场效应管参数符号意义
n沟道 mosfet符号
n沟道 mosfet符号MOSFET，即金属-氧化物-半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是一种常见的半导体器件，用于放大和开关电路。
下面是MOSFET符号的相关参考内容。
MOSFET符号是一种标准化的图示方法，可以简洁明了地表示MOSFET器件的类型和性质。
MOSFET符号通常由三个部分组成：源极、栅极和漏极。
下面是三种常见类型的MOSFET符号及其相关特征。
1. N沟道MOSFET（NMOS）N沟道MOSFET是一种使用n型半导体材料制造的器件。
它的符号通常由一个带有箭头的水平线段和一个垂直于其连接的直线组成。
箭头表示电流流动的方向，直线表示n型半导体材料。
在NMOS符号中，水平线段表示MOSFET的漏极，垂直线表示源极，而连接两者的直线表示栅极。
NMOS器件在栅极和源极之间形成一个n沟道，控制栅极电压可以改变沟道上的电流。
2. P沟道MOSFET（PMOS）P沟道MOSFET是一种使用p型半导体材料制造的器件。
它的符号与NMOS类似，但是箭头的方向相反。
在PMOS符号中，箭头指向水平线段，表示电流的流动方向。
垂直线段仍然表示源极，而栅极仍然是与源极连接的直线。
PMOS器件在栅极和源极之间形成一个p沟道，栅极电压的变化可以改变沟道上的电流。
3. 绝缘栅MOSFET（IGBT）绝缘栅MOSFET是一种集成了MOSFET和双极晶体管（BJT）的双向开关。
它的符号由一个与源极和漏极连接的箭头和一个位于其下方的三角形组成。
箭头表示电流流动的方向，三角形表示绝缘栅。
IGBT在高电压和高电流应用中具有较低的导通电阻，并结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的放大特性。
除了这些常见的MOSFET符号，还存在许多其他类型的MOSFET，如增强型MOSFET（Enhancement Mode MOSFET）和耗尽型MOSFET（Depletion Mode MOSFET）。
常用场效应管参数大全
常用场效应管参数大全场效应管（MOSFET）是一种常用的电子器件，广泛应用于各种电路中。
了解场效应管的参数对于正确选用和应用场效应管非常重要。
下面是一些常用的场效应管参数的介绍：1.电荷参数：- 输入电容（Ciss）：指在恒定的源极电压下，栅源电压从0V变化到开启电压时，输入的电荷。
一般情况下，输入电容越小，开关速度越快。
- 输出电容（Coss）：指在恒定的栅源电压下，漏源电压从0V变化到开启电压时，可以作用在漏极电容上的输出电荷。
输出电容越小，开关性能越好。
2.静态电流参数：-偏置电流（IDSS）：指在恒定的栅源电压下，漏源电压为零时，漏极的电流。
偏置电流越大，MOSFET的放大能力越强。
- 截止电流（ID(off)）：指在恒定的栅极电压下，当漏极开路时，导通电流的下限。
3.动态电流参数：- 开关时间（ton和toff）：指从栅源电压达到开启电压到漏源电压达到截止电压的时间。
开关时间越短，场效应管的开关速度越快。
- 开关过渡时间（tr和tf）：指从栅源电压从10%到90%或90%到10%的转换时间。
开关过渡时间越短，场效应管的切换速度越快。
4.饱和区电流参数：- 饱和漏源电流（ID(on)）：指在恒定的栅极电压下，当漏极电压达到饱和时，漏极的电流。
- 饱和压降（VDSat）：指在饱和状态下，漏极电压和源极电压之间的电压降。
5.开关特性参数：- 截止电压（VGS(off)）：指在恒定的源极电压下，栅源电压为零时，漏源电压的电压降。
- 开启电压（VGS(th)）：指在恒定的源极电压下，漏源电压达到截止电压时的栅源电压。
6.热特性参数：-热阻（θJA）：指导热回路中的芯片与环境之间的热阻，表示芯片散热的能力。
- 最大结温（TJmax）：指芯片能够承受的最高结温。
超过最大结温可能会损坏场效应管。
以上是一些常用的场效应管参数的介绍。
了解这些参数可以帮助我们选择和应用场效应管。
在实际应用中，我们通常根据具体的需求和电路要求来选择合适的场效应管，以保证电路性能的稳定和高效。
场效应管参数符号意义
场效应管参数符号意义a ID:漏极电流温度系数a RDS:漏源电阻温度系数C DS:漏-源电阻C DU：漏-衬底电容C GD:栅-源电容C GS:漏-源电容C ISS:栅短路共源输入电容C OSS:栅短路共源输出电容C RSS: 栅短路共源反向传输电容D:占空比（占空系数，外电路参数）di/dt:电流上升率（外电路参数）dV/dt:电压上升率(外电路参数)G DS:漏源电导G FS:正向跨导G GD:栅漏电导G P:功率增益G PD:共漏极中和高频功率增益G PG:共栅极中和高频功率增益G PS:共源极中和高频功率增益I D:漏极电流（直流）I D(ON):通态漏极电流I DM:漏极脉冲电流I DQ:静态漏极电流（射频功率管）I DS: 漏源电流I DS(SA T):沟道饱和电流（漏源饱和电流）I DSM:最大漏源电流I DSS:栅-源短路时，漏极电流I DSS1:对管第一管漏源饱和电流I DSS2:对管第二管漏源饱和电流I F:二极管正向电流I G:栅极电流（直流）I GDO:源极开路时的截止栅电流I GF:正向栅电流I GM:栅极脉冲电流I GP:栅极峰值电流I GR:反向栅电流I GSO:漏极开路时，截止栅电流I GSS:漏极短路时，截止栅电流I PR:电流脉冲峰值（外电路参数）I U:漏极电感K: 失调电压温度系数K U:传输系数L:负载电感（外电路参数）L D:漏极电感L S:源极电感P D:漏极耗散功率P DM:漏极最大允许耗散功率P IN:输入功率P OUT:输出功率P PK:脉冲功率峰值（外电路参数）R(TH)JA:结环热阻R(TH)JC:结壳热阻R DS:漏源电阻R DS(OF):漏源断态电阻R DS(ON): 漏源通态电阻R G:栅极外接电阻（外电路参数）R GD:栅漏电阻R GS:栅源电阻R L:负载电阻（外电路参数）T A:环境温度T C：管壳温度T d(off):关断延迟时间T F:下降时间T i:上升时间T j:结温T jm:最大允许结温T O(ON):开通延迟时间T OFF:关断时间T ON:开通时间T RR:反向恢复时间T stg:贮存温度V(BR)DSS:漏源击穿电压V(BR)GSS:漏源短路时栅源击穿电压V DD:漏极（直流）电源电压（外电路参数）V DS:漏源电压（直流）V DS(ON):漏源通态电压V DS(SAT):漏源饱和电压V DU:漏衬底电压（直流）V GD:栅漏电压（直流）V GG:栅极（直流）电源电压（外电路参数）V GS:栅源电压（直流）V GS(TH):开启电压或阀电压V GSF:正向栅源电压（直流）V GSR:反向栅源电压（直流）V GU:栅衬底电压（直流）V N:噪声电压V SS:源极（直流）电源电压（外电路参数）V SU:源衬底电压（直流）Z O:驱动源内阻η：漏极功率（射频功率管）。
场效应管参数用途大全
场效应管参数用途大全场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET）是一种主要用于放大、开关和调节信号的电子器件。
它是一种三端器件，由源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）组成。
场效应管具有很多参数，下面将详细介绍这些参数的用途。
1.漏极电流（ID）：漏极电流是指通过场效应管的漏极-源极电路的电流。
它可以用来测量和控制场效应管的放大增益和工作状态。
2.栅-源电压（VGS）：栅电压与源电压之间的差值，用于控制场效应管的导通与截止状态。
当VGS小于场效应管的阈值电压时，管子截止；当VGS大于阈值电压时，管子导通。
3.漏-源电压（VDS）：漏电压与源电压之间的差值，用于测量场效应管的电压增益和功耗。
它还用于确定场效应管的工作状态，如饱和区、线性区和截止区。
4. 率定电压（VGS-off）：当栅电压小于阈值电压时，场效应管处于关断状态。
率定电压是指栅电压，使得场效应管完全截止，漏极电流为零。
5.漏极电阻（RD）：漏极电阻是指场效应管的漏极电压和漏极电流之间的比率。
它用于测量和控制场效应管的输出阻抗和信号衰减。
6.栅-漏电流（IGS）：栅-漏电流是指栅极和源极之间的电流。
它表示在截止区域时，栅极上的电流，即零漏极电压条件下的漏极电流。
7.漏极电容（CDS）：漏极电容是指场效应管的漏极电压和变化的漏极电流之间的比率。
它与场效应管的频率响应和带宽有关。
8.栅电流（IG）：栅电流是指通过场效应管的栅极-源极电路的电流。
栅电流用于测量和控制场效应管的输入阻抗和信号增益。
9.输入电容（CGS）：输入电容是指场效应管的栅极电压和变化的栅极电流之间的比率。
它与场效应管的频率响应和带宽有关。
10.输出电容（CDS）：输出电容是指场效应管的漏极电压和变化的漏极电流之间的比率。
它与场效应管的频率响应和带宽有关。
11. 开关速度（Switching Speed）：开关速度是指场效应管在从截止状态到导通状态或从导通状态到截止状态的转换时间。
场效应管的主要参数
场效应管的主要参数场效应管是一种晶体管，也称为FET（Field Effect Transistor）。
与双极晶体管（BJT）相比，场效应管具有许多优点，例如高输入阻抗，低噪声，以及高分辨率输入电压等。
主要参数：1. 阈值电压（Vth）：阈值电压是场效应管工作的一个关键参数。
它表示当输入电压小于该值时，场效应管处于截止区，不导电。
当输入电压大于阈值电压时，场效应管进入饱和区或线性区，开始导通。
2. 饱和电流（Idsat）：饱和电流是指当场效应管工作在饱和区时，通过漏极-源极的电流。
饱和电流取决于场效应管的尺寸和工作电压。
3. 负漏极导纳（Yfs）：负漏极导纳是指场效应管的输入导纳，也称为转导。
它表示单位漏极-源极电压变化时，漏极-源极电流的变化量。
负漏极导纳可以决定输出电流与输入电压的比例关系。
4. 输入电阻（Rin）：输入电阻是指场效应管的输入端电压与输入端电流之间的比值。
由于场效应管的输入电流很小，因此输入电阻较高，可以使得场效应管适用于高阻抗输入的电路。
5. 输出电导（Gds）：输出电导是指场效应管的输出导纳，也称为转导。
它表示单位漏极-源极电压变化时，漏极-源极电流的变化量。
输出电导可以决定输出电流与漏极-源极电压的比例关系。
6.噪声系数（NF）：噪声系数表示场效应管引入的噪声对输入信号的影响程度。
一般来说，噪声系数越低，性能越好。
7. 压控电阻（rDS(on)）：压控电阻表示当场效应管处于线性区时，漏极-源极电阻的大小。
压控电阻越小，漏极-源极电压对漏极-源极电流的影响就越小。
压控电阻与输入电压有关，可以在一定范围内调节。
8.带宽（BW）：带宽是指场效应管工作的频率范围。
带宽可以决定场效应管在不同频率下工作的能力。
9.温度稳定性：温度稳定性是指场效应管在不同温度下的性能变化。
温度稳定性越好，场效应管在不同温度下的性能变化越小。
总结：。
常用场效应管参数大全
常用场效应管参数大全场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种电子管，有三个电极：栅极（G）、漏极（D）和源极（S）。
相对于双极晶体管，场效应管在功耗和输入电阻方面具有优势。
下面是常用的场效应管参数的详细解释。
1. 栅源阈值电压（Vth）：栅源电压达到一定值时，场效应管开始导通。
阈值电压的大小决定了在何时开始导通。
有两种类型的场效应管：N 沟道（N-channel）和P沟道（P-channel）。
对于N沟道型FET，阈值电压一般为负值；而对于P沟道型FET，阈值电压一般为正值。
2. 最大漏源电压（Vdsmax）：场效应管能够承受的最大电压。
超过这个电压，管子可能损坏。
3. 漏源饱和电压（Vds(sat)）：当栅源电压为零时，漏源电压的最小值。
超过这个电压，管子可能损坏。
4. 最大漏电流（Idmax）：场效应管能够承受的最大电流。
超过这个电流，管子可能损坏。
5. 最大功率耗散（Pdmax）：场效应管能够承受的最大功率。
超过这个功率，管子可能损坏。
6. 开导通电压（Vgs(th)）：栅源电压达到一定值时，场效应管开始导通。
与栅源阈值电压类似，但是开导通电压表示栅源电压为正值时的情况。
7. 栅源电容（Cgs）：栅源电极之间的电容。
这个参数影响了管子的高频性能，较大的Cgs会使高频性能下降。
8. 漏源电容（Cds）：漏源电极之间的电容。
这个参数影响了管子的高频性能，较大的Cds会使高频性能下降。
9. 反馈电容（Cgd）：栅漏电极之间的电容。
这个参数影响了管子的高频性能，较大的Cgd会使高频性能下降。
10. 输入电阻（Rin）：场效应管的输入电阻。
输入电阻越大，对输入信号的影响就越小。
11. 输出电阻（Rout）：场效应管的输出电阻。
输出电阻越小，对输出信号的影响就越小。
12. 转移导纳（Yfs或Y21）：栅源电压增加时，漏源电流的变化。
它是对管子放大能力的度量。
13.增益（A或hFE）：输出电流（漏源电流）与输入电流（栅源电流）的比值。
MOS管各项参数
MOS管各项参数MOS管（MOSFET）是一种常见的金属-氧化物-半导体场效应晶体管，它是现代电子器件中最重要的元器件之一、MOS管具有无极性、低功耗、高输入阻抗、高电压控制能力等优点，广泛应用于功率放大、开关控制、电源管理、模拟电路等各个领域。
在设计和选择MOS管时，各项参数是非常重要的参考指标。
下面将介绍MOS管的一些重要参数。
1. 雅各比电流增益（Transconductance, gm）：是描述晶体管放大能力的重要参数。
它是输入电压变化引起的输出电流变化的比值。
高gm 值表示MOS管在放大和开关应用中有更好的性能。
2. 阈值电压（Threshold Voltage, Vth）：是指控制MOS管导通的电压阈值。
当输入电压大于或小于阈值电压时，MOS管会进入饱和区或截止区。
3. 输入电容（Input Capacitance, Ciss）：是输入端与基极之间的等效电容。
输入电容越大，对输入信号的频率响应越弱，影响了MOS管在高频应用中的性能。
4. 输出电容（Output Capacitance, Coss）：是输出端与基极之间的等效电容。
输出电容越大，响应输出信号的速度越慢，影响了MOS管在高速开关应用中的性能。
5. 漏极电流（Drain Current, Id）：漏极电流是指MOS管从漏极到源极的电流。
漏极电流取决于输入电压和电阻。
6. 最大漏极电流（Maximum Drain Current, Id(max)）：是MOS管能够承受的最大漏极电流。
工作电流不能超过这个值，否则会导致器件烧毁。
7. 最大漏极-源极电压（Maximum Drain-Source Voltage,Vds(max)）：是MOS管能够承受的最大漏极和源极之间的电压。
超过这个电压将导致器件击穿。
8. 开关时间（Switching Time）：是指MOS管由导通到截止的时间和由截止到导通的时间。
开关时间越短，MOS管在高速开关应用中的性能越好。
半导体器件符号及参数意义
一、三极管参数符号及其意义VCEO,基极开路,集电极－发射极反向击穿电压。
VCBO,发射极开路,集电极－基极反向击穿电压。
VEBO,J集电极开路,发射结反向击穿电压。
VDSO, 漏源击穿电压。
ICM,集电极最大允许电流。
IDSM,最大漏源电流。
PCM,集电极最大耗散功率。
PDM,漏极最大耗散功率。
IC,集电极电流。
ID,漏极电流。
hFE,共发射极静态放大倍数。
gm,低频跨导,场效应管栅极电压对漏极电流的控制能力。
fT,特征频率。
td,延迟时间。
tf,下降时间。
二、半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。
在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流（正向测试电流）。
锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（AV）---正向平均电流IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。
在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。
发光二极管极限电流。
IH---恒定电流、维持电流。
Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io---整流电流。
在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR（AV）---反向平均电流IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。
场效应管及其参数符号意义概要
场效应管及其参数符号意义场效应管（英缩写FET ）是电压控制器件，它由输入电压来控制输出电流的变化。
它具有输入阻抗高噪声低，动态范围大，温度系数低等优点，因而广泛应用于各种电子线路中。
供应信息需求信息一、场效应管的结构原理及特性场效应管有结型和绝缘栅两种结构，每种结构又有N 沟道和P 沟道两种导电沟道。
1、结型场效应管（JFET ）（1）结构原理它的结构及符号见图1。
在N 型硅棒两端引出漏极D 和源极S 两个电极，又在硅棒的两侧各做一个P 区，形成两个PN 结。
在P 区引出电极并连接起来，称为栅极Go 这样就构成了N 型沟道的场效应管图1、N 沟道结构型场效应管的结构及符号由于PN 结中的载流子已经耗尽，故PN 基本上是不导电的，形成了所谓耗尽区，从图1中可见，当漏极电源电压ED 一定时，如果栅极电压越负，PN 结交界面所形成的耗尽区就越厚，则漏、源极之间导电的沟道越窄，漏极电流ID 就愈小；反之，如果栅极电压没有那么负，则沟道变宽，ID 变大，所以用栅极电压EG 可以控制漏极电流ID 的变化，就是说，场效应管是电压控制元件。
（2）特性曲线1）转移特性图2（a ）给出了N 沟道结型场效应管的栅压---漏流特性曲线，称为转移特性曲线，它和电子管的动态特性曲线非常相似，当栅极电压VGS=0时的漏源电流。
用IDSS 表示。
VGS 变负时，ID 逐渐减小。
ID 接近于零的栅极电压称为夹断电压，用VP 表示，在0≥VGS ≥VP 的区段内，ID 与VGS 的关系可近似表示为：ID=IDSS（1-|VGS/VP|）其跨导gm 为：gm=（ID/VGS △△）|VDS=常微（微欧）|式中：ID △-----漏极电流增量（微安）VGS △-----栅源电压增量（伏）图2、结型场效应管特性曲线2）漏极特性（输出特性）图2(b给出了场效应管的漏极特性曲线，它和晶体三极管的输出特性曲线很相似。
①可变电阻区（图中I 区）在I 区里VDS 比较小，沟通电阻随栅压VGS 而改变，故称为可变电阻区。
场效应管的主要参数
场效应管的主要参数场效应管（Field-Effect Transistor，FET）是一种三极电子器件，广泛应用于放大和开关电路中。
场效应管主要有三个主要参数：转移特性、输入特性和输出特性。
下面将详细讨论这三个参数。
1. 转移特性：转移特性描述了场效应管的输入-输出关系，即输出电流与输入电压之间的关系。
转移特性通常由三种不同的参数表示：互导（Transconductance，gm）、输出电导（Output Conductance，go）和截止电流（Cut-Off Current，IDSS）。
- 互导（Transconductance，gm）：互导是场效应管的输入电压变化引起的输出电流变化的比率。
它是转移特性曲线的斜率。
互导数值越高，代表场效应管有更好的放大能力。
- 输出电导（Output Conductance，go）：输出电导表示场效应管的漏极电流与漏极电压之间的关系。
输出电导数值越小，代表场效应管具有更好的开关特性。
- 截止电流（Cut-Off Current，IDSS）：截止电流是场效应管的栅极-源极电压为零时的漏极电流。
截止电流的数值越小，代表场效应管具有更好的截止特性。
2.输入特性：输入特性描述了场效应管的栅极-源极电流与栅极-源极电压之间的关系。
输入特性包括漏极特性和截止特性。
-漏极特性：漏极特性是指场效应管的漏极电流与漏极电压之间的关系。
在正常工作区域内，漏极特性曲线呈现出线性区和饱和区两种不同的特性。
-截止特性：截止特性是指场效应管的栅极-源极电流与栅极-源极电压之间的关系。
在截止区，栅极电流非常小，基本上可以忽略不计。
3.输出特性：输出特性描述了场效应管的漏极电流与漏极电压之间的关系。
输出特性通常以漏极特性曲线表示。
-漏极特性：漏极特性是指场效应管的漏极电流与漏极电压之间的关系。
漏极特性曲线可以显示出场效应管的饱和区和线性区。
此外，还有一些次要参数：4. 最大漏极电流（Maximum Drain Current，IDmax）：场效应管能够承受的最大漏极电流。
场效应管的主要参数
一：场效应管的主要参数(1)直流参数饱和漏极电流IDSS 它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。
夹断电压UP 它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS开启电压UT 它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS(2)交流参数低频跨导gm 它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。
极间电容场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。
(3)极限参数漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时，产生雪崩击穿时的UDS。
栅极击穿电压结型场效应管正常工作时，栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态，若电流过高，则产生击穿现象。
本站链接:场效应管的参数查询二：场效应管的特点场效应管具有放大作用，可以组成放大电路，它与双极性三极管相比具有以下特点：（1）场效应管是电压控制器件，它通过UGS来控制ID；（2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很高；（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；（5）场效应管的抗辐射能力强。
三.符号：“Q、VT” ，场效应管简称ＦＥＴ，是另一种半导体器件，是通过电压来控制输出电流的，是电压控制器件场效应管分三个极：Ｄ极为漏极（供电极）Ｓ极为源极（输出极）Ｇ极为栅极（控制极）Ｄ极和Ｓ极可互换使用场效应管图例：四.场效应管的分类：场效应管按沟道分可分为Ｎ沟道和Ｐ沟道管（在符号图中可看到中间的箭头方向不一样）。
按材料分可分为结型管和绝缘栅型管，绝缘栅型又分为耗尽型和增强型，一般主板上大多是绝缘栅型管简称ＭＯＳ管，并且大多采用增强型的Ｎ沟道，其次是增强型的Ｐ沟道，结型管和耗尽型管几乎不用。
五主板上用的场效应管的特性：1、工作条件：Ｄ极要有供电，Ｇ极要有控制电压2、主板上的场管Ｎ沟道多，Ｇ极电压越高，Ｓ极输出电压越高3、主板上的场管Ｇ极电压达到12Ｖ时，ＤＳ完全导通，个别主板上5Ｖ导通4、场管的ＤＳ功能可互换Ｎ沟道场管的导通截止电压：导通条件：ＶＧ>ＶＳ，ＶＧＳ=0.45--3Ｖ时，处于导通状态，且ＶＧＳ越大，ＩＤ越大截止条件：ＶＧＳ，ＩＤ没有电流或有很小的电流。
场效应管参数符号意义_1729
场效应管参数符号意义_1729场效应管参数符号意义Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容 Coss---栅短路共源输出电容 Crss---栅短路共源反向传输电容 D---占空比(占空系数，外电路参数) di/dt---电流上升率(外电路参数) dv/dt---电压上升率(外电路参数) ID---漏极电流(直流) IDM---漏极脉冲电流ID(on)---通态漏极电流IDQ---静态漏极电流(射频功率管) IDS---漏源电流IDSM---最大漏源电流IDSS---栅-源短路时，漏极电流 IDS(sat)---沟道饱和电流(漏源饱和电流) IG---栅极电流(直流)IGF---正向栅电流IGR---反向栅电流IGDO---源极开路时，截止栅电流 IGSO---漏极开路时，截止栅电流 IGM---栅极脉冲电流IGP---栅极峰值电流IF---二极管正向电流IGSS---漏极短路时截止栅电流 IDSS1---对管第一管漏源饱和电流 IDSS2---对管第二管漏源饱和电流 Iu---衬底电流Ipr---电流脉冲峰值(外电路参数) gfs---正向跨导Gp---功率增益Gps---共源极中和高频功率增益 GpG---共栅极中和高频功率增益 GPD---共漏极中和高频功率增益 ggd---栅漏电导gds---漏源电导K---失调电压温度系数Ku---传输系数L---负载电感(外电路参数)LD---漏极电感Ls---源极电感rDS---漏源电阻rDS(on)---漏源通态电阻 rDS(of)---漏源断态电阻 rGD---栅漏电阻rGS---栅源电阻Rg---栅极外接电阻(外电路参数) RL---负载电阻(外电路参数) R(th)jc---结壳热阻R(th)ja---结环热阻PD---漏极耗散功率PDM---漏极最大允许耗散功率 PIN--输入功率POUT---输出功率PPK---脉冲功率峰值(外电路参数) to(on)---开通延迟时间td(off)---关断延迟时间 ti---上升时间ton---开通时间toff---关断时间tf---下降时间trr---反向恢复时间Tj---结温Tjm---最大允许结温Ta---环境温度Tc---管壳温度Tstg---贮成温度VDS---漏源电压(直流) VGS---栅源电压(直流) VGSF--正向栅源电压(直流) VGSR---反向栅源电压(直流) VDD---漏极(直流)电源电压(外电路参数) VGG---栅极(直流)电源电压(外电路参数)Vss---源极(直流)电源电压(外电路参数)VGS(th)---开启电压或阀电压 V(BR)DSS---漏源击穿电压 V(BR)GSS---漏源短路时栅源击穿电压VDS(on)---漏源通态电压 VDS(sat)---漏源饱和电压 VGD---栅漏电压(直流) Vsu---源衬底电压(直流) VDu---漏衬底电压(直流) VGu---栅衬底电压(直流) Zo---驱动源内阻η---漏极效率(射频功率管) Vn---噪声电压aID---漏极电流温度系数 ards---漏源电阻温度系数。
场效应管的符号
场效应管的符号
和结构、工作原理及特点
一、场效应管的符号和结构
1. 符号
场效应管的符号为一个三角形，三角形上方有一个源极标记，下方有
一个漏极标记，中间是一个控制极标记。
2. 结构
场效应管由源极、漏极和控制极组成。
其中，源极和漏极之间是一段
半导体材料（通常为硅或者砷化镓）形成的导电通道。
控制极通过外
加电压来改变导电通道的电阻，从而控制电流的流动。
二、场效应管的工作原理
1. N沟道MOSFET（N-MOSFET）
N-MOSFET由P型基底、N型漏极和源极组成。
当控制极加正电压时，
会在P型基底与N型漏极之间形成一条N型导电通道，从而使得源漏之间产生电流。
2. P沟道MOSFET（P-MOSFET）
P-MOSFET由N型基底、P型漏极和源极组成。
当控制极加负电压时，会在N型基底与P型漏极之间形成一条P型导电通道，从而使得源漏之间产生电流。
三、场效应管的特点
1. 控制电压低
场效应管的控制电压通常只需要几伏特，因此可以用低电平信号来控
制高电平信号。
2. 输入阻抗高
场效应管的输入阻抗很高，可以达到几百兆欧姆，因此对输入信号的
影响很小。
3. 输出阻抗低
场效应管的输出阻抗很低，可以达到几十欧姆，从而可以驱动负载。
4. 噪声小
场效应管噪声小，因为它没有晶体管中的热噪声源。
5. 可靠性好
场效应管没有PN结和P型基底等易受损件，因此可靠性比晶体管高。
6. 速度快
场效应管的速度比晶体管快，因为它没有PN结和P型基底等慢速元件。
结型场效应管简化符号
结型场效应管简化符号结型场效应管简化符号结型场效应管（JFET）是一种常用的半导体器件，常用于放大和调节电路中。
JFET的符号表示为一个倒置的三角形，其箭头指向源极。
然而，在某些情况下，我们需要使用更简化的符号表示JFET，以便更好地理解其工作方式。
以下是JFET简化符号的说明和组成部分。
1. 简化符号JFET的简化符号只包含一个箭头和一条线段。
箭头指向器件的沟道，而线段表示管子的排流特性（d-s电阻）。
这个符号非常简单，但是它可以提供非常重要的信息，特别是关于JFET的主要控制参数-沟道电阻（Rd）。
2. 沟道电阻沟道电阻是JFET的主要控制参数之一。
沟道电阻用于说明JFET沟道的电阻程度。
JFET的沟道电阻越大，其采样温度越低，电流也越小。
JFET的沟道电阻对其放大性能、噪音系数和一些其他参数产生相当大的影响。
3. 排流特性JFET的排流特性指的是其d-s电阻，它与沟道电阻是相似的。
排流特性用于表示JFET的IV特性曲线，具有一些特殊的线性特性。
这种特性使JFET成为一种很好的放大器，因为它可以实现更宽的放大范围，而且更稳定。
4. 门电极JFET的门是指其沟道内部的区域。
JFET的门电极可以是p型或n 型，具有控制管子沟道的工作特性。
当门电极与源极间的电势相等时，JFET的沟道将停止导通。
5. 源极/焦耳-汤姆逊效应JFET的源极对于控制器件的沟道电阻、排流特性和一些其他性能指标都起着至关重要的作用。
当JFET的源极采用焦耳-汤姆逊效应时，可以通过改变源极电压来改变沟道电阻，因此可以控制电流。
结论在科技迅速发展的今天，技术变化与进步随时改变我们的生活方式和工作方式。
最优秀的内容创作者需要密切跟踪技术进展，了解符号、组成、参数等方面的知识。
通过掌握JFET的简化符号和其组成部分，可以更好地了解JFET的工作特性，提高我们对电路的模拟技能。
n沟道场效应管符号
n沟道场效应管符号
沟道场效应管符号是一种特殊的场效应管，其符号以一个矩形表示。
这里，垂直轴表示沟道，水平轴表示放大系数。
一条直线由左到右，从沟
道偏置电位开始，表示一个特定的放大系数，即穿越这条线所需要的电压，其符号为：
⎧⎧Gm。
其中，Gm表示放大系数。
即当输入信号在这个电压水平时，输出信
号就会放大相应的倍数。
例如，Gm=2，表明一个电压变化将会产生2倍的
输出电压变化。
此外，此符号还表示管子的反向阻抗和发射率。
管子的反向阻抗用
Ro表示，它描述了管子输出端与输入端之间的电阻值；发射率用R参数
表示，它用来衡量管子的输出和输入之间的电压比值。
另外，沟道场效应管还有一个比较重要的特点，即沟道的饱和效应。
当输入电压越高，放大系数就会减小，这种效应叫做饱和效应。
总之，沟道场效应管的符号表示的是管子的交流和直流特性，包括放
大系数，反向阻抗和发射率等，它提供了一种简单而快速的方式来表示一
个沟道场效应管的特性参数。
场效应管的参数说明
场效应管的参数说明
场效应管的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，但一般使用时关注以下主要参数：
1、IDSS—饱和漏源电流。
是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。
2、UP—夹断电压。
是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。
3、UT—开启电压。
是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。
4、gM—跨导。
是表示栅源电压UGS—对漏极电流ID的控制能力，即漏极电流ID 变化量与栅源电压UGS变化量的比值。
gM是衡量场效应管放大能力的重要参数。
5、BUDS—漏源击穿电压。
是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的漏源电压。
这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。
6、PDSM—耗散功率。
也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的漏源耗散功率。
使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。
7、IDSM—漏源电流。
是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的电流。
场效应管的工作电流不应超过IDSM；
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场效应管在电路中的符号
场效应管在电路中的符号
场效应管是一种半导体器件，用于控制和放大电流信号。
在电路图中，场效应管通常用以下符号表示：
1. N沟道型场效应管符号：该符号表示一个n型半导体材料制造的场效应管，其中有一个沟道与源极和漏极相连。
符号的箭头指向沟道，表示电流的流动方向。
2. P沟道型场效应管符号：该符号表示一个p型半导体材料制造的场效应管，其中有一个沟道与源极和漏极相连。
符号的箭头指向沟道，表示电流的流动方向。
3. MOSFET符号：MOSFET是金属-氧化物-半导体场效应管的缩写。
该符号表示一个MOSFET器件，其中有一个金属栅极、一个氧化物层和一个半导体材料。
符号的箭头指向沟道，表示电流的流动方向。
以上符号都是电路图中常见的场效应管符号，它们的不同之处在于材料类型和结构不同，但它们的基本功能和原理是相同的。
通过这些符号，我们可以方便地在电路图中表示和使用场效应管。
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场效应管参数含义
场效应管参数含义场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种控制输入电压来改变输出电流的三极管。
它具有高输入电阻、低输出电阻、高放大倍数等优点，被广泛应用于电子电路中。
场效应管具有许多参数，这些参数描述了场效应管的特性和性能。
以下是常见的场效应管参数及其含义：1.静态参数：静态参数用于描述场效应管在静态条件下的性能。
a.静态射极漏电流（IDSS）：这是指在封装器件上限制的条件下，栅极短路时漏极到源极的电流。
这是场效应管关闭时的最大漏电流。
b. 确定工作点的零（平衡）栅极-漏极电压（VGS(off)）：这是指当漏极电流为零时，栅极到源极的电压。
该参数用于确定场效应管工作在关闭状态的电压范围。
c.漏极电流温度系数（IDSSTC）：这是指在特定温度下，封装管子样品的射极漏电流变化的率。
它表示了温度变化对射极漏电流的影响。
2.动态参数：动态参数用于描述场效应管在动态响应下的性能。
a. 输入电容（Ciss）：这是指由于栅极-源极间有载流注入或抽出而导致的输入电容。
它与场效应管的输入电流和电压变化相关。
b. 输出电容（Coss）：这是指由于漏极-源极间有载流注入或抽出而导致的输出电容。
它与场效应管的输出电流和电压变化相关。
c. 反转传输电容（Crss）：这是指由于栅极-源极和漏极-源极间电流注入或抽出而导致的电容。
它与场效应管的电流和电压变化相关。
d. 开关时间（Ton，Toff）：这是指场效应管从打开到关闭或从关闭到打开所需的时间。
这些参数决定了场效应管在开关应用中的速度和效率。
3.最大参数：最大参数用于描述场效应管在特定工作条件下的极限值。
a.最大耐压（VDS）：这是指场效应管可以承受的最大漏极-源极电压。
超过这个值可能会导致器件损坏。
b.最大漏极电流（ID）：这是指场效应管可以承受的最大漏极电流。
超过这个值可能会导致器件过热。
c.最大功耗（PD）：这是指场效应管可以承受的最大功耗。
mos跨导参数
mos跨导参数MOS跨导参数是指场效应管（MOSFET）的输入电压与输出电流之间的关系。
它是描述MOSFET的非线性特性的重要参数之一，也是评估MOSFET性能的指标之一。
MOS跨导参数常用符号为gm，表示电流增益。
MOS跨导参数是指单位输入电压变化引起的输出电流变化。
在MOSFET的三个工作区域（截止区、线性区和饱和区），MOS跨导参数的计算方法略有不同。
我们来看MOSFET的截止区。
在截止区，MOSFET的栅极与漏极之间存在反向偏置，导致通道关闭，输出电流接近于零。
此时，MOS跨导参数gm的值较小。
接下来是MOSFET的线性区。
在线性区，MOSFET的栅极与漏极之间存在正向偏置，使得通道打开，输出电流与输入电压之间存在线性关系。
此时，MOS跨导参数gm的值较大。
最后是MOSFET的饱和区。
在饱和区，MOSFET的栅极与漏极之间仍然是正向偏置，通道打开，但是输出电流的增长速度较线性区慢。
此时，MOS跨导参数gm的值较小。
通过以上对不同工作区域的分析，我们可以得出结论：MOS跨导参数gm的大小与MOSFET的工作状态密切相关。
在截止区和饱和区，gm较小，而在线性区，gm较大。
那么，如何计算MOS跨导参数gm呢？我们知道，MOS跨导参数gm等于MOSFET的导通电阻与输出电流之积。
导通电阻与输入电压之比即为导通电阻。
因此，计算MOS跨导参数gm的方法为：gm = 1 / Rds * Id，其中Rds为MOSFET的导通电阻，Id为输出电流。
需要注意的是，MOS跨导参数gm是一个动态参数，它与输入电压和输出电流之间的关系是非线性的。
因此，在实际应用中，我们需要根据具体的输入电压和输出电流值来计算MOS跨导参数gm。
MOS跨导参数gm在电子工程中有着重要的应用。
它可以用来评估MOSFET的放大能力和线性范围。
当我们设计放大电路或者需要进行信号处理时，需要选择具有较大MOS跨导参数gm的MOSFET，以确保信号的准确放大和处理。
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场效应管参数符号意义
a ID:漏极电流温度系数a RDS:漏源电阻温度系数
C DS:漏-源电阻C DU：漏-衬底电容
C GD:栅-源电容C GS:漏-源电容
C ISS:栅短路共源输入电容C OSS:栅短路共源输出电容
C RSS: 栅短路共源反向传输电容D:占空比（占空系数，外电路参数）di/dt:电流上升率（外电路参数）dV/dt:电压上升率(外电路参数)
G DS:漏源电导G FS:正向跨导
G GD:栅漏电导G P:功率增益
G PD:共漏极中和高频功率增益G PG:共栅极中和高频功率增益
G PS:共源极中和高频功率增益I D:漏极电流（直流）
I D(ON):通态漏极电流I DM:漏极脉冲电流
I DQ:静态漏极电流（射频功率管）I DS: 漏源电流
I DS(SA T):沟道饱和电流（漏源饱和电流）I DSM:最大漏源电流
I DSS:栅-源短路时，漏极电流I DSS1:对管第一管漏源饱和电流
I DSS2:对管第二管漏源饱和电流I F:二极管正向电流
I G:栅极电流（直流）I GDO:源极开路时的截止栅电流
I GF:正向栅电流I GM:栅极脉冲电流
I GP:栅极峰值电流I GR:反向栅电流
I GSO:漏极开路时，截止栅电流I GSS:漏极短路时，截止栅电流
I PR:电流脉冲峰值（外电路参数）I U:漏极电感
K: 失调电压温度系数K U:传输系数
L:负载电感（外电路参数）L D:漏极电感
L S:源极电感P D:漏极耗散功率
P DM:漏极最大允许耗散功率P IN:输入功率
P OUT:输出功率P PK:脉冲功率峰值（外电路参数）R(TH)JA:结环热阻R(TH)JC:结壳热阻
R DS:漏源电阻R DS(OF):漏源断态电阻
R DS(ON): 漏源通态电阻R G:栅极外接电阻（外电路参数）R GD:栅漏电阻R GS:栅源电阻
R L:负载电阻（外电路参数）T A:环境温度
T C：管壳温度T d(off):关断延迟时间
T F:下降时间T i:上升时间
T j:结温T jm:最大允许结温
T O(ON):开通延迟时间T OFF:关断时间
T ON:开通时间T RR:反向恢复时间
T stg:贮存温度V(BR)DSS:漏源击穿电压
V(BR)GSS:漏源短路时栅源击穿电压
V DD:漏极（直流）电源电压（外电路参数）
V DS:漏源电压（直流）V DS(ON):漏源通态电压
V DS(SAT):漏源饱和电压V DU:漏衬底电压（直流）
V GD:栅漏电压（直流）
V GG:栅极（直流）电源电压（外电路参数）
V GS:栅源电压（直流）V GS(TH):开启电压或阀电压
V GSF:正向栅源电压（直流）V GSR:反向栅源电压（直流）V GU:栅衬底电压（直流）V N:噪声电压
V SS:源极（直流）电源电压（外电路参数）
V SU:源衬底电压（直流）Z O:驱动源内阻
η：漏极功率（射频功率管）。