IBED-C600M多功能离子束增强沉积设备的操作规程

IBED-C600M多功能离子束增强沉积设备的

操作规程

一、主要配置及特点

主要由不锈钢真空室，真空及测量系统，大束流气体离子源，溅射离子源、辅助离子源，离子源源气流量控制系统，转架及传动机构，四靶位水冷溅射靶，旋转样品台和电气控制系统组成。

二、性能参数

1）真空系统采用机械泵－涡轮分子泵复合系统，30分钟真空度可达到6.67×10-3 Pa，极限真空度：6.6×10-4 Pa；

2）采用三路质量流量计对工艺气体进行计量、控制。

3）离子溅射源束斑直径60－80mm，电压800－3000V，束流30－80mA；

4）离子辅助源束斑直径60－80mm；电压800－3000V，束流30－80mA；

5）大束流气体离子源束斑直径120－200mm；最高加速电压60kV，最大束流10mA；

6）膜厚不均匀性：15％范围内。

三、应用范围

1）多种气体离子或混合离子的大束流注入；

2）多种气体离子掺杂的材料表面改性；

3）氧化物等电介质薄膜的增强沉积；

4）金属和合金薄膜的增强沉积；

5）新型功能薄膜的离子束合成制备；

6）多层薄膜的溅射沉积和掺杂等。