《模拟电子技术基础》(第四版)童诗白,华成英_高等教育出版社_课后习题答案

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模拟电子技术基础第四版课后标准答案-童诗白

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模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。

求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

(a) (b)图T1.4解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V。

右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V。

习题1.1选择合适答案填入空内。

(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。

A.五价B.四价C.三价(2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。

A.增大B.不变C.减小(3)工作在放大区的某三极管,如果当I B从12 uA 增大到22 uA 时,I C从l mA变为2mA,那么它的β约为( C ) 。

A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时,它的低频跨导g m将( A ) 。

模拟电子技术基础(第四版)习题解答

模拟电子技术基础(第四版)习题解答

模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √)(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保R大的特点。

( √ )证其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。

( × )(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。

图T1.3解:U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。

四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。

求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

(a) (b)图T1.4解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V。

右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V。

五、电路如图T1.5所示,V CC=15V,β=100,U BE=0.7V。

模拟电子技术基础第四版童诗白课后答案

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第8章波形的发生和信号的转换自测题一、改错:改正图T8.1所示各电路中的错误,使电路可能产生正弦波振荡。

要求不能改变放大电路的基本接法(共射、共基、共集)。

(a) (b)图T8.1解:(a)加集电极电阻R c及放大电路输入端的耦合电容。

(b)变压器副边与放大电路之间加耦合电容,改同名端。

二、试将图T8.2所示电路合理连线,组成RC桥式正弦波振荡电路。

图T8.2解:④、⑤与⑨相连,③与⑧ 相连,①与⑥ 相连,②与⑦相连。

如解图T8.2所示。

解图T8.2三、已知图T8.3(a)所示方框图各点的波形如图(b)所示,填写各电路的名称。

电路1为正弦波振荡电路,电路2为同相输入过零比较器,电路3为反相输入积分运算电路,电路4 为同相输入滞回比较器。

(a)(b)图T8.3四、试分别求出图T8.4所示各电路的电压传输特性。

(a) (b)图T8.4解:图(a)所示电路为同相输入的过零比较器;图(b)所示电路为同相输入的滞回比较器,两个阈值电压为±U T =±U Z 。

两个电路的电压传输特性如解图T8.5所示。

解图T8.4五、电路如图T8.5所示。

图T8.5(1)分别说明A 1和A 2各构成哪种基本电路;(2)求出u O1与u O 的关系曲线u O1=f (u O );(3)求出u O 与u O1的运算关系式u O =f (u O1);(4)定性画出u O1与u O 的波形;(5)说明若要提高振荡频率,则可以改变哪些电路参数,如何改变?解:(1)A 1:滞回比较器;A 2:积分运算电路。

(2)根据12111112121()02P O O O O N R R u u u u u u R R R R =⋅+⋅=+==++ 可得:8T U V ±=±u O1与u O 的关系曲线如解图T8.5 (a)所示。

(3) u O 与u O1的运算关系式(4) u O1与u O 的波形如解图T8.5(b)所示。

模拟电路童诗白第四版习题配套答案

模拟电路童诗白第四版习题配套答案

模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ×)R大的特(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其GS点。

( √)U大于零,则其输入电阻会明显变小。

( ×)(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。

图T1.3解:U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。

四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。

求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

(a) (b)图T1.4解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。

右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。

五、电路如图T1.5所示,V CC =15V ,β=100,U BE =0.7V 。

《模拟电子技术基础》(童诗白、华成英第四版)习题解答

《模拟电子技术基础》(童诗白、华成英第四版)习题解答

模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证R大的特点。

( √)其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。

( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。

模拟电子技术基础习题解答第四版童诗白华成英第一部分

模拟电子技术基础习题解答第四版童诗白华成英第一部分

第一部分模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √)(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √)(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ×)R (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其GS 大的特点。

( √)U大于零,则其输入电阻会明显变小。

( ×)(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。

图T1.3解:U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。

四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。

求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

(a) (b)图T1.4 解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。

右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。

五、电路如图T1.5所示,V CC =15V ,β=100,U BE =0.7V 。

模拟电子技术基础第四版童诗白课后答案精华版

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模拟电子技术基础第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。

(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。

A.五价 B.四价 C.三价 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。

A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时,I C 从l mA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。

A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。

A.增大;B.不变;C.减小 1.2电路如图P1.2 所示,已知10sin i u t ω=(V ),试画出i u 与o u 的波形。

设二极管导通电压可忽略不计。

图P1.2 解图P1.2解:i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。

1.3电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D =0.7V 。

试画出i u 与o u 的波形图,并标出幅值。

图P1.3 解图P1.31.4电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈,电容C 对交流信号可视为短路;u 为正弦波,有效值为10mV 。

试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少?解:二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω 图P1.4故动态电流的有效值:/1di D I U r mA =≈1.5现有两只稳压管,稳压值分别是6V 和8V ,正向导通电压为0.7V 。

试问: (1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少? (2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少?解:(1)串联相接可得4种:1.4V ;14V ;6.7V ;8.7V 。

(2)并联相接可得2种:0.7V ;6V 。

模拟电子技术基础第四版课后答案-童诗白精编版

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模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证R大的特点。

( √)其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。

( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。

(完整版)模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第七章

(完整版)模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第七章

第7章信号的运算和处理自测题一、现有电路:A.反相比例运算电路B.同相比例运算电路C.积分运算电路D.微分运算电路E.加法运算电路F.乘方运算电路选择一个合适的答案填入空内。

(1)欲将正弦波电压移相+90o,应选用( C )。

(2)欲将正弦波电压转换成二倍频电压,应选用( F )。

(3)欲将正弦波电压叠加上一个直流量,应选用( E )。

(4)欲实现A u=−100 的放大电路,应选用( A )。

(5)欲将方波电压转换成三角波电压,应选用( C )。

(6)欲将方波电压转换成尖顶波波电压,应选用( D )。

二、填空:(1)为了避免50H z电网电压的干扰进入放大器,应选用( 带阻)滤波电路。

(2)已知输入信号的频率为10kH z~12kH z,为了防止干扰信号的混入,应选用( 带通)滤波电路(3)为了获得输入电压中的低频信号,应选用( 低通)滤波电路。

(4)为了使滤波电路的输出电阻足够小,保证负载电阻变化时滤波特性不变,应选用( 有源)滤波电路。

三、已知图T7.3所示各电路中的集成运放均为理想运放,模拟乘法器的乘积系数k大于零。

试分别求解各电路的运算关系。

(a)(b)图T7.3解:图(a)所示电路为求和运算电路,图(b)所示电路为开方运算电路。

它们的运算表达式分别为:(a) 12413121234()(1)//f I I O f I R u u R u R u R R R R R R =-+++⋅⋅+ 11O O u u dt RC =-⎰(b) '23322144O I O O R R R u u u ku R R R =-⋅=-⋅=-⋅ 2413O I R R u u kR R =⋅习题本章习题中的集成运放均为理想运放。

7.1填空:(1) ( 同相比例 )运算电路可实现A u >1 的放大器。

(2) ( 反相比例 )运算电路可实现A u <0 的放大器。

(3) ( 微分 )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。

模拟电子技术基础第四版童诗白课后答案第一章

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第1章 常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √ ) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( × ) (3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其GS R 大的特点。

( √ ) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS U 大于零,则其输入电阻会明显变小。

( × ) 二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄 B.基本不变 C.变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏 (4) U GS =0V 时,能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D =0.7V 。

图T1.3解:U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。

四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。

求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

(a) (b)图T1.4解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。

右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。

五、电路如图T1.5所示,V CC =15V ,?=100,U BE =0.7V 。

模拟电路童诗白第四版习题配套答案

模拟电路童诗白第四版习题配套答案

模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ×)R大的特(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其GS点。

( √)U大于零,则其输入电阻会明显变小。

( ×)(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。

图T1.3解:U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。

四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。

求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

(a) (b)图T1.4解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。

右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。

五、电路如图T1.5所示,V CC =15V ,β=100,U BE =0.7V 。

童诗白模拟电子技术基础课后习题答案

童诗白模拟电子技术基础课后习题答案

− UCES 2
≈ 3.28V
RL' = 1kΩ
6
RL
= 3kΩ时,U om
=
I CQ RL' 2
≈ 2.12V
2.12 ② ① ② ① ③ ③②①③① ③③①③③
2.13(1)静态及动态分析:
U BQ

Rb1 Rb1 + Rb2
⋅VCC
=
2V
I BQ
= I EQ 1+ β
≈ 10μ
A
I EQ
= U BQ − U BEQ Rf + Re
第一章 半导体基础知识
自测题
一 、( 1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)× 二 、( 1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C 三、UO1≈1.3V UO2=0 UO3≈-1.3V UO4≈2V UO5≈2.3V UO6≈-2V 四、UO1=6V UO2=5V 五、根据 PCM=200mW 可得:UCE=40V 时 IC=5mA,UCE=30V 时 IC≈6.67mA,UCE =20V 时 IC=10mA,UCE=10V 时 IC=20mA,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图 略。
(9)√ (10)× (11)× (12)√
2.6 (1)6.4V (2)12V (3)0.5V (4)12V (5)12V
2.7
5
Q:I BQ
= VCC
− U BEQ Rb
− U BEQ R
≈ 22μ
A
ICQ = β I BQ ≈ 1.76mA
空载时:U CEQ
= VCC
− I CQ Rc
≈ 6.2V, rbe
≈ 1mA
U CEQ ≈ VCC − I EQ (Rc + Rf + Re ) = 5.7V

模拟电子技术基础(第四版)习题解答

模拟电子技术基础(第四版)习题解答

模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √)(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保R大的特点。

( √ )证其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。

( × )(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。

图T1.3解:U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。

四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。

求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

(a) (b)图T1.4解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V。

右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V。

五、电路如图T1.5所示,V CC=15V,β=100,U BE=0.7V。

《模拟电子技术基础》习题答案_第四版(童诗白、华成英)高等教育出版社

《模拟电子技术基础》习题答案_第四版(童诗白、华成英)高等教育出版社

1第1章习题及答案1.1.在图题1.1所示的各电路图中E =5V ,t u i ωsin 10=V ,二极管的正向压降可忽略不计,试分别画出输出电压o u 的波形。

uu ouu o图题1.1解:(a )图:当i u > E 时,o u = E ,当i u < E 时,i o u u =。

(b )图:当i u < E 时,o i u u =;当i u > E 时,E u o =。

(c )图:当i u < E 时,E u o =;当i u > E 时,i o u u =。

(d )图:当i u > E 时,i o u u =;当i u < E 时,E u o =。

画出o u 波形如图所示。

2Vu i /u o /u o /u o /u o /1.2.有两个稳压管D Z1和D Z2,其稳定电压分别为 5.5V和8.5V,正向压降都是0.5V 。

如果要得到0.5V ,3V,6V ,9V和14V几种稳定电压,问这两个稳压管(还有限流电阻)应如何连接?画出各个电路。

解:各电路图如图所示。

(a)0.5V ;(b)3V ;(c)6V ;(d)9V ;(e)14V 。

uu(a)(b)u u u(c) (d) (e)1.3.在如图题1.3所示的发光二极管的应用电路中若输入电压为1.0V 试问发光二极管是否发光,为什么?3图题1.3解:若输入电压U I =1.0V ,发光二极管不发光,因为发光二极管正向工作电压为2~2.5V 。

1.4.光电二极管在电路中使用时,是正向连接还是反向连接?解:光电二极管在电路中使用时,是反向连接,因为光电二极管工作在反偏状态,它的反向电流随光照强度的增加而上升,用于实现光电转换功能。

1.5.某二极管的管壳标有电路符号,如图所示,已知该二极管是好的,万用表的欧姆档示意图如图题1.5所示,(1)在测二极管的正向电阻时,两根表笔如何连接?(2)在测二极管的反向电阻时,两根表笔又如何连接?(3)两次测量中哪一次指针偏转角度大?偏转角度大的一次的阻值小还是阻值大?图题1.5解:(1)在测二极管的正向电阻时,黑表笔接正极,红表笔接负极。

模拟电子技术基础习题解答-童诗白

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模拟电子技术基础(第四版)习题解答-童诗白(总137页)--本页仅作为文档封面,使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R大的特点。

( √ )GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。

(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS( × )二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=。

图解:U O1=, U O2=0V, U O3=, U O4=2V, U O5=, UO6=-2V。

四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。

求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

(a) (b)图34解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。

右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。

五、电路如图所示,V CC =15V ,=100,U BE =。

模拟电子技术基础第四版(童诗白_华成英)课后答案

模拟电子技术基础第四版(童诗白_华成英)课后答案

模拟电子技术基础第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。

(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。

A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。

A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时,I C 从l mA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。

A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。

A.增大;B.不变;C.减小 1.2电路如图P1.2 所示,已知10sin i u t ω=(V ),试画出i u 与o u 的波形。

设二极管导通电压可忽略不计。

图P1.2 解图P1.2解:i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。

1.3电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D =0.7V 。

试画出i u 与o u 的波形图,并标出幅值。

图P1.3 解图P1.31.4电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈,电容C 对交流信号可视为短路;u 为正弦波,有效值为10mV 。

试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少?解:二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω 图P1.4故动态电流的有效值:/1di D I U r mA =≈1.5现有两只稳压管,稳压值分别是6V 和8V ,正向导通电压为0.7V 。

试问: (1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少? (2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少?解:(1)串联相接可得4种:1.4V ;14V ;6.7V ;8.7V 。

(2)并联相接可得2种:0.7V ;6V 。

模拟电路 童诗白第四版习题配套答案

模拟电路 童诗白第四版习题配套答案

模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ×)R大的特(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其GS点。

( √)U大于零,则其输入电阻会明显变小。

( ×)(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。

图T1.3解:U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。

四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。

求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

(a) (b)图T1.4解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。

右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。

五、电路如图T1.5所示,V CC =15V ,β=100,U BE =0.7V 。

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B b第一章 半导体基础知识自测题一 、( 1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)× 二 、( 1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C 三、U O1≈1.3V U O2=0 U O3≈-1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈-2V 四、U O1=6V U O2=5V五、根据 P CM =200mW 可得:U CE =40V 时 I C =5mA ,U CE =30V 时 I C ≈6.67mA ,U CE=20V 时 I C =10mA ,U CE =10V 时 I C =20mA ,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。

图 略。

1、I =V BB − U BE R b= 26μ AI C = E I B = 2.6mA U CE = V CC − I C R C = 2VU O =U CE =2V 。

2、临界饱和时 U CES =U BE =0.7V ,所以V − U I C =CCCES R c= 2.86mAI = =I C B E= 28.6μ A R = V BB − U BE I B≈ 45.4k Ω 七、T 1:恒流区;T 2:夹断区;T 3:可变电阻区。

习题1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A1.2 不能。

因为二极管的正向电流与其端电压 成 指数关系,当端电压为 1.3V 时管子会因电流过大而 烧坏。

1.3 u i 和 u o 的波形如图所示。

1.4 u i 和 u o 的波形如图所示。

u i 10 tu o 10ttLtt1D 1.5 u o 的波形如图所示。

1.6 I D =(V -U D )/R =2.6mA ,r D ≈U T /I D =10Ω,I d =U i /r D ≈1mA 。

1.7 (1)两只稳压管串联时可得 1.4V 、6.7V 、8.7V 和 14V 等四种稳压值。

(2)两只稳压管并联时可得 0.7V 和 6V 等两种稳压值。

1.8 I ZM =P ZM /U Z =25mA ,R =U Z /I DZ =0.24~1.2k Ω。

1.9 (1)当 U I =10V 时,若 U O =U Z =6V ,则稳压管的电流为 4mA ,小于其最小稳定 电流,所以稳压管未击穿。

故U = R L ⋅ U O R + R I≈ 3.33V当 U I =15V 时,由于上述同样的原因,U O =5V 。

u I1/V3u I2 /V3u O /3.7t当 U I =35V 时,U O =U Z =5V 。

(2) I Z = (U I −U Z ) R = 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。

1.10 (1)S 闭合。

(2) R min = (V − U D ) I Dmax ≈ 233Ω,R max = (V − U D ) I Dmin = 700Ω。

1.11 波形如图所示。

u I /V u O1 u O2 1.12 60℃时 I CBO ≈32μA 。

R R 1.13 选用β=100、I CBO =10μA 的管子,其温度稳定性好。

1.14(a)(b)1.16 当 V BB =0 时,T 截止,u O =12V 。

当 V BB =1V 时,T 处于放大状态。

因为V BB − U BEQI BQ = b= 60μ A ,I CQ = E I BQ = 3mA ,u O = V CC − I CQ R C = 9V当 V BB =3V 时,T 处于饱和状态。

因为V BB − U BEQI BQ = b= 160μ A ,I CQ = E I BQ = 8mA ,u O = V CC − I CQ R C <U BE1.17 取 U CES =U BE ,若管子饱和,则V − U V − U RE ⋅ CC BE R b = CC BE ,R b R C = E R C ,所以E ≥ bR C= 100管子饱和。

1.18 当 u I =0 时,晶体管截止,稳压管击穿, u O =-U Z =-5V 。

当 u I =-5V 时,晶体管饱和,u O =0.1V 。

因为u − U I B =I BE R b = 480μ A I C = E I B = 24mAU EC = V CC − I C R C <V CC1.19(a )可能 (b )可能 (c )不能 (d )不能,T 会损坏。

(e )可能 1.20 根据方程i D = IDSS (1 −u GS ) 2U GS(th)逐点求出确定的 u GS 下的 i D ,可近似画出转移特性和输出特性。

在输出特性中,将各条曲线 上 u GD =U GS (off )的点连接起来,便为予夹断线。

1.211.22 过 u DS 为某一确定值(如 15V )作垂线,读出它与各条输出特性的交点的 i D 值 ; 建立 i D =f (u GS )坐标系,根据前面所得坐标值描点连线,便可得转移特性。

1.23 u I =4V 时 T 夹断,u I =8V 时 T 工作在恒流区,u I =12V 时 T 工作在可变电阻区。

1.24 (a )可能 (b )不能 (c )不能 (d )可能第二章 基本放大电路自测题一 、(1)× (2)√ (3)× (4)× (5)√ (6)× (7)× 二 、(a )不能。

因为输入信号被 V BB 短路。

(b )可能(c )不能。

因为输入信号作用于基极与地之间,不能驮载在静态电压之上,必然失真。

(d )不能。

晶体管将因发射结电压过大而损坏。

(e )不能。

因为输入信号被 C 2 短路。

(f )不能。

因为输出信号被 V CC 短路,恒为零。

(g )可能。

(h )不合理。

因为 G-S 间电压将大于零。

(i )不能。

因为 T 截止。

三 、(1) (V CC − U BEQ )I BQ565 ; (V CC − U CEQ )E I BQ 3o.(2)−U o U i-120 ;R LRC+RL⋅U'0.3四、(1)A (2)C (3)B (4)B五、(1)C,D E (2)B (3)A C D (4)A B D E (5)C (6)B C E,A D六、习题2.1e b c 大大中大c b c小大大小b e c大小小大2.2(a)将-V CC 改为+V CC 。

(b)在+V CC 与基极之间加R b。

(c)将VBB反接,且加输入耦合电容。

(d)在VBB支路加Rb,在-VCC与集电极之间加Rc。

2.3 图P2.3 所示各电路的交流通路;将电容开路即为直流通路,图略。

....UUo o(a) (b)...UU o U i U oR L(c) (d)2.4 空载时:I BQ=20μA,I CQ=2mA,U CEQ=6V;最大不失真输出电压峰值约为5.3V。

带载时:IBQ=20μA,ICQ=2mA,UCEQ=3V;最大不失真输出电压峰值约为2.3V。

2.5(1)× (2)× (3)× (4)√(5)× (6)× (7)× (8)√(9)√(10)× (11)× (12)√2.6 (1)6.4V (2)12V (3)0.5V (4)12V (5)12V2.7R R E LQ :I BQ V CC − U BEQ = R bU BEQ−R≈ 22μ A I CQ = E I BQ ≈ 1.76mA空载时:UCEQ= V CC− I CQ R c≈ 6.2V , r be= r bb ' + (1 + E ) 26mV ≈ 1.3k Ω I EQA u= − E R cr be≈ −308 R i = R b ∥ r be ≈ r be ≈ 1.3k Ωr A us≈ be ⋅ A uR s + r be ≈ −93 R o = R c = 5k ΩR R L = 3k Ω时:U CEQE R '=L− I CQ ( R c ∥ R L ) ≈ 2.3VR c + R LA u= − L r be r ≈ −115 A us ≈ be ⋅ A u R s + r be≈ −47 2.8(a )饱和失真,增大 R b ,减小 R c 。

(b )截止失真,减小 R b 。

(c )同时出现饱和失真和截止失真,增大 V CC 。

2.9 (a )截止失真 (b )饱和失真 (c )同时出现饱和失真和截止失真2.10 (1)I CQ =V CC − U CEQ R c= 2mAI BQ I CQ =E= 20μ AR b = V CC − U BEQI BQ≈ 565k Ω(2)A uU = − o U i= −100A u' = − L r be'= 1k Ω 1 + 1 = 1 R c R LR L = 1.5k Ω2.11 空载时,U omU CEQ − U CES= 2≈ 3.28VR L = 3kΩ时,U om I R '= CQ L2≈2.12V2.12 ②①②①③③②①③①③③①③③2.13(1)静态及动态分析:R b1UBQ −UBEQU BQ≈R b1 + R b2I EQ ⋅VCC= 2V IEQ=R f + R e≈1mAI BQ=1+ E ≈10μ A UCEQ≈ VCC−IEQ(R c + R f+ R e ) = 5.7Vr be= r bb' +(1+ E) 26mV ≈2.73kΩIEQA u = −E(R c ∥R L )r be + (1+ E)R f≈−7.7R i = R b1 ∥R b2 ∥[r be + (1+ E)R f ] ≈3.7kΩR o = R c= 5kΩ(2) R i 增大,R i≈4.1kΩ;A u2.14减小,A u ≈-1.92。

Q I =VCC−UBEQ = E=−+ E: BQR1 + R2+ (1+ E)RcI CQ I BQ U CEQ VCC(1)IBQRcAu= −E R2 ∥R3rbeR i = r be∥R1R o = R2∥R32.15 Q 点:I BQ= ( R2R2 + R3V CC −U BEQ )[R2 ∥R3+(1+E )R1 ]ICQ = E IBQ动态:U CEQ =V CC −I CQ R c +U BEQ2.16Au= E R4r beR i = R1∥ r be1+ ER o = R4= R V CC − U BEQ1U BEQ1I ≈ −≈= EBQ1R 1 + R 2 I CQ2 3I CQ1I BQ1U CQ2 = V CC − I CQ2 R 4U BQ2 ≈ R 2R 1 + R 2(V CC −U BEQ1 ) + U BEQ1 U CEQ1 = U BQ2-U BEQ2U CEQ2 = U CQ2-U BQ2 + U BEQ2A u 1E 1 ⋅ = − r be21 + E 2A u 2E 21 R 4A u= A u 1A u 2 r be1 R i = R 2 ∥ R 3 ∥ r be1r be2R o = R 42.17A u 1 ≈ −1 A u 2≈ +1图略。

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