1 TTL与非门电路中，当输入端全部为高电平时，输出为（）。
A. 高电平B. 低电平C. 不确定D. 无法判断A. 与门B. 或门C. 非门D. 异或门A. PMOS管导通时，NMOS管截止B. PMOS管截止时，NMOS管导通C. PMOS管和NMOS管同时导通D. PMOS管和NMOS管同时截止2. 填空题2.1 数字电路中的逻辑门主要有________、________、________和________等。
2.2 半加器是由________和________组成的。
2.3 全加器的三个输入端分别是________、________和________。
三、模拟电路类1. 选择题A. 非反相比例运算放大器B. 反相比例运算放大器C. 电压跟随器D. 差分放大器1.2 在运算放大器电路中，虚短是指________。
（）A. 输入端短路B. 输出端短路C. 输入端与地之间短路D. 输入端与输出端之间短路A. 低通滤波器允许低频信号通过，抑制高频信号B. 高通滤波器允许低频信号通过，抑制高频信号C. 带通滤波器允许一定频率范围的信号通过D. 带阻滤波器允许一定频率范围的信号通过2. 填空题2.1 模拟信号的特点是________、________和________。
2.2 运算放大器的主要参数有________、________和________。
半导体器件的测试方法与设备考核试卷
C.高压击穿测试
D.电容测试
17.在半导体器件的动态测试中，以下哪些参数是需要关注的？（）
A.响应时间
B.稳态误差
C.阶跃响应
D.幅度响应
18.以下哪些测试设备可以用于测试半导体器件的高频特性？（）
A.网络分析仪
B.频谱分析仪
C.信号发生器
D.数字万用表
19.在半导体器件的可靠性和寿命测试中，以下哪些因素是重要的？（）
10.在半导体器件的寿命测试中，以下哪个参数不是考虑的主要因素？（）
A.电流
B.电压
C.频率
D.温度
11.用于测试半导体器件结电容的设备是：（)
A.电桥
B.频率分析仪
C.高阻表
D.逻辑分析仪
12.测试场效应晶体管的漏极电流时，以下哪种条件是不正确的？（）
A.栅源电压固定
B.漏源电压固定
C.栅极开路
D.漏极开路
A.恒温法
B.变温法
C.阶梯升温法
D.快速冷却法
19.下列哪种测试方法不适用于评估半导体器件的绝缘特性？（)
A.高压击穿测试
B.绝缘电阻测试
C.介质损耗角正切测试
D.电流放大系数测试
20.在半导体器件的噪声测试中，以下哪项不是表征噪声的主要参数？（）
A.噪声功率谱密度
B.噪声等效功率
C.噪声温度
D.噪声频率
9.在测试半导体器件的频率特性时，增益带宽积是一个关键的参数。（√）
10.热敏电阻的阻值随温度的升高而减小。（×）
五、主观题（本题共4小题，每题5分，共20分）
1.请简述半导体器件测试中，为什么要对测试设备进行校准，以及校准的主要目的是什么。
半导体材料性质与器件制造基础考核试卷
1.在N型半导体中，主要载流子是空穴。（）
2. PN结在反向偏压下，扩散层会变宽。（）
3.三极管的放大作用主要发生在基区。（）
4.场效应晶体管（FET）与双极型晶体管（BJT）的控制方式相同。（）
5.光刻工艺中，曝光时间越长，光刻胶的曝光量越多。（）
6.半导体器件的掺杂工艺是为了改变其电阻率。（）
7.集成电路的制造过程中，每一层都需要进行光刻。（）
8.硅太阳能电池的工作原理基于热电效应。（）
9.在集成电路设计中，布线是设计过程中的最后一步。（）
10.半导体器件的失效通常是由于过电压引起的。（）
五、主观题（本题共4小题，每题5分，共20分）
1.请简述半导体材料的基本性质，并说明这些性质如何影响半导体器件的性能。
D.制备金属电极
15.以下哪种材料常用作半导体器件的绝缘层？（）
A.硅
B.氧化硅
C.硼
D.砷化镓
16.在半导体器件中，金属化的作用是（）
A.提供载流子
B.提供电接触
C.提高热导率
D.提高机械强度
17.以下哪种器件主要用于放大信号？（）
A.二极管
B.三极管
C.电阻
D.电容
18.场效应晶体管（FET）与双极型晶体管（BJT）的主要区别在于（）
12.光刻工艺中，光源波长对光刻分辨率的影响是（）
A.波长越短，分辨率越高
B.波长越长，分辨率越高
C.波长与分辨率无关
D.波长取决于分辨率
13.以下哪种掺杂元素主要用于制作N型半导体器件？（）
A.硼
B.磷
C.砷
D.锗
半导体器件(附答案)
第一章、半导体器件（附答案）一、选择题1．PN 结加正向电压时，空间电荷区将 ________A. 变窄B. 基本不变C. 变宽2．设二极管的端电压为 u ，则二极管的电流方程是 ________ A. B. C.3．稳压管的稳压是其工作在 ________A. 正向导通B. 反向截止C. 反向击穿区4．V U GS 0=时，能够工作在恒流区的场效应管有 ________A. 结型场效应管B. 增强型 MOS 管C. 耗尽型 MOS 管5．对PN 结增加反向电压时，参与导电的是 ________A. 多数载流子B. 少数载流子C. 既有多数载流子又有少数载流子6．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量 _____A. 增加B. 减少C. 不变7．用万用表的 R × 100 Ω档和 R × 1K Ω档分别测量一个正常二极管的正向电阻，两次测量结果 ______A. 相同B. 第一次测量植比第二次大C. 第一次测量植比第二次小8．面接触型二极管适用于 ____A. 高频检波电路B. 工频整流电路|9．下列型号的二极管中可用于检波电路的锗二极管是： ____A. 2CZ11B. 2CP10C. 2CW1110．当温度为20℃时测得某二极管的在路电压为V U D 7.0=。
若其他参数不变，当温度上升到40℃，则D U 的大小将 ____A. 等于B. 大于C. 小于11．当两个稳压值不同的稳压二极管用不同的方式串联起来，可组成的稳压值有 _____A. 两种B. 三种C. 四种12．在图中，稳压管1W V 和2W V 的稳压值分别为6V 和7V ，且工作在稳压状态，由此可知输出电压O U 为 _____A. 6VB. 7VC. 0VD. 1V13．将一只稳压管和一只普通二极管串联后，可得到的稳压值是（ ）A. 两种B. 三种C. 四种14．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 __（1）__，而少数载流子的浓度与 __（2）__有很大关系。
(完整word版)常用半导体元件习题及答案
第5章常用半导体元件习题5.1晶体二极管一、填空题：1．半导体材料的导电能力介于和之间，二极管是将封装起来，并分别引出和两个极。
2．二极管按半导体材料可分为和，按内部结构可分为＿和，按用途分类有、、四种。
3．二极管有、、、四种状态，PN 结具有性，即。
4．用万用表（R×1K档）测量二极管正向电阻时，指针偏转角度，测量反向电阻时，指针偏转角度。
5．使用二极管时，主要考虑的参数为和二极管的反向击穿是指。
6．二极管按PN结的结构特点可分为是型和型。
7．硅二极管的正向压降约为 V，锗二极管的正向压降约为 V；硅二极管的死区电压约为 V，锗二极管的死区电压约为 V。
8．当加到二极管上反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象称为现象。
9．利用万用表测量二极管PN结的电阻值，可以大致判别二极管的、和PN结的材料。
二、选择题：1. 硅管和锗管正常工作时，两端的电压几乎恒定，分别分为( )。
A.0.2-0.3V 0.6-0.7VB. 0.2-0.7V0.3-0.6VC.0.6-0.7V 0.2-0.3VD. 0.1-0.2V0.6-0.7V的大小为( )。
2.判断右面两图中，UABA. 0.6V 0.3VB. 0.3V 0.6VC. 0.3V 0.3VD. 0.6V 0.6V3.用万用表检测小功率二极管的好坏时，应将万用表欧姆档拨到（）Ω档。
A.1×10B. 1×1000C. 1×102或1×103D. 1×1054. 如果二极管的正反向电阻都很大，说明 ( ) 。
A. 内部短路B. 内部断路C. 正常D. 无法确定5. 当硅二极管加0.3V正向电压时，该二极管相当于( ) 。
A. 很小电阻B. 很大电阻C.短路D. 开路6．二极管的正极电位是-20V，负极电位是-10V，则该二极管处于（）。
A．反偏 B．正偏 C．不变D. 断路7．当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）A．增大 B．减小 C．不变D. 不确定8．PN结的P区接电源负极，N区接电源正极，称为（）偏置接法。
(完整版)半导体器件物理试题库.docx
西安邮电大学微电子学系商世广半导体器件试题库常用单位：在室温（ T = 300K ）时，硅本征载流子的浓度为n i = 1.510×10/cm3电荷的电量 q= 1.6 ×10-19Cn2/V sp2/V s μ=1350 cmμ=500 cmε0×10-12F/m=8.854一、半导体物理基础部分（一）名词解释题杂质补偿：半导体内同时含有施主杂质和受主杂质时，施主和受主在导电性能上有互相抵消的作用，通常称为杂质的补偿作用。
非平衡载流子：半导体处于非平衡态时，附加的产生率使载流子浓度超过热平衡载流子浓度，额外产生的这部分载流子就是非平衡载流子。
迁移率：载流子在单位外电场作用下运动能力的强弱标志，即单位电场下的漂移速度。
晶向：晶面：（二）填空题1．根据半导体材料内部原子排列的有序程度，可将固体材料分为、多晶和三种。
2．根据杂质原子在半导体晶格中所处位置，可分为杂质和杂质两种。
3．点缺陷主要分为、和反肖特基缺陷。
4．线缺陷，也称位错，包括、两种。
5．根据能带理论，当半导体获得电子时，能带向弯曲，获得空穴时，能带向弯曲。
6．能向半导体基体提供电子的杂质称为杂质；能向半导体基体提供空穴的杂质称为杂质。
7．对于 N 型半导体，根据导带低E C和 E F的相对位置，半导体可分为、弱简并和三种。
8．载流子产生定向运动形成电流的两大动力是、。
9．在 Si-SiO 2系统中，存在、固定电荷、和辐射电离缺陷 4 种基本形式的电荷或能态。
10．对于N 型半导体，当掺杂浓度提高时，费米能级分别向移动；对于P 型半导体，当温度升高时，费米能级向移动。
（三）简答题1．什么是有效质量，引入有效质量的意义何在？有效质量与惯性质量的区别是什么？2．说明元素半导体Si 、 Ge中主要掺杂杂质及其作用？3．说明费米分布函数和玻耳兹曼分布函数的实用范围？4．什么是杂质的补偿，补偿的意义是什么？（四）问答题1．说明为什么不同的半导体材料制成的半导体器件或集成电路其最高工作温度各不相同？要获得在较高温度下能够正常工作的半导体器件的主要途径是什么？（五）计算题1．金刚石结构晶胞的晶格常数为a，计算晶面（ 100）、（ 110）的面间距和原子面密度。
半导体试题及答案
半导体试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 半导体材料的导电性介于金属和绝缘体之间，这是因为：A. 半导体材料内部存在大量的自由电子B. 半导体材料内部存在大量的空穴C. 半导体材料的能带结构D. 半导体材料的晶格结构答案：C2. 下列哪种掺杂方式可以增加半导体的导电性？A. N型掺杂B. P型掺杂C. 同时进行N型和P型掺杂D. 不进行任何掺杂答案：A3. 半导体的PN结在正向偏置时，其导通的原因是：A. 电子从P区注入N区B. 空穴从N区注入P区C. 电子和空穴的复合D. 电子和空穴的注入答案：D4. 半导体器件中，晶体管的放大作用主要依赖于：A. 基极电流B. 发射极电流C. 集电极电流D. 所有电流的总和5. 下列哪种材料不适合作为半导体材料？A. 硅B. 锗C. 铜D. 砷化镓答案：C6. 半导体器件的最小特征尺寸缩小，可以带来以下哪些好处？A. 降低成本B. 提高速度C. 减少功耗D. 所有以上答案：D7. 在半导体工艺中，光刻技术主要用于：A. 制造晶体管B. 制造集成电路C. 制造绝缘体D. 制造导线答案：B8. 半导体的能带理论中，价带和导带之间的区域被称为：A. 能隙B. 能级C. 能带D. 能区答案：A9. 下列哪种半导体器件具有记忆功能？B. 晶体管C. 存储器D. 逻辑门答案：C10. 半导体器件的热稳定性主要取决于：A. 材料的热导率B. 器件的散热设计C. 器件的制造工艺D. 所有以上答案：D二、多项选择题（每题3分，共15分）1. 半导体材料的特性包括：A. 导电性B. 绝缘性C. 半导体性D. 磁性答案：AC2. 下列哪些因素会影响半导体器件的性能？A. 温度B. 湿度C. 光照D. 电压答案：ABC3. 半导体器件的类型包括：A. 二极管B. 晶体管C. 集成电路D. 电阻答案：ABC4. 下列哪些是半导体材料的掺杂元素？A. 硼B. 磷C. 铜D. 锗答案：AB5. 在半导体工艺中，下列哪些步骤是必要的？A. 清洗B. 氧化C. 蒸发D. 抛光答案：ABC三、填空题（每题2分，共20分）1. 半导体材料的导电性主要依赖于______。
常用半导体器件及应用单元测验(附答案)
8 B
9 A
10 C
1.半导体中传导电流的载流子是（ ） 。 A.电子 B.空穴 C.自由电子和空穴 D.杂质离子 2.P 型半导体中的多数载流子是（ ） A.自由电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子 3.晶体二极管正极电位是-8V，负极电位是-3V，则二极管处于（ ） 。 A.零偏 B.反偏 C.正偏 D.以上答案都不对 4.共射极放大器的输入信号加在三极管的（ ）之间。 A.基极和射极 B.基极和集极 C.射极和集极 D.电源和基极 5.在共射极放大电路中，输出电压与输入电压的关系是（ ） 。 A.相位相同，幅度增大 B.相位相反，幅度增大 C.相位相同，幅度近似相等 D.幅度增大 6.晶体三极管发射结正偏，集电结正偏时，处于（ ）状态。 A.放大 B.饱和 C.截止 D.微导通 7.三极管处于放大状态时，其电流分配关系为（ ） 。 A. I E I B I C B. I C I B C. I B I C I E D. I C I B I E 8.晶体三极管的穿透电流 ICEO 的大小体现了三极管的（ ） A.工作状态 B.温度稳定性 C.放大能力 D.质量好坏 9.对于 NPN 型晶体三极管处于放大时各极电位的关系应满足( )。 A. VC VB VE B. VC VB VE C. VC VE VB D. VC VE VB 10.已知某三极管的极限参数分别为 ICM=600mA，PCM=2W，V(BR)CEO=20V，以下哪个工作状态， 三极管能正常工作？（ ） A.IC=500mA，VCE=25V B.IC=800mA，VCE=10V C.IC=30mA，VCE=15V D.IC=200mA，VCE=12V
L 解： （1）V2=0.45 =
V
IL R L 0.45
半导体培训测试
半导体培训测试（100分）1、姓名【填空题】________________________2、工号【填空题】________________________一、单选题3、1、自然界的物质、材料按导电能力大小可分哪些种类。
【单选题】（3分）A.A、导体B.B、半导体C.C、绝缘体D.D、以上三项都是正确答案: D4、2、选出下列属于半导体材料的选项。
【单选题】（3分）A.A、硅B.B、锗C.C、砷化镓D.D、以上三项都是正确答案: D5、3、当前半导体行业研究的热门话题low-K材料是什么？【单选题】（3分）A.A、低介电常数材料B.B、所有半导体材料C.C、光刻胶材料D.D、以上三项都是正确答案: A6、4、低介电常数材料或称low-K材料的介电常数通常是多少以下？【单选题】（3分）A.A、介电常数k≤2.8B.B、介电常数k≤3.9C.C、介电常数k≤1D.D、以上三项都是正确答案: D7、5、晶圆的的8、12英寸是是什么参数指标？【单选题】（3分）A.A、重量B.B、材料系数C.C、晶圆直径D.D、晶圆厚度正确答案: C8、6、硅晶圆材料主要来源什么物资的提炼？【单选题】（3分）A.A、沙子B.B、植物C.C、石油D.D、海水正确答案: A9、7、晶体管实质上有哪几部分由组成？【单选题】（3分）A.A、漏极（Drain）B.B、源极（Source）C.C、栅极（Gate）D.D、以上三项都是正确答案: D10、8、晶圆制造工艺中、芯片电路内纳米架构是晶体管越小越好，栅极的最小宽度就是工艺制程中的X 纳米，那么以下哪些选项是我们加工所谓的LOW-K材料？【单选题】（3分）A.A、45nm-32nmB.B、28nm-14nm，C.C、10nm-7nmD.D、以上三项都是正确答案: D11、9、选出硅片从原材料到成型的加工工序。
【单选题】（3分）A.A、冶金熔融B.B、拉直长晶C.C、晶棒切片D.D、以上三项都是正确答案: D12、10、烧蚀激光切割机的加激光属于什么光？【单选题】（3分）A.A、日光B.B、紫外光C.C、红外光D.D、黄光正确答案: B二、多选题13、11、半导体工厂的生产环境要求包括以下哪些？【多选题】（5分）A.A、恒温B.B、恒湿C.C、ESD 防护D.D、防火正确答案: ABC14、12、下列不属于IC封装生产工序的是。
半导体器件考试试卷(电工电子技术大学专业试卷)
半导体器件考试试卷一、填空题1、半导体之所以得到广泛的应用，是因为它具有_________性、_________性、_________性。
2、在半导体中，同时存在着_________导电和_________导电，这是半导体导电方式的主要特点。
3、P 型半导体中多数载流子是__ _____ ,少数载流子是__ _____ ；N 型半导体中多数载流子是__ _____, 少数载流子是__ _____ 。
4、半导体中的多数载流子主要是__ _____形成的，少数载流子一定是__ _____形成的。
5、PN 结的__ _____区接高电位，而__ _____区接低电位，称为PN 结正向偏置，则PN 结__ _____。
6、硅二极管的死区电压约为__ _____伏，正向导通电压约为__ _____伏；锗二极管死区电压约为__ _____伏，正向导通电压约为__ _____伏。
．7、二极管的正向电流是由__ _____载流子的__ _____运动形成的；而反向电流则是由__ _____ 载流子的__ _____运动形成的。
8、稳压管工作在特性曲线的__ _____区，其在电路中的接法为：稳压管的阴极应接电源的__ _____极。
9、整流作用是利用二极管的__ _____特性工作的，稳压管是利用二极管__ _____特性工作的 。
10、在模拟电路中，三极管通常工作在__ _____状态。
在数字电路中，三极管通常工作在__ _____状态和__ _____状态，其作用相当于__ _____。
11、三极管的输出特性分为三个工作区，分别是__ _____、__ _____、__ _____。
12、晶体管工作受温度影响是由于温度变化__ _____浓度变化所致 。
二、 单项选择题1、在电路中测出三极管三个电极对地电位如图2-1所示，则该三极管处于( )状态。
A ．截止状态B ．放大状态C ．饱和状态2、在图2-2所示电路中，设稳压管1Z D 的稳压值为7伏，稳压管2Z D 的稳压值为6伏，两管的正向导通电压均为0.6伏，在i U =20V 时，输出电压O U 的值为 ( )。
半导体与电子学测试题
半导体与电子学测试题
题目一：半导体基础知识
1. 什么是半导体？它与导体和绝缘体有何不同？
2. 简述半导体材料的能带结构和载流子类型。
3. 什么是PN结？它的特性是什么？如何改变PN结的导电性？
4. 请解释PN结的正向偏置和反向偏置的区别。
5. 什么是半导体的掺杂？N型和P型半导体的掺杂元素是什么？
题目二：半导体器件
1. 请简述二极管的结构和工作原理。
2. 解释什么是整流器和稳压二极管。
3. 请说明MOSFET和BJT的主要区别，并分别描述它们的结构和工作原理。
4. 什么是集成电路？请描述它的主要类型和制作工艺。
5. 简要介绍一下光电子器件和传感器的应用领域。
题目三：数字电子学
1. 什么是布尔代数？简述布尔代数的基本运算和定理。
2. 解释逻辑门的功能和布尔代数与逻辑门的关系。
3. 简要介绍一下与门、或门、非门和异或门。
4. 请解释触发器的功能和工作原理，并描述RS触发器和D触发器的特点与应用。
5. 简述计数器和移位寄存器的作用，并解释它们的工作原理。
以上为半导体与电子学测试题，要求您针对每个问题给出详细的回答。
文章不需要额外的标题或小节，仅需按照题目给出的顺序进行回答即可。
请注意语句通顺，表达准确，格式整洁美观。
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第一章半导体器件基础测试题（高三）姓名班次分数一、选择题1、N型半导体是在本征半导体中加入下列____________ 物质而形成的。
A、电子；B、空穴；C、三价元素；D、五价元素。
2、在掺杂后的半导体中，其导电能力的大小的说法正确的是 ________________ 。
A、掺杂的工艺；B、杂质的浓度：C、温度；D、晶体的缺陷。
3、晶体三极管用于放大的条件，下列说法正确的是A、发射结正偏、集电结反偏；C、发射结反偏、集电结正偏；4、晶体三极管的截止条件，下列说法正确的是A、发射结正偏、集电结反偏；C、发射结反偏、集电结正偏；5、晶体三极管的饱和条件，下列说法正确的是A、发射结正偏、集电结反偏；C、发射结反偏、集电结正偏；9、电路如下图所示，则A、B两点的电压正确的是A、U A=3.5V , U B=3.5V , D 截止；B、发射结正偏、集电结正偏;D、发射结反偏、集电结反偏;B、发射结正偏、集电结正偏;D、发射结反偏、集电结反偏;B、发射结正偏、集电结正偏;D、发射结反偏、集电结反偏;6、理想二极管组成的电路如下图所示，其AB两端的电压是A、一12V ;C、+6V ;B、一6V ;D、7、要使普通二极管导通，下列说法正确的是A、运用它的反向特性；C、硅管使用反向区域，而锗管使用正向区域; 锗管使用在反向击穿区；D、都使用正向区8、对于用万用表测量二极管时，下列做法正确的是A、用万用表的B、用万用表的C、用万用表的D、用万用表的R X 100R X 10KR X 100R X 10 ,或R X 1000的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转;的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；或R X 1000的欧姆，红棒接正极，黑棒接负极，指针偏转;黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；A 、D 1、D 2 导通;B 、D 1、D 2 截止;B 、 U A =3.5V , U B =1.0V , D 截止；C 、 U A =1.0V , U B =3.5V ,D 导通； D 、 U A =1.0V ,U B =1.0V , D 截止。
10、稳压二极管在电路中的接法，正确的说法是 _________________________ 。
A 、 稳压管是正向并接在电路中，即稳压管正极接电路中电源的正极，负极接电源的负 极；B 、 稳压管是反向并接在电路中，即稳压管正极接电路中电源的负极，负极接电源的正 极；C 、 稳压管是正向串接在电路中，即稳压管正极串接电路中电源的高电位，负极接电源 的低电位。
D 、 稳压管是反向串接在电路中，即稳压管正极串接电路中电源的低电位，负极接电源 的高电位。
11、电路如下图所示，当电路输入端的电压发生变化时，会引起输出电压的变化，贝U 下列四种变化中正确的是 _______________________________ 。
A 、 U I — U O — |W — |R — U R — U O J ； B 、 U i U O |W I R U R U O J ； C 、 U l fT U O J T |W J T |R fT U R fT U O J ； D 、 U 1 fT U O J T |W J T |R J T U R J T U 0 J 。
12、对于三极管放大作用来说，下列说法中最确切的是 _________________________ A 、三极管具有电压放大作用； B 、三极管具有功率放大作用； C 、三极管具有电流放大作用；D 、三极管具有能量放大作用。
13、对于二极管来说，下列说法中错误的是 ________________________ 。
A 、二极管具有单向导电性； B 、二极管同样具有放大作用; C 、二极管具有箝位功能；D 、二极管具有开关等功能。
14、对于三极管的输入特性，下列说法正确的是 A 、 三极管的输入特性是指三极管的基极电流与 B 、 三极管的输入特性是指三极管的基极电流与 C 、 三极管的输入特性是指三极管的基极电流与 D 、 三极管的输入特性是指三极管的基极电流与15、 下图中两只二极管的导通状态是 __________________Ube 之间的关系; Uce 之间的关系; lc 之间的关系； le 之间的关系；C 、D 1导通、D 2截止; D 、D i 截止、D 2导通。
16、下图中二极管为理想二极管，则输出电压是 __________________ A 、U AO =15V ； B 、U AO =12V ； C 、U AO = -15V ；D 、U AO = -12V 。
17、下图中二极管为理想二极管，则输出电压是 __________________ A 、U AO =15V ； B 、U AO =12V ； C 、U AO = -12V ；D 、U AO = 0V 。
18、下图中二极管为理想二极管，则输出电压是 _________________ A 、U AO =6V ； B 、U AO = - 6V ； C 、U AO = -12V ；D 、U AO =12V 。
19、金属导体的电阻率随温度升高而 ，半导体的导电能力随温度的升高而 _。
A 、升高/升高；B 、降低/降低；C 、升高/降低；D 、降低/ 升高20、下列是 PN 结两端的电位值，使 PN 结导通的是 ______________________ A 、 P 端接+5V , N 端通过一电阻接+7V ； B 、 N 端接+2V , P 端通过一电阻接+7V ； C 、P 端接一3V , N 端通过一电阻接+7V ； D 、P 端接+1V , N 端通过一电阻接+6V 。
21、电路如图所示，R=1K Q,设二管导通时的管压降为0.5V ，则电压表的读数是A 、0.5V ；B 、15V ；C 、3V ；D 、以上答案都不对。
关于输出信号 U 。
波形的说法，正确的是 __________________23、对于3AG11C 三极管的型号，下列说法正确的是 ______________________________ A 、锗管PNP 型高频小功率晶体管； B 、锗管PNP 型低频大功率晶体管； C 、硅管NPN 型高频小功率晶体管；D 、硅管NPN 型低频大功率晶体管;22、如图所示，设输入信号 U i 为正弦波，幅值为1V ,二极管导通时正向电压降为0.6V ,A 、 输出电压值的范围介于B 、 输出电压值的范围介于C 、 输出电压值的范围介于D 、 输出电压值的范围介于-0.6V — +0.6V 之间; -0V — +0.6V 之间； -0.6V — 0V 之间； 0V — 1V 之间。
24、 对于3DD80C 三极管的型号，下列说法正确的是 _________________ 。
A 、锗管PNP 型高频小功率晶体管；B 、锗管PNP 型低频大功率晶体管；C 、硅管NPN 型高频小功率晶体管；D 、硅管NPN 型低频大功率晶体管;25、 对于3DG12C 三极管的型号，下列说法正确的是 _____________________ 。
A 、锗管PNP 型高频小功率晶体管；B 、锗管PNP 型低频大功率晶体管；C 、硅管NPN 型高频小功率晶体管；D 、硅管NPN 型低频大功率晶体管26、 对于3AD30B 三极管的型号，下列说法正确的是 _____________________ 。
A 、锗管PNP 型高频小功率晶体管； B 、锗管PNP 型低频大功率晶体管； C 、硅管NPN 型高频小功率晶体管；D 、硅管NPN 型低频大功率晶体管27、场效应管属于 控制型器晶体三极管则属于控制器件。
A 、电压/电流；B 、电流/电压；C 、电压/电压；D 、电流/电流28、电路其如图所示， D 为理想二极管，则U 0为。
A 、3V ；B 、6V ；C 、-3V ；D 、-6V 。
29、电路如下图所示，已知Rb=10K Q, Rc=1K Q, Ec=10V ,晶体管的 3 =50,Ube=0.7V ，当 Ui=OV 时， 三极管处于 。
A 、截止状态；B 、放大状态；C 、饱和状态；D 、击穿状态。
、判断下列说法是否正确，用“ V ”和“ X ”表示判断结果填入空内。
(1 )在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为 (2 )因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
()(3 ) PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
()(4 )处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
()(5 )结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压, 大的特点。
()(6 )若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。
P 型半导体。
()才能保证其R GS、写出下图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压 U D = 0.7V 。
四、已知稳压管的稳压值 U Z = 6V ，稳定电流的最小值I zmin = 5mA 。
求下图所示电路中 和U O2各为多少伏。
U OIKJV［必(b)II五、作图分析题1、电路如图所示，已知u i = 10sin故（v），试画出U i与U O的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
■0% /?n 叫2、电路如图（a）所示，其输入电压U I1和U I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D = 0.7V。
试画出输出电压U o的波形，并标出幅值。
Ilb)。