常用场效应管参数
常用场效应管参数及代换
常用场效应管参数及代换场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种用来放大和控制电流的电子元件。
它是由一个金属门极与两个半导体区域（源极和漏极）组成。
在常见的场效应管中，有三种主要类型：结型场效应管（JFET），增强型场效应管（MOSFET）和绝缘栅极场效应管（IGBT）。
本文将重点介绍增强型场效应管（MOSFET）的常用参数及其代换方法。
一、常用参数1.电流参数(i)静态漏极电流（IDSS）：在门极电压VGS=0时，漏极电流的值。
(ii) 静态漏极电流温度系数：静态漏极电流随温度变化的变化率。
(iii) 动态漏极电流（ID）：在特定的电压和温度条件下，从漏极流出的电流的值。
2.电压参数(i)额定漏极到源极电压（VDS）：漏极和源极之间的最大电压。
(ii) 额定源极到栅极电压（VGS）：源极和栅极之间的最大电压。
(iii) 阈值电压（VT）：当栅极电压超过阈值电压时，通道开始导电。
(iv) 栅极欠压（VGS（th））：栅极电压低于这个电压时，场效应管处于截止区。
(v) 漏极饱和电压（VDS（sat））：漏极电压达到饱和时，在这个电压下，漏极与源极之间的电流达到最大值。
(vi) 最大可承受漏极电流（IDM）：超过这个电流值时，场效应管可能损坏。
3.输入参数(i) 栅极输入电容（Cgs）：栅极和源极之间的电容。
(ii) 栅极反向传导（gfs）：源极电流变化与栅极电压变化之间的比例关系。
4.输出参数(i) 漏极输出电容（Cds）：漏极和源极之间的电容。
(ii) 漏极跟随导纳（gd）：漏极电流变化与漏极电压变化之间的比例关系。
5.尺寸参数(i)源极宽度（W）：源极沿着通道长度方向的尺寸。
(ii) 通道长度（L）：源极和漏极之间的距离。
二、代换方法1.输出导纳代换场效应管的漏极跟随导纳gd可以用其中一个公式进行代换：gd ≈ 2IDSS/VGS（th）2.输出电容代换输出电容Cds可以用其中一个公式进行代换：Cds ≈ CM + CGS x VDS/VGS其中CM是一个常数，等于通道本身的电容，CGS是栅极和源极之间的电容。
常用场效应管参数大全
常用场效应管参数大全场效应管（MOSFET）是一种常用的电子器件，广泛应用于各种电路中。
了解场效应管的参数对于正确选用和应用场效应管非常重要。
下面是一些常用的场效应管参数的介绍：1.电荷参数：- 输入电容（Ciss）：指在恒定的源极电压下，栅源电压从0V变化到开启电压时，输入的电荷。
一般情况下，输入电容越小，开关速度越快。
- 输出电容（Coss）：指在恒定的栅源电压下，漏源电压从0V变化到开启电压时，可以作用在漏极电容上的输出电荷。
输出电容越小，开关性能越好。
2.静态电流参数：-偏置电流（IDSS）：指在恒定的栅源电压下，漏源电压为零时，漏极的电流。
偏置电流越大，MOSFET的放大能力越强。
- 截止电流（ID(off)）：指在恒定的栅极电压下，当漏极开路时，导通电流的下限。
3.动态电流参数：- 开关时间（ton和toff）：指从栅源电压达到开启电压到漏源电压达到截止电压的时间。
开关时间越短，场效应管的开关速度越快。
- 开关过渡时间（tr和tf）：指从栅源电压从10%到90%或90%到10%的转换时间。
开关过渡时间越短，场效应管的切换速度越快。
4.饱和区电流参数：- 饱和漏源电流（ID(on)）：指在恒定的栅极电压下，当漏极电压达到饱和时，漏极的电流。
- 饱和压降（VDSat）：指在饱和状态下，漏极电压和源极电压之间的电压降。
5.开关特性参数：- 截止电压（VGS(off)）：指在恒定的源极电压下，栅源电压为零时，漏源电压的电压降。
- 开启电压（VGS(th)）：指在恒定的源极电压下，漏源电压达到截止电压时的栅源电压。
6.热特性参数：-热阻（θJA）：指导热回路中的芯片与环境之间的热阻，表示芯片散热的能力。
- 最大结温（TJmax）：指芯片能够承受的最高结温。
超过最大结温可能会损坏场效应管。
以上是一些常用的场效应管参数的介绍。
了解这些参数可以帮助我们选择和应用场效应管。
在实际应用中，我们通常根据具体的需求和电路要求来选择合适的场效应管，以保证电路性能的稳定和高效。
常用场效应管和晶体管全参数大全
常用场效应管和晶体管全参数大全1.常用场效应管参数：(1)静态参数：a.离子阱截止电压（Vp）：指在栅极-源极电压为零时，漏极电流为零的栅极-源极电压。
b. 饱和漏极电流（Idss）：指在栅极-源极电压为零时，漏极电流的最大值。
c. 调整电压（Vto）：指在栅极与源极间电压为零时，栅极与源极间的电流。
d. 输入电容（Ciss）：指当栅极-源极电压为零时，栅极之间的电容。
e. 输出电容（Coss）：指当栅极-源极电压为零时，漏极之间的电容。
f. 反馈电容（Crss）：指当栅极-源极电压为零时，栅极与漏极之间的电容。
(2)动态参数：a.输入电导（Gm）：指在栅极-源极电压为零时，漏极电流与栅极-源极电压之比。
b. 输入电阻（Rin）：指在栅极-源极电压为零时，输入电阻的值。
c. 输出电导（Gds）：指在栅极-源极电压为零时，漏极电流与漏极电压之比。
d. 输出电阻（Rout）：指在栅极-源极电压为零时，输出电阻的值。
e. 转封闭电压（Breakdown Voltage）：指在栅极-源极电压为零时，输出特性曲线开始变弯的电压。
2.晶体管参数：(1)静态参数：a. 饱和电压（Vce）：指在负载线上工作时，集电极与发射极之间的电压。
b.饱和电流（Ic）：指在负载线上工作时，通过集电极的电流。
c. 漏电流（Iceo）：指在基极与集电极之间断开时，通过集电极的漏电流。
d. 输入电容（Cib）：指输入电容的值。
e. 输出电容（Cob）：指输出电容的值。
(2)动态参数：a. 横向混频增益（hfe）：指输入电流与输出电流之比。
b. 纵向封闭电流放大因数（hie）：指基极-发射极之间的电阻。
c.输出电流（Ib）：指基极电流。
d. 纵向式封闭输出电阻（hre）：指输出电流与输入电流之比。
值得一提的是，晶体管比场效应管多一种参数：工作频率。
此参数指示了晶体管在给定频率下的性能。
这些是常见的场效应管和晶体管的主要参数。
不同的型号和规格的场效应管和晶体管可能会有其他额外的参数依赖于具体应用和要求。
最实用的场效应管参数
最实用的场效应管参数场效应管是一种重要的半导体器件，广泛应用于电子电路中，具有许多实用的参数。
本文将详细介绍场效应管的一些最实用的参数。
1. 阈值电压（Vth）：阈值电压是指在场效应管工作时，控制栅极电压与源极电压之间的差值，当栅极电压超过阈值电压时，场效应管开始导通。
阈值电压是评估场效应管导通特性的重要指标，对于电路设计和选型具有重要意义。
2. 最大漏源电压（VDSmax）：最大漏源电压是指场效应管可以承受的最高电压，超过该电压会导致场效应管击穿，失去正常工作状态。
在实际应用中，需要确保电路中的电压不会超过场效应管的最大漏源电压。
3. 最大漏极电流（IDmax）：最大漏极电流是指场效应管可以承受的最高电流，超过该电流会导致场效应管过载，失去正常工作状态。
在电路设计中需要确保电路中的电流不会超过场效应管的最大漏极电流。
4.开关速度：场效应管的开关速度是指场效应管从关断到导通或从导通到关断的时间，开关速度影响着场效应管在高频电路中的应用。
开关速度较快的场效应管适用于高频电路，而开关速度较慢的场效应管适用于低频电路。
5. 输出电导（gm）：输出电导是指场效应管输出特性曲线上的斜率，表示场效应管的放大效果。
输出电导越大，说明场效应管具有更好的放大效果，适用于放大电路。
6. 输入电容（Ciss）：输入电容是指场效应管输入端电容的总和，包括栅极到源极电容和栅极到漏极电容。
输入电容影响着场效应管对输入信号的响应速度，输入电容越大，响应速度越慢。
7. 输出电容（Coss）：输出电容是指场效应管输出端电容，包括漏极到源极电容和漏极到栅极电容。
输出电容影响着场效应管的输出特性，输出电容越大，输出特性越不稳定。
8. 开启电压（VGSth）：开启电压是指场效应管开始导通时，栅极电压与源极电压之间的差值。
开启电压越小，场效应管的导通能力越强。
9. 内部电阻（Ron）：内部电阻是指场效应管导通时，漏源之间的电阻。
内部电阻越小，场效应管导通时的功耗越小。
常用场效应管参数大全
常用场效应管参数大全型号材料管脚用途参数3DJ 6NJ 低频放大20V0.35MA0.1W4405/R95242E3C NMOS GDS 开关600V11A150W0.362SJ117 PMOS GDS 音频功放开关400V2A40W2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关140V8A100W50/70nS0.52SJ122 PMOS GDS 高速功放开关60V10A50W60/100nS0.152SJ136 PMOS GDS 高速功放开关60V12A40W 70/165nS0.32SJ143 PMOS GDS 功放开关60V16A35W90/180nS0.0352SJ172 PMOS GDS 激励60V10A40W73/275nS0.182SJ175 PMOS GDS 激励60V10A25W73/275nS0.182SJ177 PMOS GDS 激励60V20A35W140/580nS0.0852SJ201 PMOS n2SJ306 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.122SJ312 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.122SK30 NJ SDG 低放音频50V0.5mA0.1W0.5dB2SK30A NJ SDG 低放低噪音频50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB2SK108 NJ SGD 音频激励开关50V1-12mA0.3W70 1DB2SK118 NJ SGD 音频话筒放大50V0.01A0.1W0.5dB2SK168 NJ GSD 高频放大30V0.01A0.2W100MHz1.7dB2SK192 NJ DSG 高频低噪放大18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB 2SK193 NJ GSD 高频低噪放大20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB2SK214 NMOS GSD 高频高速开关160V0.5A30W2SK241 NMOS DSG 高频放大20V0.03A0.2W100MHz1.7dB2SK304 NJ GSD 音频功放30V0.6-12mA0.15W2SK385 NMOS GDS 高速开关400V10A120W100/140nS0.62SK386 NMOS GDS 高速开关450V10A120W100/140nS0.72SK413 NMOS GDS 高速功放开关140V8A100W0.5 (2SJ118) 2SK423 NMOS SDG 高速开关100V0.5A0.9W4.52SK428 NMOS GDS 高速开关60V10A50W45/65NS0.152SK447 NMOS SDG 高速低噪开关250V15A150W0.24可驱电机2SK511 NMOS SDG 高速功放开关250V0.3A8W5.02SK534 NMOS GDS 高速开关800V5A100W4.02SK539 NMOS GDS 开关900V5A150W2.52SK560 NMOS GDS 高速开关500V15A100W0.42SK623 NMOS GDS 高速开关250V20A120W0.152SK727 NMOS GDS 电源开关900V5A125W110/420nS2.52SK734 NMOS GDS 电源开关450V15A150W160/250nS0.522SK785 NMOS GDS 电源开关500V20A150W105/240nS0.42SK787 NMOS GDS 高速开关900V8A150W95/240nS1.62SK790 NMOS GDS 高速功放开关500V15A150W0.4 可驱电机2SK791 NMOS GDS 电源功放开关850V3A100W4.5 可驱电机2SK794 NMOS GDS 电源开关900V5A150W2.5 可驱电机2SK817 NMOS GDS 电源开关60V26A35W40/230nS0.0552SK832 NMOS GDS 高速开关900V4A85W55/100nS4.02SK899 NMOS GDS 功放开关500V18A125W130/440nS0.33 2SK962 NMOS GDS 电源开关900V8A150W280/460nS2.02SK940 NMOS SDG 激励.驱动60V0.8A0.9W0.55螺线管驱动2SK1007 NMOS GDS 功放开关450V5A60W60/130nS1.62SK1010 NMOS GDS 高速开关500V6A80W70/130nS1.62SK1011 NMOS GDS 高速开关450V10A100W110/240nS0.65 2SK1012 NMOS GDS 高速开关500V10A100W110/240nS0.9 2SK1015 NMOS GDS 功放开关450V18A125W170/230nS0.45 2SK1016 NMOS GDS 电源开关500V15A125W170/230nS0.55 2SK1017 NMOS GDS 电源开关500V20A150W250/490nS0.35 2SK1019 NMOS GDS 电源开关450V35A300W360/900nS0.2 2SK1020 NMOS GDS 电源开关500V30A300W360/900nS0.25 2SK1060 NMOS GDS 功放开关100V5A20W50/140nS0.272SK1081 NMOS GDS 激励,驱动800V7A125W 145/250nS2.2 2SK1082 NMOS GDS 激励,驱动900V8A125W 145/250nS2.8 2SK1094 NMOS GDS 激励,驱动60V15A25W80/300nS0.065 2SK1101 NMOS GDS 功放开关450V10A50W165/360nS0.65 2SK1117 NMOS GDS 电源开关600V6A100W1.252SK1118 NMOS GDS 电源开关600V6A45W65/105nSD1.25 2SK1119 NMOS GDS 电源开关1000V4A100W3.82SK1120 NMOS GDS 电源开关1000V8A150W1.82SK1161 NMOS GDS 电源开关450V10A100W75/135nS0.82SK1170 NMOS GDS 电源开关500V20A120W147/290nS0.27 2SK1180 NMOS GDS 投影机用500V10A85W60/40nS0.62SK1195 NMOS GDS 电梯用230V1.5A10W37/100nS2SK1198 NMOS GDS 高速开关700V2A35W20/80nS3.22SK1217 NMOS GDS 电源开关90V8A100W280/460nS2.02SK1221 NMOS GDS 电源开关250V10A80W60/150nS0.42SK1247 NMOS GDS 电源开关500V5A30W50/90nS1.42SK1250 NMOS GDS 开关-感性500V20A150W130/260nS0.35 2SK1254 NMOS GDS 低噪放大120V3A20W25/195nS0.42SK1271 NMOS GDS 功放开关1400V5A240W55/260nS4.02SK1272 NMOS GDS 高速开关60V1A0.75W50/500nS0.652SK1329 NMOS GDS 电源开关500V12A60W90/180nS0.62SK1358 NMOS GDS 电源开关900V9A150W65/120nS1.42SK1374 NMOS 贴片50V50mA0.15W0.2US/0.2US502SK1379 NMOS GDS 激励, 开关60V50A150W78/640nS0.017 2SK1387 NMOS GDS 激励, 开关60V35A40W66/500nS0.035 2SK1388 NMOS GDS 激励, 开关30V35A60W125/480nS0.022 2SK1419 NMOS GDS 高速开关60V15A25W55/150nS0.082SK1445 NMOS GDS 高速开关450V5A30W45/175nS1.42SK1459 NMOS GDS 高速开关900V2.5A30W40/160nS6.02SK1460 NMOS GDS 高速开关900V3.5A40W50/265nS3.62SK1463 NMOS GDS 高速开关900V4.5A60W50/265nS3.62SK1482 NMOS GDS 开关功放低噪30V1.5A0.75W65/660nS4.5 2SK1507 NMOS GDS 高速开关600V9A50W110/240nS1.02SK1535 NMOS GDS 通用900V3A30W45/110nS5.02SK1537 NMOS GDS 通用900V5A100W65/145nS3.02SK1540 NMOS GDS 变频开关功放450V7A60W70/135nS0.82SK1544 NMOS GDS 变频开关功放500V25A200W240/590S0.2 2SK1547 NMOS GDS 开关800V4A40W95/170nS4.52SK1567 NMOS GDS 电源开关500V7A35W70/135nS0.92SK1611 NMOS GDS 电源开关800V3A50W40/135nS4.02SK1681 NMOS GDS 电源开关500V30A300W180/320nS0.352SK1745 NMOS GDS 激励, 开关500V18A150W120/210nS0.36 2SK1794 NMOS GDS 电源激励开关900V6A100W50/105nS2.8 2SK1796 NMOS GDS 功放开关900V10A150W90/230nS1.22SK1850 NMOS GDS 开关电机驱动60V10A1.8W110/360nS0.07 2SK1916 NMOS GDS 开关电源用450V18A80W170/33nS0.452SK1937 NMOS GDS 开关UPS用500V15A125W100/230nS0.48 2SK1985 NMOS GDS 开关UPS用900V5A50W35/105nS2.82SK2039 NMOS GDS 电源开关900V5A150W 70/210nS2.52SK2040 NMOS GDS 电源开关600V2A20W 11/45nS52SK2082 NMOS GDS 开关UPS用900V9A150W 85/210nS1.40 2SK2101 NMOS GDS 电源开关800V6A50W 50/130nS2.12SK2141 NMOS GDS 传动驱动600V6A35W 30/880nS1.12SK2147 NMOS GDS 开关UPS用900V6A80W 145/250nS2.8 2SK2161 NMOS SDG 高速开关200V9A25W 27/255nS0.452SK2189 NMOS GDS 高速开关500V10A70W 70/400nS1.02SK2485 NMOS GDS 监视器用电源900V6A100W 30/85 nS 2.80 2SK2487 NMOS GDS 监视器用电源900V8A140W 50/153nS1.1 2SK2611 NMOS GDS 监视器用电源900V9A150W2SK2645 NMOS GDS 监视器用电源500V15A125W2SK4847 NMOS GDS 电源开关100V36125W0.083SK103 NMOS gGDS 高频放大15V0.02A0.2W900MHz3SK122 NMOS gGDS 高频放大20V7-25mA0.2W200MHz1.2dB BS170 NMOS 60V0.3A0.63W12/12nS5.0BUZ11A NMOS GDS 开关50V25A75W60/110nS0.055BUZ20 NMOS GDS 功放开关100V12A75W75/80nSFS3KM NMOS GDS 高速开关500V3A30W23/60nS4.4FS5KM NMOS GDS 高速开关900V3A53W50/190nS4.FS7KM NMOS GDS 高速开关900V5A50W35/105nS2.8FS10KM NMOS GDS 高速开关FS12KM NMOS GDS 高速开关250V12A35W53/120nS0.40FS7SM-16 NMOS GDS 高速开关800V7A150W1.6H120N60 NMOS GDS 开关600V120AIRF130(铁)NMOS GDS 功放开关100V14A79W75/45nS0.16IRF250(铁)NMOS GDS 功放开关200V9A75W50/40nS0.4 IRF440(铁)NMOS GDS 功放开关500V8A125W35/30nS0.85 IRF450(铁)NMOS GDS 功放开关500V13A125W66/60nS0.4 IRF460(铁)NMOS GDS 功放开关500V13A125W66/60nS0.4 IRF530 NMOS GDS 功放开关100V14A79W51/36nS0.18 IRF540 NMOS GDS 功放开关100V28A150W110/75nS0.077 IRF541 NMOS GDS 功放开关80V28A150W110/75nS0.077 IRF610 NMOS GDS 功放开关200V3.3A43W26/13nS1.5 IRF630 NMOS GDS 功放开关200V9A75W50/40nS0.4IRF640 NMOS GDS 功放开关200V18A125W77/54nS0.18 IRF720 NMOS GDS 功放开关400V3.3A50W21/20nS1.8 IRF730 NMOS GDS 功放开关400V5.5A75W29/24nS1.0 IRF740 NMOS GDS 功放开关400V10A125W41/36nS0.55 IRF830 NMOS GDS 功放开关500V4.5A75W23/23nS1.5 IRF840 NMOS GDS 功放开关500V8A125W35/33nS0.85 IRF9530 PMOS GDS 功放开关100V12A75W140/140nS0.4 IRF9531 PMOS GDS 功放开关60V12A75W140/140S0.3 IRF9541 PMOS GDS 功放开关60V19A125W140/141nS0.2 IRF9610 PMOS GDS 功放开关200V1A20W25/15nS2.3IRF9630 PMOS GDS 功放开关200V6.5A75W100/80nS0.8 IRFS9630 PMOS GDS 功放开关200V6.5A75W100/80nS0.8IRFBC30 NMOS GDS 功放开关600V3.6A74W20/21nS2.2 IRFBC40 NMOS GDS 功放开关600V6.2A125W27/30nS1.2 IRFBE30 NMOS GDS 功放开关800V2.8A75W15/30nS3.5 IRFD120 NMOS 功放开关100V1.3A1W70/70nS0.3IRFD123 NMOS 功放开关80V1.1A1W70/70nS0.3IRFI730 NMOS GDS 功放开关400V4A32W1.0IRFI744 NMOS GDS 功放开关400V4A32W1.0IRFP054 NMOS GDS 功放开关60V65A180W0.022IRFP140 NMOS GDS 功放开关100V29150W0.85IRFP150 NMOS GDS 功放开关100V40A180W210/140nS0.55 IRFP240 NMOS GDS 功放开关200V19A150W0.18IRFP250 NMOS GDS 功放开关200V33A180W180/120nS0.08 IRFP340 NMOS GDS 功放开关400V10A150W0.55IRFP350 NMOS GDS 功放开关400V16A180W77/71nS0.3 IRFP353 NMOS GDS 功放开关350V14A180W77/71XnS0.4 IRFP360 NMOS GDS 功放开关400V23A250W140/99nS0.2 IRFP440 NMOS GDS 功放开关500V8.1A150W0.85IRFP450 NMOS GDS 功放开关500V14A180W66/60nS0.4 IRFP460 NMOS GDS 功放开关500V20A250W120/98nS0.27 IRFP9140 PMOS GDS 功放开关100V19A150W100/70nS0.2 IRFP9150 PMOS GDS 功放开关100V25A150W160/70nS0.2IRFPF40 NMOS GDS 功放开关900V4.7A150W2.5IRFPG42 NMOS GDS 功放开关1000V3.9A150W4.2IRFPZ44 NMOS GDS 功放开关1000V3.9A150W4.2 ******* IRFU020 NMOS GDS 功放开关50V15A42W83/39nS0.1IXGH20N60ANMOS GDS 600V20A150WIXGFH26N50NMOS GDS 500V26A300W0.3IXGH30N60ANMOS GDS 600V30A200WIXGH60N60ANMOS GDS 600V60A250WIXTP2P50 PMOS GDS 功放开关500V2A75W5.5 代J117J177 PMOS SDG 开关30V1.5mA0.35WM75N06 NMOS GDS 音频功放开关60V75A120WMTH8N100 NMOS GDS 功放开关1000V8A180W175/180nS1.8 MTH10N80 NMOS GDS 功放开关800V10A150WMTM30N50 NMOS 功放开关(铁)500V30A250WMTM55N10 NMOS GDS 功放开关(铁)100V55A250W350/400nS0.04MTP27N10 NMOS GDS 功放开关100V27A125W0.05MTP2955 PMOS GDS 功放开关60V12A75W75/50nS0.3MTP3055 NMOS GDS 功放开关60V12A75W75/50nS0.3MTP40N06 NMOS GDS 功放开关(双)60V40A150W/70nS0.3 MTW20N50 NMOS GDS 功放开关500V20A250W0.27RFP50N02 NMOS GDS 功放开关50V20ARFP50N05 NMOS GDS 功放开关50V50A132W55/15nS0.022 RFP50N06 NMOS GDS 功放开关60V50A145W55/15nS0.022 RFP6N60 NMOS GDS 功放开关600V6A75W80/100nS1.50RFP60N06 NMOS GDS 功放开关60V60A120W50/15nS0.03 RFP70N06 NMOS GDS 功放开关60V70A150WSMP50N06 NMOS GDS 功放开关50V60A125W50nS0.026SMP60N06NMOSG功放开关60V60A125W50nS0.023RFP50N05 NMOS GDS 功放开关50V50A132W55/15nS0.022SMP50N06 NMOS GDS 功放开关50V60A125W50nS0.026SMP60N06 NMOS GDS 功放开关60V60A125W50nS0.02SMW11N20 NMOS GDS 功放开关200V11A150WSMW11P20 PMOS GDS 功放开关200V11A150WSMW20N10 NMOS GDS 功放开关100V20A150WSMW20N10 PMOS GDS 功放开关100V20A150WSSH7N90 NMOS GDS 高速电源开关900V7A150WSSP6N60 NMOS GDS 高速电源开关600V6A150WSSP5N90 NMOS GDS 高速电源开关900V5A125WSSP7N80 NMOS GDS 高速电源开关800V7A75WSUP75N06 NMOS GDS 功放开关60V75A125W0.05W12NA50W NMOS GDS 功放开关50V12A150W300/600nSGT15Q101 NMOS GDS IGBT 1400V15A150WGT25J101 NMOS GDS IGBT 800V25A150WGT25Q101 NMOS GDS IGBT 1400V25A180WGT40T101 NMOS GDS IGBT 1500V40A300WGT60M103 NMOS GDS IGBT 900V60A300WGT60M301 NMOS GDS IGBT 900V60A300WIMBH60 NMOS GDS-100 IGBT 1000V60A300WIMBH60D NMOS GDS-100 IGBT 1000V60A300W(带阻) SDT3055 NMOS GDSTSD45N50V NMOS 场效应模块500V45A400WTN2460L35N120 1200V35A250WEXB841 IGBT驱动BUZ111S NMOS GDS 55V 80A。
场效应管参数解释
场效应管参数解释场效应管（FET，Field Effect Transistor）是一种基于电场效应工作的电子器件。
FET的主要参数包括：沟道电阻R_DS(on)，温度系数，漏源结电压V_DS，最大漏极耗散功率P_D，静态漏极电流I_DSS，增益带宽积(f_T)，漏极电流温度系数，静态工作点电流(I_D)，输入电阻R_in，输出电导G_out等。
1. 沟道电阻R_DS(on):沟道电阻R_DS(on)是场效应管在导通状态下沟道两端的电压降所对应的电流的比值。
沟道电阻越小，导通状态下的损耗越小，效率越高。
通常用来衡量FET开关特性的重要参数。
2.温度系数:温度系数是指FET在不同温度下控制和漏极电流之间的变化率。
FET 的温度特性与其材料和结构密切相关，不同的FET具有不同的温度系数。
一般来说，理想的温度系数应该接近零，以保证FET在不同温度下的稳定性。
3.漏源结电压V_DS:漏源结电压是指FET的漏极到源极之间的电压。
通常情况下，漏源结电压应小于FET的额定值，以避免过载和损坏。
4.最大漏极耗散功率P_D:最大漏极耗散功率是指FET能够承受的最大功率。
超过该功率将导致FET过热和损坏。
因此，在设计电路时，需要根据FET的最大漏极耗散功率来合理选择和配置。
5.静态漏极电流I_DSS:静态漏极电流是指FET在漏源极之间的电流，当FET处于关闭状态时的漏极电流。
静态漏极电流的大小与FET的型号、工作温度以及用途等因素有关。
6.增益带宽积(f_T):增益带宽积是衡量FET高频特性的重要指标，它代表了FET可以放大信号的最高频率。
增益带宽积越高，代表FET在高频应用中有更好的性能。
7.漏极电流温度系数:漏极电流温度系数是指FET的漏极电流随温度的变化率。
漏极电流温度系数的合理选择可以保持FET在不同温度下的稳定性。
8.静态工作点电流(I_D):静态工作点电流是指FET在静态工作状态下的漏极电流。
静态工作点电流需要根据具体的应用需求和设计要求选择，以使FET在正常工作范围内。
场效应管的主要参数
场效应管的主要参数场效应管是一种晶体管，也称为FET（Field Effect Transistor）。
与双极晶体管（BJT）相比，场效应管具有许多优点，例如高输入阻抗，低噪声，以及高分辨率输入电压等。
主要参数：1. 阈值电压（Vth）：阈值电压是场效应管工作的一个关键参数。
它表示当输入电压小于该值时，场效应管处于截止区，不导电。
当输入电压大于阈值电压时，场效应管进入饱和区或线性区，开始导通。
2. 饱和电流（Idsat）：饱和电流是指当场效应管工作在饱和区时，通过漏极-源极的电流。
饱和电流取决于场效应管的尺寸和工作电压。
3. 负漏极导纳（Yfs）：负漏极导纳是指场效应管的输入导纳，也称为转导。
它表示单位漏极-源极电压变化时，漏极-源极电流的变化量。
负漏极导纳可以决定输出电流与输入电压的比例关系。
4. 输入电阻（Rin）：输入电阻是指场效应管的输入端电压与输入端电流之间的比值。
由于场效应管的输入电流很小，因此输入电阻较高，可以使得场效应管适用于高阻抗输入的电路。
5. 输出电导（Gds）：输出电导是指场效应管的输出导纳，也称为转导。
它表示单位漏极-源极电压变化时，漏极-源极电流的变化量。
输出电导可以决定输出电流与漏极-源极电压的比例关系。
6.噪声系数（NF）：噪声系数表示场效应管引入的噪声对输入信号的影响程度。
一般来说，噪声系数越低，性能越好。
7. 压控电阻（rDS(on)）：压控电阻表示当场效应管处于线性区时，漏极-源极电阻的大小。
压控电阻越小，漏极-源极电压对漏极-源极电流的影响就越小。
压控电阻与输入电压有关，可以在一定范围内调节。
8.带宽（BW）：带宽是指场效应管工作的频率范围。
带宽可以决定场效应管在不同频率下工作的能力。
9.温度稳定性：温度稳定性是指场效应管在不同温度下的性能变化。
温度稳定性越好，场效应管在不同温度下的性能变化越小。
总结：。
常用功率场效应管参数大全
常用功率场效应管参数大全功率场效应管（Power MOSFET）是常用的功率驱动器件之一，具有高效率、低开关损耗、低驱动电流等优点，广泛应用于功率放大、开关、驱动等领域。
下面将介绍功率场效应管的常用参数。
1.静态参数静态参数用于描述功率场效应管在静止状态下的性能。
(1) 雅功耗（Drain Power Dissipation，Pd）：指功率场效应管在规定条件下最大允许的耗散功率。
(2) 雅耗（Gate Efficacy，η）：指单位面积底板的立体角功率。
(3) 雅-换算导热阻（Outlet Thermal Resistance，Rth,j-ch）：指从场效应管的结到环境之间的温度差与单位功率热流之比。
(4) 输入电容（Input Capacitance，Ciss）：指场效应管的栅结与源结之间的电容。
(5) 输出电容（Output Capacitance，Coss）：指场效应管的漏结与栅结之间的电容。
(6) 反馈电容（Feedback Capacitance，Crss）：指栅结与源结之间的电容。
(7) 静态栅极电压（Gate-Source Voltage，Vgs(th)）：指场效应管在截止与导通之间的栅极电压。
(8) 静态漏极电流（Drain Current，Idss）：指场效应管在最大栅极电压下的静态漏极电流。
2.动态参数动态参数用于描述功率场效应管在动态工作状态下的性能。
(1) 开启时间（Turn-on Time，ton）：指从场效应管的栅极电压上升到90%的开启电平所需的时间。
(2) 关断时间（Turn-off Time，toff）：指从场效应管的栅极电压下降到90%的关断电平所需的时间。
(3) 正向传导电阻（Forward Transconductance，Gfs）：指场效应管在导通状态下，输出电流与栅极电压之间的比值。
(4) 带宽（Bandwidth）：指场效应管在特定条件下能够放大信号的频率范围。
场效应管的主要参数
场效应管的主要参数场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种常用的电子器件，常被用于放大、开关和调节电流等应用中。
它具有许多重要的参数，这些参数对于理解和设计电路至关重要。
本文将介绍场效应管的一些主要参数，并解释它们的作用和特点。
1. 漏极截止电压（VDS(off)）：漏极截止电压是指当场效应管关闭时，漏极和源极之间的电压。
当VDS(off)为正值时，漏极电压高于源极电压，此时场效应管处于关闭状态。
VDS(off)的值取决于场效应管的工作状态和特性。
这个参数对于确定场效应管的工作状态和电路的稳定性非常重要。
2. 饱和漏极电压（VDS(sat)）：饱和漏极电压是指当场效应管完全开启时，漏极和源极之间的最小电压。
在饱和区，场效应管的导通状态稳定，电流可以通过管子流动。
VDS(sat)的值取决于场效应管的特性和工作状态。
这个参数对于确定场效应管的工作范围和电路的性能至关重要。
3. 置零漏极电压（VDS(off) zero）：置零漏极电压是指当场效应管完全关闭时，漏极和源极之间的电压。
当VDS(off) zero为正值时，漏极电压高于源极电压，此时场效应管处于完全关闭状态。
VDS(off) zero的值取决于场效应管的工作状态和特性。
这个参数对于确定场效应管的截止状态和电路的稳定性非常重要。
4. 阈值电压（Vth）：阈值电压是指当场效应管开始导通时，栅极和源极之间的电压。
在阈值电压以上，场效应管开始导通，电流可以通过管子流动。
Vth的值取决于场效应管的类型和制造工艺。
这个参数对于确定场效应管的导通状态和电路的性能至关重要。
5. 压缩因子（K）：压缩因子是指栅极电压变化与漏极电流变化之间的比率。
K的值取决于场效应管的类型和特性。
较大的K值意味着场效应管具有较好的放大能力和线性特性。
这个参数对于确定场效应管的放大能力和电路的线性度至关重要。
6. 输入电容（Ciss）：输入电容是指场效应管的栅极和源极之间的电容。
全系列常用场效应管参数大全
全系列常用场效应管参数大全场效应管是一种主要用于放大和开关电路的电子元器件，具有众多的参数。
以下是常用的场效应管参数：1.静态特性参数：(1) 阈值电压（Vth）：场效应管的控制电压，使得其导通或截止的电压值。
(2) 静态漏源电流（Idss）：当栅极电压为零时，漏极电流的最大值。
(3)鼓励因子（μ）：增强型场效应管的漏源电流与栅极电流之比。
2.动态特性参数：(1) 输入电容（Ciss）：输入端的电容值，是栅极与源极之间的电容。
(2) 输出电容（Coss）：输出端的电容值，是漏极与源极之间的电容。
(3) 反馈电容（Crss）：栅极与漏极之间的电容。
(4) 压摆率（Slew Rate）：指场效应管的输出电压在单位时间内的变化速率。
(5) 开关时间（Turn-on/off Time）：指将场效应管从导通状态切换到截止状态或从截止状态切换到导通状态所需的时间。
(6) 最大工作频率（fmax）：指场效应管的最大可靠工作频率。
(7) 功耗（Power Dissipation）：指场效应管在单位时间内消耗的电功率。
3.温度特性参数：(1) 热阻（Thermal Resistance）：指场效应管的散热能力。
(2) 温度系数（Temperature Coefficient）：指场效应管的电性能随温度变化的程度。
(3)工作温度范围：指场效应管能够正常工作的温度范围。
4.包装特性参数：(1)封装类型：常见的封装类型有TO-92、TO-220、SOT-23等。
(2)引脚布局：指场效应管引脚的排列方式。
5.其他特性参数：(1) 最大电压（Maximum Voltage）：指场效应管能够承受的最大电压。
(2) 最大电流（Maximum Current）：指场效应管能够承受的最大电流。
(3) 开关能力（Switching Capability）：指场效应管切换时的能力，包括开关速度和能量转移等方面。
以上是常用的场效应管参数，不同型号的场效应管具有不同的参数范围和性能，使用时需要根据实际需求选择合适的型号。
常用场效应管参数大全
常用场效应管参数大全场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种电子管，有三个电极：栅极（G）、漏极（D）和源极（S）。
相对于双极晶体管，场效应管在功耗和输入电阻方面具有优势。
下面是常用的场效应管参数的详细解释。
1. 栅源阈值电压（Vth）：栅源电压达到一定值时，场效应管开始导通。
阈值电压的大小决定了在何时开始导通。
有两种类型的场效应管：N 沟道（N-channel）和P沟道（P-channel）。
对于N沟道型FET，阈值电压一般为负值；而对于P沟道型FET，阈值电压一般为正值。
2. 最大漏源电压（Vdsmax）：场效应管能够承受的最大电压。
超过这个电压，管子可能损坏。
3. 漏源饱和电压（Vds(sat)）：当栅源电压为零时，漏源电压的最小值。
超过这个电压，管子可能损坏。
4. 最大漏电流（Idmax）：场效应管能够承受的最大电流。
超过这个电流，管子可能损坏。
5. 最大功率耗散（Pdmax）：场效应管能够承受的最大功率。
超过这个功率，管子可能损坏。
6. 开导通电压（Vgs(th)）：栅源电压达到一定值时，场效应管开始导通。
与栅源阈值电压类似，但是开导通电压表示栅源电压为正值时的情况。
7. 栅源电容（Cgs）：栅源电极之间的电容。
这个参数影响了管子的高频性能，较大的Cgs会使高频性能下降。
8. 漏源电容（Cds）：漏源电极之间的电容。
这个参数影响了管子的高频性能，较大的Cds会使高频性能下降。
9. 反馈电容（Cgd）：栅漏电极之间的电容。
这个参数影响了管子的高频性能，较大的Cgd会使高频性能下降。
10. 输入电阻（Rin）：场效应管的输入电阻。
输入电阻越大，对输入信号的影响就越小。
11. 输出电阻（Rout）：场效应管的输出电阻。
输出电阻越小，对输出信号的影响就越小。
12. 转移导纳（Yfs或Y21）：栅源电压增加时，漏源电流的变化。
它是对管子放大能力的度量。
13.增益（A或hFE）：输出电流（漏源电流）与输入电流（栅源电流）的比值。
场效应管参数大全
场效应管参数大全场效应管（Field Effect Transistor）是一种三端电子器件，由源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）组成。
在场效应管中，栅极控制电流的流动，输出电流由源极到漏极流动。
场效应管广泛应用于电子设备和集成电路中，是数字和模拟电路中最重要的组成元件之一、下面是场效应管的一些重要参数：1. 阈值电压（Threshold Voltage）：场效应管的阈值电压（Vth）是指在栅极电压低于该值时，管子处于截止（OFF）状态，没有漏极电流流过。
阈值电压是场效应管的重要特性之一，对于管子的工作状态和电路设计都有重要影响。
2. 最大漏极电流（Maximum Drain Current）：最大漏极电流（Idmax）是指在给定的栅极-漏极电压下，场效应管可以承受的最大漏极电流。
超过最大漏极电流的电流将损坏管子。
3. 转导电导（Transconductance）：转导电导（gm）是指单位栅极-漏极电压变化时，漏极电流的变化量。
转导电导是场效应管的重要参数，也用来衡量管子的增益和灵敏度。
4. 漏极电压（Drain-Source Voltage）：漏极电压（Vds）是指场效应管的漏极与源极之间的电压差。
漏极电压对场效应管的工作状态和性能有重要影响。
5. 饱和电流（Saturation Current）：饱和电流（Idsat）是指在给定的栅极电压下，场效应管的漏极电流达到饱和状态时的电流值。
6. 耗散功率（Power Dissipation）：耗散功率是指场效应管在工作中消耗的功率。
场效应管的耗散功率深受设计要求和环境温度的影响。
7. 开启时间和关闭时间（Turn-On and Turn-Off Time）：开启时间是指场效应管由截止状态转变为导通状态所需的时间，关闭时间是指从导通状态转变为截止状态所需的时间。
8. 输入和输出电容（Input/Output Capacitance）：输入和输出电容是指场效应管输入和输出端之间的电容。
常用功率场效应管参数大全
常用功率场效应管参数大全1. 正向漏源电流（IDss）：指在栅源电压(VGS=0)时，漏源间的电流。
单位为毫安（mA）。
正值表示N型场效应管存在正向导通，负值表示P型场效应管存在正向导通。
2.静态漏源电流（ID）：指在给定的栅源电压和漏源电压下，漏源间的电流。
单位为毫安（mA）。
3.静态栅源电压（VGS）：指在漏源电流为静态电流时，栅极与源极之间的电压。
单位为伏特（V）。
4.漏源电阻（RD）：指在给定的栅源电压和漏源电流下，漏源电阻的大小。
单位为欧姆（Ω）。
5.输出电导（GOUT）：指场效应管的输出电导，即输出电流与输出电压之比。
单位为毫秒（mS）。
6.压降（VDS）：指在漏源电流为给定值时，漏源电压与源极电压之间的差值。
单位为伏特（V）。
7. 阻抗（Zin）：指场效应管的输入阻抗。
单位为欧姆（Ω）。
8.增益（Av）：指场效应管的电压增益，即输出电压与输入电压之比。
9. 开关时间（ts, td）：指场效应管的开关时间，即从输入信号出现到场效应管从导通到截止（或反之）所经历的时间。
单位为纳秒（ns）。
10. 阈值电压（Vth）：指当栅极电压与源极电压之差等于阈值电压时，场效应管开始导通。
单位为伏特（V）。
11.温度系数（TC）：指场效应管的温度特性，即在不同温度下，场效应管的电性能随温度变化的程度。
12.最大耗散功率（PD）：指场效应管能够承受的最大功耗。
单位为瓦特（W）。
13.工作温度（TJ）：指场效应管的工作温度范围，即场效应管能够正常工作的温度区间。
14. 漏源电容（Cgd, Cgs, Cds）：指场效应管的漏源电容。
Cgd为栅极与漏极之间的电容，Cgs为栅极与源极之间的电容，Cds为漏极与源极之间的电容。
15. 存储时间（tsd）：指场效应管在导通状态下，当输入信号消失后，场效应管从导通到截止所经历的时间。
单位为纳秒（ns）。
简述场效应管的主要参数
简述场效应管的主要参数场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种重要的电子器件，具有许多主要参数。
本文将对场效应管的主要参数进行简要描述。
1. 漏极电流（ID）：漏极电流是场效应管的重要参数之一。
它表示通过漏极的电流大小。
漏极电流的大小与栅极电压（VG）和漏极电压（VD）有关。
漏极电流的大小决定了场效应管的工作状态和性能。
2. 转导（Transconductance，简称gm）：转导是场效应管的另一个重要参数。
它表示漏极电流变化与栅极电压变化之间的关系。
转导越大，代表场效应管的放大能力越强。
3. 阈值电压（Threshold Voltage，简称Vth）：阈值电压是指栅极电压与漏极电流之间的电压差。
在阈值电压以下，场效应管基本上处于截止状态，无法正常工作。
4. 饱和电流（Saturation Current，简称IS）：饱和电流是指场效应管工作在饱和区时的漏极电流。
饱和电流的大小与栅极电压和漏极电压之间的关系有关。
5. 最大耗散功率（Maximum Power Dissipation，简称Pdmax）：最大耗散功率是指场效应管能够承受的最大功率。
超过最大耗散功率，场效应管可能会因过热而损坏。
6. 输入电容（Input Capacitance，简称Ciss）：输入电容是指场效应管的输入端（栅极）与输出端（漏极）之间的电容。
输入电容的大小会影响场效应管的输入阻抗和频率响应。
7. 输出电容（Output Capacitance，简称Coss）：输出电容是指场效应管的输出端（漏极）与地之间的电容。
输出电容的大小会影响场效应管的输出阻抗和频率响应。
8. 反馈电容（Feedback Capacitance，简称Crss）：反馈电容是指场效应管的输出端（漏极）与输入端（栅极）之间的电容。
反馈电容的大小会影响场效应管的稳定性和频率响应。
9. 输出导纳（Output Admittance，简称Yos）：输出导纳是指场效应管的输出端（漏极）对输入端（栅极）的导纳。
场效应管的参数
场效应管的参数场效应管（也称为MOSFET）是一种常用的半导体元件，具有高速开关和放大功能。
它是现代电子设备中最重要的元件之一，被广泛应用于各种应用领域，如数字电路、放大器、功率控制器等。
场效应管的参数描述了其性能特点和工作状态，对于设计和选择电路具有重要意义。
以下是常见的场效应管参数的详细介绍。
1. 漏极-源极饱和电压（Vds）：漏极-源极饱和电压是指场效应管工作时，漏极电压和源极电压之间的最大允许值。
超过这个电压将导致场效应管处于饱和状态并损坏。
2. 阈值电压（Vth）：阈值电压是指当栅极电压超过一定值时，场效应管开始导通的电压。
它决定了场效应管的开关特性和工作状态。
3. 输出电导（gds）：输出电导是指场效应管的漏极-源极电流与漏极-源极电压之间的关系。
它反映了场效应管的开关速度和驱动能力，输出电导越大表示场效应管能够提供更大的输出电流。
4. 输入电容（Ciss）：输入电容是指场效应管的栅极-源极电容。
它表示了场效应管输入端的电荷存储和响应能力。
输入电容越大，场效应管对输入信号的响应速度越慢。
5. 输出电容（Coss）：输出电容是指场效应管的漏极-源极电容。
它表示了场效应管输出端的电荷存储和响应能力。
输出电容越大，场效应管的开关速度越慢。
6. 反馈电容（Crss）：反馈电容是指场效应管的栅极-漏极电容。
它表示了场效应管内部反馈电荷的存储和响应能力。
反馈电容越大，场效应管的增益稳定性越好。
7. 直流电流增益（ID）：直流电流增益是指场效应管在工作点处的漏极电流与栅极电流之间的比值。
它反映了场效应管的放大能力和驱动能力。
8. 开通电压（Vgs）：开通电压是指当栅极电压超过一定值时，场效应管完全导通的电压。
它与阈值电压的差值决定了场效应管的工作状态和开关特性。
以上是场效应管常见的重要参数，它们对于电路设计和选择具有重要意义。
了解和熟悉这些参数将有助于合理应用场效应管，实现电路的高性能和稳定工作。
常用场效应管参数及代换
常用场效应管参数及代换场效应管是一种常用的电子器件，常用于放大、开关和稳压等电路中。
场效应管的参数包括管子类型、三极管参数、特性参数等。
本文将介绍常用场效应管的参数及其代换关系。
1.场效应管的类型场效应管分为两种类型：N 沟道型（N-Channel）和 P 沟道型（P-Channel）。
N 沟道型的导电介质是负载，而 P 沟道型则是正载。
2.场效应管的三极管参数（1）漏源电流（ID）：场效应管导通时的电流。
（2）漏源电压（VD）：场效应管导通时的电压。
（3）栅极电压（VG）：用于控制场效应管导通和截止的电压。
（4）漏极电压（VDS）：场效应管导通时的漏极电压。
（5）栅源电压（VGS）：场效应管导通时的栅源电压。
3.场效应管的特性参数（1）漏源电流增益（gm）：当栅源电压变化时，漏源电流的变化率。
（2）输出电导（gds）：当栅源电压变化时，输出端漏源电流的变化率。
（3）输出电导增益（gm/gds）：输出电导与漏源电流的比值，表示场效应管的放大性能。
（4）输入电阻（Rin）：场效应管的输入端电阻，用于表示对输入信号的接受能力。
（5）输出电阻（Rout）：场效应管的输出端电阻，用于表示对输出信号的驱动能力。
（6）跨导电导增益（gm/rd）：跨导电导与输出电阻的比值，表示场效应管的放大性能。
（7）截止电压（VGSoff）：当栅源电压较低时，导通电流减小到很小的值。
4.场效应管的代换场效应管的代换常用于简化电路分析和设计。
常用的场效应管代换模型有三种：电流源代换、跨导电源代换和电阻代换。
（1）电流源代换：当场效应管工作在饱和区时，可以将电流源与场效应管并联，电流源的电流值等于场效应管漏源电流（ID），电压值等于场效应管的漏源电压（VD）。
（2）跨导电源代换：当场效应管工作在正常放大区时，可以将跨导电源与场效应管串联，跨导电源的电流值等于场效应管输电导（gm），电压值等于场效应管的栅源电压（VGS）。
（3）电阻代换：当输入电阻（Rin）和输出电阻（Rout）较大时，可以用电阻代替场效应管。
常用场效应管和晶体管参数大全
常用场效应管和晶体管参数大全一、常用场效应管参数：1.管脚标号和功能：- Gate（栅）：控制场效应管的导通与截止状态；- Drain（漏）：负责从管子中吸引和收集载流子；- Source（源）：提供电子流和空穴流；2. 漏电流（Id）：指在栅源电压（Vgs）和漏源电压（Vds）确定的情况下，从源极到漏极的电流值。
在截止区域，漏电流非常小，而在导通区域，漏电流较大。
3. 饱和漏源电压（Vdsat）：指在栅源电压（Vgs）确定的情况下，达到漏电流（Id）饱和状态所需的漏源电压值。
饱和状态下，增加漏源电压已无法继续提高漏电流。
4. 转导（gm）：指场效应管的输出电流（Id）与输入电压（Vgs）之间的变化率。
转导越大，场效应管的放大能力越强。
5.耗散功率（Pd）：指在工作过程中场效应管所消耗的功率。
通常需要根据该参数来选择散热器以确保器件不会过热。
6. 压降（Vgs th）：指栅极与源极之间的电压差，当超过该电压差的时候，管子开始导通。
常用作管子导通状态的判断依据。
二、常用晶体管参数：1.管脚标号和功能：-集电极（C）：负责收集电流；-基极（B）：控制集电极电流；-发射极（E）：通过向基极注入电子来产生电流。
2.负载特性：负载特性是指晶体管输出特性曲线。
负载特性能够代表晶体管放大的能力。
晶体管常用的负载特性有共发射、共基、共集三种。
3.比例系数：比例系数是指集电极电流变化与基极电流变化的比例关系。
常用的比例系数有α（电流放大系数），β（电流转移放大系数）和γ（电导放大系数）。
4. 最大漏电流（Ic max）：在给定的电压和温度下，晶体管允许通过的最大集电极电流。
超过该值将会烧毁晶体管。
5. 切换频率（ft）：指晶体管能够正常工作的最高频率。
一般来说，切换频率越高，晶体管能够承载的高频信号越多。
6. 射频放大系数（hfe）：指晶体管的电流放大倍数，也就是集电极电流与基极电流之间的比值。
以上是常用场效应管和晶体管参数的一些主要介绍，不同型号和规格的场效应管和晶体管可能还有其他一些特殊参数或性能指标。
场效应管的主要参数
场效应管的主要参数场效应管（Field-Effect Transistor，FET）是一种三极电子器件，广泛应用于放大和开关电路中。
场效应管主要有三个主要参数：转移特性、输入特性和输出特性。
下面将详细讨论这三个参数。
1. 转移特性：转移特性描述了场效应管的输入-输出关系，即输出电流与输入电压之间的关系。
转移特性通常由三种不同的参数表示：互导（Transconductance，gm）、输出电导（Output Conductance，go）和截止电流（Cut-Off Current，IDSS）。
- 互导（Transconductance，gm）：互导是场效应管的输入电压变化引起的输出电流变化的比率。
它是转移特性曲线的斜率。
互导数值越高，代表场效应管有更好的放大能力。
- 输出电导（Output Conductance，go）：输出电导表示场效应管的漏极电流与漏极电压之间的关系。
输出电导数值越小，代表场效应管具有更好的开关特性。
- 截止电流（Cut-Off Current，IDSS）：截止电流是场效应管的栅极-源极电压为零时的漏极电流。
截止电流的数值越小，代表场效应管具有更好的截止特性。
2.输入特性：输入特性描述了场效应管的栅极-源极电流与栅极-源极电压之间的关系。
输入特性包括漏极特性和截止特性。
-漏极特性：漏极特性是指场效应管的漏极电流与漏极电压之间的关系。
在正常工作区域内，漏极特性曲线呈现出线性区和饱和区两种不同的特性。
-截止特性：截止特性是指场效应管的栅极-源极电流与栅极-源极电压之间的关系。
在截止区，栅极电流非常小，基本上可以忽略不计。
3.输出特性：输出特性描述了场效应管的漏极电流与漏极电压之间的关系。
输出特性通常以漏极特性曲线表示。
-漏极特性：漏极特性是指场效应管的漏极电流与漏极电压之间的关系。
漏极特性曲线可以显示出场效应管的饱和区和线性区。
此外，还有一些次要参数：4. 最大漏极电流（Maximum Drain Current，IDmax）：场效应管能够承受的最大漏极电流。
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元件型号
分类
参数
封装
2N7000
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SOT-23
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DISCRETE MOS FET
DISCRETE MOS FET
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D-PAK
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DISCRETE MOS FET
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DISCRETE MOS FET
25V N/P Dual
8SOP
DISCRETE MOS FET
800V,3A
TO-220F
SSS6N60A
DISCRETE MOS FET
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TO-220(F/P)
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DISCRETE MOS FET
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Байду номын сангаас
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元件型号
分类
参数
封装
IRFU220A
DISCRETE MOS FET
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TO-220
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D-PAK
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DISCRETE MOS FET
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TO-220
SSP3N90A
DISCRETE MOS FET
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TO-220
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DISCRETE MOS FET
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TO-220
SSP4N60AS
DISCRETE MOS FET
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D-PAK
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DISCRETE MOS FET
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D-PAK
SSS10N60A
DISCRETE MOS FET
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SSS2N60A
DISCRETE MOS FET
600V,1.3A
TO-220F
SSD2019
DISCRETE MOS FET
20V P-ch Dual
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8SOP
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SSH10N90A
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DISCRETE MOS FET
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