双栅动态阈值SOI nMOSFET数值模拟(英文)

双栅动态阈值SOI nMOSFET数值模拟(英文)
毕津顺;吴峻峰;海潮和
【期刊名称】《半导体学报：英文版》
【年(卷),期】2006(27)1
【摘要】提出了新型全耗尽SOI平面双栅动态阈值nMOS场效应晶体管,模拟并讨论了器件结构、相应的工艺技术和工作机理.对于nMOS器件,背栅n阱是通过剂量为3×1013cm-2,能量为250keV的磷离子注入实现的,并与n+前栅多晶硅直接相连.这项技术与体硅工艺完全兼容.通过Tsuprem4和Medici模拟,发现全耗尽SOI平面双栅动态阈值nMOSFET保持了传统全耗尽SOI nMOSFET的优势,消除了反常亚阈值斜率和kink效应,同时较传统全耗尽SOI nMOSFET有更加优秀的电流驱动能力和跨导特性.
【总页数】6页(P35-40)
【关键词】双栅结构;动态阈值;全耗尽绝缘体上硅;nMOS场效应晶体管
【作者】毕津顺;吴峻峰;海潮和
【作者单位】中国科学院微电子研究所
【正文语种】中文
【中图分类】TN386.1
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