用C语言和ARM汇编语言设置SDRAM的惯用方法
c语言调用汇编语言函数的方式
c语言调用汇编语言函数的方式以C语言调用汇编语言函数的方式在编程中，有时需要使用汇编语言来实现一些特定的功能。
但是，由于汇编语言复杂且难以维护，因此我们通常使用高级语言如C语言来编写主要的程序代码。
在这种情况下，我们需要一种方法来调用汇编语言函数，以便在程序中使用它们。
本文将介绍如何使用C 语言调用汇编语言函数。
1. 定义汇编函数我们需要编写一个汇编函数来执行我们需要的操作。
汇编函数可以使用任何汇编语言，但是必须遵循特定的调用约定。
在x86架构中，调用约定指定了函数参数的传递方式、寄存器的使用方式以及栈的使用方式。
以Windows操作系统为例，Windows API使用的是stdcall调用约定，即参数从右往左依次压入栈中，返回值放在EAX寄存器中。
因此，我们需要在编写汇编函数时遵循这个调用约定。
下面是一个使用汇编语言实现计算阶乘的例子：```global factorial ; 导出函数符号section .textfactorial:push ebp ; 保存调用函数的栈帧指针 mov ebp, esp ; 设置当前栈帧指针mov eax, [ebp+8] ; 获取函数参数cmp eax, 1 ; 判断参数是否为1jle .base_case ; 如果是，则返回1dec eax ; 否则，计算(n-1)!push eax ; 保存(n-1)的值call factorial ; 递归调用阶乘函数pop ecx ; 恢复(n-1)的值imul eax, ecx ; 计算n*(n-1)!jmp .done ; 返回结果.base_case:mov eax, 1 ; 如果参数为1，则返回1.done:mov esp, ebp ; 恢复栈指针pop ebp ; 恢复调用函数的栈帧指针 ret ; 返回函数结果```在这个例子中，我们定义了一个名为“factorial”的函数，该函数计算输入参数的阶乘。
arm汇编调用c语言
arm汇编调用c语言在嵌入式系统开发中，ARM汇编语言是一种重要的编程语言，它可以直接操作硬件资源，提高系统的性能和效率。
然而，ARM汇编语言的编写相对复杂，可读性较差，因此在实际开发中，我们通常会使用C语言来编写大部分的代码。
那么，如何在ARM汇编中调用C语言函数呢？本文将介绍一种常用的方法。
首先，我们需要了解一些基本的概念。
在ARM架构中，函数调用的过程可以简化为以下几个步骤：保存寄存器、传递参数、调用函数、恢复寄存器、返回结果。
在ARM汇编中，我们可以使用一些特殊的指令来完成这些操作。
首先，我们需要保存寄存器。
在ARM架构中，R0-R3寄存器用于传递参数，R4-R11寄存器用于保存临时变量。
在调用C语言函数之前，我们需要将这些寄存器的值保存起来，以免被C语言函数修改。
可以使用STMFD指令将这些寄存器的值保存到栈中。
接下来，我们需要传递参数。
在ARM架构中，函数的参数通常通过寄存器传递。
如果参数的个数超过了寄存器的数量，多余的参数将通过栈传递。
可以使用MOV指令将参数的值保存到相应的寄存器中。
然后，我们可以调用C语言函数。
在ARM汇编中，可以使用BL指令来调用函数。
BL指令会将当前函数的返回地址保存到LR寄存器中，并跳转到目标函数的地址。
在C语言函数执行完毕后，可以使用BX LR指令返回到调用函数的地址。
最后，我们需要恢复寄存器。
在调用C语言函数之前，我们将寄存器的值保存到了栈中，因此在函数执行完毕后，需要将这些值从栈中恢复出来。
可以使用LDMFD指令将这些值恢复到相应的寄存器中。
除了上述的基本操作，还需要注意一些细节。
例如，栈的大小需要根据实际情况进行调整，以免发生栈溢出的情况。
另外，C语言函数的返回值通常保存在R0寄存器中，可以使用MOV指令将其保存到其他寄存器中，以便后续的操作。
总结起来，ARM汇编调用C语言函数的过程可以简化为以下几个步骤：保存寄存器、传递参数、调用函数、恢复寄存器、返回结果。
SDRAM的相关时序参数设置
SDRAM的相关时序参数设置SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）是一种高速的内存类型，它与处理器进行同步工作，提供快速的数据传输和读写能力。
SDRAM的性能受到各种时序参数的影响，正确设置这些参数对于系统的稳定性和性能至关重要。
下面将详细介绍SDRAM的各个时序参数及其设置方法。
1. 刷新周期（Refresh Cycle）SDRAM是一种动态存储器，需要定期进行刷新操作。
SDRAM芯片上的一个刷新周期包括多个刷新行为，以保持内存中的数据。
刷新周期由刷新间隔（Refresh Interval）和刷新行数（Number of Refreshes）两个参数决定。
刷新间隔表示两次刷新之间的时间间隔，通常以行数或毫秒计算；刷新行数表示每次刷新执行的行数。
刷新周期的设置应该满足芯片厂商的规格要求，并考虑到系统的稳定性和性能需求。
2. CAS延迟（CAS Latency）CAS延迟是SDRAM的一项重要参数，表示从引脚触发读操作时到真正开始执行读操作之间的时间延迟。
CAS延迟的设置影响总线的延迟时间和读取速度。
较低的CAS延迟值可以提高性能，但可能会增加系统的稳定性问题。
在选择CAS延迟值时，需要根据具体平台的要求和SDRAM芯片的规格进行合理设置。
3. RAS到CAS延迟（RAS to CAS Delay）RAS到CAS延迟表示从行地址选定到列地址选定期间的时间延迟。
它是影响SDRAM读取性能的另一个重要参数。
较低的RAS到CAS延迟值可以提高读取速度，但可能会增加系统稳定性问题。
在设置RAS到CAS延迟值时，需要综合考虑平台要求、SDRAM芯片规格和稳定性需求。
4. 前导延迟（Precharge Delay）前导延迟是指当一个行被关闭之后，必须等待一段时间才能执行新的行访问操作。
较低的前导延迟值可以减少访问延迟，提高系统性能，但可能会增加稳定性问题。
SDRAM原理及应用
SDRAM原理及应用SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) 是一种同步动态随机存取存储器，是当今计算机系统中最常用的存储器之一、它不同于传统的DRAM (Dynamic Random Access Memory)，在访问数据时使用外部的时钟信号来协调存储器和控制器的运行。
1.存储单元：SDRAM由一系列的存储单元组成，每个存储单元都可以存储一个位(0或1)。
每个存储单元由一个电容和一个开关组成，电容负责存储位的值，而开关则负责读取和写入操作。
2.存储组织：SDRAM存储单元按矩阵的形式组织起来，其中每个存储单元都由一个行和一个列地址来标识。
每一行称为一个行地址空间，每一列称为一个列地址空间。
3.数据访问：在进行数据读取或写入操作时，控制器会发送相应的地址信号来选择存储单元。
这个信号包含行地址和列地址，控制器将存储单元的行地址发送给存储器，然后存储单元将该行中的所有存储单元都读取到内部缓冲区。
之后，控制器将列地址发送给存储器，并从内部缓冲区中选择相应的存储单元来读取或写入数据。
4.数据传输：在数据传输过程中，存储单元的电容会充电或放电，以表示数据的值。
读取操作会将电容的电压转换为数字信号，并传送给控制器。
写入操作则将数字信号转换为相应的电压，并充电或放电储存单元的电容。
5.时序控制：SDRAM使用外部时钟信号来控制存储器和控制器的操作，这样可以确保数据的传输和处理都在一个统一的时钟周期内完成。
1.个人计算机：SDRAM是个人计算机中最常用的内存类型。
它具有较高的数据传输速率和容量，可以满足计算机对大量数据的处理需求。
它还具有低功耗和高稳定性的特点，可以有效地提高计算机的性能和响应速度。
2.服务器和工作站：在服务器和工作站中，SDRAM通常用于存储大量的数据和处理复杂的任务。
SDRAM的高速数据传输和高容量存储能力可以帮助服务器和工作站快速处理大量的数据请求，并提供稳定的性能。
ARM中SDRAM的控制
ARM中SDRAM的控制(2012-03-04 18:42:12)转载▼标签：杂谈SDRAM即同步动态RAM：所有输入信号均在时钟上升沿被采样，需要动态刷新保持数据1、重要的连接信号：a、RAS：行地址锁存b、CAS：列地址锁存c、WE：写使能d、DQ0-DQ15：数据总线e、DQML、DQMH：数据I/O屏蔽，读模式下屏蔽输出缓冲，写模式下屏蔽输入缓冲，DQML控制DQ0-DQ7，DQMH控制DQ8—DQ15f、A10连接自动放电2、扩展方式：使用双片级联，将16位数据线扩展为32位，从而与32位CPU匹配，优化SDRAM性能。
扩展后一个地址对应32位，从而一个地址单元以4Byte进行数据访问时，内存会忽略A0和A1，故SDRAM的A0接CPU数据线的A2。
如果需要访问地址偏移为01的单个字节，通过DQML和DQMH信号进行帮助。
3、SDRAM的burst mode：一种利用内部列地址发生器来工作的高速读写模式，只要设置最开始的列地址，后面的地址就可以通过内部的列地址发生器来自动生成。
4、SDRAM的初始化：SDRAM上电后使用前必须要经过一段初始化操作才可以使用。
这个操作过程是标准的过程。
这个过程如下：a、放电（precharge）：关闭存储单元，使存储单元无效。
b、自动刷新（auto-refresh）c、加载模式寄存器（Load Mode Register）d、正常读写在输入precharge命令后，因为必须是对所有BANK进行Precharge，所以A10这个管脚要设置成高，因此在Precharge后面要做一个读的操作，这个操作最主要的是在SDRAM的寻址空间里设置的地址必须是A10是高的。
在输入Auto-refresh命令后，一般要跟几句空操作或者读什么之类的，反正要达到延迟的目的，以使得SDRAM有时间来完成refresh。
之后就是要设置SDRAM的模式寄存器，这个寄存器里一般设置了burst长度，CAS，burst 类型，操作模式，还有是设置SDRAM是工作在单个读写操作还是burst操作下。
sdram用法详解
∙收藏∙评论（0）分享到微博QQ微信LinkedInS3C2440有27根地址线ADDR[26:0]，8根片选信号nGCS0-nGCS7,对应bank0-bank7，当访问bankx的地址空间，nGCSx引脚为低电平，选中外设。
2^27=2^7 * 2^10 * 2^10 = 128Mbyte8*128Mbyte = 1Gbyte所以S3C2440总的寻址空间是1Gbyte。
市面上很少有32位宽度的单片SDRAM，一般选择2片16位SDRAM 扩展得到32位SDRAM.选择的SDARM是HY57V561620F，4Mbit * 4bank *16，共16Mbyte？（后面有解释）两块HY57V561620F并接，构成64M×32bit的SDRAM首先了解下SDRAM的寻址原理。
SDRAM内部是一个存储阵列。
可以把它想象成一个表格。
和表格的检索原理一样，先指定行，再指定列，就可以准确找到所需要的存储单元。
这个表格称为逻辑BANK。
目前的SDRAM基本都是4个BANK。
寻址的流程就是先指定BANK地址，再指定行地址，最后指定列地址。
这就是SDRAM的寻址原理。
存储阵列示意图如下：查看HY57V561620F的资料，这个SDRAM有13根行地址线RA0-RA129根列地址线CA0-CA82根BANK选择线BA0-BA1（4个bank的选择）SDRAM的地址引脚是复用的，在读写SDRAM存储单元时，操作过程是将读写的地址分两次输入到芯片中，每一次都由同一组地址线输入。
两次送到芯片上去的地址分别称为行地址和列地址。
它们被锁存到芯片内部的行地址锁存器和列地址锁存器。
/RAS是行地址锁存信号，该信号将行地址锁存在芯片内部的行地址锁存器中；/CAS是列地址锁存信号，该信号将列地址锁存在芯片内部的列地址锁存器中。
NSCS接到bank6上，决定了SDRAM的物理地址是0x30000000 地址连线如下图：LnSCS0脚接了nGCS6，即接在了bank6上，所以SDRAM的物理地址从0X30000000开始为啥LADDR2接A0呢？@CPU的寻址空间中，仍然是按8bit一个字节为单位操作的@由于SDRAM并接成了32位，即4个字节，这样接使得SDRAM 的最小单位是4个字节，方便32位的读写操作吧为啥LADDR24/25接BA0/1?@ BA1:BA0是SDRAM的最高位，组合选择4个bank中的哪一个@ LADDR0~LADDR25,总共26根地址线，可寻址（2的26次方）64MB为啥一个bank4MB,而容量不是4mb×4bank=16MB是8×4=32MB?@ 13根行地址线+9根列地址线= 22根(4MB)。
C语言与ARM汇编的混合编程
ATPCS概述 9.1 ATPCS概述
3. 参数传递规则
根据参数个数是否固定，可以将子程序分为参数个数固定的 （nonvariadic）子程序和参数个数可变的（variadic）子程序。ATPCS为 这两种子程序规定了不同的参数传递规则。 参数个数可变的子程序参数传递规则 对于参数个数可变的子程序，当参数不超过4个时，可以使用寄存器 R0~R3来传递参数；当参数超过4个时，还可以使用数据栈来传递参数。 在传递参数时，将所有参数看做是存放在连续的内存单元中的字数据。 然后依次将各名字数据传送到寄存器R0、R1、R2、R3中，如果参数多于 4个，将剩余的字数据传送到数据栈中，入栈时低地址优先，即入栈的顺 序与参数顺序相反，最后一个字数据先入栈。 参数个数固定的子程序参数传递规则 参数个数固定的子程序的参数传递规则为：第一个整数参数按序分配给 R0~R3寄存器，剩余的参数按序分配给堆栈。
从汇编代码中访问C 9.3 从汇编代码中访问C程序全局变量
在ARM汇编代码中只能通过地址间接地访问C程序的全局变量。具体访问方法 是先用IMPORT伪操作声明该全局变量，然后用LDR伪指令将该全局变量的地址 读到一个寄存器中，最后根据变量类型用相应的LDR指令读取该变量的值，用相 应的STR指令修改该变量的值。 对无符号变量用以下对应指令： char类型用LDRB/STRB指令； short类型用LDRH/STRH指令； int类型用LDR/STR指令； 注意，这里是指ARM C（armcc编译器），short类型为16位，int类型为32位， 与标准C有所不同。 对于带符号的变量，则用等价的带符号数操作指令，如LDRSB/LDRSH等。 对于小于8个字的结构性变量，可以通过一条LDM/STM指令来读/写整个变量； 对于结构变量的数据成员，可以使用相应的LDR/STR指令来访问，但必须知道该 结构成员相对于结构变量开始地址的偏移量。
arm汇编调用c函数
arm汇编调用c函数在嵌入式领域，arm汇编是一种常用的编程语言。
它可以直接操作硬件，实现高效的程序执行。
而C语言则提供了更高级的抽象和易用性。
在实际开发中，我们往往需要将这两种语言结合起来使用，以充分发挥它们的优势。
在arm汇编中调用C函数是一种常见的需求。
这样可以在汇编程序中使用C函数提供的功能，避免重复编写代码。
下面我们将以arm 汇编调用C函数为主题，介绍如何实现这一过程。
我们需要了解一些基本的汇编语法和C函数调用的规则。
在arm汇编中，函数的调用和返回是通过栈来实现的。
调用方将参数和返回地址压入栈中，然后跳转到被调用函数的入口地址。
被调用函数执行完毕后，将返回值放入特定的寄存器中，并将栈恢复到调用前的状态，最后通过跳转指令返回到调用方。
在C语言中，函数的声明和定义是通过函数原型来完成的。
函数原型包含函数的返回类型、函数名和参数类型。
在调用函数时，需要按照函数原型的规定传递参数，并使用函数返回的值。
在arm汇编中调用C函数的步骤如下：1. 在汇编代码中定义函数原型。
这可以通过使用.extern 或.global指令来实现。
例如，要调用一个名为add的C函数，可以使用如下指令：.extern add2. 在需要调用C函数的地方，使用BL指令跳转到函数入口地址。
BL指令可以将返回地址保存在链接寄存器中，以便函数返回时使用。
例如，要调用add函数，并将参数1和2传递给它，可以使用如下指令：LDR R0, =1LDR R1, =2BL add3. 在C函数中，使用BX LR指令返回到调用方。
BX LR指令可以将链接寄存器中保存的返回地址恢复到程序计数器，并跳转到该地址。
例如，在add函数中，可以使用如下指令：BX LR通过以上步骤，我们就可以在arm汇编中成功调用C函数了。
需要注意的是，汇编代码和C代码之间的调用约定需要保持一致。
这包括参数传递的顺序、寄存器的使用和栈的操作等。
如果不遵守调用约定，可能会导致程序出错或结果异常。
分析ARM外设flash及SDRAM的地址连接
分析ARM外设flash及SDRAM的地址连接分析ARM外设flash及SDRAM的地址连接先提一下位宽的概念，对于具体器件而言，它的位宽是一定的，所谓位宽，指的是“读/写操作时，最小的数据单元”──别说最小单元是“位”，一般设备上没有单独的“位操作”，修改位时通过把整个字节、字或双字读出来、修改，再回写。
AM29L800BB 这种nor flash位宽是16位。
K4S561632C这种SDRAM位宽是32位。
对于CPU来说，一个地址对应的是一个字节（8位），也就是说CPU的地址线（A0~A20）对应的最小数据单元是字节。
这里需要注意的是，不要把“外设的位宽”和“CPU的位数”这两个概念混淆了。
外设的位宽是读写外设的最小数据单元，CPU位数是CPU可以一次处理的字节数，32位CPU 可以一次处理4字节数据。
好了，相信你也已经发现问题了吧。
既然CPU最小数据单元是8位，flash位宽是16位，那在我们写程序时会特意进行16位操作吗？显然不会，我们写代码时，可不管外设到底是多少位。
这是如何实现的呢？原因在于存储控制器（Memory Controller）这个中间层。
存储控制器根据NOR FLASH的位宽，每次总是读/写16位数据。
以读操作为例：CPU进行8位操作时，它选择其中的8位返回给CPU；CPU进行16位操作时，它直接把这16位数据返回给CPU；CPU进行32位操作时，它发起2次读/写，把结果组合成32位返回给CPU。
现在的连线是：CPU的（ADDR1－ADDR20）接到16位的NOR FLASH （A0－A19），即CPU的ADDR0不接──这说明：不管ADDR0是0还是1，NOR FLASH接收到的地址是一样的。
CPU发出地址0bxxxxxxxxx0、0bxxxxxxxxx1时，NOR FLASH 看到的都是0bxxxxxxxxx，返回给存储控制器的都是同一个16位数据。
再由Memory Controller选择其中的低8位或高8位给CPU。
ARM汇编与C语言混合编程
%0 refers to "=r" (result) and %1 refers to "r" (value)
产生的汇编语句：The compiler selected register r3 for bit rotation. It could have selected any other register, though.
一个完整的例子，在gcc上编译通过
int main(void){ const char* a="Hello World!"; char b[20]; int result ,value; value=1; asm("mov %0,%1,ror #1": "=r"(result):"r"(value)); printf("%d\n",result) ; return 1; }
ldr r3, [sp, #0] mov r3, r3, ror #1 str r3, [sp, #4]
You can add the volatile attribute to the asm statement to instruct the compiler not to optimize your assembler code. asm volatile("mov %0, %1, ror #1" : "=r" (result) : "r" (value));
汇编语句模板 汇编语句模板由汇编语句序列组成，语句 之间使用“;”、“\n”或“\n\t”分开。指令中 的操作数可以使用占位符引用C语言变量， 操作数占位符最多10个，名称如下：%0， %1…，%9
(完整版)实验三C语言和ARM汇编混合编程指导书
实验三 C语言和ARM汇编混合编程1. 实验目的掌握C语言和ARM汇编混合编程方法。
2. 实验设备硬件: PC 机一台软件: Windows98/XP/2000 系统, ADS 1.2 集成开发环境3. 实验内容C语言和汇编混合编程, 实现字符串拷贝。
4. 实验预习要求熟悉常用ARM 指令。
了解ADS 工程编辑和AXD 调试方法。
5. 实验步骤（1）启动ADS 1.2, 使用ARM Executable Image 工程模板建立一个工程ProgramC1。
（2）建立源文件STR_COPY.S 和Test.c, 编写实验程序, 然后添加到工程中。
（3）设置工程链接地址RO Base 为0x40000000, RW Base 为0x40003000。
设置调试入口地址Image entry point 为0x40000000。
（4）编译链接工程, 选择【Project】->【Debug】, 启动AXD 进行软件仿真调试。
（5）在Test.c文件中的调用asm_strcpy(的代码处设置断点, 然后全速动行程序。
（6）程序在断点处停止。
使用Setp In 单步运行程序, 观察程序是否转到汇编程序STR_COPY.S。
判断程序的运算结果是否正确。
参考程序见程序清单3.1。
字符串拷贝函数代码见程序清单3.2。
6. 任务说明（一）调试运行“在C代码中嵌入汇编指令”程序, 并记录运行结果：（二）调试运行“汇编程序调用C函数”, 程序, 并记录运行结果:（三）在现有字符串拷贝（C 语言调用汇编程序）源程序的基础上, 实现int类型数据的拷贝。
1）要求:➢ 编写ARM汇编程序并加注释➢ 调试并记录运行结果2）提示: 源数字可用数组定义, 如int s[4];并对数组元素进行初始化,s[0]=1;s[1]=2;s[2]=3;s[4]=0,同样定义目标数组d[4]并初始化为0。
注: 一个int型数字占4个存储单元。
ARM汇编语言与C语言混合编程的实现方法
※吉 首 大 学 校 级 课 题— ——编 号 08JDY028，名 称 ：体 育 信 息 的 组 织及民族传统体育信息共享共建平台的构建。
［责任编辑：汤静］
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（上接第 418 页）族地区的特殊性出发，以琼州大学为大学与中学合作 的龙头，进行实证研究。 以期为具有民族特色的海南省师范院校学生 职前实习模式的建构提供新思路；其次，为琼州大学外语系英语教育 方向毕业生职前实习的开展提供新的契机；第三，为海南省全面推进 新课程改革提供新的切入点。 科
{
int ch；
__asm
{
loop:
LDRB ch, [src], #1
STRB ch, [dst], #1
CMP
ch, #0
BNE
loop
}
}
调用 my_strcpy()的 C 语言代码如下：
int main()
{
char *a = "Happy New Year! ";
char b[64];
my_strcpy(a, b);
作 者 简 介 ：王 应 军 (1979— ）， 男 ，河 南 禹 州 人 ，硕 士 ，讲 师 ，主 要 从 事 模 式 识 别 及图像处理技术的研究。
※基 金 项 目 ：河 南 科 技 学 院 校 选 项 目 基 金 资 助 （06060 ，06055 ）。
［责任编辑：王静］
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（上接第 410 页）
printf("original string: ‘%ed string: ‘%s’\n", b);
return (0)；
}
在这里 C 和汇编之间的值传递是用 C 的指针来实现的， 因为指
ARM汇编语言和C语言混合编程
ARM汇编语言和C语言混合编程一. 在线汇编( in-line assembly)在C代码中插入一段汇编代码，比如while(1){...port=0x00aa55ff;__asm{mov r4,portstr r5,[r4]}...}具体格式为__asm{指令1;指令2;指令3;...指令n;指令n+1;......}其中指令的操作数可以是物理寄存器，也可以是C语言的变量、行号和表达式，这点是比纯汇编最大的的好处（窃以为如斯，比如上面的例子）说到这其实写在线汇编代码的思路就和纯汇编差不多了，但要注意几个问题：1.不能直接向PC赋值实现程序跳转，只能使用B和BL这两条指令2.在线汇编器会使用R0-R3，R12-R13计算表达式，因此复杂的表达式不能和以上寄存器出现在同一条指令中：mov r0,一个复杂的表达式 ----汇编器可能报错mov r5,一个复杂的表达式 ----汇编可以通过3.在线汇编中使用物理寄存器时，如果上下文的C代码也使用了同一个，则不必自己保存和恢复该物理寄存器，C代码会自己负责处理4.尽量不使用物理寄存器，因为a.影响代码效率，很有可能编译器为此把一个本应放在寄存器中的变量放在存储器中.就如同在C中定义局部变量哪个是register的，哪个是volatile的，编译器自己的优化才是最佳的。
b.发生错误：比如...mov r0,#0xaamov r1,x%ymov r2,r0...很可能r2的值不是0xaa,因为在计算表达式x%y时会用到r0，将r0的内容冲掉5.可以使用b指令b 标号; 实现跳转，标号可以时C的也可以是汇编的6.因为要计算表达式的值，所以一条虚拟指令要被展开为若干条真实指令（如上面的mov r1,x%y)因此实际上对标志为C.N.V.Z的影响是展开后最后一条作用的结果，但如果总指令（就是你程序中写的那条虚拟指令）是算术指令，那么能正确设置cv nz, 如果是逻辑指令，那么N.z是正确的，V不影响，C不可靠7.不支持除nop之外的其它伪指令(ADR,ADRL,LDR)8.不支持BX和BLX指令9.LDM和STM指令的寄存器列表只允许物理寄存器，不能用变量和表达式10.逗号表达式要用一个括号扩起来，使其为一个整体add x,y,(f(),z)11.不要干预堆栈当然还有更复杂的规则，比如子程序调用(BL指令)，但我觉得过于繁琐，失去了在线汇编这种简便快捷的风格，如果以上介绍的不能满足你的要求，我建议使用A TPCS规则。
arm汇编（c内嵌汇编及c和汇编互调）
arm汇编（c内嵌汇编及c和汇编互调）C语⾔编译成汇编：arm-linux-gcc -S test.c -o test.SC语⾔编译成可执⾏⽂件：arm-linux-gcc test.c -o test多个⽂件编译链接：arm-linux-gcc –c main.c –o main.oarm-linux-gcc –c abc.S –o abc.oarm-linux-gcc main.o abc.o –o test.o汇编编译两种⽅式：arm-linux-as test.S -o test.oarm-linux-gcc –c test.S –o test.oARM裸机程序编译：arm-linux-gcc -c start.S -o start.oarm-linux-ld -Ttext=0x40000000 start.o -o start.elfarm-linux-objcopy -I elf32-littlearm -O binary start.elf –o start.bin查看代码地址信息：arm-linux-objdump -h testARM反汇编：arm-linux-objdump -D elf_file > dis_file⼀、arm内嵌汇编#include <stdio.h>int main(void){int a = 88;__asm__ __volatile__("mov r0, %1\n""mov r1, #1\n""add %0, r0, r1\n": "=r" (a):"r" (a): "r0", "r1");printf("a = %d\n",a);return 0;}有些知识：a) __asm__（下划线每次两根）：表⽰嵌⼊汇编。
sdram的操作流程
sdram的操作流程SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）是一种同步动态随机访问存储器，是计算机系统中常见的主存储器之一。
它具有高速读写、容量大的特点，被广泛应用于计算机、服务器、手机和其他电子设备中。
下面将介绍SDRAM的操作流程。
一、初始化在使用SDRAM之前，需要进行初始化操作。
首先，需要设置SDRAM 的时钟频率和时序参数。
时序参数包括读写延迟、预充电时间、自刷新周期等。
通过设置这些参数，可以使SDRAM在工作时达到最佳的读写性能。
其次，还需要对SDRAM进行预充电操作，以确保内部电容的充电状态正常。
最后，还需要对SDRAM进行一次自刷新操作，以确保SDRAM内部的数据正确性。
二、读操作在进行读操作时，首先需要将读地址发送给SDRAM。
然后，SDRAM会根据读地址从内部存储单元中读取对应的数据，并将数据输出给CPU或其他设备。
在读操作过程中，还需要将读命令发送给SDRAM，以触发读操作。
读命令包括CAS（Column Address Strobe）命令和RAS（Row Address Strobe）命令，用于选择要读取的列和行。
同时，还需要将读数据的信号线连接到CPU或其他设备，以接收SDRAM输出的数据。
三、写操作在进行写操作时，首先需要将写地址发送给SDRAM。
然后，将要写入的数据发送给SDRAM，并发送写命令，以触发写操作。
写命令也包括CAS命令和RAS命令，用于选择要写入的列和行。
在写操作过程中，还需要将写数据的信号线连接到CPU或其他设备，以接收写入数据的指令。
SDRAM会将写入的数据存储到内部存储单元中，并在写操作完成后发送相应的写完成信号。
四、刷新操作由于SDRAM是一种动态存储器，它的存储单元中的数据会随时间而衰减。
为了保持数据的正确性，需要定期对SDRAM进行刷新操作。
刷新操作是将内存中的数据重新写入内部存储单元，以补偿因衰减而导致的数据丢失。
SDRAM存储器特点及编程
SDRAM存储器特点及编程SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）是一种同步动态随机存取存储器，它是当前主流的计算机内存之一、与传统的DRAM相比，SDRAM具有许多显著特点，并且需要编程来实现其中一些功能。
首先，SDRAM是同步存储器，需要外部时钟信号的控制。
这意味着SDRAM在读写数据时需要与外部时钟同步，以保证数据的正确传输和存储。
这种同步特性使得SDRAM的读写速度更快，可以更好地适应高速数据处理的需求。
其次，SDRAM具有高密度的存储容量。
由于DRAM的存储单元是由电容和晶体管构成的，因此它可以实现更高的集成度，从而提供更大的存储容量，并满足对大容量内存的需求。
当前的SDRAM产品可提供的存储容量从几百兆字节（GB）到数倍的GB级别。
此外，SDRAM具有低功耗特性。
SDRAM采用了复杂的电源管理技术，可以根据不同的数据访问模式及时调整功耗，从而最大限度地降低能耗。
这使得SDRAM在嵌入式系统和移动设备中广泛应用，以延长电池寿命，提高系统运行时间。
SDRAM还具有快速的数据传输速率。
通过提供更高的时钟频率和更宽的总线宽度，SDRAM可以实现更快的数据写入和读取速度。
例如，DDR （Double Data Rate）SDRAM可以在每一个时钟周期内传输两次数据，从而实现更高的传输速率。
这种高速传输速率使得SDRAM成为大型游戏、视频处理和图形渲染等高性能应用的理想选择。
最后，SDRAM的编程是为了实现不同的存储管理功能。
它通常通过SDRAM控制器来实现编程。
编程可以包括以下几个方面：1.行和列地址刷新：SDRAM使用行和列地址来指示存储单元的位置。
定期刷新存储器中的行和列地址是确保数据完整性的重要步骤。
编程时可以设置刷新周期和地址范围来控制刷新操作。
2. CAS延迟和RAS前置时间：CAS（Column Address Strobe）延迟指定了从列地址有效到读取或写入数据的延迟时间。
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用 C 语言和 ARM 汇编语言设置 SDRAM 的惯用方法
用 C 语言设置 SDRAM 的惯用方法/* SDRAM regisers */ #defineMEM_CTL_BASE0x48000000// BWSCON 的地址 #defineSDRAM_BASE0x30000000// SDRAM 的起始地址 /* SDRAM 13 个寄存器的值*/ /*定义了一个数组，把 13 个寄存器的设置值存到一个数组里面*/ unsignedlongconstmem_cfg_val[]={//注意 unsignedlongconst 的含义 0x22111110,//BWSCON 0x00000700,//BANKCON0 0x00000700,//BANKCON1 0x00000700,//BANKCON2 0x00000700,//BANKCON3 0x00000700,//BANKCON4 0x00000700,//BANKCON5 0x00018005,//BANKCON6 0x00018005,//BANKCON7 0x008e07a3,//REFRESH 0x000000b2,//BANKSIZE 0x00000030,//MRSRB6 0x00000030,//MRSRB7 }; /*设置控制 SDRAM 的 13 个寄存器*/ /* for 循环总共 13 次，刚好对 13 个寄存器赋值完毕*/
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
void memsetup() { inti = 0; unsignedlong*p = (unsignedlong *)MEM_CTL_BASE; for(; i p[i] = mem_cfg_val[i]; } 用 ARM 汇编语言设置 SDRAM 的惯用方法 @******************************************************************* *********** @ File：head.s @功能：设置 SDRAM，将程序复制到 SDRAM，然后跳到 SDRAM 继续执 行 @******************************************************************* *********** .equMEM_CTL_BASE,0x48000000 .equSDRAM_BASE,0x30000000 .text .global _start _start: bldisable_watch_dog blmemsetup blcopy_steppingstone_to_sdram ldrpc,=set_sp@跳到 SDRAM 中继续执行
halt_loop: bhalt_loop memsetup: @ initialize the static memory @ set memory control registers movr1,#MEM_CTL_BASE adrlr2,mem_cfg_val@ adrl 用于搬运地址 movr3, #0x0@给 r3 清零（自己加上的一条指令） addr3,r1, #52@ 52 == 4*13 1: ldrr4,[r2], #4 strr4,[r1], #4 cmpr1,r3 bne1b@每次递增 4 个字节，共循环 13 次（设置 13 个寄存器） movpc,lr tips:感谢大家的阅读，本文由我司收集整编。仅供参阅！