多台阶介质槽隔离的SiCOI MESFET器件
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多台阶介质槽隔离的SiCOI MESFET器件
龚欣;张进城;郝跃
【期刊名称】《半导体学报：英文版》
【年(卷),期】2004(25)1
【摘要】用二维器件仿真软件 MEDICI对 Si COI(Si C on insulator) MESFET的击穿特性进行了研究 ,提出了一种新的 Si COI MESFET器件介质槽隔离结构 ,即多台阶介质槽隔离结构 .研究结果表明 ,与单介质槽隔离 Si COI MES-FET相比 ,多台阶结构在保持高击穿电压的情况下 ,可以大大提高器件的饱和漏电流和跨导 .多台阶介质槽隔离Si COI
【总页数】4页(P73-76)
【关键词】SiCOI;MESFET;多台阶介质槽隔离;击穿电压
【作者】龚欣;张进城;郝跃
【作者单位】西安电子科技大学微电子所
【正文语种】中文
【中图分类】TN386.3
【相关文献】
1.介质隔离横向高压p-i-n器件的击穿特性 [J], 洪垣
2.有介质隔离层的Ti：LiNbo3波导器件电极分析 [J], 周建会
3.6H-SiCOI MESFET器件结构参数对其特性的影响 [J], 龚欣;张进城;郝跃;李培咸
4.一种新型介质槽隔离SiCOIMESFET [J], 龚欣;张进城;郝跃
5.用深反应离子刻蚀和介质填充技术制造具有高深宽比的超深电隔离槽(英文) [J], 朱泳;闫桂珍;王成伟;杨振川;范杰;周健;王阳元
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